DE4337889B4 - Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung Download PDF

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Abstract

Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung, mit folgenden Verfahrensschritten:
Erzeugen eines Speicherelektrodenknotens durch Abscheiden einer dotierten Polysiliziumschicht (12) auf einem Halbleitersubstrat (11);
Erzeugen einer Siliziumoxidschicht (13) durch Oxidieren der Oberfläche der dotierten Polysiliziumschicht (12);
Abscheiden einer Tantalschicht (14) auf dem Siliziumoxid (13);
Oxidieren der Tantalschicht (14) zur Bildung einer Tantaloxidschicht (15); und
Erzeugen einer Plattenelektrode (16) auf der Tantaloxidschicht (15).

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung. Insbesondere befaßt sich die Erfindung mit einem Verfahren zum Herstellen einer Tantalschicht, die oxidiert ist, um eine dünne Tantaloxidschicht zu bilden, die eine hohe Kapazität bei einem Halbleiterkondensator mit einem beschränkten Volumen bildet.
  • Bei bekannten Verfahren wird eine dünne Ta2O5-Schicht erzeugt, die als dielektrische Schicht auf einer Speicherelektrode in einer Speicherzelle einer hochintegrierten Halbleiterschaltung dient, wie beispielsweise einem 64M DRAM, wobei die Erzeugung dieser Schicht mittels Verfahren der chemischen Dampfabscheidung (CVD) gebildet wird. Eine derartige chemische Dampfabscheidung umfaßt die Verfahren der chemischen Niederdruckdampfabscheidung (LPCVD) sowie der Plasma-unterstützten chemischen Dampfabscheidung (PECVD).
  • Bei der chemischen Niederdruckdampfabscheidung werden Ta(OC2H5)5 und O2 als Reaktionsgase verwendet. Nachdem O2 in einen Reaktionsofen eingeführt worden ist, um den Druck innerhalb des Ofens zu stabilisieren, wird Ta(OC2H5)5 mit Ar als Trägergas eingeführt, was zu der Abscheidung einer Ta2O5-Schicht auf einer Waferoberfläche führt.
  • Ta(OC2H5)5 zeigt eine thermische Zersetzung bei einer Tempe ratur von 170°C, wenn der Druck und die Temperatur des Ofens bei 66,65 N/m2 (0,5 Torr) und zwischen 300° und 470°C gehalten werden.
  • Das Plasma-unterstützte chemische Dampfabscheidungsverfahren verwendet ein anorganisches Ta auf der Grundlage von TaCl5 und N2O als Reaktionsgase. TaCl5 ist eine Feststoffquelle, welche bei 120°C verdampft und dann in den Reaktionsofen eingeführt wird. Wenn TaCl5-Gas und N2O-Gas gleichzeitig in den Ofen eingeführt werden, um den Druck in dem Ofen zu stabilisieren, wird ein Lichtbogen erzeugt, um eine Reaktion der Gase zur Abscheidung von Ta auf der Waferoberfläche zu bewirken, wobei die Ätzrate minimiert wird und der Leckstrom sehr stark vermindert wird gemäß der Hochfrequenzleistung von 0,5 W/Cm2.
  • Dementsprechend schafft das Plasma-unterstützte chemische Dampfabscheidungsverfahren sowohl eine hohe Dichte als auch eine relativ niedrige Kohlenstoffdichte verglichen mit dem chemischen Niederdruckdampfabscheidungsverfahren.
  • Ferner wird der Druck in dem Reaktionsofen bei ungefähr 106,64 N/m2(0,8 Torr) gehalten, während dessen Temperatur bei ungefähr 450° gehalten wird.
  • 1 zeigt Teilschnittdarstellungen zur Verdeutlichung eines bekannten Verfahrens zur Herstellung eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung sowohl mit dem chemischen Niederdruckdampfabscheidungsverfahren als auch mit dem Plasma-unterstützten chemischen Dampfabscheidungsverfahren (LPCVD bzw. PECVD).
  • Wie in 1(A) dargestellt ist, wird eine dotierte Knotenelektrode 2 (die Kondensatorspeicherelektrode) auf einem Halbleitersubstrat 1 erzeugt. Wie in 1(B) gezeigt ist, wird eine Tantaloxidschicht 3 auf der Knotenelektrode 2 entweder durch chemisches Niederdruckdampfabscheidungsverfahren oder durch Plasma-unterstütztes chemisches Dampfabscheidungsverfahren abgeschieden. Wie in 1(C) dargestellt ist, wird ein dotiertes Polysilizium 4 als Plattenelektrode des Kondensators auf der Tantaloxidschicht 3 erzeugt, wodurch ein Kondensator innerhalb der Halbleiterspeichervorrichtung gebildet wird.
  • Ferner kann im Falle des chemischen Niederdruckdampfabscheidens ein Ausheilprozeß wirkungsvoll sein, um den Anteil des in der Schicht enthaltenen Kohlenstoffes zu minimieren.
  • 2(A) ist eine Teilschnittdarstellung eines Kondensators, der eine Tantaloxidschicht aufweist, die mittels chemischen Niederdruckdampfabscheidens nach dem bekannten Verfahren hergestellt worden ist.
  • 2(B) ist eine Teilschnittdarstellung eines Kondensators mit einer Tantaloxidschicht, die mit einem Plasmaunterstützten chemischen Dampfabscheidungsverfahren nach dem bekannten Verfahren hergestellt worden ist.
  • Wie in 2(A) dargestellt ist, umfaßt das bekannte Verfahren der Herstellung eines Kondensators mittels chemischen Niederdruckdampfabscheidens folgende Schritte: ein dotierter Polysiliziumelektrodenknoten 2 (Kondensatorspeicherelektrodenknoten) wird auf einem Halbleitersubstrat 1 und auf einem Isolator 5, der vorab erzeugt wurde, gebildet; sodann wird eine Tantaloxidschicht 3 auf dem Kondensatorspeicherelektrodenknoten 2 mittels chemischen Niederdruckdampfabscheidens abgeschieden; nunmehr wird dotiertes Polysilizium 4 für eine Plattenelektrode auf die Tantaloxidschicht 3 abgeschieden.
  • Wie in 2(B) dargestellt ist, umfaßt ein bekanntes Verfahren zum Herstellen eines Kondensators mittels eines Plasmaunterstützten bzw. Plasma-verstärkten chemischen Dampfabscheidungsverfahrens folgende Schritte: eine dotierte Polysiliziumelektrode 2 wird auf einem Halbleitersubstrat 1 und auf einem Isolator 5 gebildet, welcher vorab abgeschieden wurde; eine Tantaloxidschicht 3 wird auf dem Kondensa torspeicherelektrodenknoten 2 mittels des Plasmaunterstützten chemischen Dampfabscheidungsverfahrens abgeschieden; sodann wird ein dotiertes Polysilizium für eine Plattenelektrode auf der Tantaloxidschicht 3 abgeschieden. Wenn die Tantaloxidschicht 3 mittels des Plasma-unterstützten chemischen Dampfabscheidungsverfahrens abgeschieden wird, wird eine Siliziumoxidschicht 9 unter der Tantaloxidschicht 3 gebildet. Die Siliziumoxidschicht ist gleichfalls innerhalb des chemischen Dampfabscheidungsverfahrens während eines Ausheilungsprozesses erzeugt worden.
  • 3 zeigt eine schematische Querschnittsdarstellung einer Speicherzellenstruktur in einer Halbleiterspeichervorrichtung, die nach dem bekannten Verfahren hergestellt worden ist, wobei die Bezugszeichen folgende Bedeutung haben: das Bezugszeichen 1 bezeichnet das Halbleitersubstrat; das Bezugszeichen 2 bezeichnet einen Kondensatorelektrodenknoten; das Bezugszeichen 3 bezeichnet eine Tantaloxidschicht; das Bezugszeichen 4 bezeichnet eine Kondensatorplattenelektrode; das Bezugszeichen 5 bezeichnet einen Gate-Isolator; während letztlich das Bezugszeichen 7 eine Gate-Elektrode bezeichnet.
  • Wenn eine Tantaloxidschicht 3 durch die chemischen Dampfabscheidungsprozesse gemäß der 2(A) gebildet wird, wird ein Siliziumoxid (nicht dargestellt) unter der Tantaloxidschicht 3 während des gleichen Verfahrens gebildet. Da die Speicherzelle in der in 3 gezeigten Art vervollständigt wird, wird die Siliziumoxidschicht 9 in der Tantaloxidschicht 3 absorbiert.
  • Da eine organische Tantalverbindung verwendet wird, um die dünne Tantaloxidschicht mittels des chemischen Niederdruckdampfabscheidungsverfahrens bei dem bekannten Verfahren der Herstellung eines Kondensators innerhalb einer Halbleiterspeichervorrichtung verwendet wird, steigt der Anteil des Kohlenstoffes, der in der Tantaloxidschicht enthalten ist, an, wodurch es zu einem unerwünschten Anstieg eines Leck stromes kommt. Eine weitere Kontamination kann während des Plasma-unterstützten chemischen Dampfabscheidungsverfahrens auftreten, wenn die dünne Tantaloxidschicht gebildet wird. Ferner wird natürlich eine Siliziumoxidschicht zwischen der Tantaloxidschicht und dem Kondensatorspeicherelektrodenknoten gebildet, wodurch das Problem der Erhöhung der Gesamtdicke des Kondensators entsteht.
  • Aus der DE 3446643 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterelementen bekannt, das einen Schritt zur Vorbereitung des Halbleitersubstrats, das eine Oberflächenschicht aus Silizium aufweist, einen Schritt zur Bildung eines leitenden Dünnfilms einer Siliziumverbindung, bestehend aus einem Metall mit hohem Schmelzpunkt und Silizium auf dem Halbleitersubstrat, einem Schritt zur Bildung einer oxidationsbeständigen Maske auf dem leitenden Dünnfilm und einen Schritt zur Umwandlung des freigelegten Bereichs auf dem leitenden Dünnfilm in einen isolierenden Film eines zusammengesetzten Oxids, bestehend aus Siliziumoxid und eine Oxid des hauptsächlichen Metalls durch Oxidation des freigelegten Bereichs, während der andere Bereich des leitenden Dünnfilms, der von der Maske bedeckt ist, erhalten bleibt.
  • Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung, der eine Tantaloxidschicht hat, so weiterzubilden, daß sich ein Kondensator mit geringeren Leckströmen ergibt.
  • Diese Aufgabe wird durch Verfahren gemäß den Ansprüchen 1, 5 und 10 gelöst.
  • Erfindungsgemäß wird die dünne Tantaloxidschicht durch Sputtern oder durch eine Abscheidung nach einem Oxidationsprozeß ohne Verwendung einer Feststoffquelle, wie beispielsweise TaCl5 abgeschieden, wodurch eine hochreine dünne Schicht bei minimierten Leckströmen und extrem verminderter Kontamination erreicht wird.
  • Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung geschaffen, welches folgende Schritte umfaßt: (a) Abscheiden eines dotierten Polysiliziums auf einem Halbleitersubstrat zum Bilden eines Kondensatorspeicherelektrodenknotens; (b) Oxidieren des Polysiliziumelektrodenknotens zur Bildung einer Siliziumoxidschicht; (c) Abscheiden von Tantal durch einen Sputter-Prozeß; (d) Durchführen eines Ausheilens und einer Oxidation zur Bildung einer Tantaloxidschicht; und (e) Abscheiden von Polysilizium zur Bildung einer Plattenelektrode.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt schafft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung, mit folgenden Schritten: (a) Abscheiden eines dotierten Polysiliziums auf einem Halbleitersubstrat; (b) Bilden eines Tantalsilicids mittels Sput tern; (c) Durchführen eines Ausheilungsprozesses und eines Oxidationsprozesses zur Bildung einer gestuften Struktur der Schichtenfolge Siliziumoxid-Tantaloxid-Siliziumoxid; und (d) Abscheiden einer Polysiliziumschicht zur Bildung einer Plattenelektrode.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt schafft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung, das folgende Schritte umfaßt: (a) Abscheiden eines dotierten Polysiliziums auf einem Halbleitersubstrat zur Bildung eines Speicherelektrodenknotens; (b) Oxidieren des Polysiliziums zur Bildung einer Siliziumoxidschicht; (c) Abscheiden von Tantal und Tantalsilicid mit einer vorbestimmten Dicke; (d) Ausführen eines Oxidationsprozesses zur Bildung einer gestapelten Struktur mit der Schichtenfolge Siliziumoxid-Tantaloxid-Siliziumoxid; und (e) Abscheiden einer Polysiliziumschicht zur Bildung einer Plattenelektrode.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 Teilschnittdarstellungen zur Verdeutlichung eines bekannten Verfahrens zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung;
  • 2 eine beispielshafte Darstellung einer Struktur eines Kondensators mit einer Tantaloxidschicht, der durch ein bekanntes Verfahren hergestellt ist;
  • 3 eine schematische Darstellung der Struktur einer nach einem bekannten Verfahren hergestellten Halbleiterspeicherzelle;
  • 4 ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung;
  • 5 ein zweites Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung; und
  • 6 ein drittes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung.
  • 4 zeigt ein erstes erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung. Wie in 4(A) dargestellt ist, wird eine dotierte Polysiliziumschicht 12 auf ein Halbleitersubstrat 11 abgeschieden, um einen Speicherelektrodenknoten zu erzeugen. Wie in 4(B) dargestellt ist, wird die dotierte Polysiliziumschicht 12 oxidiert, um auf deren Oberfläche eine Siliziumoxidschicht 13 zu bilden. Wie in 4(C) dargestellt ist, wird eine Tantalschicht 14 auf dem Siliziumoxid 13 entweder durch Sputtern oder durch ein chemisches Dampfabscheidungsverfahren abgeschieden. Wie in 4(D) dargestellt ist, wird die Tantalschicht 14 in einem thermischen Diffusionsofen in einer Sauerstoffatmosphäre oxidiert, wodurch die Tantalschicht 14 in eine Tantaloxidschicht 15 umgewandelt wird, welche verdichtet ist. Wie in 4(E) dargestellt ist, wird entweder Polysilizium oder Metall oder ein Silicid auf der Tantaloxidschicht 15 abgeschieden, um eine Plattenelektrode 16 zu erzeugen, wodurch die Plattenelektrode 16 entweder mit dotiertem Silizium, Silicid (WSix, TiSix, TaSix), TiN gebildet wird, um die Strom-Spannungs-Charakteristik eines Kondensators festzulegen.
  • 5 zeigt das zweite Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung. Wie in 5(a) dargestellt ist, wird eine dotierte Polysiliziumschicht 22 auf einem Halbleitersubstrat 21 abgeschieden, um einen Speicherelektrodenknoten zu bilden. Wie in 5(b) dargestellt ist, wird eine Tantalsilicidschicht 27 auf der dotierten Polysilizium schicht 22 durch einen Sputter-Prozeß abgeschieden. Wie in 5(c) dargestellt wird, wird ein Oxidationsprozeß ausgeführt, welcher dazu führt, daß das Tantalsilicid 27 in eine Tantaloxidschicht 25 umgewandelt wird, wodurch sich eine Schichtenstruktur mit der Schichtenfolge der Siliziumoxidschicht 23 – der Tantaloxidschicht 25 – der Siliziumoxidschicht 28 ergibt, also eine Schichtenfolge (SiO2-Ta2O5-SiO2).
  • Wie in 5(d) dargestellt ist, wird ein leitfähiges Material, wie beispielsweise Polysilizium, Metall oder Silicid, auf der Siliziumoxidschicht 28 abgeschieden, um eine Plattenelektrode 26 zu bilden.
  • Die Tantalschicht 14 (Ta-Schicht 14) und das Tantalsilicid 27 (TaSix: x = 1,0 – 5,0) gemäß den 4(C), 4(D) und 5(b), 5(c) werden mit einem an sich bekannten Sputter-Verfahren mit einer Hochfrequenzleistung von 2 bis 6 KW in einer Ar-Atmosphäre bei einem Druck von einigen 0,133 N/m2(mTorr) abgeschieden und in einem thermischen Diffusionsofen bei einer Temperatur zwischen 800° und 1000°C ausgeheilt. Das ausgeheilte Tantal sowie Tantalsilicid werden dem Oxidationsprozeß unterworfen, der in einer Sauerstoffatmosphäre über eine Zeitdauer von 5 bis 60 Minuten zur Bildung einer Tantaloxidschicht 25 ausgeführt wird.
  • 6 zeigt das dritte Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung, bei dem das Silizium nicht nach der Bildung der Tantalsilicidschicht extrahiert wird, während das Silizium mit hoher Wahrscheinlichkeit bei der Bildung der Tantalsilicidschicht gemäß 5 extrahiert wird.
  • Wie dies in den 6(A) und 6(B) dargestellt ist, wird eine dotierte Polysiliziumschicht 32 zur Bildung eines Speicherelektrodenknotens auf einem Halbleitersubstrat 31 abgeschieden und daraufhin oxidiert, um eine Siliziumoxid schicht 33 mit einer Dicke von 3 bis 5 nm (30 bis 50 Å) zu erzeugen.
  • Wie in 6(C) dargestellt ist, haben eine Tantalschicht 34 und eine Tantalsilicidschicht 35 jeweils eine Dicke von 10 bis 20 nm (100 bis 200 Å), wobei diese auf der Siliziumoxidschicht 33 in der genannten Reihenfolge abgeschieden werden und dann einem Ausheilungsprozeß unterworfen werden, der in einem thermischen Diffusionsofen bei 800 bis 1000°C ausgeführt wird.
  • Wie in 6(D) dargestellt ist, werden das ausgeheilte Tantal 34 und das Tantalsilicid 35 auf der Siliziumoxidschicht 33 in einer Sauerstoffatmosphäre bei einer O2-Flußrate von 10 – 20 Litern pro Minute während einer Zeitdauer von 5 bis 60 Minuten oxidiert, um eine Schichtenstruktur zu erhalten, die folgende Schichtenfolge umfaßt: die Siliziumoxidschicht 33, die Tantaloxidschicht 36 und die Siliziumoxidschicht (SiO2-Ta2O5-SiO2).
  • Wie dies in 6(E) dargestellt ist, wird eine Plattenelektrode 38 entweder durch Verwendung von dotiertem Polysilizium oder von Silicid oder von TiN oder dergleichen gebildet. Da das Tantal nach dem Sputtern oder der chemischen Dampfabscheidung oxidiert wird, wird eine dünne Schicht von hoher Reinheit erzeugt.
  • Da bei dem erfindungsgemäßen Verfahren nur eine geringe Wahrscheinlichkeit für eine Kontamination mit Kohlenstoff besteht, kann der Leckstrom minimiert werden. Ferner kann die Kontamination extrem vermindert werden aufgrund der Tatsache, daß nicht TaCl5 als Feststoffquelle verwendet wird, während die Charakteristik der isolierenden Schicht durch die Kontamination mit TaCl5 bei dem bekannten Plasmaunterstützten chemischen Dampfabscheidungsverfahren verschlechtert wird. Da ferner gemäß der Erfindung ein Sputtersystem und ein elektrischer Ofen verwendet werden können, können die Kosten zur Entwicklung einer Vorrichtung zur Herstellung der Halbleitervorrichtung vermindert werden, wodurch das Verfahren in der gewünschten Weise vereinfacht wird.

Claims (13)

  1. Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung, mit folgenden Verfahrensschritten: Erzeugen eines Speicherelektrodenknotens durch Abscheiden einer dotierten Polysiliziumschicht (12) auf einem Halbleitersubstrat (11); Erzeugen einer Siliziumoxidschicht (13) durch Oxidieren der Oberfläche der dotierten Polysiliziumschicht (12); Abscheiden einer Tantalschicht (14) auf dem Siliziumoxid (13); Oxidieren der Tantalschicht (14) zur Bildung einer Tantaloxidschicht (15); und Erzeugen einer Plattenelektrode (16) auf der Tantaloxidschicht (15).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Tantalschicht (14) durch einen Sputter-Prozeß gebildet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Tantalschicht (14) durch ein chemisches Dampfabscheidungsverfahren gebildet wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Plattenelektrode (16) entweder aus Polysilizium oder aus Metall oder aus Silicid oder aus TiN hergestellt wird.
  5. Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung, mit folgenden Verfahrensschritten: Abscheiden einer dotierten Polysiliziumschicht (22) auf einem Halbleitersubstrat (21) zur Erzeugung eines Speicherelektrodenknotens; Abscheiden einer Tantalsilicidschicht (27) auf der dotierten Polysiliziumschicht (22) durch einen Sputter-Prozeß; Ausführen eines Oxidationsprozesses zum Umwandeln der Tantalsilicidschicht (27) in eine Tantaloxidschicht (25) und eine Siliziumoxidschicht (23, 28), um dadurch eine gestapelte Schichtenstruktur mit der Schichtenfolge Siliziumoxid (23) – Tantaloxid (25) – Siliziumoxid (28) (SiO2-Ta2O5-SiO2) zu erzeugen; und Erzeugen einer Plattenelektrode (26) des Kondensators.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Plattenelektrode (26) entweder aus Polysilizium oder aus Metall oder aus Silicid gebildet wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Tantalsilicidschicht (27) aus einem Tantalsilicid gebildet wird, für das gilt: TaSix; x = 1,0 bis 5,0.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Oxidationsprozeß zur Erzeugung der Tantaloxidschicht (25) bei einer Temperatur von 800 bis 1000°C in einer Sauerstoffatmosphäre (O2) und bei einer Flußrate von 10 bis 20 Liter pro Minute über eine Zeitdauer zwischen 5 und 60 Minuten ausgeführt wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Sputter-Prozeß zur Erzeugung der Tantalsilicidschicht (27) bei einer Hochfrequenzleistung von 2 bis 6 KW und bei einem Druck von einigen 0,133 N/m2 (mTorr) ausgeführt wird.
  10. Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung, mit folgenden Verfahrensschritten: Abscheiden einer dotierten Polysiliziumschicht (32) auf einem Halbleitersubstrat (31) zum Erzeugen einer Knotenelektrode; Oxidieren der Polysiliziumknotenelektrode zum Erzeugen einer Siliziumoxidschicht (33); Abscheiden einer Tantalschicht (34) und einer Tantalsilicidschicht (35) in der genannten Reihenfolge; Ausführen eines Ausheilungsprozesses und eines Oxidationsprozesses zum Erzeugen einer Struktur mit der folgenden Schichtenfolge: Siliziumoxidschicht (33) – Tantaloxidschicht (36) – Siliziumoxidschicht (37); und Abscheiden einer Polysiliziumschicht (38) zum Erzeugen einer Plattenelektrode.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Tantalschicht (34) und die Tantalsilicidschicht (35) mit einer Dicke von jeweils 10 bis 20 nm (100 bis 200 Å) abgeschieden werden.
  12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumoxidschicht (32) auf der Knotenelektrode mit einer Dicke von 3 bis 5 nm (30 bis 50 Å) gebildet wird.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausheilungsprozeß und der Oxidationsprozeß bei Temperaturen zwischen 800 und 1000°C in einer Sauerstoffatmosphäre über eine Zeitdauer zwischen 5 und 60 Minuten ausgeführt werden.
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