JP3120875B2 - 半導体集積回路のレイアウト方法 - Google Patents

半導体集積回路のレイアウト方法

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JP3120875B2
JP3120875B2 JP03264866A JP26486691A JP3120875B2 JP 3120875 B2 JP3120875 B2 JP 3120875B2 JP 03264866 A JP03264866 A JP 03264866A JP 26486691 A JP26486691 A JP 26486691A JP 3120875 B2 JP3120875 B2 JP 3120875B2
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田中  誠
政行 小川
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松下電子工業株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、電算機を利用して設
計を行う半導体集積回路のレイアウト方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路は、大規模化の一
途をたどり電算機による自動設計の要求が高まってい
る。しかし、バイポーラ半導体集積回路においてレイア
ウト設計は、トランジスタ,抵抗,容量などの形の異な
る素子をレイアウトしなければならず、電算機による自
動化を困難にしていた。
【0003】以下に従来のマスクレイアウト自動設計に
ついて説明する。図9は従来のマスクレイアウト自動設
計の対象となる一回路図、図10は従来の方法で作成し
た図9に対応するテンプレート図、図11は図10に従
って実際のマスク上に素子を配置したマスクレイアウト
図である。図9において、67,68,69,70,7
1,77,82,84,85は抵抗、72,73,7
4,75,76,78,79,80,81,83,86
はトランジスタ、87は正電源に接続されている素子グ
ループ、88は正電源,負電源のどちらにも接続されて
いない素子グループ、89は負電源に接続されている素
子グループである。なお図中、符号を丸で囲んでいる抵
抗77,82は非常に面積の大きい素子であり、抵抗8
4,85は非常に面積の小さい素子である。ここで、抵
抗77,82,84,85以外の抵抗67,68,6
9,70,71は、それぞれ面積が所定の範囲内である
素子であり、これを通常の素子と言うと、この通常の素
子より面積が大きい素子を非常に面積の大きい素子と言
い、通常の素子より面積が小さい素子を非常に面積の小
さい素子と言う。図10において、90,91は面積の
非常に大きい素子用の抵抗プレート、92,94,96
は正電源側抵抗プレート、93,95,97は負電源側
トランジスタプレート、98はテンプレートである。図
11において、図9と対応するものには同一符号を付
し、99はブロック枠である。
【0004】従来の方法は、まず、面積の非常に大きな
素子を検索する。抵抗77の面積が非常に大きいので、
抵抗77を配置するための抵抗プレート90が決定す
る。次に、抵抗82に対しても同様に抵抗プレート91
を決定する。次に、抵抗プレート90と91の前後のプ
レートを決定する。抵抗77より左側にある素子、すな
わち抵抗67,トランジスタ72,83について素子の
面積を考慮して、抵抗プレート92,トランジスタプレ
ート93が決定する。次に、抵抗プレート90と91の
間の抵抗プレート94,トランジスタプレート95も同
様に決定するが、抵抗84,85が面積的に非常に小さ
いために、この素子に関してはプレートを生成するに至
らず、抵抗84,85は抵抗プレート91に配置が決定
する。次に、抵抗プレート91の右側の抵抗プレート9
6,トランジスタプレート97も抵抗プレート92,ト
ランジスタプレート93と同様に決定し、その結果テン
プレート98が生成される。次に、このテンプレート9
8に従って、実際のマスク上に素子を配置する。その結
果、図11のマスクレイアウト図が生成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のマ
スクレイアウト方法では、面積が非常に大きい素子が存
在する場合、その素子用のプレートの配置の決定によ
り、横方向のネットの切断が生じて、接続関係より、電
気的特性上近くに配置したい素子を分離させてしまうこ
とがある。また、他の周辺素子と比較して面積が非常に
小さい素子は面積的に無視されることが多く、プレート
の生成がされないので、近くに配置したい素子から離れ
て配置されてしまう。これらの現象は特性上は良くな
く、しかも、後の処理工程である配線工程において、配
線長を長くしてしまい未配線の原因のひとつとなってい
た。
【0006】この発明の目的は、上述した問題を解決
し、テンプレート内のプレートの配置を最適化して未配
線を少なくすることができる半導体集積回路のレイアウ
ト方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に請求項1記載の半導体集積回路のレイアウト方法は、
回路図の情報から面積の大きな素子を検索し、その素子
用の第1種類のプレートを横長のテンプレートを縦方向
に分割するように生成する第1の処理と、次に、前記第
1種類のプレートを横切るネット数が少なくなるような
前記テンプレート内の位置に前記第1種類のプレートを
配置する第2の処理と、次に、前記第1種類のプレート
同士の間に空いたスペース内に配置される複数の素子を
種類別にグループ分けし、グループ別の面積が大きくな
るグループを選択して、前記スペースを選択したグルー
プ用の第2種類のプレートとする第3の処理と、次に、
前記スペース内に配置される複数の素子のうち電源用配
線に接続された素子を検索し、その素子を配置するため
の第3種類のプレートを前記スペース内の前記電源用配
線の側に配置して、前記スペースの残り部分を前記第2
種類のプレートとする第4の処理とを含んでいる。
【0008】
【0009】
【作用】この発明の構成によれば、面積の大きな素子用
の第1種類のプレートを生成した後、空いたスペースに
配置される素子の種類別に面積を求めて、面積が大きい
方の種類の素子用として第2種類のプレートを生成す
る。それから、電源用配線に接続された素子を検索し
て、空きスペースの電源用配線側に第3種類のプレート
を配置する処理が行われるため、テンプレート内の各プ
レートが接続関係や配線長を考慮した最適な位置に配置
される。その結果、その後に行われるテンプレートを用
いた配線工程において、素子と電源とを接続する配線
や、素子間を接続する配線が短くなり、未配線を少なく
することができる。
【0010】
【実施例】以下、この発明による半導体集積回路のレイ
アウト方法を説明する。 〔第1の実施例〕この発明の第1の実施例について、図
1,図2,図3および図9を参照しながら説明する。
【0011】この実施例は、従来例で用いた図9に示す
回路図を用いて行う。図1はこの発明の半導体集積回路
のレイアウト方法により得られた図9の回路図に対応す
るテンプレートを示す。図2は図1のテンプレートの作
成過程における図である。図1,図2において、共通な
プレートには同一符号を付している。1はテンプレー
ト、2,3,4,6は抵抗プレートであり、抵抗プレー
ト4は正電源側抵抗プレート、抵抗プレート6は負電源
側抵抗プレート、抵抗プレート2,3は非常に面積の大
きい抵抗用のプレートである。5はトランジスタプレー
ト、7はテンプレート1の生成過程におけるテンプレー
トである。図3は図1のテンプレート1に従って実際の
マスク上に素子を配置したマスクレイアウト図であり、
図9と対応するものには同一符号を付し、8はブロック
枠である。
【0012】以下、この実施例の半導体集積回路のレイ
アウト方法を具体的に説明する。まず、図9の回路図に
おいて面積の非常に大きな素子の検索をする。検索によ
り抵抗77が抽出され、この抵抗77を配置するための
抵抗プレートの生成が決定される。次に、この抵抗プレ
ートの配置位置を決定する。各素子の接続関係、配線長
を考慮して、この抵抗プレートの配置により切断される
横方向のネット数が最も少ない場所を抵抗プレートの配
置位置と決定する。すなわち図9においては、左端が横
方向のネット数が少なく、配線長も短くて良いので抵抗
プレート2の配置がブロックの左端に決定される。次
に、抵抗82が抽出され、この抵抗82についても同様
の処理が行われ、抵抗プレート3の配置がブロックの右
端に決定される。
【0013】次に、この決定した2つの抵抗プレート
2、3の間のプレートを決定する。正電源に接続してい
る素子は抵抗67,68,69,70,71のみなの
で、正電源側のプレートは抵抗プレート4に決定する。
負電源に接続している素子はトランジスタ78,81,
83,86と抵抗84,85であるのでこの2種類の素
子の面積を比較するとトランジスタの方が大きいので、
負電源側のプレートはトランジスタプレート5に決定す
る。抵抗84,85は従来例と同様に抵抗プレート3に
配置する。残りの電源に接続していない素子はトランジ
スタ72,73,74,75,76,79,80なの
で、トランジスタプレート5が既に存在しているので、
トランジスタプレート5に配置が決定する。ここまでの
作成過程を示した図が図2であり、テンプレート7が生
成される。
【0014】さらに、電源に接続している素子をチェッ
クすると、正電源側は抵抗67,68,69,70,7
1のみであり、抵抗プレートが配置されているので問題
はない。しかし、負電源側はトランジスタ78,81,
83,86と抵抗84,85であるが、負電源側のプレ
ートはトランジスタプレート5が配置されて抵抗プレー
トが存在しないのでトランジスタプレート5の下に、抵
抗84,85を配置するための抵抗プレート6を生成す
る。結果として、図1のテンプレート1が生成される。
【0015】最後に、このテンプレート1に従って、実
際のマスク上に素子を配置する。その結果、図3のマス
クレイアウト図が生成される。以上のように、この実施
例によれば、回路図上での各素子の面積,素子の接続関
係,配線長に基づいてプレートを配置したことにより、
テンプレート7を容易に、かつ合理的に決定することが
できる。また、素子と電源との接続関係および各素子間
の接続関係に基づきテンプレートの変更,再配置をした
ことにより、テンプレート1のように各プレートをより
合理的な配置にすることができ、配線工程における未配
線を大きく減少させ、電算機によるマスクレイアウトの
自動設計が容易なものになる。
【0016】〔第2の実施例〕 この発明の第2の実施例について、図4,図5,図6,
図7および図8を参照しながら説明する。この実施例
は、図7に示す回路図を用いて行う。図7はこの発明の
第2の実施例におけるマスクレイアウト自動設計の対象
となる一回路図である。図7において、24,25,2
6,27,31,36,41,42,46,47,5
6,57,58,59,60,61,62は抵抗、2
8,29,30,32,33,34,35,37,3
8,39,40,44,45,49,50,51,5
2,53,54,55はトランジスタ、43,48は容
量である。63は正電源に接続されている素子グルー
プ、64は正電源,負電源のどちらにも接続されていな
い素子グループ、65は負電源に接続されている素子グ
ループである。なお図中、符号を丸で囲んである抵抗3
1,36,41,42,46,47および容量43,4
8は非常に面積の大きい素子である。ここで、非常に面
積の大きい素子というのは、図9の場合と同様、面積が
所定の範囲内である通常の素子より面積が大きい素子の
ことである。
【0017】図4,図5はこの実施例におけるテンプレ
ート作成過程における図である。図6はこの発明の半導
体集積回路のレイアウト方法により得られる図7の回路
図に対応するテンプレートを示す。図4,図5,図6に
おいて、共通なプレートには同一符号を付している。
9,10,12,13,16,18,19,20は抵抗
プレートであり、抵抗プレート9,10,12,13は
面積の非常に大きい抵抗用のプレート、抵抗プレート1
9,20は正電源側抵抗プレート、抵抗プレート16,
18は負電源側抵抗プレートである。11,14は面積
の非常に大きい容量用の容量プレート、15,17はト
ランジスタプレート、21,22は最終的なテンプレー
ト23の生成過程におけるテンプレートである。図8は
図6のテンプレートに従って実際のマスク上に素子を配
置したマスクレイアウト図であり、図7と対応するもの
には同一符号を付し、66はブロック枠である。
【0018】以下、この実施例の半導体集積回路のレイ
アウト方法を具体的に鋭明する。まず、図7の回路図に
おいて面積の非常に大きな素子を検索する。検索により
抵抗41を抽出して、抵抗41を配置するための抵抗プ
レートを生成することを決定する。次に、この抵抗プレ
ートの配置位置を決定するが、決定の仕方は次のように
行う。抵抗プレートを配置することにより、その抵抗プ
レートを横切るネット数が最も少ない場所を抵抗プレー
トの配置位置として決定する。すなわち図7において
は、左端が横方向のネット数が少ないので抵抗プレート
9の配置位置がテンプレートの左端に決定される。次
に、抵抗42を抽出し、この抵抗42についても同様の
処理を行うが、既に抵抗プレート9が配置されているの
で、抵抗42は抵抗プレート9に配置される。次に、抵
抗31を抽出してそれ用の抵抗プレート10を処理する
が、トランジスタ32,51および抵抗58による縦方
向のネットが存在する場合は、その右側に抵抗プレート
10の配置を決定する。同様に容量43を抽出して容量
プレート11の配置を決定し、抵抗46、47を抽出し
て抵抗プレート12の配置を決定し、抵抗36を抽出し
て抵抗プレート13の配置を決定し、容量48を抽出し
て容量プレート14の配置を決定する。ここまでの作成
過程を示した図が図4であり、テンプレート21が生成
される。
【0019】次に、ここまでに決定したプレートの間の
プレートを決定する。まず、抵抗プレート9,10の間
のプレートを決定する。正電源に接続している素子は抵
抗24,25とトランジスタ30,32なので、この2
種類の素子の面積を比較するとトランジスタの方が大き
いので、正電源側のプレートはトランジスタプレート1
5に決定する。負電源側に接続している素子は抵抗5
6,57,58なので、負電源側のプレートは抵抗プレ
ート16に決定する。抵抗24,25は第1の実施例の
抵抗84,85と同様の処理で、抵抗プレート9に配置
する。残りの電源に接続していない素子はトランジスタ
28,29,39,40,49,50,51であり、こ
れらの素子の配置はトランジスタプレート15が既に存
在しているので、トランジスタプレート15に配置が決
定する。次に、抵抗プレート12,13の間も同様にト
ランジスタプレート17と抵抗プレート18が決定され
る。ここまでの作成過程を示した図が図5で、テンプレ
ート22が生成される。
【0020】さらに、電源に接続している素子を調べ
る。まず、抵抗プレート9,10間の素子を調べる。正
電源側に接続している素子はトランジスタ30,32、
抵抗24,25であるがプレートはトランジスタプレー
ト15が配置され抵抗プレートが存在しないので、トラ
ンジスタプレート15の上に抵抗24,25を配置する
ための抵抗プレート19の生成を決定する。同様に、抵
抗プレート12,13の間の素子を調べて抵抗26,2
7を配置するための抵抗プレート20の生成を決定す
る。結果として、図6のテンプレート23が生成され
る。
【0021】最後に、このテンプレート23に従って、
実際のマスク上に素子を配置する。その結果、図8のマ
スクレイアウト図が生成される。この実施例において
も、第1の実施例同様、非常に合理的にマスクレイアウ
トを行うことができ、また、配線工程における未配線を
減少させ、自動設計後の未配線処理の削減を実現するこ
とができる。
【0022】
【発明の効果】この発明の半導体集積回路のレイアウト
方法は、面積の大きな素子用の第1種類のプレートを生
成した後、空いたスペースに配置される素子の種類別に
面積を求めて、面積が大きい方の種類の素子用として第
2種類のプレートを生成する。その後、電源用配線に接
続された素子を検索して、空きスペースの電源用配線側
に第3種類のプレートを配置する処理が行われるため、
テンプレート内の各プレートを接続関係や配線長を考慮
した最適な位置に配置することができる。その後に行わ
れる配線工程において未配線を大きく減少させ、優れた
特性が得られるマスクレイアウトを自動設計することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例により得られる図9の
回路図に対応するテンプレートを示した図である。
【図2】図1のテンプレートの作成過程における図であ
る。
【図3】この発明の第1の実施例により作成した図9の
回路図に対応するマスクレイアウト図である。
【図4】この発明の第2の実施例により得られる図7の
回路図に対応するテンプレートの作成過程における図で
ある。
【図5】この発明の第2の実施例により得られる図7の
回路図に対応するテンプレートの作成過程における図で
ある。
【図6】この発明の第2の実施例により得られる図7の
回路図に対応するテンプレートを示した図である。
【図7】この発明の第2の実施例の対象となる一回路図
である。
【図8】この発明の第2の実施例により作成した図7の
回路図に対応するマスクレイアウト図である。
【図9】この発明の第1の実施例および従来例の対象と
なる一回路図である。
【図10】従来の半導体集積回路のレイアウト方法によ
り得られる図9の回路図に対応するテンプレートを示し
た図である。
【図11】従来の半導体集積回路のレイアウト方法で作
成した図9の回路図に対応するマスクレイアウト図であ
る。
【符号の説明】
1 テンプレート 2 面積の非常に大きい素子用の抵抗プレート 3 面積の非常に大きい素子用の抵抗プレート 4 正電源側抵抗プレート 5 トランジスタプレート 6 負電源側抵抗プレート 9 面積の非常に大きい素子用の抵抗プレート 10 面積の非常に大きい素子用の抵抗プレート 11 面積の非常に大きい素子用の容量プレート 12 面積の非常に大きい素子用の抵抗プレート 13 面積の非常に大きい素子用の抵抗プレート 14 面積の非常に大きい素子用の容量プレート 15 トランジスタプレート 16 負電源側抵抗プレート 17 トランジスタプレート 18 負電源側抵抗プレート 19 正電源側抵抗プレート 20 正電源側抵抗プレート 23 テンプレート 31 非常に面積の大きい抵抗 36 非常に面積の大きい抵抗 41 非常に面積の大きい抵抗 42 非常に面積の大きい抵抗 43 非常に面積の大きい容量 46 非常に面積の大きい抵抗 47 非常に面積の大きい抵抗 48 非常に面積の大きい容量 63 正電源に接続している素子グループ 64 正電源,負電源のどちらにも接続していない素
子グループ 65 負電源に接続している素子グループ 77 非常に面積の大きい抵抗 82 非常に面積の大きい抵抗 87 正電源に接続している素子グループ 88 正電源,負電源のどちらにも接続していない素
子グループ 89 負電源に接続している素子グループ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/82 H01L 27/118

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回路図の情報から面積の大きな素子を検
    索し、その素子用の第1種類のプレートを横長のテンプ
    レートを縦方向に分割するように生成する第1の処理
    と、 次に、前記第1種類のプレートを横切るネット数が少な
    くなるような前記テンプレート内の位置に前記第1種類
    のプレートを配置する第2の処理と、 次に、前記第1種類のプレート同士の間に空いたスペー
    ス内に配置される複数の素子を種類別にグループ分け
    し、グループ別の面積が大きくなるグループを選択し
    て、前記スペースを選択したグループ用の第2種類のプ
    レートとする第3の処理と、 次に、前記スペース内に配置される複数の素子のうち電
    源用配線に接続された素子を検索し、その素子を配置す
    るための第3種類のプレートを前記スペース内の前記電
    源用配線の側に配置して、前記スペースの残り部分を前
    記第2種類のプレートとする第4の処理とを含む半導体
    集積回路のレイアウト方法。
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