JP2858677B2 - 半導体集積回路のマスクレイアウト方法 - Google Patents

半導体集積回路のマスクレイアウト方法

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JP2858677B2
JP2858677B2 JP3018641A JP1864191A JP2858677B2 JP 2858677 B2 JP2858677 B2 JP 2858677B2 JP 3018641 A JP3018641 A JP 3018641A JP 1864191 A JP1864191 A JP 1864191A JP 2858677 B2 JP2858677 B2 JP 2858677B2
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晶子 上羽
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路のマスク
レイアウト方法、特に、コンピュータを利用してバイポ
ーラ半導体集積回路のマスクレイアウトを設計する方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路は大規模化の一途
をたどり、コンピュータによる自動設計の要求が高ま
り、さらに、半導体チップ面積縮小が製造コスト削減の
点等から重要性を増している。
【0003】以下に、マスクレイアウトの自動設計にお
いてチップ面積縮小のため、マスクパターン上の空き領
域を削減する従来の方法について説明する。
【0004】図3は回路図に対応するマスクレイアウト
図の一部であり、従来の方法により空き領域を長方形に
区切って検出したマスクレイアウト図である。図4はマ
スクレイアウト図上で従来の方法により空き領域の縮小
を行った後のマスクレイアウト図である。図3および図
4において、1〜7はトランジスタ、8,9は容量、1
0〜12は抵抗、13〜22は長方形に分割した空き領
域、26は各素子を配置するために用意されたブロック
枠である。
【0005】従来の方法では、回路図中に各素子の相対
位置関係をコンピュータによって抽出し、予め用意され
たセルを用いてマスクレイアウト上に再現する。さら
に、空き領域を縮小するため、図3のように空き領域を
順次長方形として検出し、上記長方形の右端に接して配
置している、空き領域の原因となっている素子の移動、
形状変更を行い、空き領域を縮小させていた。
【0006】上記従来の方法によると、図3において、
抵抗12は形状変更可能な素子として認識され、上記素
子の形状変更により、マスクレイアウト図4が得られ
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、空き領
域を長方形に分割して検出する、上記従来のマスクレイ
アウト方法によると、一素子につき、一つの長方形状の
空き領域しか利用できなかった。そのため、素子の移動
または形状変更を行うのに、素子の回りの空き領域が複
雑な形状をしている場合、素子周囲の空き領域の一部し
か利用できず、空き領域を十分に縮小できないというこ
とがあった。
【0008】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、コンピュータによるマスクレイアウトの自動設計を
行う際に、素子の移動または形状変更を行うのに、素子
の周囲の空き領域を効果的に利用し、空き領域を十分に
削減して、マスクレイアウト上の素子の最適配置と最適
形状構成を決定し、チップ面積を最小にし得るマスクレ
イアウト方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
のマスクレイアウト方法は、各素子のマスクパターンを
輪郭どりして得られる多角形を上記各素子の存在領域と
して検出する第1の工程と、上記各素子の存在領域外に
できた空き領域を分割しない多角形として検出する第2
の工程と、上記多角形の空き領域に素子を移動させて配
置する第3の工程とを備えている。また、その他の手段
としては、上記第1から第3の工程に加え、移動した素
子の形状を上記空き領域の形状に合わせて変更する第4
工程とを備えている。
【0010】
【作用】上記マスクレイアウト方法によると、空き領域
に素子を移動させて配置するから、素子が存在しない空
き領域を有効利用することができ、チップ面積を小さく
することができる。また、その他の手段では、移動した
素子の形状を上記空き領域の形状に合わせて変更するか
ら、素子が存在しない空き領域を小さくすることがで
き、チップ面積を最小にすることができる。なお、この
マスクレイアウト方法は、形状変更の可能な素子を有し
バイポーラ半導体集積回路の設計においては、非常に
有効である。
【0011】
【実施例】図1は従来例で説明した図3のマスクレイア
ウト図を用いた本発明の一実施例におけるマスクレイア
ウト図である。図1および図2において、1〜7はトラ
ンジスタ、8,9は容量、10〜12は抵抗、23,2
4はエリアとして検出した空き領域、26はブロック枠
である。なお、図1および図2において、図3および図
4における構成要素に対応するものには、同一の符号を
付している。
【0012】まず、初期のマスクパターンを用いて、素
子の図形を、反時計回りに向きづけられた辺をもつ多角
形の内部として表現する。さらに、上記多角形の重なり
関係を認識し、輪郭どりを行うことにより得られる多角
形を、ブロック枠内に配置された素子の存在する全ての
領域として検出する。このとき、素子の分離のために必
要な領域を配置素子の相対位置関係から検出し、同様に
多角形で表現し、さらに、ブロック枠は時計回りに向き
づけられた辺をもつ多角形として表現しておく。あらか
じめ、形状変更可能な素子の種類を抵抗および容量とし
て登録するとともに、たとえばこれらの素子の面積と抵
抗値とを算出する計算方法も登録しておく。
【0013】次に、形状変更可能な指定素子近辺の空き
領域を、移動または形状変更したい方向すべてについて
検出する。上記検出方法は素子の存在領域を否定表現す
る(素子の存在領域である多角形の外部で、ブロック枠
内の領域を、時計回りに向きづけられた辺をもつ多角形
の内部として表現する)ことによる。この検出方法は、
従来の方法に比して、扱うデータ量が少ないので、処理
時間の短縮を図ることができる。
【0014】次に、あらかじめ登録した計算方法により
得られた値(たとえば抵抗値とその面積)に基づき、上
記指定素子が形状変更可能かを判断するとともに、素子
の接続関係を保ったまま移動できるか判断する。上記工
程によって移動または形状変更可能と判定された素子を
空き領域に移動し、または移動後その形状変更を行うこ
とにより、空き領域を十分に削減したマスクレイアウト
図が得られる。
【0015】図1において、抵抗12は移動可能かつ形
状変更可能な素子として検出されるので、移動と形状変
更を行うことができ、効果的な形状変更と移動により空
き領域の十分な削減を行った結果、図2のようなマスク
レイアウト図を得る。さらに、素子の移動、形状変更後
の空き領域は、既存の素子の図形を表現する多角形を変
更することにより容易に検出することが可能であり、未
処理の素子についての移動または形状変更を、順次高速
に行うことができる。
【0016】以上のように本実施例によれば、空き領域
を分割せずエリアとして検出し、素子の移動、形状変更
を行うことにより、空き領域を十分に削減し、チップ面
積を最小にすることができ、したがってコンピュータに
よるマスクレイアウトの自動設計を効率よく行うことが
できる。
【0017】
【発明の効果】以上のように本発明のマスクレイアウト
によれば、チップ内部での空き領域を大きく減少させる
ことができ、従って従来の半導体集積回路の自動化マス
クに比べて、より高速な処理による、より合理的な、素
子の配置および形状選択ができる優れたマスクレイアウ
トの自動設計を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体集積回路のマスクレイアウト方
法の一実施例において、空き領域を分割せずにエリアと
して検出したときのマスクレイアウト図
【図2】本発明の半導体集積回路のマスクレイアウト方
法の一実施例において、素子の移動、形状変更を行った
後のマスクレイアウト図
【図3】従来の方法により素子の配置を行い、空き領域
を分割して検出したマスクレイアウト図
【図4】従来の方法により素子の移動、形状変更を行っ
た後のマスクレイアウト図
【符号の説明】
1 トランジスタ 2 トランジスタ 3 トランジスタ 4 トランジスタ 5 トランジスタ 6 トランジスタ 7 トランジスタ 8 容量 9 容量 10 抵抗 11 抵抗 12 抵抗 13 分割して検出した空き領域 14 分割して検出した空き領域 15 分割して検出した空き領域 16 分割して検出した空き領域 17 分割して検出した空き領域 18 分割して検出した空き領域 19 分割して検出した空き領域 20 分割して検出した空き領域 21 分割して検出した空き領域 22 分割して検出した空き領域 23 分割せずに検出した空き領域 24 分割せずに検出した空き領域 25 分割せずに検出した空き領域 26 ブロック枠
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 27/04 H01L 21/82 H01L 21/822

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 各素子のマスクパターンを輪郭どりして
    得られる多角形を上記各素子の存在領域として検出する
    第1の工程と、上記各素子の存在領域外にできた空き領
    域を分割しない多角形として検出する第2の工程と、
    多角形の空き領域に素子を移動させて配置する第3の
    工程とを備えた半導体集積回路のマスクレイアウト方
    法。
  2. 【請求項2】 各素子のマスクパターンを輪郭どりして
    得られる多角形を上記各素子の存在領域として検出する
    第1の工程と、上記各素子の存在領域外にできた空き領
    域を分割しない多角形として検出する第2の工程と、
    多角形の空き領域に素子を移動させて配置する第3の
    工程と、移動した素子の形状を上記空き領域の形状に合
    わせて変更する第4の工程とを備えた半導体集積回路の
    マスクレイアウト方法。
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