JP2820915B2 - 窒化チタン膜形成方法 - Google Patents

窒化チタン膜形成方法

Info

Publication number
JP2820915B2
JP2820915B2 JP8005239A JP523996A JP2820915B2 JP 2820915 B2 JP2820915 B2 JP 2820915B2 JP 8005239 A JP8005239 A JP 8005239A JP 523996 A JP523996 A JP 523996A JP 2820915 B2 JP2820915 B2 JP 2820915B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tin film
forming
tin
chamber
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP8005239A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08337875A (ja
Inventor
タエ キム ジョン
ボ ホワン サン
Original Assignee
ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カムパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=19410708&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2820915(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カムパニー リミテッド filed Critical ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カムパニー リミテッド
Publication of JPH08337875A publication Critical patent/JPH08337875A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2820915B2 publication Critical patent/JP2820915B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子でアルミ
ニウムの拡散バリヤメタル及びタングステンのグルーレ
イヤ(Glue layer)として主に使用する窒化チタン(TiN)
層の特性を向上するTiN膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、半導体素子の拡散バリヤメタ
ルとして利用されるTiNの蒸着方法は大きく物理的の気
相蒸着(Physical Vapor Deposition; PVD)法と化学的気
相蒸着(Chemical Vapor Deposition; CVD)法に分けるこ
とができ、素子の高集積化によりステップカバレージ(S
tep coverage)が優れるCVD法をTiN層の形成のため主に
使用している。
【０００３】即ち、従来にはテトラキス ジメチル ア
ミノ チタン(tetrakisdimethylaminotitanum;以下、TD
MATと呼ぶ)、テトラキス ジエチル アミノ チタン(t
etrakisdiethylaminotitanum;以下、TDEATと呼ぶ)のよ
うな原料ソースの熱分解を利用してTiN層を形成してき
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
熱分解により蒸着されたTiN層は多量のカーボン及び酸
素基を含有しているから104μohm・cm以上の高い比抵抗
値を持ち、多孔質性に因り大気中放置時、多量の水分及
び酸素を吸収して約24時間後に約3.5倍以上に比抵抗が
急激に増加して、結局膜の質を低下させる問題点を招来
することになる。
【０００５】従って、上記問題点を解決するため案出さ
れた本発明は蒸着されたTiN層を蒸着チャンバー内で、
または大気中に露出後に窒素ガスまたは水素ガス、また
はその混合ガスのプラズマを利用して特性改善処理する
ことにより、TiN層に内包された不純物の量を減少さ
せ、これにより比抵抗値を減少させられるTiN層の特性
改善方法を提供することにその目的がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明は、ソース物質の熱分解による化学
的気相蒸着法により炭素および酸素による不純物を有す
るＴｉＮ膜を形成する第１工程と、上記ＴｉＮ膜を水素
および窒素プラズマに露出させてＴｉＮ膜から炭素と酸
素をそれぞれ水素との反応物として発散させ、それによ
り空いた炭素および水素の座を窒素で充填させる第２工
程とを包含してなることを特徴とする。
【０００７】また、請求項９の発明は、ソース物質の熱
分解による化学的気相蒸着法により炭素および酸素によ
る不純物を有するＴｉＮ膜を形成する第１工程と、上記
ＴｉＮ膜を水素プラズマに露出させてＴｉＮ膜から炭素
と酸素をそれぞれ水素との反応物として発散させる第２
工程とを包含してなることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を詳細に
説明すると次の通りである。本発明の一実施例は先に、
CVD法によって、即ちTDMATまたはTDEATソースの熱分解
法でTiN層を蒸着する。
【０００９】次いで、上記のように蒸着されたTiN層に
対して窒素ガスと水素ガスの混合ガスを利用した一次プ
ラズマ処理をする。ここで、一次プラズマ処理は、窒素
ガスの流量を100〜500 sccm、水素ガスの流量を100〜5
00sccm、温度を200〜500℃、圧力を0.5〜5torr、RF(Rad
io Frequency;以下、RFとする)電力を200〜700Wに設定
した後10〜60秒間遂行する。一次プラズマ処理は上記の
TiN層を蒸着したチャンバー内で継続して行ってもよい
し、あるいはTiN層が蒸着された基板を別のチャンバに
移動させたのち（したがって空気中に露出させた後）行
ってもよい。
【００１０】次に、TiN層に対して窒素ガスを利用した
二次プラズマ処理を行うが、ここで二次プラズマ処理
は、窒素ガスの流量を100〜500sccm、温度を200〜500
℃、圧力を0.5〜5torr、RF電力を200〜700Wの条件下、1
0〜60秒間遂行する。
【００１１】以上の本発明の一実施例をより詳細に考察
する。上記のTiN層に対して窒素ガスと水素ガスとを混
合した混合ガスを利用して一次プラズマ処理を遂行した
が、この時、活性化された水素イオンは多孔質のTiN層
内に浸透し、TiN層の −C≡N または ＝C＝N− と
＝C＝O 結合を切るとともに、切断された炭素および酸
素と化学的に結合してCH4及びH2Oガスとして発散する。
これと同時に活性化された窒素イオンはチャンバ内に残
っている酸素のTiN層への吸収を抑制し、CH4及びH2Oガス
発散により空けられた炭素及び酸素の座に充填する。
【００１２】その後、窒素ガスを利用した二次プラズマ
処理を遂行して、窒素イオンのTiN層への充填を最大化
する。従って、TiとNの結合はプラズマ処理の前より多
くなり、結局、より緻密で比抵抗が低い安定なTiN層が
形成されることとなる。
【００１３】参考的に、TDMATを使用してTiN層を形成し
た場合における大気中露出時間についての比抵抗値の変
化を次の
【表１】に示す。
【００１４】表１の条件は次の通りである。一次プラズ
マ処理としてチャンバ温度450℃、圧力2torr、RF電力35
0W、水素と窒素を各々200sccmと300sccm流す雰囲気で30
秒間処理を行い、二次プラズマ処理としてチャンバ温度
450℃、圧力2torr、RF電力350W、窒素300sccmの雰囲気
で３０秒間処理を行った。
【表１】
【表２】
【表３】
【００１５】表１に示すようにプラズマにより処理され
たTiN層の比抵抗は、プラズマ処理をしない場合と比較
すると、初期に約1/8、大気中露出時22時間後には1/1
8、47時間後には1/22、73時間後には1/25と、極めて低
い値を示す。また、表２は本発明を適用した場合のスト
レスの減少を示し、表３は本発明の方法のプラズマ処理
により、炭素及び酸素が減少されることを示す。
【００１６】なお、上記の二次プラズマ処理は省略して
もいいが、一次プラズマ処理に加えて二次プラズマ処理
を行うことにより、安定性を持つTiN層に改質すること
ができる。
【００１７】一方、本発明の別の実施例について考察し
てみると次のようである。本発明の別の実施例は、TDMA
T及びTDEATソースの熱分解により蒸着されたTiN層に対
し、窒素ガスまたは水素ガスのうちのいずれか一つだけ
を利用してプラズマ処理するものである。ここで、プラ
ズマ処理条件は上記一実施例と同一に設定する。このよ
うに窒素ガスまたは水素ガスのうちのいずれか一つだけ
を利用してTiN層をプラズマ処理した場合も、上記の一
実施例と同様、比抵抗の増加を防止することができる。
【００１８】
【発明の効果】上記のように本発明によれば、TiN層に
内包された不純物の量を減少させ、これにより比抵抗値
を減少させることができる。即ち、不純物の含量が小さ
く極めて緻密な薄膜が形成されるので、大気中放置時間
の経過による比抵抗の増加率が極めて低く、電気的安定
性が優秀なTiN層を形成できるという特有の効果があ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サン ボ ホワン 大韓民国，467−860，イチョンクン キ ュンキド，ブバリュウム，アミ−リ，サ ン136−１，ヒュンダイ エレクトロニ クス インダストリーズ カンパニー リミティッド 内 (56)参考文献 特開 平３−135018（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−47707（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−246152（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/3205 H01L 21/768 C23C 16/00 - 16/56

Claims (18)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ソース物質の熱分解による化学的気相蒸
    着法により炭素および酸素による不純物を有するＴｉＮ
    膜を形成する第１工程と、 前記ＴｉＮ膜を水素および窒素プラズマに露出させて前
    記ＴｉＮ膜から前記炭素と酸素をそれぞれ水素との反応
    物として発散させ、それにより空いた前記炭素および水
    素の座を窒素で充填させる第２工程とを包含してなるこ
    とを特徴とするＴｉＮ膜形成方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のＴｉＮ膜形成方法にお
    いて、 前記第２工程は、温度200〜500℃、圧力0.5〜5Torr、RF
    (Radio Frequency)電力200〜700Wのチャンバで遂行され
    ることを特徴とするＴｉＮ膜形成方法。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載のＴｉＮ膜形成方法にお
    いて、 前記チャンバ内に注入されるガス量は水素及び窒素のプ
    ラズマガスについて各々100〜500sccmであることを特徴
    とするＴｉＮ膜形成方法。
  4. 【請求項４】 請求項２に記載のＴｉＮ膜形成方法にお
    いて、 前記第２工程の露出時間は10〜60秒であることを特徴と
    するＴｉＮ膜形成方法。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載のＴｉＮ膜形成方法にお
    いて、 前記第２工程は、前記ＴｉＮ膜を窒素プラズマガスにの
    み再度露出させる第３工程をさらに包含してなることを
    特徴とするＴｉＮ膜形成方法。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載のＴｉＮ膜形成方法にお
    いて、 前記第３工程は、温度200〜500℃、圧力0.5〜5torr、RF
    電力200〜700Wのチャンバ内で行われることを特徴とす
    るＴｉＮ膜形成方法。
  7. 【請求項７】 請求項５に記載のＴｉＮ膜形成方法にお
    いて、 前記第３工程のチャンバ内に注入される窒素ガス量は10
    0〜500sccmであることを特徴とするＴｉＮ膜形成方法。
  8. 【請求項８】 請求項５に記載のＴｉＮ膜形成方法にお
    いて、 前記第３工程のＴｉＮ膜露出時間は10〜60秒であること
    を特徴とするＴｉＮ膜形成方法。
  9. 【請求項９】 ソース物質の熱分解による化学的気相蒸
    着法により炭素および酸素による不純物を有するＴｉＮ
    膜を形成する第１工程と、 前記ＴｉＮ膜を水素プラズマに露出させて前記ＴｉＮ膜
    から前記炭素と酸素をそれぞれ水素との反応物として発
    散させる第２工程とを包含してなることを特徴とするＴ
    ｉＮ膜形成方法。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載のＴｉＮ膜形成方法に
    おいて、 前記第２工程は、温度200〜500℃、圧力0.5〜5Torr、RF
    (Radio Frequency)電力200〜700Wのチャンバで遂行され
    ることを特徴とするＴｉＮ膜形成方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１０に記載のＴｉＮ膜形成方法
    において、 前記チャンバ内に注入される水素ガス量は100〜500sccm
    であることを特徴とするＴｉＮ膜形成方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１０に記載のＴｉＮ膜形成方法
    において、 前記第２工程の露出時間は10〜60秒であることを特徴と
    するＴｉＮ膜形成方法。
  13. 【請求項１３】 請求項９に記載のＴｉＮ膜形成方法に
    おいて、 前記第２工程は、前記ＴｉＮ膜を窒素プラズマガスにの
    み再度露出させる第３工程をさらに包含してなることを
    特徴とするＴｉＮ膜形成方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１３に記載のＴｉＮ膜形成方法
    において、 前記第３工程は、温度200〜500℃、圧力0.5〜5Torr、RF
    電力200〜700Wのチャンバ内で行われることを特徴とす
    るＴｉＮ膜形成方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１３に記載のＴｉＮ膜形成方法
    において、 前記第３工程のチャンバ内に注入される窒素ガス量は10
    0〜500sccmであることを特徴とするＴｉＮ膜形成方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１３に記載のＴｉＮ膜形成方法
    において、 前記第３工程のＴｉＮ膜露出時間は10〜60秒であること
    を特徴とするＴｉＮ膜形成方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１〜８のいずれか１項に記載の
    ＴｉＮ膜の形成方法において、 前記ソース物質はテトラキスジメチルアミノチタン（Ｔ
    ＤＭＡＴ）またはテト ラキスジエチルアミノチタン（Ｔ
    ＤＥＡＴ）であることを特徴とするＴｉＮ膜の形成方
    法。
  18. 【請求項１８】 請求項９〜１６のいずれか１項に記載
    のＴｉＮ膜の形成方法において、 前記ソース物質はテトラキスジメチルアミノチタン（Ｔ
    ＤＭＡＴ）またはテトラキスジエチルアミノチタン（Ｔ
    ＤＥＡＴ）であることを特徴とするＴｉＮ膜の形成方
    法。
JP8005239A 1995-03-28 1996-01-16 窒化チタン膜形成方法 Expired - Fee Related JP2820915B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950006706A KR0164149B1 (ko) 1995-03-28 1995-03-28 타이타늄 카보 나이트라이드층의 개질 방법
KR1995-6706 1995-03-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08337875A JPH08337875A (ja) 1996-12-24
JP2820915B2 true JP2820915B2 (ja) 1998-11-05

Family

ID=19410708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8005239A Expired - Fee Related JP2820915B2 (ja) 1995-03-28 1996-01-16 窒化チタン膜形成方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6086960A (ja)
JP (1) JP2820915B2 (ja)
KR (1) KR0164149B1 (ja)
CN (1) CN1057799C (ja)
DE (1) DE19600946B4 (ja)
GB (1) GB2299345B (ja)
TW (1) TW363223B (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6291343B1 (en) * 1994-11-14 2001-09-18 Applied Materials, Inc. Plasma annealing of substrates to improve adhesion
US6699530B2 (en) 1995-07-06 2004-03-02 Applied Materials, Inc. Method for constructing a film on a semiconductor wafer
US6365495B2 (en) 1994-11-14 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature
US6251758B1 (en) 1994-11-14 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Construction of a film on a semiconductor wafer
US6933021B2 (en) * 1995-07-06 2005-08-23 Applied Materials, Inc. Method of TiSiN deposition using a chemical vapor deposition (CVD) process
KR100226763B1 (ko) * 1996-07-31 1999-10-15 김영환 화학기상증착 장치를 이용한 박막 형성방법
KR100226764B1 (ko) * 1996-08-21 1999-10-15 김영환 화학기상증착 장치를 이용한 박막 형성방법
US6537621B1 (en) 1996-10-01 2003-03-25 Tokyo Electron Limited Method of forming a titanium film and a barrier film on a surface of a substrate through lamination
JP3374322B2 (ja) * 1996-10-01 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 チタン膜及びチタンナイトライド膜の連続成膜方法
KR19980060642A (ko) * 1996-12-31 1998-10-07 김영환 타이타늄질화막 형성방법
US6323119B1 (en) * 1997-10-10 2001-11-27 Applied Materials, Inc. CVD deposition method to improve adhesion of F-containing dielectric metal lines for VLSI application
US6624064B1 (en) * 1997-10-10 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Chamber seasoning method to improve adhesion of F-containing dielectric film to metal for VLSI application
US6211065B1 (en) * 1997-10-10 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Method of depositing and amorphous fluorocarbon film using HDP-CVD
KR100477840B1 (ko) * 1997-12-27 2005-06-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의장벽금속막형성방법
US20030015496A1 (en) * 1999-07-22 2003-01-23 Sujit Sharan Plasma etching process
US6656831B1 (en) * 2000-01-26 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of a metal nitride layer
US6573030B1 (en) 2000-02-17 2003-06-03 Applied Materials, Inc. Method for depositing an amorphous carbon layer
JP3449960B2 (ja) * 2000-02-25 2003-09-22 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US6285038B1 (en) * 2000-03-01 2001-09-04 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry and DRAM integrated circuitry
US6465348B1 (en) * 2001-06-06 2002-10-15 United Microelectronics Corp. Method of fabricating an MOCVD titanium nitride layer utilizing a pulsed plasma treatment to remove impurities
US20060014384A1 (en) * 2002-06-05 2006-01-19 Jong-Cheol Lee Method of forming a layer and forming a capacitor of a semiconductor device having the same layer
JP2008041977A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Nec Electronics Corp 半導体回路装置の製造方法
JP2012193457A (ja) * 2009-06-10 2012-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP5220062B2 (ja) * 2009-06-10 2013-06-26 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
CN101734920B (zh) * 2009-12-04 2012-07-04 西安交通大学 一种氮化钛多孔陶瓷及其制备方法
CN102345114B (zh) * 2010-07-30 2013-06-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种mocvd加热装置、其形成方法和一种mocvd形成薄膜的方法
CN103173731B (zh) * 2011-12-23 2015-03-18 中国科学院兰州化学物理研究所 一种改善TiN/TiCN多层复合薄膜材料性能的方法
US8623468B2 (en) * 2012-01-05 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of fabricating metal hard masks
CN102719691B (zh) * 2012-02-21 2013-09-18 山东科技大学 一种具有TiN涂层的多孔膜及其制备方法
BR112017011770A2 (pt) 2014-12-05 2017-12-26 Agc Flat Glass Na Inc fonte de plasma que utiliza um revestimento de redução de macro partícula e método de usar a fonte de plasma que utiliza um revestimento de redução de macro partícula para a deposição de revestimentos de filme fino e modificação de superfícies
US10276648B1 (en) * 2017-12-27 2019-04-30 Texas Instruments Incorporated Plasma treatment for thin film resistors on integrated circuits
CN109103139B (zh) * 2018-08-14 2020-11-20 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体通孔的制造方法
CN113136562A (zh) * 2021-04-19 2021-07-20 东北大学 一种可涂覆于深孔零件的高硬度TiN保护性涂层及其制备方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS581067A (ja) * 1981-06-26 1983-01-06 Toshiba Corp 装飾用金属窒化物皮膜の形成法
JPH02310918A (ja) * 1989-05-25 1990-12-26 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH03135018A (ja) * 1989-10-20 1991-06-10 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびその装置
JPH03153018A (ja) * 1989-11-10 1991-07-01 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
IT1241922B (it) * 1990-03-09 1994-02-01 Eniricerche Spa Procedimento per realizzare rivestimenti di carburo di silicio
KR920002708B1 (ko) * 1990-03-22 1992-03-31 한국과학기술원 TiN의 플라즈마 화학증착방법
JP3243722B2 (ja) * 1990-10-24 2002-01-07 住友金属工業株式会社 薄膜の形成方法および半導体装置
US5175126A (en) * 1990-12-27 1992-12-29 Intel Corporation Process of making titanium nitride barrier layer
US5173327A (en) * 1991-06-18 1992-12-22 Micron Technology, Inc. LPCVD process for depositing titanium films for semiconductor devices
US5308655A (en) * 1991-08-16 1994-05-03 Materials Research Corporation Processing for forming low resistivity titanium nitride films
US5192589A (en) * 1991-09-05 1993-03-09 Micron Technology, Inc. Low-pressure chemical vapor deposition process for depositing thin titanium nitride films having low and stable resistivity
US5376590A (en) * 1992-01-20 1994-12-27 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Semiconductor device and method of fabricating the same
US5334264A (en) * 1992-06-30 1994-08-02 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College Titanium plasma nitriding intensified by thermionic emission source
CA2121266C (en) * 1992-08-14 1998-06-09 Simon K. Nieh Surface preparation and deposition method for titanium nitride onto carbonaceous
US5382809A (en) * 1992-09-14 1995-01-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor device including semiconductor diamond
US5364522A (en) * 1993-03-22 1994-11-15 Liang Wang Boride, carbide, nitride, oxynitride, and silicide infiltrated electrochemical ceramic films and coatings and the method of forming such
US5273783A (en) * 1993-03-24 1993-12-28 Micron Semiconductor, Inc. Chemical vapor deposition of titanium and titanium containing films using bis (2,4-dimethylpentadienyl) titanium as a precursor
US5246881A (en) * 1993-04-14 1993-09-21 Micron Semiconductor, Inc. Low-pressure chemical vapor deposition process for depositing high-density, highly-conformal, titanium nitride films of low bulk resistivity
US5380566A (en) * 1993-06-21 1995-01-10 Applied Materials, Inc. Method of limiting sticking of body to susceptor in a deposition treatment
JPH0722339A (ja) * 1993-07-05 1995-01-24 Toshiba Corp 薄膜形成方法
US5480684A (en) * 1994-09-01 1996-01-02 Micron Technology, Inc. Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organometallic precursor compounds
US5576071A (en) * 1994-11-08 1996-11-19 Micron Technology, Inc. Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds
US5747116A (en) * 1994-11-08 1998-05-05 Micron Technology, Inc. Method of forming an electrical contact to a silicon substrate
US5834068A (en) * 1996-07-12 1998-11-10 Applied Materials, Inc. Wafer surface temperature control for deposition of thin films
US5989652A (en) * 1997-01-31 1999-11-23 Tokyo Electron Limited Method of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of tin film over titanium for use in via level applications
US5906866A (en) * 1997-02-10 1999-05-25 Tokyo Electron Limited Process for chemical vapor deposition of tungsten onto a titanium nitride substrate surface
US5972179A (en) * 1997-09-30 1999-10-26 Lucent Technologies Inc. Silicon IC contacts using composite TiN barrier layer

Also Published As

Publication number Publication date
GB9605507D0 (en) 1996-05-15
JPH08337875A (ja) 1996-12-24
GB2299345B (en) 1998-10-14
CN1057799C (zh) 2000-10-25
DE19600946B4 (de) 2005-02-10
DE19600946A1 (de) 1996-10-02
CN1133900A (zh) 1996-10-23
US6086960A (en) 2000-07-11
KR0164149B1 (ko) 1999-02-01
TW363223B (en) 1999-07-01
KR960035890A (ko) 1996-10-28
GB2299345A (en) 1996-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2820915B2 (ja) 窒化チタン膜形成方法
KR0172772B1 (ko) 반도체 장치의 확산장벽용 산화루테늄막 형성 방법
US7144806B1 (en) ALD of tantalum using a hydride reducing agent
JP4674061B2 (ja) 薄膜形成方法
US7338900B2 (en) Method for forming tungsten nitride film
US8101521B1 (en) Methods for improving uniformity and resistivity of thin tungsten films
US5576071A (en) Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds
JP3998830B2 (ja) 化学気相蒸着法による金属窒化膜形成方法及びこれを用いた半導体装置の金属コンタクト形成方法
US6586330B1 (en) Method for depositing conformal nitrified tantalum silicide films by thermal CVD
US5571572A (en) Method of depositing titanium carbonitride films on semiconductor wafers
KR20170017779A (ko) 알루미늄 및 질소 함유 물질의 선택적 퇴적
US5506449A (en) Interconnection structure for semiconductor integrated circuit and manufacture of the same
JPH05206062A (ja) 安定で低い電気固有抵抗を有する窒化チタン薄膜を堆積させるための改良減圧化学蒸着法
US7358188B2 (en) Method of forming conductive metal silicides by reaction of metal with silicon
US7411254B2 (en) Semiconductor substrate
EP0522799A2 (en) Dielectric deposition
US6174823B1 (en) Methods of forming a barrier layer
EP0711846A1 (en) Titanium nitride deposited by chemical vapor deposition
US5965203A (en) Method for depositing a silicon oxide layer
JP2000195859A (ja) 高誘電体膜形成方法
US7491430B2 (en) Deposition method for forming a film including metal, nitrogen and carbon
EP0591086A2 (en) Low temperature chemical vapor deposition and method for depositing a tungsten silicide film with improved uniformity and reduced fluorine concentration
KR100304694B1 (ko) 화학기상증착법에의한금속질화막형성방법및이를이용한반도체장치의금속컨택형성방법
KR102513403B1 (ko) 텅스텐 증착 방법
JP3718297B2 (ja) 薄膜作製方法および薄膜作製装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080828

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080828

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090828

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090828

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100828

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100828

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110828

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120828

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130828

Year of fee payment: 15

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees