JPH05251535A - バンプ検査装置 - Google Patents
バンプ検査装置Info
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- JPH05251535A JPH05251535A JP4048854A JP4885492A JPH05251535A JP H05251535 A JPH05251535 A JP H05251535A JP 4048854 A JP4048854 A JP 4048854A JP 4885492 A JP4885492 A JP 4885492A JP H05251535 A JPH05251535 A JP H05251535A
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明はバンプ検査装置に関し、バンプ検査
を正確に、かつ、高速に行うバンプ検査装置を提供する
ことを目的としている。 【構成】 プリント板にバンプ接合した所定部材を計測
対象物Ｓとし、該計測対象物ＳにＸ線を照射するＸ線照
射手段１と、該計測対象物を透過したＸ線から該検査対
象物におけるバンプの形状を示すＸ線透視画像を生成す
る画像生成手段２４と、該Ｘ線透視画像から全てのバン
プにおけるバンプ中心位置を検出する中心位置検出手段
２１と、該中心位置検出手段２１によって検出されたバ
ンプ中心位置に基づいて検査対象となるバンプの近傍領
域におけるＸ線透視画像を加算し、該近傍領域における
基準バンプを設定する基準バンプ設定手段と、該計測対
象物Ｓ中の検査対象となるバンプの形状と、該バンプの
存在する領域における該基準バンプの形状とを比較し、
バンプ形状の良否を判定する形状判定手段とを備えるよ
うに構成する。
を正確に、かつ、高速に行うバンプ検査装置を提供する
ことを目的としている。 【構成】 プリント板にバンプ接合した所定部材を計測
対象物Ｓとし、該計測対象物ＳにＸ線を照射するＸ線照
射手段１と、該計測対象物を透過したＸ線から該検査対
象物におけるバンプの形状を示すＸ線透視画像を生成す
る画像生成手段２４と、該Ｘ線透視画像から全てのバン
プにおけるバンプ中心位置を検出する中心位置検出手段
２１と、該中心位置検出手段２１によって検出されたバ
ンプ中心位置に基づいて検査対象となるバンプの近傍領
域におけるＸ線透視画像を加算し、該近傍領域における
基準バンプを設定する基準バンプ設定手段と、該計測対
象物Ｓ中の検査対象となるバンプの形状と、該バンプの
存在する領域における該基準バンプの形状とを比較し、
バンプ形状の良否を判定する形状判定手段とを備えるよ
うに構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バンプ検査装置に係
り、詳しくは、例えば、プリント基板への部品の実装の
分野に用いて好適な、実装時の不良を検出するバンプ検
査装置に関する。近年、半導体技術の急速な進歩に伴
い、例えば、微小化された電子部品等をプリント基板に
高密度に実装するためのバンプ結合による実装技術の開
発が盛んに行われている。
り、詳しくは、例えば、プリント基板への部品の実装の
分野に用いて好適な、実装時の不良を検出するバンプ検
査装置に関する。近年、半導体技術の急速な進歩に伴
い、例えば、微小化された電子部品等をプリント基板に
高密度に実装するためのバンプ結合による実装技術の開
発が盛んに行われている。
【０００２】バンプ結合とは、チップ表面に半径１００
〜２００μｍ程度の複数の小さな突起を作成し、これを
基材と接合して電気的導通と機械的な保持とを図るもの
であり、この方法によれば、電気的な導通部の長さが短
縮でき、かつ、１チップ当り数百個といった多数の接合
点を得ることができる。しかし、図５に示すように、バ
ンプ結合では接合部が完全にチップの陰に隠れるため、
外観検査のみでは、例えば、バンプ同士のショート、半
田クズの発生、バンプ間隔異常、バンプ細り等の製造プ
ロセス上検出しなくてはならない欠陥が発見しにくい。
〜２００μｍ程度の複数の小さな突起を作成し、これを
基材と接合して電気的導通と機械的な保持とを図るもの
であり、この方法によれば、電気的な導通部の長さが短
縮でき、かつ、１チップ当り数百個といった多数の接合
点を得ることができる。しかし、図５に示すように、バ
ンプ結合では接合部が完全にチップの陰に隠れるため、
外観検査のみでは、例えば、バンプ同士のショート、半
田クズの発生、バンプ間隔異常、バンプ細り等の製造プ
ロセス上検出しなくてはならない欠陥が発見しにくい。
【０００３】そこで、結合状態で欠陥を検出するため
に、例えば、Ｘ線を用いた透視による検査が必要とな
る。
に、例えば、Ｘ線を用いた透視による検査が必要とな
る。
【０００４】
【従来の技術】従来のこの種のバンプ検査装置として
は、例えば、図６に示すようなＸ線検査装置がある。こ
のＸ線検査装置は、大別して、Ｘ線照射手段であるマイ
クロフォーカスＸ線源１、サンプル台２、ステージ３、
Ｘ線受光手段４、Ｘ線処理手段５からなり、Ｘ線受光手
段４は、Ｘ線受光部６、レンズ７、ＣＣＤ（Charge Cou
pled Device）ラインセンサ８から構成され、Ｘ線処理
手段５は、Ａ／Ｄコンバータ９、フレームメモリ１０、
ニ値化回路１１、リファランス格納部１２、比較回路１
３、ディスプレイ１４、ＣＰＵ（Central Processing U
nit ）１５、Ｉ／Ｏ部１６から構成されている。
は、例えば、図６に示すようなＸ線検査装置がある。こ
のＸ線検査装置は、大別して、Ｘ線照射手段であるマイ
クロフォーカスＸ線源１、サンプル台２、ステージ３、
Ｘ線受光手段４、Ｘ線処理手段５からなり、Ｘ線受光手
段４は、Ｘ線受光部６、レンズ７、ＣＣＤ（Charge Cou
pled Device）ラインセンサ８から構成され、Ｘ線処理
手段５は、Ａ／Ｄコンバータ９、フレームメモリ１０、
ニ値化回路１１、リファランス格納部１２、比較回路１
３、ディスプレイ１４、ＣＰＵ（Central Processing U
nit ）１５、Ｉ／Ｏ部１６から構成されている。
【０００５】なお、Ｓは計測対象物であるフリップチッ
プ、Ｂはシステムバスであり、マイクロフォーカスＸ線
源１には放射型Ｘ線源、Ｘ線受光手段４には広領域セン
サが用いられている。以上の構成において、フリップチ
ップＳのバンプ形状を検査する場合、まず、マイクロフ
ォーカスＸ線源１からフリップチップＳにＸ線が照射さ
れ、フリップチップＳの透過光がＸ線受光手段４によっ
て受光されて可視光に変換された後、ＣＣＤラインセン
サ８によってアナログの電気信号に変換される。
プ、Ｂはシステムバスであり、マイクロフォーカスＸ線
源１には放射型Ｘ線源、Ｘ線受光手段４には広領域セン
サが用いられている。以上の構成において、フリップチ
ップＳのバンプ形状を検査する場合、まず、マイクロフ
ォーカスＸ線源１からフリップチップＳにＸ線が照射さ
れ、フリップチップＳの透過光がＸ線受光手段４によっ
て受光されて可視光に変換された後、ＣＣＤラインセン
サ８によってアナログの電気信号に変換される。
【０００６】変換された電気信号はアナログ信号である
ため、Ａ／Ｄコンバータ９によって一度デジタル信号に
変換されてフレームメモリ１０に蓄積されるとともに、
ニ値化回路１１によってニ値化され、フリップチップＳ
のバンプ形状が画像情報（Ｘ線透視画像）として得られ
る。そして、この得られた画像情報中の検査対象となる
バンプの形状と、リファランス格納部１２中に予め格納
された基準バンプ（以下、リファランスという）の形状
とが比較回路１３によって比較され、バンプ形状が検査
される。
ため、Ａ／Ｄコンバータ９によって一度デジタル信号に
変換されてフレームメモリ１０に蓄積されるとともに、
ニ値化回路１１によってニ値化され、フリップチップＳ
のバンプ形状が画像情報（Ｘ線透視画像）として得られ
る。そして、この得られた画像情報中の検査対象となる
バンプの形状と、リファランス格納部１２中に予め格納
された基準バンプ（以下、リファランスという）の形状
とが比較回路１３によって比較され、バンプ形状が検査
される。
【０００７】なお、この場合、得られる画像情報はディ
スプレイ１４を介して目視による認識が可能となってお
り、Ｘ処理手段５での制御は全てＣＰＵ１５によって行
われ、さらに、Ｉ／Ｏ部１６を介してステージ３の移動
やＸ線受光手段４の制御もＣＰＵ１５によって行われ
る。
スプレイ１４を介して目視による認識が可能となってお
り、Ｘ処理手段５での制御は全てＣＰＵ１５によって行
われ、さらに、Ｉ／Ｏ部１６を介してステージ３の移動
やＸ線受光手段４の制御もＣＰＵ１５によって行われ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のバンプ検査装置にあっては、リファランス格
納部１２に格納されたリファランスのバンプ形状に基づ
いて検査対象となるバンプの形状を検査するという構成
となっていたため、以下に述べるような問題点があっ
た。
うな従来のバンプ検査装置にあっては、リファランス格
納部１２に格納されたリファランスのバンプ形状に基づ
いて検査対象となるバンプの形状を検査するという構成
となっていたため、以下に述べるような問題点があっ
た。
【０００９】すなわち、放射型Ｘ線源を用いた場合の広
領域センサで検出されるＸ線透過信号は、図７に示すよ
うに、検査領域内の中央部と周辺部とでは異なるため、
Ｘ線処理手段５によって得られる画像に歪みが生じる。
これは、マイクロフォーカスＸ線源１のＸ線照射軸とフ
リップチップＳの鉛直軸とが一致していると、検査領域
内の周辺部付近では、バンプに対する投影軸が傾斜し
（例えば、図７の左右方向における画素数が１０００画
素程度のセンサでは、傾きは１５°程度となる）、図８
に示すように、マイクロフォーカスＸ線源１からのＸ線
照射によって得られるバンプの画像が歪むためである。
領域センサで検出されるＸ線透過信号は、図７に示すよ
うに、検査領域内の中央部と周辺部とでは異なるため、
Ｘ線処理手段５によって得られる画像に歪みが生じる。
これは、マイクロフォーカスＸ線源１のＸ線照射軸とフ
リップチップＳの鉛直軸とが一致していると、検査領域
内の周辺部付近では、バンプに対する投影軸が傾斜し
（例えば、図７の左右方向における画素数が１０００画
素程度のセンサでは、傾きは１５°程度となる）、図８
に示すように、マイクロフォーカスＸ線源１からのＸ線
照射によって得られるバンプの画像が歪むためである。
【００１０】このため、検査対象となるバンプ形状とリ
ファランスのバンプ形状とを比較する場合、図８に示す
ように、検査領域内の中央部では正しい検査がなされる
が、周辺部では歪みのために、バンプ不良と判断される
場合があるという問題点があった。この対策として、歪
み補正のための前処理を施したり、特殊な検査アルゴリ
ズムを用いることが考えられるが、歪み補正のための前
処理を施すものにあっては、複雑な要素からなる歪み成
分を補正する処理のために検査に時間がかかり、また、
特殊な検査アルゴリズムを用いる方法にあっては、アル
ゴリズムの特殊さゆえ、処理に時間を要し、前述の対策
方と同様に検査に時間がかかるという問題点があった。
ファランスのバンプ形状とを比較する場合、図８に示す
ように、検査領域内の中央部では正しい検査がなされる
が、周辺部では歪みのために、バンプ不良と判断される
場合があるという問題点があった。この対策として、歪
み補正のための前処理を施したり、特殊な検査アルゴリ
ズムを用いることが考えられるが、歪み補正のための前
処理を施すものにあっては、複雑な要素からなる歪み成
分を補正する処理のために検査に時間がかかり、また、
特殊な検査アルゴリズムを用いる方法にあっては、アル
ゴリズムの特殊さゆえ、処理に時間を要し、前述の対策
方と同様に検査に時間がかかるという問題点があった。
【００１１】［目的］そこで本発明は、バンプ検査を正
確に、かつ、高速に行うバンプ検査装置を提供すること
を目的としている。
確に、かつ、高速に行うバンプ検査装置を提供すること
を目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によるバンプ検査
装置は上記目的達成のため、プリント板にバンプ接合し
た所定部材を計測対象物とし、該計測対象物にＸ線を照
射するＸ線照射手段と、該計測対象物を透過したＸ線か
ら該検査対象物におけるバンプの形状を示すＸ線透視画
像を生成する画像生成手段と、該Ｘ線透視画像から全て
のバンプにおけるバンプ中心位置を検出する中心位置検
出手段と、該中心位置検出手段によって検出されたバン
プ中心位置に基づいて検査対象となるバンプの近傍領域
におけるＸ線透視画像を加算し、該近傍領域における基
準バンプを設定する基準バンプ設定手段と、該計測対象
物中の検査対象となるバンプの形状と、該バンプの存在
する領域における該基準バンプの形状とを比較し、バン
プ形状の良否を判定する形状判定手段とを備えるように
構成している。
装置は上記目的達成のため、プリント板にバンプ接合し
た所定部材を計測対象物とし、該計測対象物にＸ線を照
射するＸ線照射手段と、該計測対象物を透過したＸ線か
ら該検査対象物におけるバンプの形状を示すＸ線透視画
像を生成する画像生成手段と、該Ｘ線透視画像から全て
のバンプにおけるバンプ中心位置を検出する中心位置検
出手段と、該中心位置検出手段によって検出されたバン
プ中心位置に基づいて検査対象となるバンプの近傍領域
におけるＸ線透視画像を加算し、該近傍領域における基
準バンプを設定する基準バンプ設定手段と、該計測対象
物中の検査対象となるバンプの形状と、該バンプの存在
する領域における該基準バンプの形状とを比較し、バン
プ形状の良否を判定する形状判定手段とを備えるように
構成している。
【００１３】この場合、前記計測対象物中の検査対象と
なるバンプの中心位置と、該バンプの存在する領域にお
ける前記基準バンプの中心位置とを比較し、バンプ中心
位置の位置ずれを検出する位置ずれ検出手段を設けるこ
とは有効である。
なるバンプの中心位置と、該バンプの存在する領域にお
ける前記基準バンプの中心位置とを比較し、バンプ中心
位置の位置ずれを検出する位置ずれ検出手段を設けるこ
とは有効である。
【００１４】
【作用】本発明では、中心位置検出手段によって検出さ
れたバンプ中心位置に基づいて検査対象となるバンプの
近傍領域におけるＸ線透視画像が加算されて、この近傍
領域における基準バンプが設定され、計測対象物中の検
査対象となるバンプの形状と、このバンプの存在する領
域における基準バンプの形状とが比較されてバンプ形状
の良否が判定される。
れたバンプ中心位置に基づいて検査対象となるバンプの
近傍領域におけるＸ線透視画像が加算されて、この近傍
領域における基準バンプが設定され、計測対象物中の検
査対象となるバンプの形状と、このバンプの存在する領
域における基準バンプの形状とが比較されてバンプ形状
の良否が判定される。
【００１５】また、計測対象物中の検査対象となるバン
プの中心位置と、このバンプの存在する領域における基
準バンプの中心位置とが比較されてバンプ中心位置の位
置ずれが検出される。すなわち、検査対象となるバンプ
の近傍領域の画像から基準バンプが設定されるため、放
射型Ｘ線源が用いられた透視画像固有の画像の歪みに影
響されることなく、検査がなされる。
プの中心位置と、このバンプの存在する領域における基
準バンプの中心位置とが比較されてバンプ中心位置の位
置ずれが検出される。すなわち、検査対象となるバンプ
の近傍領域の画像から基準バンプが設定されるため、放
射型Ｘ線源が用いられた透視画像固有の画像の歪みに影
響されることなく、検査がなされる。
【００１６】したがって、複雑な前処理やアルゴリズム
を用いなくてもよいため、バンプ検査が正確に、かつ、
高速に行われる。
を用いなくてもよいため、バンプ検査が正確に、かつ、
高速に行われる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は本発明に係るバンプ検査装置の一実施例を示す図で
あり、その要部構成を示す概略図である。まず、構成を
説明する。
１は本発明に係るバンプ検査装置の一実施例を示す図で
あり、その要部構成を示す概略図である。まず、構成を
説明する。
【００１８】なお、図１において、図６に示した従来例
に付された番号と同一番号は同一部分を示す。本実施例
におけるバンプ検査装置のＸ線処理手段５は、Ａ／Ｄコ
ンバータ９、フレームメモリ１０、ニ値化回路１１、リ
ファランス格納部１２、ディスプレイ１４、ＣＰＵ１
５、Ｉ／Ｏ部１６の他に、中心位置検出手段である中心
検出マッチング回路２１、基準バンプ設定手段である周
辺画像加算回路２２、形状判定手段及び位置ずれ検出手
段である比較回路２３から構成され、Ａ／Ｄコンバータ
９、フレームメモリ１０、ニ値化回路１１から画像生成
手段２４が構成されている。
に付された番号と同一番号は同一部分を示す。本実施例
におけるバンプ検査装置のＸ線処理手段５は、Ａ／Ｄコ
ンバータ９、フレームメモリ１０、ニ値化回路１１、リ
ファランス格納部１２、ディスプレイ１４、ＣＰＵ１
５、Ｉ／Ｏ部１６の他に、中心位置検出手段である中心
検出マッチング回路２１、基準バンプ設定手段である周
辺画像加算回路２２、形状判定手段及び位置ずれ検出手
段である比較回路２３から構成され、Ａ／Ｄコンバータ
９、フレームメモリ１０、ニ値化回路１１から画像生成
手段２４が構成されている。
【００１９】中心検出マッチング回路２１は、画像生成
手段２４により生成されたＸ線透視画像から全てのバン
プにおけるバンプの中心位置を検出するものである。そ
こで、周辺画像加算回路２２は、検査対象となるバンプ
の隣接バンプ画像を加算してリファランスを得るもので
ある。ちなみに、例えば、ＣＣＤラインセンサの検出画
素が１０００画素で、１つのバンプ径が２０画素、隣接
バンプとの距離が３０〜４０画素分である場合、歪みは
最大５％程度となる。この場合、検出対象となるバンプ
とその隣接バンプとの歪みは、
手段２４により生成されたＸ線透視画像から全てのバン
プにおけるバンプの中心位置を検出するものである。そ
こで、周辺画像加算回路２２は、検査対象となるバンプ
の隣接バンプ画像を加算してリファランスを得るもので
ある。ちなみに、例えば、ＣＣＤラインセンサの検出画
素が１０００画素で、１つのバンプ径が２０画素、隣接
バンプとの距離が３０〜４０画素分である場合、歪みは
最大５％程度となる。この場合、検出対象となるバンプ
とその隣接バンプとの歪みは、
【００２０】
【数１】
【００２１】となり、位置ずれは０．０４画素で、ほと
んど歪みを無視してもよいレベルとなることから、検査
対象となるバンプの近傍領域からリファランスを抽出す
れば、放射型Ｘ線源が用いられた透視画像固有の画像の
歪みに影響されることなく検査ができる。具体的には、
図２に示すような隣接８画素からリファランスを得る場
合、検査対象となるバンプの中心位置を（ａ，ｂ）、バ
ンプ画像をｇ（ｘ，ｙ）、バンプピッチをｄとすると、
リファランスは、
んど歪みを無視してもよいレベルとなることから、検査
対象となるバンプの近傍領域からリファランスを抽出す
れば、放射型Ｘ線源が用いられた透視画像固有の画像の
歪みに影響されることなく検査ができる。具体的には、
図２に示すような隣接８画素からリファランスを得る場
合、検査対象となるバンプの中心位置を（ａ，ｂ）、バ
ンプ画像をｇ（ｘ，ｙ）、バンプピッチをｄとすると、
リファランスは、
【００２２】
【数２】
【００２３】となり、得られた値をニ値化し、リファラ
ンス格納部１２に格納される。但し、対象近傍において
中心が検出されなかった場合は、加算処理の対象とはせ
ず、実際上、バンプの位置には誤差が考えられるので、
中心検出マッチング回路２１により検出された中心位置
に基づいて処理が行われる。比較回路２３は、検査対象
となるバンプと、このバンプに対するリファランスに比
較マージンを加えたものとの差分をとることによりバン
プ形状の比較を行うものであり、また、リファランスの
中心位置から検査対象となるバンプの中心位置を求め、
この求められた中心位置と、実際のＸ線透視画像から得
られたバンプ中心位置とを比較することにより位置ずれ
検出も行うものである。
ンス格納部１２に格納される。但し、対象近傍において
中心が検出されなかった場合は、加算処理の対象とはせ
ず、実際上、バンプの位置には誤差が考えられるので、
中心検出マッチング回路２１により検出された中心位置
に基づいて処理が行われる。比較回路２３は、検査対象
となるバンプと、このバンプに対するリファランスに比
較マージンを加えたものとの差分をとることによりバン
プ形状の比較を行うものであり、また、リファランスの
中心位置から検査対象となるバンプの中心位置を求め、
この求められた中心位置と、実際のＸ線透視画像から得
られたバンプ中心位置とを比較することにより位置ずれ
検出も行うものである。
【００２４】次に作用を説明する。まず、図３，４に示
すように、マイクロフォーカスＸ線源１からフリップチ
ップＳにＸ線が照射され（ステップ１）、Ｘ線受光手段
４によってフリップチップＳの透過光であるＸ線が可視
光線に変換され、この光線の強度に応じてＣＣＤライン
センサ８によりアナログ信号が出力された後、Ａ／Ｄコ
ンバータ９によってデジタル信号に変換されてバスＢを
介してフレームメモリ１０に蓄積されることによりＸ線
透視画像の取り込みが行われる（ステップ２）。
すように、マイクロフォーカスＸ線源１からフリップチ
ップＳにＸ線が照射され（ステップ１）、Ｘ線受光手段
４によってフリップチップＳの透過光であるＸ線が可視
光線に変換され、この光線の強度に応じてＣＣＤライン
センサ８によりアナログ信号が出力された後、Ａ／Ｄコ
ンバータ９によってデジタル信号に変換されてバスＢを
介してフレームメモリ１０に蓄積されることによりＸ線
透視画像の取り込みが行われる（ステップ２）。
【００２５】次に、ニ値化回路１１によって画像情報が
ニ値化され（ステップ３）、中心検出マッチング回路２
１によりバンプの中心位置が検出される（ステップ
４）。そして、周辺画像加算回路２２及びニ値化回路１
１によりリファランスが作成され（ステップ５，６）、
比較回路２３で検出対象となるバンプとの比較が行われ
（ステップ７）、相関度からバンプの良否が判定され、
バンプ欠陥の検出が行われる（ステップ８）。
ニ値化され（ステップ３）、中心検出マッチング回路２
１によりバンプの中心位置が検出される（ステップ
４）。そして、周辺画像加算回路２２及びニ値化回路１
１によりリファランスが作成され（ステップ５，６）、
比較回路２３で検出対象となるバンプとの比較が行われ
（ステップ７）、相関度からバンプの良否が判定され、
バンプ欠陥の検出が行われる（ステップ８）。
【００２６】ちなみに、検出結果はディスプレイ１４等
により告知される。なお、Ｉ／Ｏ部１６を介してステー
ジ３の移動やＸ線受光手段４の制御もＣＰＵ１５によっ
て行われ、また、フリップチップＳはサンプル台２上に
載置され、ステージ３の移動により任意の箇所に速やか
移動可能となっており、この移動もシステムのＣＰＵ１
５によって制御される。
により告知される。なお、Ｉ／Ｏ部１６を介してステー
ジ３の移動やＸ線受光手段４の制御もＣＰＵ１５によっ
て行われ、また、フリップチップＳはサンプル台２上に
載置され、ステージ３の移動により任意の箇所に速やか
移動可能となっており、この移動もシステムのＣＰＵ１
５によって制御される。
【００２７】そして、この得られた画像情報中の検査対
象となるバンプの形状と、リファランス格納部１２中に
予め格納された基準バンプ（以下、リファランスとい
う）の形状とが比較回路１３によって比較され、バンプ
形状が検査される。このように本実施例では、検査対象
となるバンプの近傍領域の画像からリファランスが設定
されるため、複雑な前処理やアルゴリズムを用いずと
も、画像の歪みに影響されずに正確で、かつ、高速なバ
ンプ検査ができる。
象となるバンプの形状と、リファランス格納部１２中に
予め格納された基準バンプ（以下、リファランスとい
う）の形状とが比較回路１３によって比較され、バンプ
形状が検査される。このように本実施例では、検査対象
となるバンプの近傍領域の画像からリファランスが設定
されるため、複雑な前処理やアルゴリズムを用いずと
も、画像の歪みに影響されずに正確で、かつ、高速なバ
ンプ検査ができる。
【００２８】なお、上記実施例はリファランスの作成に
検査対象となるバンプの隣接８画素を対象とした場合を
例に採り説明したが、これに限らず、さらに、サンプル
となる画素数を増やしても構わないし、サンプル抽出点
も任意に設定できることはいうまでもない。
検査対象となるバンプの隣接８画素を対象とした場合を
例に採り説明したが、これに限らず、さらに、サンプル
となる画素数を増やしても構わないし、サンプル抽出点
も任意に設定できることはいうまでもない。
【００２９】
【発明の効果】本発明では、検査対象となるバンプの近
傍領域の画像から基準バンプを設定するため、放射型Ｘ
線源を用いた透視画像固有の画像の歪みに影響されずに
バンプ検査ができる。したがって、複雑な前処理やアル
ゴリズムを用いなくとも容易に正確な検査が実現でき、
検査を高速に行うことができる。
傍領域の画像から基準バンプを設定するため、放射型Ｘ
線源を用いた透視画像固有の画像の歪みに影響されずに
バンプ検査ができる。したがって、複雑な前処理やアル
ゴリズムを用いなくとも容易に正確な検査が実現でき、
検査を高速に行うことができる。
【図１】本実施例の要部構成を示す概略図である。
【図２】リファランスの作成を説明するための図であ
る。
る。
【図３】本実施例の処理の流れを説明するための図であ
る。
る。
【図４】本実施例の動作例を説明するための図である。
【図５】バンプ結合を説明するための要部斜視図であ
る。
る。
【図６】従来例の要部構成を示す概略図である。
【図７】従来例の問題点を説明するための要部断面図で
ある。
ある。
【図８】従来例の問題点を説明するための図である。
１ マイクロフォーカスＸ線源（Ｘ線照射手段） ２ サンプル台 ３ ステージ ４ Ｘ線受光手段 ５ Ｘ線処理手段 ６ Ｘ線受光部 ７ レンズ ８ ＣＣＤラインセンサ ９ Ａ／Ｄコンバータ １０ フレームメモリ １１ ニ値化回路 １２ リファランス格納部 １３ 比較回路 １４ ディスプレイ １５ ＣＰＵ １６ Ｉ／Ｏ部 ２１ 中心検出マッチング回路（中心位置検出手段） ２２ 周辺画像加算回路（基準バンプ設定手段） ２３ 比較回路（形状判定手段及び位置ずれ検出手
段） ２４ 画像生成手段 Ｓ フリップチップ（計測対象物） Ｂ システムバス
段） ２４ 画像生成手段 Ｓ フリップチップ（計測対象物） Ｂ システムバス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西山 陽二 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】プリント板にバンプ接合した所定部材を計
測対象物とし、該計測対象物にＸ線を照射するＸ線照射
手段と、 該計測対象物を透過したＸ線から該検査対象物における
バンプの形状を示すＸ線透視画像を生成する画像生成手
段と、 該Ｘ線透視画像から全てのバンプにおけるバンプ中心位
置を検出する中心位置検出手段と、 該中心位置検出手段によって検出されたバンプ中心位置
に基づいて検査対象となるバンプの近傍領域におけるＸ
線透視画像を加算し、該近傍領域における基準バンプを
設定する基準バンプ設定手段と、 該計測対象物中の検査対象となるバンプの形状と、該バ
ンプの存在する領域における該基準バンプの形状とを比
較し、バンプ形状の良否を判定する形状判定手段と、 を備えることを特徴とするバンプ検査装置。 - 【請求項２】前記計測対象物中の検査対象となるバンプ
の中心位置と、該バンプの存在する領域における前記基
準バンプの中心位置とを比較し、バンプ中心位置の位置
ずれを検出する位置ずれ検出手段を備えることを特徴と
する請求項１記載のバンプ検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4048854A JPH05251535A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | バンプ検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4048854A JPH05251535A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | バンプ検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251535A true JPH05251535A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12814857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4048854A Withdrawn JPH05251535A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | バンプ検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251535A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10229088A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Fujitsu Ltd | 半導体部材の検査方法及び装置及び半導体製造装置及び半導体部材 |
| US6193132B1 (en) | 1997-11-27 | 2001-02-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for bonding semiconductor chip and device therefor |
| JP2004055599A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Nagoya Electric Works Co Ltd | 実装基板の検査方法およびその装置 |
| JP2004317226A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Shimadzu Corp | バンプ検査装置 |
| EP2058623A2 (en) * | 2000-06-14 | 2009-05-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method and apparatus for measuring a bump on a substrate |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP4048854A patent/JPH05251535A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10229088A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Fujitsu Ltd | 半導体部材の検査方法及び装置及び半導体製造装置及び半導体部材 |
| US6193132B1 (en) | 1997-11-27 | 2001-02-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for bonding semiconductor chip and device therefor |
| EP2058623A2 (en) * | 2000-06-14 | 2009-05-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method and apparatus for measuring a bump on a substrate |
| EP2058623A3 (en) * | 2000-06-14 | 2009-12-02 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method and apparatus for measuring a bump on a substrate |
| JP2004055599A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Nagoya Electric Works Co Ltd | 実装基板の検査方法およびその装置 |
| JP2004317226A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Shimadzu Corp | バンプ検査装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |