DE19600946B4 - Verfahren zur Verbesserung der Qualität einer Titannitridschicht, die Kohlenstoff und Sauerstoff enthält - Google Patents

Verfahren zur Verbesserung der Qualität einer Titannitridschicht, die Kohlenstoff und Sauerstoff enthält Download PDF

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Abstract

Verfahren zur Nachbehandlung einer mittels eines Vakuumverfahrens gebildeten TiN-Schicht, bei dem die gebildete TiN-Schicht in einem ersten Schritt einem H2-N2-Plasma ausgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die TiN-Schicht in einem nachfolgenden zweiten Schritt einem N2-Plasma ausgesetzt wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 zur Verbesserung der Qualität einer Titannitrid (TiN)-Schicht, welche gewöhnlich als eine Haftschicht von Wolfram und als Diffusionsbarriereschicht in Aluminium (Al)-Metallisierungsprozessen verwendet wird, und mehr im einzelnen ein Verfahren zum Entfernen von Kohlenstoff- und Sauerstoffatomen, welche in der TiN-Schicht vorhanden sind.
  • Die Druckschrift JP 03-135018 A lehrt ein Verfahren zur Bildung ei ner Aluminiumlegierungsschicht auf einer TiN-Sperrschicht, um eine Elektronenwanderung dazwischen zu verhindern. Dies wird erreicht, indem die Aluminiumlegierungsschicht gebildet wird, ohne die Oberfläche der TiN-Sperrschicht Luft auszusetzen. Diese Druckschrift offenbart keine zweistufige Plasmabehandlung.
  • Die Druckschrift JP 02-310918 A offenbart ein Verfahren zur Bildung einer Metallnitriddünnschicht auf einer ersten Metalldünnschicht zur Verwendung mit einer ohmschen Elektrode. Die Oberfläche des Metallnitrids wird einem Stickstoff enthaltenden plasma ausgesetzt, um die Qualität der Metallnitriddünnschicht als Sperrschicht zu verbessern. Die Metallnitriddünnschicht wird in Gegenwart von Stickstoff-gas wärmebehandelt, um darin gebildetes Ti2N in TiN umzuwandeln.
  • Die Druckschrift JP 02-254166 A offenbart ein Verfahren zum Erhalten einer Goldfärbung, indem eine TiN-Dünnschicht in einer reduzierten Atmosphäre bei einem vorbestimmten Prozentanteil von H2 und N2 und vorbestimmten Bedingungen geglüht wird.
  • Druckschrift JP 02-149663 A lehrt ein Verfahren zur Bildung einer TiN-Schicht, um eine Goldfärbung zu erhalten. Dies wird erreicht, indem das TiN-Verhältnis gesteuert und mit einem Stickstoffionenstrahl unter einem Winkel von 45° bestahlt wird.
  • Druckschrift JP 63-303062 A offenbart eine Vorrichtung, um eine erste und eine zweite Metalldünnschicht auf ein Halbleitersubstrat aufzustäuben.
  • Druckschrift JP 58-1068 A offenbart ein Verfahren zur Bildung einer Metallnitriddünnschicht mit gleichförmigem und stabilem Glanz, indem eine Gleichstrom-Glühentladung in einer Mischgasatmosphäre ausgeführt wird.
  • Allgemein wird in Halbleiterfertigungsprozessen die TiN-Schicht überall als Diffusionsbarriereschicht und Haftschicht verwendet. Die TiN-Schicht wird gewöhnlich durch zwei Verfahren gebildet, von denen das eine die physikalische Abscheidung von Feststoffen aus der Gasphase ist (nachfolgend als PVD-Verfahren bezeichnet) und das andere die chemische Abscheidung von Feststoffen aus der Gasphase ist (nachfolgend als CVD-Verfahren bezeichnet). Jedoch wird im allgemeinen das CVD-Verfahren (chemical vapor deposition) zum Bilden der TiN-Schicht verwendet wegen der ausgezeichneten Stufenbeschichtung (step-coverage).
  • Die TiN-Schicht wird hergestellt durch Pyrolysieren von Ausgangsmaterialien wie beispielsweise Tetrakisdimenthylaminotitan (TDMAT) und Tetrakisdiethylaminotitan (TDEAT), und die TiN-Schicht ist porös.
  • Da jedoch die durch Pyrolysieren hergestellte Schicht Karbide und Oxide enthält, weist sie einen hohen spezifischen Widerstand auf von etwa 104 μOhm cm oder mehr. Ferner absorbiert die TiN-Schicht, wenn sie der Luft ausgesetzt wird, aufgrund ihrer Porosität Feuchtigkeit und Sauerstoff. Falls die TiN-Schicht etwa vierundzwanzig Stunden lang ausgesetzt wird, kann der spezifische Widerstand dreieinhalbmal so hoch sein wie der Widerstand der nicht ausgesetzten TiN-Schicht. Folglich verschlechtert sich die Qualität der TiN-Schicht.
  • Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Verfahrens zur Verminderung des spezifischen Widerstandes der TiN-Schicht, welche der Luft ausgesetzt wird, durch Eliminieren von Verunreinigungen darin unter Verwendung von Plasmagasen.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
  • Bevorzugte Ausführungsformen sind in den Unteransprüchen gezeigt.
  • Im folgenden wird eine Ausführungsform der Erfindung beschrieben.
  • Zuerst wird die TiN-Schicht in dem CVD-Verfahren gebildet durch Pyrolysieren von TDMAT oder TDEAT. Dann wird die primäre Plasmabehandlung angewendet auf die TiN-Schicht unter Verwendung der Stickstoff- und Wasserstoffgase. Das heißt, die TiN-Schicht wird den Stickstoff- und Wasserstoffgasen ausgesetzt.
  • In der bevorzugten Ausführungsform sind die primären Bedingungen folgende:
    • 1) Gasfluss des Stickstoffgases: 100–500 Norm-cm3/min
    • 2) Gasfluss des Wasserstoffgases: 100 – 500 Norm-cm3/min
    • 3) die Temperatur: 200 – 500°C
    • 4) der Druck: (0,5 – 5 Torr) 66,661 – 666,61 Pa
    • 5) die HF-Leistung: 200 – 700 W
    • 6) die Verarbeitungszeit: 10 – 60 Sekunden
  • Zu diesem Zeitpunkt wird die primäre Plasmabehandlung ohne Verzögerungszeit in der Kammer durchgeführt, in der die TiN-Schicht gebildet wird, oder in einer anderen mit der Luftexponierung der TiN-Schicht zusammenhängenden Kammer.
  • Nach dem primären Behandeln der TiN-Schicht wird die sekundäre Plasmabehandlung durch das Stickstoffgas durchgeführt.
  • In der bevorzugten Ausführungsform sind die sekundären Behandlungsbedingungen folgende:
    • 1) Gasfluss des Stickstoffgases: 100–500 Norm-cm3/min
    • 2) die Temperatur: 200–500°C
    • 3) der Druck: (0,5–5 Torr) 66,661–666,61 Pa
    • 4) die HF-Leistung: 200–700 W
    • 5) die Verarbeitungszeit: 10–60 Sekunden
  • Die aktiven Wasserstoffionen in der primären Plasmabehandlung dringen in die TiN-Schicht ein und dissoziieren die Bindungen von C=N=C=N- und =C=O Radikalen, welche in der TiN-Schicht vorhanden sind, wodurch die chemische Verbindung mit den dissoziierten Kohlenstoff- und Sauerstoffatomen gebildet wird. Andererseits bestehen die durch diese chemische Verbindung gebildeten Nebenprodukte aus CH4 und H2O, die abgegeben (emaniert) werden.
  • Ferner verhindern die aktiven Stickstoffionen, daß die Sauerstoffionen, die in der Verarbeitungskammer vorhanden sind, in der TiN-Schicht absorbiert werden, und besetzen die Leerstellen, die durch Abgabe (Emanation) von CH4 und H2O gebildet werden.
  • Sodann wird die sekundäre Plasmabehandlung angewendet auf die TiN-Schicht, auf welche die primäre Plasmabehandlung angewendet worden ist, derart, daß die Belegung von Stickstoff in der TiN-Schicht maximiert wird.
  • Infolgedessen kann eine Anzahl von Verbindungen zwischen Titan und Stickstoff durch Plasmabehandlung erzielt werden. Dementsprechend ist die Dichte der TiN-Schicht, auf welche die Plasmabehandlungen angewendet werden, größer als die Dichte der TiN-Schicht, auf welche die Plasmabehandlungen nicht angewendet werden, und es kann die TiN-Schicht erzielt werden, die einen niedrigen spezifischen Widerstand aufweist.
  • Tabelle 1 zeigt eine Veränderung des spezifischen Widerstandes der TiN-Schicht mit der Luftexponierungszeit (exposure time at the air) in dem Fall, in dem die TiN-Schicht gebildet wird. Tabelle 1: spezifischer Widerstand der TiN-Schicht
    Figure 00050001
    Figure 00060001
  • Ferner sind in Tabelle 1 die sekundären Behandlungsbedingungen die gleichen wie die primären Behandlungsbedingungen, abgesehen davon, daß nur das Nitridplasmagas verwendet wird, dessen Menge 300 NOrm-cm3/min beträgt.
  • Wie in Tabelle 1 gezeigt, ist der spezifische Widerstand der TiN-Schicht beträchtlich vermindert.
  • Ferner zeigt Tabelle 2 den Unterschied in der Spannung, und Tabelle 3 zeigt die Verminderung von Sauerstoff- und Kohlenstoffatomen in der TiN-Schicht. Tabelle 2 Spannung der TiN-Schicht
    Figure 00060002
  • Eine andere Ausführungsform der Erfindung wird im folgenden beschrieben.
  • Die primäre Plasmabehandlung, die nur eines der Stickstoff- und Wasserstoffgase aufweist, wird angewendet auf die TiN-Schicht, die durch Pyrolysieren von TDMAT oder TDEAT gebildet wird. Diesmal sind alle Behandlungsbedingungen die gleicher. wie die der obenerwähnten Ausführungsform.
  • Natürlich kann auch nur eine der zweistufigen Behandlungen verwendet werden gemäß den Merkmalen der TiN-Schicht.
  • Wie oben angegeben, zeigt die Erfindung die Wirkung, daß der spezifische Widerstand der TiN-Schicht abnimmt durch Eliminieren der Verunreinigungen darin und durch Vermindern ihrer Porosität. Dementsprechend kann die Erfindung die elektrische Stabilität der TiN-Schicht erhöhen.

Claims (5)

  1. Verfahren zur Nachbehandlung einer mittels eines Vakuumverfahrens gebildeten TiN-Schicht, bei dem die gebildete TiN-Schicht in einem ersten Schritt einem H2-N2-Plasma ausgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die TiN-Schicht in einem nachfolgenden zweiten Schritt einem N2-Plasma ausgesetzt wird.
  2. Verfahren zur Nachbehandlung einer mittels eines Vakuumverfahrens gebildeten TiN-Schicht, bei dem die gebildete TiN-Schicht in einem ersten Schritt einem H2-Plasma ausgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die TiN-Schicht in einem nachfolgenden zweiten Schritt einem N2-Plasma ausgesetzt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und zweite Behandlungsschritt in einer Kammer durchgeführt werden, in der eine Temperatur im Bereich von 200–500°C, ein Druck im Bereich von 66,661–666,61 Pa und eine Hochfrequenzleistung im Bereich von 200–700 W aufrechterhalten werden.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass im ersten und zweiten Behandlungsschritt ein Gasfluss an Wasserstoff- und/oder Stickstoff-Plasmagas im Bereich von 100–500 Norm-cm3/min aufrechterhalten wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass während des ersten und zweiten Behandlungschritts die TiN-Schicht 10–60 Sekunden ausgesetzt wird.
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6251758B1 (en) 1994-11-14 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Construction of a film on a semiconductor wafer
US6365495B2 (en) 1994-11-14 2002-04-02 Applied Materials, Inc. Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature
US6291343B1 (en) * 1994-11-14 2001-09-18 Applied Materials, Inc. Plasma annealing of substrates to improve adhesion
US6699530B2 (en) 1995-07-06 2004-03-02 Applied Materials, Inc. Method for constructing a film on a semiconductor wafer
US6933021B2 (en) * 1995-07-06 2005-08-23 Applied Materials, Inc. Method of TiSiN deposition using a chemical vapor deposition (CVD) process
KR100226763B1 (ko) * 1996-07-31 1999-10-15 김영환 화학기상증착 장치를 이용한 박막 형성방법
KR100226764B1 (ko) * 1996-08-21 1999-10-15 김영환 화학기상증착 장치를 이용한 박막 형성방법
US6537621B1 (en) 1996-10-01 2003-03-25 Tokyo Electron Limited Method of forming a titanium film and a barrier film on a surface of a substrate through lamination
JP3374322B2 (ja) * 1996-10-01 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 チタン膜及びチタンナイトライド膜の連続成膜方法
KR19980060642A (ko) * 1996-12-31 1998-10-07 김영환 타이타늄질화막 형성방법
US6624064B1 (en) * 1997-10-10 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Chamber seasoning method to improve adhesion of F-containing dielectric film to metal for VLSI application
US6211065B1 (en) * 1997-10-10 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Method of depositing and amorphous fluorocarbon film using HDP-CVD
US6323119B1 (en) * 1997-10-10 2001-11-27 Applied Materials, Inc. CVD deposition method to improve adhesion of F-containing dielectric metal lines for VLSI application
KR100477840B1 (ko) * 1997-12-27 2005-06-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의장벽금속막형성방법
US20030015496A1 (en) * 1999-07-22 2003-01-23 Sujit Sharan Plasma etching process
US6656831B1 (en) * 2000-01-26 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of a metal nitride layer
US6573030B1 (en) 2000-02-17 2003-06-03 Applied Materials, Inc. Method for depositing an amorphous carbon layer
JP3449960B2 (ja) * 2000-02-25 2003-09-22 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US6285038B1 (en) * 2000-03-01 2001-09-04 Micron Technology, Inc. Integrated circuitry and DRAM integrated circuitry
US6465348B1 (en) * 2001-06-06 2002-10-15 United Microelectronics Corp. Method of fabricating an MOCVD titanium nitride layer utilizing a pulsed plasma treatment to remove impurities
US20060014384A1 (en) * 2002-06-05 2006-01-19 Jong-Cheol Lee Method of forming a layer and forming a capacitor of a semiconductor device having the same layer
JP2008041977A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Nec Electronics Corp 半導体回路装置の製造方法
JP2012193457A (ja) * 2009-06-10 2012-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP5220062B2 (ja) * 2009-06-10 2013-06-26 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
CN101734920B (zh) * 2009-12-04 2012-07-04 西安交通大学 一种氮化钛多孔陶瓷及其制备方法
CN102345114B (zh) * 2010-07-30 2013-06-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种mocvd加热装置、其形成方法和一种mocvd形成薄膜的方法
CN103173731B (zh) * 2011-12-23 2015-03-18 中国科学院兰州化学物理研究所 一种改善TiN/TiCN多层复合薄膜材料性能的方法
US8623468B2 (en) * 2012-01-05 2014-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods of fabricating metal hard masks
CN102719691B (zh) * 2012-02-21 2013-09-18 山东科技大学 一种具有TiN涂层的多孔膜及其制备方法
EP3228161B1 (de) 2014-12-05 2021-11-03 AGC Flat Glass North America, Inc. Plasmaquelle mit einer makropartikelreduktionsbeschichtung und verfahren zur verwendung einer plasmaquelle mit einer makropartikelreduktionsbeschichtung zur abscheidung von dünnschichten und modifizierung von oberflächen
US10276648B1 (en) * 2017-12-27 2019-04-30 Texas Instruments Incorporated Plasma treatment for thin film resistors on integrated circuits
CN109103139B (zh) * 2018-08-14 2020-11-20 上海华虹宏力半导体制造有限公司 半导体通孔的制造方法
CN113136562A (zh) * 2021-04-19 2021-07-20 东北大学 一种可涂覆于深孔零件的高硬度TiN保护性涂层及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0068464B1 (de) * 1981-06-26 1985-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zur Herstellung eines dekorativen Überzugs aus einem metallischen Nitrid
JPH02310918A (ja) * 1989-05-25 1990-12-26 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH03153018A (ja) * 1989-11-10 1991-07-01 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
WO1993004214A1 (en) * 1991-08-16 1993-03-04 Materials Research Corporation Process for forming low resistivity titanium nitride films

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03135018A (ja) * 1989-10-20 1991-06-10 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびその装置
IT1241922B (it) * 1990-03-09 1994-02-01 Eniricerche Spa Procedimento per realizzare rivestimenti di carburo di silicio
KR920002708B1 (ko) * 1990-03-22 1992-03-31 한국과학기술원 TiN의 플라즈마 화학증착방법
JP3243722B2 (ja) * 1990-10-24 2002-01-07 住友金属工業株式会社 薄膜の形成方法および半導体装置
US5175126A (en) * 1990-12-27 1992-12-29 Intel Corporation Process of making titanium nitride barrier layer
US5173327A (en) * 1991-06-18 1992-12-22 Micron Technology, Inc. LPCVD process for depositing titanium films for semiconductor devices
US5192589A (en) * 1991-09-05 1993-03-09 Micron Technology, Inc. Low-pressure chemical vapor deposition process for depositing thin titanium nitride films having low and stable resistivity
US5376590A (en) * 1992-01-20 1994-12-27 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Semiconductor device and method of fabricating the same
US5334264A (en) * 1992-06-30 1994-08-02 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College Titanium plasma nitriding intensified by thermionic emission source
DE69310493T2 (de) * 1992-08-14 1997-12-18 Hughes Aircraft Co Oberflächepräparation und beschichtungs-methode für titannitrid auf gusseisen
US5382809A (en) * 1992-09-14 1995-01-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor device including semiconductor diamond
US5364522A (en) * 1993-03-22 1994-11-15 Liang Wang Boride, carbide, nitride, oxynitride, and silicide infiltrated electrochemical ceramic films and coatings and the method of forming such
US5273783A (en) * 1993-03-24 1993-12-28 Micron Semiconductor, Inc. Chemical vapor deposition of titanium and titanium containing films using bis (2,4-dimethylpentadienyl) titanium as a precursor
US5246881A (en) * 1993-04-14 1993-09-21 Micron Semiconductor, Inc. Low-pressure chemical vapor deposition process for depositing high-density, highly-conformal, titanium nitride films of low bulk resistivity
US5380566A (en) * 1993-06-21 1995-01-10 Applied Materials, Inc. Method of limiting sticking of body to susceptor in a deposition treatment
JPH0722339A (ja) * 1993-07-05 1995-01-24 Toshiba Corp 薄膜形成方法
US5480684A (en) * 1994-09-01 1996-01-02 Micron Technology, Inc. Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organometallic precursor compounds
US5576071A (en) * 1994-11-08 1996-11-19 Micron Technology, Inc. Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds
US5747116A (en) * 1994-11-08 1998-05-05 Micron Technology, Inc. Method of forming an electrical contact to a silicon substrate
US5834068A (en) * 1996-07-12 1998-11-10 Applied Materials, Inc. Wafer surface temperature control for deposition of thin films
US5989652A (en) * 1997-01-31 1999-11-23 Tokyo Electron Limited Method of low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition of tin film over titanium for use in via level applications
US5906866A (en) * 1997-02-10 1999-05-25 Tokyo Electron Limited Process for chemical vapor deposition of tungsten onto a titanium nitride substrate surface
US5972179A (en) * 1997-09-30 1999-10-26 Lucent Technologies Inc. Silicon IC contacts using composite TiN barrier layer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0068464B1 (de) * 1981-06-26 1985-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zur Herstellung eines dekorativen Überzugs aus einem metallischen Nitrid
JPH02310918A (ja) * 1989-05-25 1990-12-26 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH03153018A (ja) * 1989-11-10 1991-07-01 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
WO1993004214A1 (en) * 1991-08-16 1993-03-04 Materials Research Corporation Process for forming low resistivity titanium nitride films

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 02-149663 A (Pat. Abstr. of JP, C-752)
JP 02149663 A (Pat. Abstr. of JP, C-752) *
JP 02-254166 A (Pat. Abstr. of JP, C-792)
JP 02254166 A (Pat. Abstr. of JP, C-792) *
JP 58001068 A (Pat. Abstr. of JP, C-157) *
JP 58-1068 A (Pat. Abstr. of JP, C-157)
JP 63-303062 A (Pat. Abstr. of JP, C-582)
JP 63303062 A (Pat. Abstr. of JP, C-582) *

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