JP2000323538A5

JP2000323538A5 -

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Publication number: JP2000323538A5
Application number: JP1999269346A
Authority: JP
Filing date: 1999-09-22
Publication date: 2005-04-14
Anticipated expiration: 2019-09-22

Description

即ち、本発明にかかる基板検査方法は、
検査対象である基板に電子ビームを照射する過程と、この電子ビームを偏向させて上記基板に入射させる過程と、上記電子ビームの照射を受けて上記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させ、二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、上記二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、この画像信号に基づいて上記二次電子および反射電子により形成され上記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、上記二次電子および反射電子の放出エネルギーが上記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる上記二次ビームの結像条件に基づいて上記二次ビームを制御し、上記基板に形成された配線の電気的特性不良を検査することを特徴とすることを特徴とする。

また、本発明にかかる基板検査方法は、
検査対象である基板に電子ビームを照射する過程と、この電子ビームを偏向させて上記基板に入射させる過程と、上記電子ビームの照射を受けて上記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させ、二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、上記二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、この画像信号に基づいて上記二次電子および反射電子により形成され上記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、上記二次電子および反射電子の放出エネルギーが上記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる上記二次ビームの結像条件に基づいて上記二次ビームを制御し、上記基板の形状情報を取得することを特徴とする。

また、本発明にかかる基板検査方法は、
検査対象である基板に電子ビームを照射する過程と、この電子ビームを偏向させて上記基板に入射させる過程と、上記電子ビームの照射を受けて上記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させ、二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、上記二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、この画像信号に基づいて上記二次電子および反射電子により形成され上記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、上記二次電子および反射電子の放出エネルギーが上記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる上記二次ビームの結像条件に基づいて上記二次ビームを制御し、上記基板の物性情報を取得することを特徴とする。

また、本発明にかかる基板検査方法は、
検査対象である基板に電子ビームを照射する過程と、この電子ビームを偏向させて上記基板に入射させる過程と、上記電子ビームの照射を受けて上記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させ、二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、上記二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、この画像信号に基づいて上記二次電子および反射電子により形成され上記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、上記二次電子および反射電子の放出エネルギーが上記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる上記二次ビームの結像条件に基づいて上記二次ビームを制御し、上記基板の表面の電位を定量的に測定することを特徴とする。

また、本発明にかかる基板検査方法は、
検査対象である基板をその表面に略水平な平面内で移動させつつ、上記基板に電子ビームを照射する過程と、この電子ビームを偏向させて上記基板に入射させる過程と、上記電子ビームの照射を受けて上記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させて二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、上記二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、この画像信号に基づいて上記二次電子および反射電子により形成され上記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、上記二次電子および反射電子の放出エネルギーが上記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる二次ビームの結像条件に基づいて、上記基板の表面の任意の電位を有する箇所から発生した上記二次ビームのみが結像するように上記二次ビームを制御し、上記任意の電位を有する箇所の電子画像と位置情報とを取得することを特徴とする。

また、本発明にかかる基板検査方法は、
検査対象である基板に電子ビームを照射する過程と、この電子ビームを偏向させて上記基板に入射させる過程と、上記電子ビームの照射を受けて上記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させ、二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、上記二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、上記画像信号に基づいて上記二次電子および反射電子により形成され上記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、上記二次電子および反射電子の放出エネルギーが上記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる上記二次ビームの結像条件に基づいて上記二次ビームを異なる上記結像条件で制御し、複数の上記電子画像を取得し、これらを合成して上記基板の表面の二次元電位分布情報を取得することを特徴とする。

また、本発明にかかる基板検査方法は、
検査対象である集積回路が形成された基板に電子ビームを照射する過程と、この電子ビームを偏向させて上記基板に入射させる過程と、上記電子ビームの照射を受けて上記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させ、二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、この二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、この画像信号に基づいて上記二次電子および反射電子により形成され上記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、上記二次電子および反射電子の放出エネルギーが上記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる上記二次ビームの結像条件に基づいて上記二次ビームを制御して上記基板の上記画像信号を取得する過程と、上記集積回路の設計情報と上記画像信号とに基づいて上記集積回路の電気的状態を示す数値データを出力する過程と、上記集積回路の良否を判定する基準となる少なくとも一つのしきい値を上記数値データに基づいて算出する過程と、上記数値データと上記しきい値とを比較して上記集積回路の電気的不良箇所を検出する過程と、を備えることを特徴とする。

また、本発明にかかる基板検査システムは、
検査対象である基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、この電子ビームの照射を受けて上記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を二次ビームとして検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、この画像信号に基づいて上記二次電子および反射電子により形成され上記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する表示手段と、上記電子ビームを偏向させて上記基板に入射させるとともに上記二次ビームを直進させる電子ビーム偏向手段を含み、上記二次ビームを拡大投影し、上記電子ビーム検出手段に結像させる写像投影手段と、上記二次電子および反射電子の上記写像投影手段への入射エネルギーが上記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる、上記二次ビームを上記電子ビーム検出手段に結像させるための条件に基づいて上記写像投影手段を制御する制御手段と、を備え、上記基板に形成された配線の電気的特性不良を検査することを特徴とする。

また、本発明にかかる基板検査システムは、
検査対象である基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、この電子ビームの照射を受けて上記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を二次ビームとして検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、この画像信号に基づいて上記二次電子および反射電子により形成され上記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する表示手段と、上記電子ビームを偏向させて上記基板に入射させるとともに上記二次ビームを直進させる電子ビーム偏向手段を含み、上記二次ビームを拡大投影し、上記電子ビーム検出手段に結像させる写像投影手段と、上記二次電子および反射電子の上記写像投影手段への入射エネルギーが上記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる、上記二次ビームを上記電子ビーム検出手段に結像させるための条件に基づいて上記写像投影手段を制御する制御手段と、を備え、上記基板の形状情報を取得することを特徴とする。

また、本発明にかかる基板検査システムは、
検査対象である基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、この電子ビームの照射を受けて上記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を二次ビームとして検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、この画像信号に基づいて上記二次電子および反射電子により形成され上記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する表示手段と、上記電子ビームを偏向させて上記基板に入射させるとともに上記二次ビームを直進させる電子ビーム偏向手段を含み、上記二次ビームを拡大投影し、上記電子ビーム検出手段に結像させる写像投影手段と、上記二次電子および反射電子の上記写像投影手段への入射エネルギーが上記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる、上記二次ビームを上記電子ビーム検出手段に結像させるための条件に基づいて上記写像投影手段を制御する制御手段と、を備え、上記基板の物性情報を取得することを特徴とする。

また、本発明にかかる基板検査システムは、
検査対象である基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、この電子ビームの照射を受けて上記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を二次ビームとして検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、この画像信号に基づいて上記二次電子および反射電子により形成され上記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する表示手段と、上記電子ビームを偏向させて上記基板に入射させるとともに上記二次ビームを直進させる電子ビーム偏向手段を含み、上記二次ビームを拡大投影し、上記電子ビーム検出手段に結像させる写像投影手段と、上記二次電子および反射電子の上記写像投影手段への入射エネルギーが上記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる、上記二次ビームを上記電子ビーム検出手段に結像させるための条件に基づいて上記写像投影手段を制御する制御手段と、を備え、上記基板の表面の電位を定量的に測定することを特徴とする。

また、本発明にかかる基板検査システムは、
検査対象である基板を載置してその表面に略水平な平面内でこの基板を移動させるステージと、上記基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、上記電子ビームの照射を受けて上記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を二次ビームとして検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、この画像信号に基づいて上記二次電子および反射電子により形成され上記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する表示手段と、上記電子ビームを偏向させて上記基板に入射させるとともに上記二次ビームを直進させる電子ビーム偏向手段を含み、上記二次ビームを拡大投影し、上記電子ビーム検出手段に結像させる写像投影手段と、上記二次電子および反射電子の上記写像投影手段への入射エネルギーが上記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる、上記二次ビームを上記電子ビーム検出手段に結像させるための条件に基づいて、上記基板の表面の任意の電位を有する箇所から発生した上記二次ビームのみが上記電子ビーム検出手段で結像するように上記写像投影手段を制御する制御手段と、を備え、上記任意の電位を有する箇所の電子画像と位置情報とを取得することを特徴とする。

また、本発明にかかる基板検査システムは、
検査対象である基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、この電子ビームの照射を受けて上記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を二次ビームとして検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、上記画像信号に基づいて上記二次電子および反射電子により形成され上記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する表示手段と、上記電子ビームを偏向させて上記基板に入射させるとともに上記二次ビームを直進させる電子ビーム偏向手段を含み、上記二次ビームを拡大投影し、上記電子ビーム検出手段に結像させる写像投影手段と、上記二次電子および反射電子の上記写像投影手段への入射エネルギーが上記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる、上記二次ビームを上記電子ビーム検出手段に結像させるための条件に基づいて上記写像投影手段を異なる上記結像条件で制御し、取得された複数の上記電子画像を合成して上記基板の表面の二次元電位分布情報を取得する制御手段と、を備えることを特徴とする。

また、本発明にかかる基板検査システムは、
検査対象である集積回路が形成された基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、上記電子ビームの照射を受けて上記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を二次ビームとして検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、この画像信号に基づいて上記二次電子および反射電子により形成され上記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する表示手段と、上記電子ビームを偏向させて上記基板に入射させるとともに上記二次ビームを直進させる電子ビーム偏向手段を含み、上記二次ビームを拡大投影し、上記電子ビーム検出手段に結像させる写像投影手段と、上記二次電子および反射電子の放出エネルギーが上記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる、上記二次ビームを上記電子ビーム検出手段に結像させるための条件に基づいて上記写像投影手段を制御する制御手段と、上記集積回路の設計情報を格納する記憶手段と、上記画像信号と上記設計情報に基づいて上記集積回路の電気的状態を示す数値データを出力する画像信号処理手段と、上記集積回路の良否を判定する基準となるしきい値を上記数値データに基づいて算出する演算手段と、上記数値データと上記しきい値とを比較して上記集積回路の電気的不良箇所を検出する不良箇所検出手段と、を備えることを特徴とする。

Claims

検査対象である基板に電子ビームを照射する過程と、
前記電子ビームを偏向させて前記基板に入射させる過程と、
前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させ、二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、
前記二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、
前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、
前記二次電子および反射電子の放出エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる前記二次ビームの結像条件に基づいて前記二次ビームを制御し、前記基板に形成された配線の電気的特性不良を検査することを特徴とする基板検査方法。
検査対象である基板に電子ビームを照射する過程と、
前記電子ビームを偏向させて前記基板に入射させる過程と、
前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させ、二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、
前記二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、
前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、
前記二次電子および反射電子の放出エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる前記二次ビームの結像条件に基づいて前記二次ビームを制御し、前記基板の形状情報を取得することを特徴とする基板検査方法。
検査対象である基板に電子ビームを照射する過程と、
前記電子ビームを偏向させて前記基板に入射させる過程と、
前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させ、二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、
前記二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、
前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、
前記二次電子および反射電子の放出エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる前記二次ビームの結像条件に基づいて前記二次ビームを制御し、前記基板の物性情報を取得することを特徴とする基板検査方法。
検査対象である基板に電子ビームを照射する過程と、
前記電子ビームを偏向させて前記基板に入射させる過程と、
前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させ、二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、
前記二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、
前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、
前記二次電子および反射電子の放出エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる前記二次ビームの結像条件に基づいて前記二次ビームを制御し、前記基板の表面の電位を定量的に測定することを特徴とする基板検査方法。
検査対象である基板をその表面に略水平な平面内で移動させつつ、前記基板に電子ビームを照射する過程と、
前記電子ビームを偏向させて前記基板に入射させる過程と、
前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させて二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、
前記二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、
前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、
前記二次電子および反射電子の放出エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる二次ビームの結像条件に基づいて、前記基板の任意の電位を有する箇所から発生した前記二次ビームのみが結像するように前記二次ビームを制御し、前記任意の電位を有する箇所の電子画像と位置情報とを取得することを特徴とする基板検査方法。
検査対象である基板に電子ビームを照射する過程と、
前記電子ビームを偏向させて前記基板に入射させる過程と、
前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させ、二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、
前記二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、
前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、
前記二次電子および反射電子の放出エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる前記二次ビームの結像条件に基づいて前記二次ビームを異なる前記結像条件で制御し、複数の前記電子画像を取得し、これらを合成して前記基板の表面の二次元電位分布情報を取得することを特徴とする基板検査方法。
検査対象である集積回路が形成された基板に電子ビームを照射する過程と、
前記電子ビームを偏向させて前記基板に入射させる過程と、
前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を加速させ、二次ビームとして拡大投影して結像させる過程と、
前記二次ビームを検出し、画像信号として出力する過程と、
前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する過程と、を備える基板検査方法であって、
前記二次電子および反射電子の放出エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる前記二次ビームの結像条件に基づいて前記二次ビームを制御して前記基板の前記画像信号を取得する過程と、
前記集積回路の設計情報と前記画像信号に基づいて前記集積回路の電気的状態を示す数値データを出力する過程と、
前記集積回路の良否を判定する基準となる少なくとも一つのしきい値を前記数値データに基づいて算出する過程と、
前記数値データと前記しきい値とを比較して前記集積回路の電気的不良箇所を検出する過程と、を備えることを特徴とする基板検査方法。
前記検査対象は、前記集積回路内の配線であることを特徴とする請求項７に記載の基板検査方法。
前記しきい値は、複数のしきい値であり、
前記電気的不良箇所を検出する過程は、その不良の程度を分類する過程を含むことを特徴とする請求項７または８に記載の基板検査方法。
検査対象である基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、
前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を二次ビームとして検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、
前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する表示手段と、
前記電子ビームを偏向させて前記基板に入射させるとともに前記二次ビームを直進させる電子ビーム偏向手段を含み、前記二次ビームを拡大投影し、前記電子ビーム検出手段に結像させる写像投影手段と、
前記二次電子および反射電子の前記写像投影手段への入射エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる、前記二次ビームを前記電子ビーム検出手段に結像させるための条件に基づいて前記写像投影手段を制御する制御手段と、を備え、
前記基板に形成された配線の電気的特性不良を検査する基板検査システム。
検査対象である基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、
前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を二次ビームとして検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、
前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する表示手段と、
前記電子ビームを偏向させて前記基板に入射させるとともに前記二次ビームを直進させる電子ビーム偏向手段を含み、前記二次ビームを拡大投影し、前記電子ビーム検出手段に結像させる写像投影手段と、
前記二次電子および反射電子の前記写像投影手段への入射エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる、前記二次ビームを前記電子ビーム検出手段に結像させるための条件に基づいて前記写像投影手段を制御する制御手段と、を備え、
前記基板の形状情報を取得する基板検査システム。
検査対象である基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、
前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を二次ビームとして検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、
前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する表示手段と、
前記電子ビームを偏向させて前記基板に入射させるとともに前記二次ビームを直進させる電子ビーム偏向手段を含み、前記二次ビームを拡大投影し、前記電子ビーム検出手段に結像させる写像投影手段と、
前記二次電子および反射電子の前記写像投影手段への入射エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる、前記二次ビームを前記電子ビーム検出手段に結像させるための条件に基づいて前記写像投影手段を制御する制御手段と、を備え、
前記基板の物性情報を取得する基板検査システム。
検査対象である基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、
前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を二次ビームとして検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、
前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する表示手段と、
前記電子ビームを偏向させて前記基板に入射させるとともに前記二次ビームを直進させる電子ビーム偏向手段を含み、前記二次ビームを拡大投影し、前記電子ビーム検出手段に結像させる写像投影手段と、
前記二次電子および反射電子の前記写像投影手段への入射エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる、前記二次ビームを前記電子ビーム検出手段に結像させるための条件に基づいて前記写像投影手段を制御する制御手段と、を備え、
前記基板の表面電位を定量的に測定する基板検査システム。
検査対象である基板を載置してその表面に略水平な平面内で前記基板を移動させるステージと、
前記基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、
前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を二次ビームとして検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、
前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する表示手段と、
前記電子ビームを偏向させて前記基板に入射させるとともに前記二次ビームを直進させる電子ビーム偏向手段を含み、前記二次ビームを拡大投影し、前記電子ビーム検出手段に結像させる写像投影手段と、
前記二次電子および反射電子の前記写像投影手段への入射エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる、前記二次ビームを前記電子ビーム検出手段に結像させるための条件に基づいて、前記基板の表面の任意の電位を有する箇所から発生した前記二次ビームのみが前記電子ビーム検出手段で結像するように前記写像投影手段を制御する制御手段と、を備え、
前記任意の電位を有する箇所の電子画像と位置情報とを取得する基板検査システム。
検査対象である基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、
前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を二次ビームとして検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、
前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する表示手段と、
前記電子ビームを偏向させて前記基板に入射させるとともに前記二次ビームを直進させる電子ビーム偏向手段を含み、前記二次ビームを拡大投影し、前記電子ビーム検出手段に結像させる写像投影手段と、
前記二次電子および反射電子の前記写像投影手段への入射エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる、前記二次ビームを前記電子ビーム検出手段に結像させるための条件に基づいて、前記写像投影手段を異なる前記条件で制御し、取得された複数の前記電子画像を合成して前記基板の表面の二次元電位分布情報を取得する制御手段と、を備える基板検査システム。
検査対象である集積回路が形成された基板に電子ビームを照射する電子ビーム照射手段と、
前記電子ビームの照射を受けて前記基板の表面から放出する二次電子および反射電子を二次ビームとして検出し、画像信号として出力する電子ビーム検出手段と、
前記画像信号に基づいて前記二次電子および反射電子により形成され前記基板の状態を表す画像である電子画像を表示する表示手段と、
前記電子ビームを偏向させて前記基板に入射させるとともに前記二次ビームを直進させる電子ビーム偏向手段を含み、前記二次ビームを拡大投影し、前記電子ビーム検出手段に結像させる写像投影手段と、
前記二次電子および反射電子の放出エネルギーが前記基板の電気的状態に応じて異なることから導かれる、前記二次ビームを前記電子ビーム検出手段に結像させるための条件に基づいて前記写像投影手段を制御する制御手段と、
前記集積回路の設計情報を格納する記憶手段と、
前記画像信号と前記設計情報に基づいて前記集積回路の電気的状態を示す数値データを出力する画像信号処理手段と、
前記集積回路の良否を判定する基準となるしきい値を前記数値データに基づいて算出する演算手段と、
前記数値データと前記しきい値とを比較して前記集積回路の電気的不良箇所を検出する不良箇所検出手段と、を備える基板検査システム。
前記検査対象は、前記集積回路内の配線であることを特徴とする請求項１６に記載の基板検査システム。
前記演算手段は、複数のしきい値を算出し、
前記不良箇所検出手段は、前記集積回路の電気的の不良の程度をも分類することを特徴とする請求項１６または１７に記載の基板検査システム。