DE4337889A1 - Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Her­ stellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervor­ richtung. Insbesondere befaßt sich die Erfindung mit einem Verfahren zum Herstellen einer Tantalschicht, die oxidiert ist, um eine dünne Tantaloxidschicht zu bilden, die eine hohe Kapazität bei einem Halbleiterkondensator mit einem beschränkten Volumen bildet.
Bei bekannten Verfahren wird eine dünne Ta2O5-Schicht er­ zeugt, die als dielektrische Schicht auf einer Speicher­ elektrode in einer Speicherzelle einer hochintegrierten Halbleiterschaltung dient, wie beispielsweise einem 64M DRAM, wobei die Erzeugung dieser Schicht mittels Verfahren der chemischen Dampfabscheidung (CVD) gebildet wird. Eine derartige chemische Dampfabscheidung umfaßt die Verfahren der chemischen Niederdruckdampfabscheidung (LPCVD) sowie der Plasma-unterstützten chemischen Dampfabscheidung (PECVD).
Bei der chemischen Niederdruckdampfabscheidung werden Ta(OC2H5)5 und O2 als Reaktionsgase verwendet. Nachdem O2 in einen Reaktionsofen eingeführt worden ist, um den Druck in­ nerhalb des Ofens zu stabilisieren, wird Ta(OC2H5)5 mit Ar als Trägergas eingeführt, was zu der Abscheidung einer Ta2O5-Schicht auf einer Waferoberfläche führt.
Ta(OC2H5)5 zeigt eine thermische Zersetzung bei einer Tempe­ ratur von 170°C, wenn der Druck und die Temperatur des Ofens bei 0,5 Torr und zwischen 300° und 470°C gehalten werden.
Das Plasma-unterstützte chemische Dampfabscheidungsverfahren verwendet ein anorganisches Ta auf der Grundlage von TaCl5 und N2O als Reaktionsgase. TaCl5 ist eine Feststoffquelle, welche bei 120°C verdampft und dann in den Reaktionsofen eingeführt wird. Wenn TaCl5-Gas und N2O-Gas gleichzeitig in den Ofen eingeführt werden, um den Druck in dem Ofen zu sta­ bilisieren, wird ein Lichtbogen erzeugt, um eine Reaktion der Gase zur Abscheidung von Ta auf der Waferoberfläche zu bewirken, wobei die Ätzrate minimiert wird und der Leckstrom sehr stark vermindert wird gemäß der Hochfrequenzleistung von 0,5 W/Cm2.
Dementsprechend schafft das Plasma-unterstützte chemische Dampfabscheidungsverfahren sowohl eine hohe Dichte als auch eine relativ niedrige Kohlenstoffdichte verglichen mit dem chemischen Niederdruckdampfabscheidungsverfahren.
Ferner wird der Druck in dem Reaktionsofen bei ungefähr 0,8 Torr gehalten, während dessen Temperatur bei ungefähr 450° gehalten wird.
Fig. 1 zeigt Teilschnittdarstellungen zur Verdeutlichung eines bekannten Verfahrens zur Herstellung eines Kondensa­ tors in einer Halbleiterspeichervorrichtung sowohl mit dem chemischen Niederdruckdampfabscheidungsverfahren als auch mit dem Plasma-unterstützten chemischen Dampfabscheidungs­ verfahren (LPCVD bzw. PECVD).
Wie in Fig. 1(A) dargestellt ist, wird eine dotierte Knoten­ elektrode 2 (die Kondensatorspeicherelektrode) auf einem Halbleitersubstrat 1 erzeugt. Wie in Fig. 1(B) gezeigt ist-, wird eine Tantaloxidschicht 3 auf der Knotenelektrode 2 ent­ weder durch chemisches Niederdruckdampfabscheidungsverfahren oder durch Plasma-unterstütztes chemisches Dampfabschei­ dungsverfahren abgeschieden. Wie in Fig. 1(C) dargestellt ist, wird ein dotiertes Polysilizium 4 als Plattenelektrode des Kondensators auf der Tantaloxidschicht 3 erzeugt, wo­ durch ein Kondensator innerhalb der Halbleiterspeichervor­ richtung gebildet wird.
Ferner kann im Falle des chemischen Niederdruckdampfabschei­ dens ein Ausheilprozeß wirkungsvoll sein, um den Anteil des in der Schicht enthaltenen Kohlenstoffes zu minimieren.
Fig. 2(A) ist eine Teilschnittdarstellung eines Kondensa­ tors, der eine Tantaloxidschicht aufweist, die mittels chemischen Niederdruckdampfabscheidens nach dem bekannten Verfahren hergestellt worden ist.
Fig. 2(B) ist eine Teilschnittdarstellung eines Kondensators mit einer Tantaloxidschicht, die mit einem Plasma-unter­ stützten chemischen Dampfabscheidungsverfahren nach dem be­ kannten Verfahren hergestellt worden ist.
Wie in Fig. 2(A) dargestellt ist, umfaßt das bekannte Ver­ fahren der Herstellung eines Kondensators mittels chemischen Niederdruckdampfabscheidens folgende Schritte: ein dotierter Polysiliziumelektrodenknoten 2 (Kondensatorspeicherelektro­ denknoten) wird auf einem Halbleitersubstrat 1 und auf einem Isolator 5, der vorab erzeugt wurde, gebildet; sodann wird eine Tantaloxidschicht 3 auf dem Kondensatorspeicherelek­ trodenknoten 2 mittels chemischen Niederdruckdampfabschei­ dens abgeschieden; nunmehr wird dotiertes Polysilizium 4 für eine Plattenelektrode auf die Tantaloxidschicht 3 abgeschie­ den.
Wie in Fig. 2(B) dargestellt ist, umfaßt ein bekanntes Ver­ fahren zum Herstellen eines Kondensators mittels eines Plas­ ma-unterstützten bzw. Plasma-verstärkten chemischen Dampf­ abscheidungsverfahrens folgende Schritte: eine dotierte Polysiliziumelektrode 2 wird auf einem Halbleitersubstrat 1 und auf einem Isolator 5 gebildet, welcher vorab abgeschie­ den wurde; eine Tantaloxidschicht 3 wird auf dem Kondensa­ torspeicherelektrodenknoten 2 mittels des Plasma-unter­ stützten chemischen Dampfabscheidungsverfahrens abgeschie­ den; sodann wird ein dotiertes Polysilizium für eine Plat­ tenelektrode auf der Tantaloxidschicht 3 abgeschieden. Wenn die Tantaloxidschicht 3 mittels des Plasma-unterstützten chemischen Dampfabscheidungsverfahrens abgeschieden wird, wird eine Siliziumoxidschicht 9 unter der Tantaloxidschicht 3 gebildet. Die Siliziumoxidschicht ist gleichfalls inner­ halb des chemischen Dampfabscheidungsverfahrens während eines Ausheilungsprozesses erzeugt worden.
Fig. 3 zeigt eine schematische Querschnittsdarstellung einer Speicherzellenstruktur in einer Halbleiterspeichervorrich­ tung, die nach dem bekannten Verfahren hergestellt worden ist, wobei die Bezugszeichen folgende Bedeutung haben: das Bezugszeichen 1 bezeichnet das Halbleitersubstrat; das Be­ zugszeichen 2 bezeichnet einen Kondensatorelektrodenknoten; das Bezugszeichen 3 bezeichnet eine Tantaloxidschicht; das Bezugszeichen 4 bezeichnet eine Kondensatorplattenelektrode; das Bezugszeichen 5 bezeichnet einen Gate-Isolator; während letztlich das Bezugszeichen 7 eine Gate-Elektrode bezeich­ net.
Wenn eine Tantaloxidschicht 3 durch die chemischen Dampf­ abscheidungsprozesse gemäß der Fig. 2(A) gebildet wird, wird ein Siliziumoxid (nicht dargestellt) unter der Tantaloxid­ schicht 3 während des gleichen Verfahrens gebildet. Da die Speicherzelle in der in Fig. 3 gezeigten Art vervollständigt wird, wird die Siliziumoxidschicht 9 in der Tantaloxid­ schicht 3 absorbiert.
Da eine organische Tantalverbindung verwendet wird, um die dünne Tantaloxidschicht mittels des chemischen Niederdruck­ dampfabscheidungsverfahrens bei dem bekannten Verfahren der Herstellung eines Kondensators innerhalb einer Halbleiter­ speichervorrichtung verwendet wird, steigt der Anteil des Kohlenstoffes, der in der Tantaloxidschicht enthalten ist, an, wodurch es zu einem unerwünschten Anstieg eines Leck­ stromes kommt. Eine weitere Kontamination kann während des Plasma-unterstützten chemischen Dampfabscheidungsverfahrens auftreten, wenn die dünne Tantaloxidschicht gebildet wird. Ferner wird natürlich eine Siliziumoxidschicht zwischen der Tantaloxidschicht und dem Kondensatorspeicherelektroden­ knoten gebildet, wodurch das Problem der Erhöhung der Ge­ samtdicke des Kondensators entsteht.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der vorliegen­ den Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Her­ stellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervor­ richtung, der eine Tantaloxidschicht hat, so weiterzubilden, daß sich ein Kondensator mit geringeren Leckströmen ergibt.
Erfindungsgemäß wird die dünne Tantaloxidschicht durch Sputtern oder durch eine Abscheidung nach einem Oxidations­ prozeß ohne Verwendung einer Feststoffquelle, wie beispiels­ weise TaCl5 abgeschieden, wodurch eine hochreine dünne Schicht bei minimierten Leckströmen und extrem verminderter Kontamination erreicht wird.
Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung geschaf­ fen, welches folgende Schritte umfaßt: (a) Abscheiden eines dotierten Polysiliziums auf einem Halbleitersubstrat zum Bilden eines Kondensatorspeicherelektrodenknotens; (b) Oxi­ dieren des Polysiliziumelektrodenknotens zur Bildung einer Siliziumoxidschicht; (c) Abscheiden von Tantal durch einen Sputter-Prozeß; (d) Durchführen eines Ausheilens und einer Oxidation zur Bildung einer Tantaloxidschicht; und (e) Ab­ scheiden von Polysilizium zur Bildung einer Plattenelektro­ de.
Gemäß einem weiteren Aspekt schafft die Erfindung ein Ver­ fahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halblei­ terspeichervorrichtung, mit folgenden Schritten: (a) Ab­ scheiden eines dotierten Polysiliziums auf einem Halblei­ tersubstrat; (b) Bilden eines Tantalsilicids mittels Sput­ tern; (c) Durchführen eines Ausheilungsprozesses und eines Oxidationsprozesses zur Bildung einer gestuften Struktur der Schichtenfolge Siliziumoxid-Tantaloxid-Siliziumoxid; und (d) Abscheiden einer Polysiliziumschicht zur Bildung einer Plat­ tenelektrode.
Gemäß einem weiteren Aspekt schafft die Erfindung ein Ver­ fahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halblei­ terspeichervorrichtung, das folgende Schritte umfaßt: (a) Abscheiden eines dotierten Polysiliziums auf einem Halblei­ tersubstrat zur Bildung eines Speicherelektrodenknotens; (b) Oxidieren des Polysiliziums zur Bildung einer Siliziumoxid­ schicht; (c) Abscheiden von Tantal und Tantalsilicid mit einer vorbestimmten Dicke; (d) Ausführen eines Oxidations­ prozesses zur Bildung einer gestapelten Struktur mit der Schichtenfolge Siliziumoxid-Tantaloxid-Siliziumoxid; und (e) Abscheiden einer Polysiliziumschicht zur Bildung einer Plat­ tenelektrode.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 Teilschnittdarstellungen zur Verdeutlichung eines bekannten Verfahrens zum Herstellen eines Kondensa­ tors in einer Halbleiterspeichervorrichtung;
Fig. 2 eine beispielhafte Darstellung einer Struktur eines Kondensators mit einer Tantaloxidschicht, der durch ein bekanntes Verfahren hergestellt ist;
Fig. 3 eine schematische Darstellung der Struktur einer nach einem bekannten Verfahren hergestellten Halb­ leiterspeicherzelle;
Fig. 4 ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsge­ mäßen Verfahrens zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung;
Fig. 5 ein zweites Ausführungsbeispiel des erfindungsge­ mäßen Verfahrens zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung; und
Fig. 6 ein drittes Ausführungsbeispiel des erfindungsge­ mäßen Verfahrens zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung.
Fig. 4 zeigt ein erstes erfindungsgemäßes Verfahren zum Her­ stellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervor­ richtung. Wie in Fig. 4(A) dargestellt ist, wird eine do­ tierte Polysiliziumschicht 12 auf ein Halbleitersubstrat 11 abgeschieden, um einen Speicherelektrodenknoten zu erzeugen. Wie in Fig. 4(B) dargestellt ist, wird die dotierte Poly­ siliziumschicht 12 oxidiert, um auf deren Oberfläche eine Siliziumoxidschicht 13 zu bilden. Wie in Fig. 4(C) darge­ stellt ist, wird eine Tantalschicht 14 auf dem Siliziumoxid 13 entweder durch Sputtern oder durch ein chemisches Dampf­ abscheidungsverfahren abgeschieden. Wie in Fig. 4(D) dar­ gestellt ist, wird die Tantalschicht 14 in einem thermischen Diffusionsofen in einer Sauerstoffatmosphäre oxidiert, wo­ durch die Tantalschicht 14 in eine Tantaloxidschicht 15 um­ gewandelt wird, welche verdichtet ist. Wie in Fig. 4(E) dar­ gestellt ist, wird entweder Polysilizium oder Metall oder ein Silicid auf der Tantaloxidschicht 15 abgeschieden, um eine Plattenelektrode 16 zu erzeugen, wodurch die Platten­ elektrode 16 entweder mit dotiertem Silizium, Silicid (WSix, TiSix, TaSix), TiN gebildet wird, um die Strom-Spannungs- Charakteristik eines Kondensators festzulegen.
Fig. 5 zeigt das zweite Verfahren zum Herstellen eines Kon­ densators in einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung. Wie in Fig. 5(a) dargestellt ist, wird eine dotierte Polysiliziumschicht 22 auf einem Halb­ leitersubstrat 21 abgeschieden, um einen Speicherelektroden­ knoten zu bilden. Wie in Fig. 5(b) dargestellt ist, wird eine Tantalsilicidschicht 27 auf der dotierten Polysilizium­ schicht 22 durch einen Sputter-Prozeß abgeschieden. Wie in Fig. 5(c) dargestellt wird, wird ein Oxidationsprozeß aus­ geführt, welcher dazu führt, daß das Tantalsilicid 27 in eine Tantaloxidschicht 25 umgewandelt wird, wodurch sich eine Schichtenstruktur mit der Schichtenfolge der Silizium­ oxidschicht 23 - der Tantaloxidschicht 25 - der Silizium­ oxidschicht 28 ergibt, also eine Schichtenfolge (SiO2- Ta2O5-SiO2).
Wie in Fig. 5(d) dargestellt ist, wird ein leitfähiges Ma­ terial, wie beispielsweise Polysilizium, Metall oder Sili­ cid, auf der Siliziumoxidschicht 28 abgeschieden, um eine Plattenelektrode 26 zu bilden.
Die Tantalschicht 24 (Ta-Schicht 24) und das Tantalsilicid 27 (TaSix: x = 1,0-5,0) gemäß den Fig. 4(C), 4(D) und 5(b), 5(c) werden mit einem an sich bekannten Sputter-Ver­ fahren mit einer Hochfrequenzleistung von 2 bis 6 KW in einer Ar-Atmosphäre bei einem Druck von einigen mTorr ab­ geschieden und in einem thermischen Diffusionsofen bei einer Temperatur zwischen 800° und 1000°C ausgeheilt. Das ausge­ heilte Tantal sowie Tantalsilicid werden dem Oxidationspro­ zeß unterworfen, der in einer Sauerstoffatmosphäre über eine Zeitdauer von 5 bis 60 Minuten zur Bildung einer Tantal­ oxidschicht 25 ausgeführt wird.
Fig. 6 zeigt das dritte Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung, bei dem das Silizium nicht nach der Bildung der Tantalsilicidschicht extrahiert wird, während das Silizium mit hoher Wahrscheinlichkeit bei der Bildung der Tantalsilicidschicht gemäß Fig. 5 extrahiert wird.
Wie dies in den Fig. 6(A) und 6(B) dargestellt ist, wird eine dotierte Polysiliziumschicht 32 zur Bildung eines Speicherelektrodenknotens auf einem Halbleitersubstrat 31 abgeschieden und daraufhin oxidiert, um eine Siliziumoxid­ schicht 33 mit einer Dicke von 30 bis 50 Å zu erzeugen.
Wie in Fig. 6(C) dargestellt ist, haben eine Tantalschicht 34 und eine Tantalsilicidschicht 35 jeweils eine Dicke von 100 bis 200 Å, wobei diese auf der Siliziumoxidschicht 33 in der genannten Reihenfolge abgeschieden werden und dann einem Ausheilungsprozeß unterworfen werden, der in einem thermi­ schen Diffusionsofen bei 800 bis 1000°C ausgeführt wird.
Wie in Fig. 6(D) dargestellt ist, werden das ausgeheilte Tantal 34 und das Tantalsilicid 35 auf der Siliziumoxid­ schicht 33 in einer Sauerstoffatmosphäre bei einer O2-Fluß­ rate von 10-20 Litern pro Minute während einer Zeitdauer von 5 bis 60 Minuten oxidiert, um eine Schichtenstruktur zu erhalten, die folgende Schichtenfolge umfaßt: die Silizium­ oxidschicht 33, die Tantaloxidschicht 36 und die Silizium­ oxidschicht (SiO2-Ta2O5-SiO2).
Wie dies in Fig. 6(E) dargestellt ist, wird eine Platten­ elektrode 38 entweder durch Verwendung von dotiertem Poly­ silizium oder von Silicid oder von TiN oder dergleichen gebildet. Da das Tantal nach dem Sputtern oder der chemi­ schen Dampfabscheidung oxidiert wird, wird eine dünne Schicht von hoher Reinheit erzeugt.
Da bei dem erfindungsgemäßen Verfahren nur eine geringe Wahrscheinlichkeit für eine Kontamination mit Kohlenstoff besteht, kann der Leckstrom minimiert werden. Ferner kann die Kontamination extrem vermindert werden aufgrund der Tat­ sache, daß nicht TaCl5 als Feststoffquelle verwendet wird, während die Charakteristik der isolierenden Schicht durch die Kontamination mit TaCl5 bei dem bekannten Plasma-unter­ stützten chemischen Dampfabscheidungsverfahren verschlech­ tert wird. Da ferner gemäß der Erfindung ein Sputtersystem und ein elektrischer Ofen verwendet werden können, können die Kosten zur Entwicklung einer Vorrichtung zur Herstellung der Halbleitervorrichtung vermindert werden, wodurch das Verfahren in der gewünschten Weise vereinfacht wird.

Claims (13)

1. Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung, gekennzeichnet durch fol­ gende Verfahrensschritte:
Erzeugen eines Speicherelektrodenknotens durch Abschei­ den einer dotierten Polysiliziumschicht (12) auf einem Halbleitersubstrat (11);
Erzeugen einer Siliziumoxidschicht (13) durch Oxidieren der Oberfläche der dotierten Polysiliziumschicht (12);
Abscheiden einer Tantalschicht (14) auf dem Siliziumoxid (13);
Oxidieren der Tantalschicht (14) zur Bildung einer Tan­ taloxidschicht (15); und
Erzeugen einer Plattenelektrode (16) auf der Tantaloxid­ schicht (15).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Tantalschicht (14) durch einen Sputter-Prozeß gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich­ net, daß die Tantalschicht (14) durch ein chemisches Dampf­ abscheidungsverfahren gebildet wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Plattenelektrode (16) entweder aus Polysilizium oder aus Metall oder aus Silicid oder aus TiN herge­ stellt wird.
5. Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:
Abscheiden einer dotierten Polysiliziumschicht (22) auf einem Halbleitersubstrat (21) zur Erzeugung eines Speicherelektrodenknotens;
Abscheiden einer Tantalsilicidschicht (27) auf der do­ tierten Polysiliziumschicht (22) durch einen Sputter- Prozeß;
Ausführen eines Oxidationsprozesses zum Umwandeln der Tantalsilicidschicht (27) in eine Tantaloxidschicht (25) und eine Siliziumoxidschicht (23, 28), um dadurch eine gestapelte Schichtenstruktur mit der Schichtenfolge Siliziumoxid (23) - Tantaloxid (25) - Siliziumoxid (28) (SiO2-Ta2O5-SiO2) zu erzeugen; und
Erzeugen einer Plattenelektrode (26) des Kondensators.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Plattenelektrode (26) entweder aus Polysilizium oder aus Metall oder aus Silicid gebildet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeich­ net, daß die Tantalsilicidschicht (27) aus einem Tantal­ silicid gebildet wird, für das gilt: TaSix; x = 1,0 bis 5,0.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Oxidationsprozeß zur Erzeugung der Tantaloxid­ schicht (25) bei einer Temperatur von 800 bis 1000°C in einer Sauerstoffatmosphäre (O2) und bei einer Flußrate von 10 bis 20 Liter pro Minute über eine Zeitdauer zwi­ schen 5 und 60 Minuten ausgeführt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der Sputter-Prozeß zur Erzeugung der Tantalsilicid­ schicht (27) bei einer Hochfrequenzleistung von 2 bis 6 KW und bei einem Druck von einigen mTorr ausgeführt wird.
10. Verfahren zum Herstellen eines Kondensators in einer Halbleiterspeichervorrichtung, gekennzeichnet durch fol­ gende Verfahrensschritte:
Abscheiden einer dotierten Polysiliziumschicht (32) auf einem Halbleitersubstrat (31) zum Erzeugen einer Knoten­ elektrode;
Oxidieren der Polysiliziumknotenelektrode zum Erzeugen einer Siliziumoxidschicht (33);
Abscheiden einer Tantalschicht (34) und einer Tantal­ silicidschicht (35) in der genannten Reihenfolge;
Ausführen eines Ausheilungsprozesses und eines Oxida­ tionsprozesses zum Erzeugen einer Struktur mit der fol­ genden Schichtenfolge: Siliziumoxidschicht (33) - Tan­ taloxidschicht (36) - Siliziumoxidschicht (37); und
Abscheiden einer Polysiliziumschicht (38) zum Erzeugen einer Plattenelektrode.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Tantalschicht (34) und die Tantalsilicidschicht (35) mit einer Dicke von jeweils 100 bis 200 Å abge­ schieden werden.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Siliziumoxidschicht (32) auf der Knotenelektrode mit einer Dicke von 30 bis 50 Å gebildet wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Ausheilungsprozeß und der Oxidationsprozeß bei Temperaturen zwischen 800 und 1000°C in einer Sauer­ stoffatmosphäre über eine Zeitdauer zwischen 5 und 60 Minuten ausgeführt werden.
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