JPH03153018A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03153018A JPH03153018A JP29261489A JP29261489A JPH03153018A JP H03153018 A JPH03153018 A JP H03153018A JP 29261489 A JP29261489 A JP 29261489A JP 29261489 A JP29261489 A JP 29261489A JP H03153018 A JPH03153018 A JP H03153018A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- semiconductor substrate
- film thickness
- resist film
- reduced pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000007799 cork Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基
板上にレジスト液を塗布する技術の改良に関する。
板上にレジスト液を塗布する技術の改良に関する。
〔従来の技術］
従来、半導体基板上にレジスト液を塗布する際には、半
導体基板周囲の環境は、大気圧状態にして行なっていた
。
導体基板周囲の環境は、大気圧状態にして行なっていた
。
〔発明が解決しようとする課題Ｊ
通常、半導体を製造する際にレジスト液を塗布する工程
は、ｌＯ工程前後有り、レジスト膜厚についても、２〜
３種類の条件が有るのが一般的である。ところで、所望
のレジスト膜厚を得るためには、レジスト液の粘度を変
えて、各々のレジスト膜厚を得る必要があり、レジスト
膜厚の条件ごとに、レジスト液の粘度を変えなければな
らず、レジスト膜厚の条件が増えるごとに、粘度の違う
レジスト液が増え１作業が大変になるといった問題があ
った。
は、ｌＯ工程前後有り、レジスト膜厚についても、２〜
３種類の条件が有るのが一般的である。ところで、所望
のレジスト膜厚を得るためには、レジスト液の粘度を変
えて、各々のレジスト膜厚を得る必要があり、レジスト
膜厚の条件ごとに、レジスト液の粘度を変えなければな
らず、レジスト膜厚の条件が増えるごとに、粘度の違う
レジスト液が増え１作業が大変になるといった問題があ
った。
さらに、厚いレジスト膜を得るためには、高粘度のレジ
スト液が必要になるが、高粘度のレジスト液はど、気泡
が発生しやすく、レジスト液を塗布する際に、この気泡
により、塗布むらが発生しやすくなるといった問題もあ
った。
スト液が必要になるが、高粘度のレジスト液はど、気泡
が発生しやすく、レジスト液を塗布する際に、この気泡
により、塗布むらが発生しやすくなるといった問題もあ
った。
本発明は、このような従来の半導体装置の製造方法の問
題点を解決するもので、その目的とするところは、より
簡単な方法でレジスト膜厚をコントロールする事ができ
る半導体装置の製造方法を提供するところにある。
題点を解決するもので、その目的とするところは、より
簡単な方法でレジスト膜厚をコントロールする事ができ
る半導体装置の製造方法を提供するところにある。
［課題を解決するための手段１
本発明の半導体装置の製造方法は、レジスト液を塗布す
る際に、半導体基板の周囲の環境を減圧状態にしてレジ
スト液を塗布することを特徴とする。
る際に、半導体基板の周囲の環境を減圧状態にしてレジ
スト液を塗布することを特徴とする。
〔実 施 例１
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施例における半導
体装置の断面図である。
体装置の断面図である。
半導体基板（ｂ）を密閉されたコーターカップ（ｅ）内
のチャッキングテーブル（Ｃ）上にセットする。その後
、ロータリーポンプ（ｆ）により、コーターカップ（ｅ
）内を減圧状態にし、レジスト滴下用ノズル（ａ）より
、半導体基板（ｂ）上にレジスト液を滴下し、スピンモ
ーター（ｄ）により、半導体基板（ｂ）を回転させ、半
導体基板（ｂ）上に均一なレジスト膜を形成する。
のチャッキングテーブル（Ｃ）上にセットする。その後
、ロータリーポンプ（ｆ）により、コーターカップ（ｅ
）内を減圧状態にし、レジスト滴下用ノズル（ａ）より
、半導体基板（ｂ）上にレジスト液を滴下し、スピンモ
ーター（ｄ）により、半導体基板（ｂ）を回転させ、半
導体基板（ｂ）上に均一なレジスト膜を形成する。
ところで、レジスト膜厚を決める要因としては、レジス
ト液の粘度、レジスト液滴下後の半導体基板の回転速度
、回転時のレジストから溶剤が蒸発する蒸発速度の３つ
が考えられる。第２図（ａ）〜（ｅ）は、従来の方法に
よる半導体装置の断面図であるが、図から明らかなよう
に、コーク−カップ（ｅ）が密閉状態となっていないた
め、常に半導体基板（ｂ）の周囲の環境は大気圧に保た
れている。このためレジスト塗布時のレジストからの溶
剤の蒸発速度は常に一定に保たれる。さらに、回転速度
については、低速側ではレジスト膜厚の面内均一性が悪
くなり、高速側では、スピンモーターの能力に限界があ
るために、はぼ３０００回転（ｒｐｍ）から６０００回
転が実用域であり、この回転速度内では、大きく膜厚を
変化させることができなかった。従がって従来は、レジ
スト液の粘度を変化させることによって、所望のレジス
ト膜厚を得ていた。
ト液の粘度、レジスト液滴下後の半導体基板の回転速度
、回転時のレジストから溶剤が蒸発する蒸発速度の３つ
が考えられる。第２図（ａ）〜（ｅ）は、従来の方法に
よる半導体装置の断面図であるが、図から明らかなよう
に、コーク−カップ（ｅ）が密閉状態となっていないた
め、常に半導体基板（ｂ）の周囲の環境は大気圧に保た
れている。このためレジスト塗布時のレジストからの溶
剤の蒸発速度は常に一定に保たれる。さらに、回転速度
については、低速側ではレジスト膜厚の面内均一性が悪
くなり、高速側では、スピンモーターの能力に限界があ
るために、はぼ３０００回転（ｒｐｍ）から６０００回
転が実用域であり、この回転速度内では、大きく膜厚を
変化させることができなかった。従がって従来は、レジ
スト液の粘度を変化させることによって、所望のレジス
ト膜厚を得ていた。
本発明によれば、レジスト液塗布時に半導体基板（ｂ）
周囲の環境を減圧状態にすることにより、レジスト液内
の溶剤の蒸発速度をコントロールすることが可能になり
、レジスト膜厚のコントロールが減圧状態を変化させる
ことにより可能になる１例＾ば従来の方法にて１μｍｌ
！厚が得られる条件の時に、コーターカップ（ｅ）内を
０．１気圧の減圧状態に設定するだけで、レジスト膜厚
はｌｕｍから５μｍへと変化する。すなわち、いくつか
のレジスト膜厚が必要になっても、レジスト液の粘度を
変えることなく、コーターカップ（ｅ）内の減圧状態を
変更するだけで対応することができる。
周囲の環境を減圧状態にすることにより、レジスト液内
の溶剤の蒸発速度をコントロールすることが可能になり
、レジスト膜厚のコントロールが減圧状態を変化させる
ことにより可能になる１例＾ば従来の方法にて１μｍｌ
！厚が得られる条件の時に、コーターカップ（ｅ）内を
０．１気圧の減圧状態に設定するだけで、レジスト膜厚
はｌｕｍから５μｍへと変化する。すなわち、いくつか
のレジスト膜厚が必要になっても、レジスト液の粘度を
変えることなく、コーターカップ（ｅ）内の減圧状態を
変更するだけで対応することができる。
〔発明の効果Ｊ
以上述べたように本発明によれば、レジスト膜厚のコン
トロールをコーターカップ内の減圧状態を変化させるこ
とにより、行なうことができるので、粘度の違うレジス
ト液を用意する必要がなくなり作業が簡単になる。さら
に、厚いレジスト膜厚の時必要になる高粘度レジスト液
も必要なくなり、塗布ムラの発生も防止でき、品質の向
上が期待される。
トロールをコーターカップ内の減圧状態を変化させるこ
とにより、行なうことができるので、粘度の違うレジス
ト液を用意する必要がなくなり作業が簡単になる。さら
に、厚いレジスト膜厚の時必要になる高粘度レジスト液
も必要なくなり、塗布ムラの発生も防止でき、品質の向
上が期待される。
第１図は本発明による実施例の半導体装置の断面図であ
る。
る。
第２図は従来の半導体装置の断面図である。
以上
Claims (1)
- 半導体基板表面上にレジスト液を塗布する際に、半導
体基板の周囲の環境を減圧状態にして、レジスト液を塗
布する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29261489A JPH03153018A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29261489A JPH03153018A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03153018A true JPH03153018A (ja) | 1991-07-01 |
Family
ID=17784079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29261489A Pending JPH03153018A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03153018A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19600946B4 (de) * | 1995-03-28 | 2005-02-10 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd., Ichon | Verfahren zur Verbesserung der Qualität einer Titannitridschicht, die Kohlenstoff und Sauerstoff enthält |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP29261489A patent/JPH03153018A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19600946B4 (de) * | 1995-03-28 | 2005-02-10 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd., Ichon | Verfahren zur Verbesserung der Qualität einer Titannitridschicht, die Kohlenstoff und Sauerstoff enthält |
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