JP2007048841A - シリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体の検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 例えばＢＧＡ等において，シリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体において，実装後のバンプを検査する従来の方法では，光切断法は用いられておらず，高さ方向のデータが得られない。
【解決手段】 そこで本発明では，シリコン基板によるチップ２を基材３にバンプ接合した構造体１を検査対象とし，赤外線スリット光７を照射する赤外線スリット光源８ａ，８ｂと，赤外線スリット光の照射方向に対して光軸を傾斜させた赤外線撮像手段９ａ，９ｂとから成る検査装置をチップ側に配置し，構造体に対する赤外線スリット光の走査手段を構成した検査装置を提案するものである。
【選択図】 図１１

Description

本発明は，例えばＢＧＡ（Ball Grid Array）等のＬＳＩのパッケージ構造のように，シリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体を光切断法を用いて検査するための検査装置に関するものである。

例えばＬＳＩのパッケージ構造に用いられるＢＧＡのように，シリコン等の半導体基板によるチップを，所定の回路を形成したプリント基板等の基材にバンプ接合して，電気的接続と共に機械的保持を図る構造体がある。

このような構造体では，バンプ接合部がチップと基材間に隠れてしまうので，接合が正常に行われたか否かの検査には工夫が必要であり，例えば特許文献１〜３に示されるように，従来から種々の提案がなされている。

例えば特許文献１には，上記構造体のチップ側に赤外線を照射する赤外線照射手段と，該構造体により反射した赤外線を検出する赤外線検出手段とを備えた検査装置が提案されている。

図１２は特許文献１において提案されている一つの検査装置の原理を示す模式図であり，図中，符号ａは，シリコン基板によるチップｂを，プリント基板等の基材ｃに，バンプｄとチップｂ側のパッドｅによりバンプ接合して成る構造体を示すものである。このバンプ接合においては，後述するように，バンプｄの細り，隣接のバンプｄのショート，基材ｃ上の半田残り，隣接のバンプｄ間の間隔異常，あるいは半田不足によるオープン等の欠陥が発生する場合があり，その検査が必須である。

そこで特許文献１においては，チップｂの主材料であるシリコンが，1.8μｍよりも長い波長の光，即ち赤外線を透過するという特性を利用して，検査対象としての構造体ａのチップｂ側に，構造体ａに対して斜め上方から赤外線ｆを照射する赤外線照射手段ｇを配置すると共に，構造体ａの真上に赤外線カメラｈを配置して検査装置を構成している。この検査装置において，赤外線照射手段ｇは，赤外線ｆを広範囲の照明角で照射する構成としている。

以上の検査装置では，赤外線照射手段ｇにより，構造体ａの斜め上方から広範囲に渡って赤外線ｆを照明すると，赤外線ｆはシリコンによるチップｂを透過した後，基材ｃやバンプｄの表面に当たって反射するが，バンプｄの頂上付近に当たった赤外線はバンプｄを接合するために設けられた金属製のパッドｅの裏面に当って反射するために頂上部位置では観測できず，従って，真上方向に反射する赤外線だけを検出することで，バンプｄの形状が観測され，これによってバンプｄの欠陥を検査するというものである。

また特許文献２には，半導体チップのリードに塗布された半田表面の画像をカメラで撮影し，画像を複数の領域に分割して各領域の輝度レベルの平均値を算出し，画像を２値化してラベリング処理を行った後，連結成分の２次元特徴量を複数個計測し，前記平均値と２次元特徴量とを，予め学習させた神経回路網に入力して半田の良否判定出力を得るという検査方法が提案されている。

更に特許文献３には，ＢＧＡの裏面にスリット光を照射するスリット光照射手段と，前記スリット光を一定の斜め照射角度が保たれるようにしながら走査させる光走査手段と，スリット光が照射されているＢＧＡの裏面の外観像を略正面より撮影する電子撮像手段とを備え，半田ボールで遮られずにＢＧＡの裏面にあらわれる光跡と半田ボールで遮られて半田ボールの表面にあらわれる光跡との間に生じる光跡間距離に基づき半田ボールの高さを求めることとした光切断法を利用した検査装置が提案されている。
特開平５−１５２４０１号公報 特開平８−８６６２８号公報 特開平１１−２３２３４号公報

以上の従来の方法では，以下に示すような課題があった。
まず，特許文献１に記載された上述の検査装置では，赤外線照射手段により，構造体の斜め上方から広範囲に渡って照射した赤外線の反射光を，構造体の真上に配置した赤外線カメラで撮像するので，検出されるバンプのデータは，二次元データのみであり，高さ方向のデータを検出することはできない。従って，高さ方向の欠陥を検出することはできない。

同様に，特許文献２に記載された検査装置も，検出される半田のデータは二次元データのみであって，高さ方向の欠陥を検出することはできない。

また特許文献３に記載された検査装置は，光切断法を利用することにより，半田ボールの三次元のデータを求めるものであるが，この検査装置はバンプ接合による実装前の半田ボールの高さを検査するものであって、実装後の半田ボールの状態の検査に利用することはできない。
本発明は以上の課題を解決することを目的とするものである。

以上の課題を解決するために，本発明では，まず，シリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体を検査対象とし，赤外線のスリット光を照射する赤外線スリット光源と，赤外線スリット光の照射方向に対して光軸を傾斜させた赤外線撮像手段とから成る検査装置をチップ側に配置し，構造体に対する赤外線スリット光の走査手段を構成した検査装置を提案する。

そして本発明では，上記の構成において，赤外線スリット光源は，赤外線スリット光の照射方向をチップの法線方向に配置すると共に，赤外線撮像手段の光軸をチップの法線方向に対して傾斜させて配置した検査装置を提案する。

また本発明では，上記の構成において，赤外線スリット光源は，赤外線スリット光の照射方向をチップの法線方向に対して傾斜させて配置すると共に，赤外線撮像手段の光軸をチップの法線方向に配置した検査装置を提案する。

また本発明では，以上の構成において，構造体に対する赤外線スリット光の走査手段は，構造体を搬送する搬送手段によって構成することを提案する。

また本発明では，シリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体を検査対象とし，赤外線スリット光の照射方向をチップの法線方向に配置した赤外線スリット光源と，光軸をチップの法線方向に対して傾斜させて配置した赤外線撮像手段とから成る第１の検査装置と，赤外線スリット光の照射方向をチップの法線方向に対して傾斜させて配置した赤外線スリット光源と，光軸をチップの法線方向に配置した赤外線撮像手段とから成る第２の検査装置とを構成し，第１と第２の検査装置に，構造体に対する赤外線スリット光の走査手段を構成した検査装置を提案する。

そして本発明では，上記の構成において，構造体に対する赤外線スリット光の走査手段は，構造体を搬送する搬送手段によって構成し，搬送手段による構造体の搬送経路に沿って第１の検査装置と第２の検査装置を順次配置した検査装置を提案する。

本発明では，赤外線のスリット光を照射する赤外線スリット光源と，赤外線スリット光の照射方向に対して光軸を傾斜させた赤外線撮像手段とから成る検査装置をチップ側に配置し，構造体に対する赤外線スリット光の走査手段を構成して，シリコン基板を透過する赤外線スリット光により光切断法を実行するので，シリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体の状態において，即ちバンプ接合による実装後のバンプの三次元形状を検出することができる。

この場合，赤外線スリット光源は，赤外線スリット光の照射方向をチップの法線方向に配置すると共に，赤外線撮像手段の光軸をチップの法線方向に対して傾斜させて配置した検査装置の構成では，バンプの細り，隣接のバンプのショート，基材上の半田残り，隣接のバンプ間の間隔異常等を検出することができる。

一方，赤外線スリット光源は，赤外線スリット光の照射方向をチップの法線方向に対して傾斜させて配置すると共に，赤外線撮像手段の光軸をチップの法線方向に配置した検査装置の構成では，バンプ接合において赤外線が透過しないパッドの下方のバンプの状態，例えばバンプの細りや，オープン等の欠陥を検出することができる。

従って，前者と後者の検査装置の両者を利用して検査を行うことにより，あらゆる種類の欠陥を検出することができる。

本発明において，光切断法を実行するための，構造体に対する赤外線スリット光の走査手段は，検査装置側を移動する手段により構成することもできるが，構造体の搬送手段によって構成することができる。

この場合，前者と後者の検査装置を，搬送手段による構造体の搬送経路に沿って順次配置すれば，夫々における光切断法を利用した検査を連続的に行うことができる。

次に本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。
図１は本発明に係る第１の検査装置の構成を概念的に示す模式図である。
まず図１において，符号１は本検査装置の検査対象である構造体を示すもので，この構造体１は，シリコン基板によるチップ２を，基材３にバンプ接合したもので，バンプ接合部は，金属製のパッド４とバンプ５とを有している。この構造体１は搬送手段６によって，チップ２側を上に向けた状態で搬送可能に構成しており，この搬送手段６が後述するように光切断法で必要な走査手段を構成している。

以上の構造体１に対して，この第１の検査装置では，赤外線スリット光７を照射する赤外線スリット光源８ａは，赤外線スリット光７の照射方向をチップ２の法線方向に配置すると共に，赤外線撮像手段９ａを，その光軸１０をチップの法線方向に対して傾斜させて配置している。

以上の構成において，図１の面と直交する方向に放射状に拡がる１本の赤外線スリット光７はチップ２を透過して，バンプ５と基材３及びパッド４において反射されるため，赤外線撮像手段９ａの画像中に，図２に示すような反射する物体の切断画像，即ちスリット光の輝線１１中に，バンプ５に対応する凸曲線１２が得られる。そこで，搬送手段６により構造体１を少しずつ移動させて走査を行うことにより，バンプ５を含め，赤外線を反射する物体の三次元形状を得ることができ，従って後述するように，バンプ接合後の欠陥を検査することができる。

次に図３は本発明に係る第２の検査装置の構成を概念的に示す模式図である。 図３において，符号１は本検査装置の検査対象である構造体を示すもので，この構造体１は，第１の検査装置の検査対象と同様であるので，対応する要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。但し，この構造体１においては，複数のバンプ５の中の一つ，即ちバンプ５においては，半田不足により，パッド４との間に隙間が生じてオープンｄ1となっている。また符号６は第１の検査装置と同様に，構造体１の搬送手段であって，この搬送手段６が後述するように光切断法で必要な走査手段を構成している。

以上の構造体１に対して，この第２の検査装置では，赤外線スリット光７を照射する赤外線スリット光源８ｂは，赤外線スリット光７の照射方向をチップ２の法線方向に対して傾斜して配置すると共に，赤外線撮像手段９ｂは，その光軸１０をチップ２の法線方向に配置している。

以上の構成において，図３の面と直交する方向に放射状に拡がる１本の赤外線スリット光７はチップ２を透過して，バンプ５と基材３及びパッド４において反射されるため，赤外線撮像手段９ｂの画像中に，図４に示すような反射する物体の切断画像，即ちスリット光の輝線１１が得られる。そこで，搬送手段６により構造体１を少しずつ移動させて走査を行うことにより，バンプ５を含め，赤外線を反射する物体の三次元形状を得ることができる。

図３においては，搬送手段６により構造体１を少しずつ移動させて走査を行ったことによる１本の赤外線スリット光７と構造体１との相対位置関係の変化を，便宜的に複数の赤外線スリット光７ａ，７ｂ，７ｃにより表している。即ち，図中，一点鎖線の赤外線スリット光７ａは第１の走査時点，実線の赤外線スリット光７ｂは第２の走査時点及び二点鎖線の赤外線スリット光７ｃは第３の走査時点を示すもので，夫々の時点に対応する赤外線撮像手段９ｂの画像は，夫々図４の（ａ），（ｂ），（ｃ）である。

ここで図３に示されるように，赤外線スリット光７ａはバンプ５の部分を横切るため，赤外線撮像手段９ｂの画像（ａ）中の輝線１１には，バンプ５に対応する凸曲線１２が表れる。また赤外線スリット光７ｃはパッド４の部分を横切るため，赤外線撮像手段９ｂの画像（ｃ）中の輝線１１には，パッド４に対応する凸曲線１２が表れる。しかしながら赤外線スリット光７ｂは，パッド４の端部よりも内側でバンプ５の部分を横切るため，このバンプ５で反射した赤外線スリット光７ｂはパッド４で遮断されてしまい，赤外線撮像手段９ｂには到達しない。このため，赤外線撮像手段９ｂの画像（ｂ）中の輝線１１には，途切れ部分１３が生じる。

このため，走査毎に，赤外線撮像手段９ｂの画像における輝線１１を監視し，その途切れ部分１３が存在している場合には，赤外線スリット光７がパッド４の端部よりも内側に侵入してしまう欠陥，例えば図３に示すようなオープンや，後述するようなバンプの細りを検出することができる。

尚，以上に説明した第１の検査装置と第２の検査装置において，赤外線スリット光源８ａ，８ｂと赤外線撮像手段９ａ，９ｂとが成す角度は，例えば３０〜６０度の間で適宜に設定することができる。また赤外線スリット光源８ａ，８ｂと赤外線撮像手段９ａ，９ｂとが対象とする赤外線の波長は，1100ｎｍ〜2000ｎｍの間で適宜に選択することができる。

次に以上に説明した本発明の検査装置の動作を，想定し得る複数の欠陥を参照して更に具体的に説明する。
まず図５はバンプ接合の部分に欠陥がない構造体１を示すもので，構造体１は図１，図３に示すものと同様であるので対応する要素に同一の符号を付して重複する説明は省略する。尚，この図５は，図１又は図３の横断方向に対応するものである。

一方，図６は想定される欠陥が生じた構造体１を示すもので，ｄ1は上述したとおり半田不足によりバンプ５とパッド４との間に隙間が生じてオープンとなってしまった欠陥，ｄ2は半田不足等によりバンプ５が細ってしまった欠陥，ｄ3は隣接するバンプ５間が半田で結合してショートとなった欠陥，ｄ4は基材３の上面に半田１４が残っってしまった欠陥，ｄ5は隣接するバンプ５の少なくとも一方側の半田が過多等により隣接のバンプ５との間隔が小さくなってしまった欠陥を示すものである。この図６も，図１又は図３の横断方向に対応するものである。

そこで図５に示されるようにバンプ接合の部分に欠陥がない構造体１について，図１に示す第１の検査装置により検査した動作を図７に示す。
まず赤外線スリット光源８ａからの赤外線スリット光７は，ある走査時点において，（ａ）に示されるように構造体１において図中太線で示されるように照射され，赤外線撮像手段９ａの画像中に，（ｂ）に示すような反射する物体を横切る輝線１１が得られる。（ｂ）の輝線１１のデータを各走査毎に収集することによりバンプ５の三次元形状を得ることができるのであるが，ここでは，収集したデータによりバンプ５の平面画像を求め，求めた平面画像からバンプ５が正常か，否かを判断する方法を適用する。

即ち，この方法では，（ｂ）に示されるような輝線１１のデータを，基材３の表面に対応する高さを０とすると共に，閾値を１ピクセルに設定して２値化することにより，（ｃ）に示されるように断続した線分を得ることができる。ここで，高さ１に対応する線分は，基材３よりも高い位置において赤外線スリット光７を反射する物体に相当し，バンプ接合が正常の場合には，バンプ５の幅に相当する。また高さ０に対応する線分は基材３の面に相当する。

このような２値化を各走査毎に行い，それらを合成することにより，（ｄ）に示されるような平面画像を得ることができ，これからバンプ５が正常か否かを判断することができる。即ち，図７の（ｄ）の平面画像では，全てのバンプ５が正常な大きさで，それらの間隔も正常であるため，正常と判定され，この平面画像が，他の構造体１におけるバンプ５が正常か否かを判定する基準となる。

そこで，次に図６に示されるようにバンプ接合の部分に欠陥がある構造体１について，図７の場合と同様に第１の検査装置により検査した動作を図８に示す。尚，図８の（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は，夫々図７の（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）における処理画像に対応するものである。

図８（ａ），（ｂ）に示されるように，第１の検査装置における赤外線スリット光の輝線１１に，構造体１の欠陥に応じた特徴が表れており，２値化して（ｃ）に示す断続した線分を得た後，（ｄ）に示される平面画像を得て，図７の（ｄ）の平面画像と比較することにより，欠陥を検出することができる。

例えば，バンプ５が細ってしまった欠陥ｄ2の部分は，（ｄ）の平面画像ではバンプ５の外形が表れず，パッド４の外形のみが表れており，その大きさの差異により欠陥を検出することができる。また隣接するバンプ５間が半田で結合してショートとなった欠陥ｄ3の部分は，その部分が平面画像に明確に表れるため，それにより欠陥を検出することができる。同様に，基材３の上面に半田１４が残ってしまった欠陥ｄ4の部分や，隣接するバンプ５の少なくとも一方側の半田が過多等により隣接のバンプ５との間隔が小さくなってしまった欠陥ｄ5の部分も，それらの部分が平面画像に明確に表れるため，それにより欠陥を検出することができる。

しかしながら，例えば図６，図８に示されるように，半田不足によりバンプ５とパッド４との間に隙間が生じてオープンとなってしまった欠陥ｄ1において，下側のバンプ５の径がパッド４の径よりも大きく，通常のバンプ５の最大径と同程度であった場合には，上述した２値化により，その部分が平面画像に表れるため，正常なものとの区別がつかない。このように，図８の（ｄ）の平面画像のみでは検出できない欠陥，換言すると第１の検査装置のみでは検出できない欠陥がある。

そこで本発明では，次に構造体１を第２の検査装置において検査する。
図９は，図５に示されるように正常なバンプ接合の構造体１を第２の検査装置で検査した場合の，赤外線撮像手段９ｂの画像を便宜的に時計回りに９０度回転して示したもので，（ｂ）は輝線１１のみを示すものである。（ｂ）に示されるように，全てのバンプ５に対応して輝線１１が連続的に表れている。尚，図中符号１２は，図４に示したように，バンプ５に対応する凸曲線である。

一方，図１０は，図６に示されるようにバンプ接合等に欠陥を有する構造体１を第２の検査装置で検査した場合の，赤外線撮像手段９ｂの画像を便宜的に時計回りに９０度回転して示したもので，（ｂ）は輝線１１のみを示すものである。尚，この時点における赤外線スリット光源８ｂの赤外線スリット光は，図３の赤外線スリット光７ｂに相当するものである。

図３に示したように，半田不足によりバンプ５とパッド４との間に隙間が生じてオープンとなってしまった欠陥ｄ1においては，赤外線スリット光７ｂは，パッド４の端部よりも内側に侵入して，内側でバンプ５の部分を横切るため，このバンプ５で反射した赤外線スリット光７ｂはパッド４で遮断されてしまい，赤外線撮像手段９ｂには到達しない。このため，赤外線撮像手段９ｂの画像（ｂ）中の輝線１１には，途切れ部分１３が生じる。同様に，半田不足等によりバンプ５が細ってしまった欠陥ｄ2においても赤外線スリット光７ｂは，パッド４の端部よりも内側に侵入するため，赤外線撮像手段９ｂの画像（ｂ）中の輝線１１には，途切れ部分１３が生じる。

このため，赤外線スリット光の走査毎に，赤外線撮像手段９ｂの画像における輝線１１を監視し，その途切れ部分１３が存在している場合には，赤外線スリット光がパッド４の端部よりも内側に侵入してしまう欠陥，即ち，上述した図６の欠陥ｄ1や欠陥ｄ2を検出することができる。

特に，半田不足によりバンプ５とパッド４との間に隙間が生じてオープンとなってしまった欠陥ｄ1において，下側のバンプ５の径がパッド４の径よりも大きく，通常のバンプ５の最大径と同程度であった場合には，この欠陥ｄ1は，上述したとおり，第１の検査装置では検出することができないのであるが，第２の検査装置によって明確に検出することができ，従って第１と第２の検査装置を用いて検査を行うことにより，あらゆる欠陥を確実に検出することができる。

第１と第２の検査装置は，例えば図１１に示すように，搬送手段６による構造体１の搬送経路に沿って順次配置する構成とすることができ，この構成では，搬送手段６は，構造体１を第１の検査装置から第２の検査装置へと搬送する手段としてのみならず，光切断法を行う場合に必要な赤外線スリット光７の走査手段としても利用することができ，光切断法を利用した構造体１の検査を連続的に行うことができる。

本発明は以上のとおりであるので，以下に示すような特徴を有し，産業上の利用可能性が大である。
１．赤外線のスリット光を照射する赤外線スリット光源と，赤外線スリット光の照射方向に対して光軸を傾斜させた赤外線撮像手段とから成る検査装置をチップ側に配置し，構造体に対する赤外線スリット光の走査手段を構成して，シリコン基板を透過する赤外線スリット光により光切断法を実行するので，シリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体の状態において，即ちバンプ接合による実装後のバンプの三次元形状を検出することができる。．
２．赤外線スリット光源は，赤外線スリット光の照射方向をチップの法線方向に配置すると共に，赤外線撮像手段の光軸をチップの法線方向に対して傾斜させて配置した検査装置の構成では，バンプの細り，隣接のバンプのショート，基材上の半田残り，隣接のバンプ間の間隔異常等を検出することができる。
３．また，赤外線スリット光源は，赤外線スリット光の照射方向をチップの法線方向に対して傾斜させて配置すると共に，赤外線撮像手段の光軸をチップの法線方向に配置した検査装置の構成では，バンプ接合において赤外線が透過しないパッドの下方のバンプの状態，例えばバンプの細りや，オープン等の欠陥を検出することができる。
４．従って，前者と後者の検査装置の両者を利用して検査を行うことにより，あらゆる種類の欠陥を検出することができる。
５．この場合，前者と後者の検査装置を，搬送手段による構造体の搬送経路に沿って順次配置すれば，夫々における光切断法を利用した検査を連続的に行うことができる。

本発明に係る第１の検査装置の構成を概念的に示す模式図である。 第１の検査装置の赤外線撮像手段の画像の一例を示す模式図である。 本発明に係る第２の検査装置の構成を概念的に示す模式図である。 第２の検査装置の赤外線撮像手段の画像の一例を示す模式図である。 本発明の検査装置が対象とする構造体の正常状態を示す模式図である。 本発明の検査装置が対象とする構造体が欠陥を有する状態を示す模式図である。 第１の検査装置により図５の構造体を検査した場合の例を示す模式図である。 第１の検査装置により図６の構造体を検査した場合の例を示す模式図である。 第２の検査装置により図５の構造体を検査した場合の例を示す模式図である。 第２の検査装置により図６の構造体を検査した場合の例を示す模式図である。 第１と第２の検査装置の配置例を示す説明図である。 赤外線を用いた従来の検査方法を示す模式図である。

符号の説明

１ 構造体
２ チップ
３ 基材
４ パッド
５ バンプ
６ 搬送手段
７ 赤外線スリット光
８ａ，８ｂ 赤外線スリット光源
９ａ，９ｂ 赤外線撮像手段
１０ 光軸
１１ 輝線
１２ 凸曲線
１３ 途切れ部分
ａ 構造体
ｂ チップ
ｃ 基材
ｄ バンプ
ｅ パッド
ｆ 赤外光
ｇ 赤外線照射手段
ｈ 赤外線カメラ

Claims (6)

1. シリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体を検査対象とし，赤外線のスリット光を照射する赤外線スリット光源と，赤外線スリット光の照射方向に対して光軸を傾斜させた赤外線撮像手段とから成る検査装置をチップ側に配置し，構造体に対する赤外線スリット光の走査手段を構成したことを特徴とするシリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体の検査装置
2. 赤外線スリット光源は，赤外線スリット光の照射方向をチップの法線方向に配置すると共に，赤外線撮像手段の光軸をチップの法線方向に対して傾斜させて配置したことを特徴とする請求項１に記載のシリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体の検査装置
3. 赤外線スリット光源は，赤外線スリット光の照射方向をチップの法線方向に対して傾斜させて配置すると共に，赤外線撮像手段の光軸をチップの法線方向に配置したことを特徴とする請求項１に記載のシリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体の検査装置
4. 構造体に対する赤外線スリット光の走査手段は，構造体を搬送する搬送手段によって構成したことを特徴とする請求項１〜３までのいずれか１項に記載のシリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体の検査装置
5. シリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体を検査対象とし，赤外線スリット光の照射方向をチップの法線方向に配置した赤外線スリット光源と，光軸をチップの法線方向に対して傾斜させて配置した赤外線撮像手段とから成る第１の検査装置と，赤外線スリット光の照射方向をチップの法線方向に対して傾斜させて配置した赤外線スリット光源と，光軸をチップの法線方向に配置した赤外線撮像手段とから成る第２の検査装置とを構成し，第１と第２の検査装置に，構造体に対する赤外線スリット光の走査手段を構成したことを特徴とする請求項１に記載のシリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体の検査装置
6. 構造体に対する赤外線スリット光の走査手段は，構造体を搬送する搬送手段によって構成し，搬送手段による構造体の搬送経路に沿って第１の検査装置と第２の検査装置を順次配置したことを特徴とする請求項５に記載のシリコン基板によるチップを基材にバンプ接合した構造体の検査装置
   

Images