JP2794990B2 - 検出増幅回路およびその実行方法 - Google Patents
検出増幅回路およびその実行方法Info
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- JP2794990B2 JP2794990B2 JP3157381A JP15738191A JP2794990B2 JP 2794990 B2 JP2794990 B2 JP 2794990B2 JP 3157381 A JP3157381 A JP 3157381A JP 15738191 A JP15738191 A JP 15738191A JP 2794990 B2 JP2794990 B2 JP 2794990B2
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- transistor
- signal
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- current electrode
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/08—Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
- G06F12/0802—Addressing of a memory level in which the access to the desired data or data block requires associative addressing means, e.g. caches
- G06F12/0893—Caches characterised by their organisation or structure
- G06F12/0895—Caches characterised by their organisation or structure of parts of caches, e.g. directory or tag array
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
- G11C7/062—Differential amplifiers of non-latching type, e.g. comparators, long-tailed pairs
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に検出増幅器に関
し、さらに詳しくは、論理機能を有する検出増幅器に関
する。
し、さらに詳しくは、論理機能を有する検出増幅器に関
する。
【0002】
【従来の技術】集積回路メモリは、行と列とのマトリッ
クスで構成されており、メモリ・セルは1つの行と1つ
の列との各交点に配置されている。リード・サイクル中
にアクセスされると、メモリはアドレスを解読して1つ
の行ラインをアクティブにする。アクティブになった行
ライン上のメモリ・セルは、その内容をビット・ライン
に乗せるか、あるいはより一般的には、差動ビット・ラ
イン対に乗せる。各メモリ・セルがその内容をビット・
ラインまたはビット・ライン対に乗せると、検出増幅器
は信号の論理状態を検出し、増幅する。それから、さら
に解読が実行される。検出時間とともに解読に要するス
ピードがメモリの総合スピードを決定する。解読方式
は、メモリの種類とその使用方法によって異なる。
クスで構成されており、メモリ・セルは1つの行と1つ
の列との各交点に配置されている。リード・サイクル中
にアクセスされると、メモリはアドレスを解読して1つ
の行ラインをアクティブにする。アクティブになった行
ライン上のメモリ・セルは、その内容をビット・ライン
に乗せるか、あるいはより一般的には、差動ビット・ラ
イン対に乗せる。各メモリ・セルがその内容をビット・
ラインまたはビット・ライン対に乗せると、検出増幅器
は信号の論理状態を検出し、増幅する。それから、さら
に解読が実行される。検出時間とともに解読に要するス
ピードがメモリの総合スピードを決定する。解読方式
は、メモリの種類とその使用方法によって異なる。
【0003】例えば、今日マイクロプロセッサの多く
は、チップ上の(on-chip) 高速メモリであるキャッシュ
を内蔵している。キャッシュは、マイクロプロセッサが
最もアクセスする可能性の高いメモリの内容をチップ上
に保存することにより、マイクロプロセッサの性能を向
上させる。例えば、チップ化した命令キャッシュを有す
るマイクロプロセッサは、プログラムの一部をオン・チ
ップ・キャッシュに保存する。命令がキャッシュ内に格
納されると、マイクロプロセッサは遅いオフ・チップ・
メモリからではなく、高速キャッシュから命令を読み出
す。同様に、データ・キャッシュを有するマイクロプロ
セッサは、プログラムのデータの一部をチップ上に格納
する。マイクロプロセッサのメモリ・アクセスがキャッ
シュからかどうかを判定するため、キャッシュはマイク
ロプロセッサがアドレス・バスに乗せたアドレスと以前
キャッシュに格納されたデータのアドレスとを比較す
る。このようなアドレスの比較は、タグ・キャッシュ・
アレイとして知られる別のメモリによって行われる。タ
グ・キャッシュ・アレイの内容は、キャッシュに置かれ
たデータのアドレスである。
は、チップ上の(on-chip) 高速メモリであるキャッシュ
を内蔵している。キャッシュは、マイクロプロセッサが
最もアクセスする可能性の高いメモリの内容をチップ上
に保存することにより、マイクロプロセッサの性能を向
上させる。例えば、チップ化した命令キャッシュを有す
るマイクロプロセッサは、プログラムの一部をオン・チ
ップ・キャッシュに保存する。命令がキャッシュ内に格
納されると、マイクロプロセッサは遅いオフ・チップ・
メモリからではなく、高速キャッシュから命令を読み出
す。同様に、データ・キャッシュを有するマイクロプロ
セッサは、プログラムのデータの一部をチップ上に格納
する。マイクロプロセッサのメモリ・アクセスがキャッ
シュからかどうかを判定するため、キャッシュはマイク
ロプロセッサがアドレス・バスに乗せたアドレスと以前
キャッシュに格納されたデータのアドレスとを比較す
る。このようなアドレスの比較は、タグ・キャッシュ・
アレイとして知られる別のメモリによって行われる。タ
グ・キャッシュ・アレイの内容は、キャッシュに置かれ
たデータのアドレスである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】キャッシュ回路では、
スピードが重要である。アクセスされたアドレスとタグ
・キャッシュ・アレイの内容との間の比較の速度を最小
限にしなければならない。アクセスされたアドレスがタ
グ・キャッシュ・アレイに置かれたアドレスの1かかど
うかを判定するいくつかの手法が用いられている。例え
ば、完全連想型キャッシュにおいて、タグ・キャッシュ
・アレイ項目の全てが入力アドレスと同時に比較され
る。しかし、2方向のセット連想型キャッシュでは、ま
ず入力アドレスの一部を用いて、2つの可能性のあるタ
グ・キャッシュ・アレイ項目を解読する。次に、この前
もって解読された項目が検出され、対応するビット位置
が入力アドレスの残りのアドレス・ビットと比較され
る。入力アドレスの残りのアドレス・ビットが2つの解
読されたタグ・キャッシュ項目の1つと一致した場合、
「キャッシュ・ヒット」が生じ、キャッシュ・アレイの
対応する内容がデータ・バスに読み出される。しかし、
2つの項目のいずれも入力アドレスと一致しない場合、
「キャッシュ・ミス」が生じ、メモリ・アドレスからの
データはオフ・チップ・メモリから取り出さなければな
らない。2方向のセット連想型キャッシュと完全連想型
キャッシュの中間にあるのが4方向セット連想型キャッ
シュで、このキャッシュは、まず入力アドレスの一部を
解読して4つの可能性のあるキャッシュ項目を選択し、
次に比較を行う。マイクロプロセッサ性能と回路面積と
の間に設計上の取捨選択があるので、セット連想型キャ
ッシュの方が好まれる場合が多い。セット連想型キャッ
シュの性能を最適化するため、検出時間を最小限に抑え
なければならない。
スピードが重要である。アクセスされたアドレスとタグ
・キャッシュ・アレイの内容との間の比較の速度を最小
限にしなければならない。アクセスされたアドレスがタ
グ・キャッシュ・アレイに置かれたアドレスの1かかど
うかを判定するいくつかの手法が用いられている。例え
ば、完全連想型キャッシュにおいて、タグ・キャッシュ
・アレイ項目の全てが入力アドレスと同時に比較され
る。しかし、2方向のセット連想型キャッシュでは、ま
ず入力アドレスの一部を用いて、2つの可能性のあるタ
グ・キャッシュ・アレイ項目を解読する。次に、この前
もって解読された項目が検出され、対応するビット位置
が入力アドレスの残りのアドレス・ビットと比較され
る。入力アドレスの残りのアドレス・ビットが2つの解
読されたタグ・キャッシュ項目の1つと一致した場合、
「キャッシュ・ヒット」が生じ、キャッシュ・アレイの
対応する内容がデータ・バスに読み出される。しかし、
2つの項目のいずれも入力アドレスと一致しない場合、
「キャッシュ・ミス」が生じ、メモリ・アドレスからの
データはオフ・チップ・メモリから取り出さなければな
らない。2方向のセット連想型キャッシュと完全連想型
キャッシュの中間にあるのが4方向セット連想型キャッ
シュで、このキャッシュは、まず入力アドレスの一部を
解読して4つの可能性のあるキャッシュ項目を選択し、
次に比較を行う。マイクロプロセッサ性能と回路面積と
の間に設計上の取捨選択があるので、セット連想型キャ
ッシュの方が好まれる場合が多い。セット連想型キャッ
シュの性能を最適化するため、検出時間を最小限に抑え
なければならない。
【0005】
【課題を解決するための手段】従って、データ・プロセ
ッサのキャッシュ用としてタグ・キャッシュ・アレイ等
の回路に用いられる論理機能を有する検出増幅器が提供
される。本検出増幅器は、入力部と出力部とから構成さ
れる。入力部は、入力信号が所定の論理状態の場合、第
1信号と第2信号との間の差に応答して第1差信号を与
え、かつ入力信号の補数(本明細書において相補的な信
号を意味する。)が所定の論理状態の場合、第2信号と
第1信号との差に応答して第2差信号を与える。出力部
は入力部に結合され、入力信号が所定の論理状態にある
場合、第1差信号に応答して、あるいは入力信号の補数
または相補信号が所定の論理状態にある場合、第2差信
号に応答して、出力信号を与える。
ッサのキャッシュ用としてタグ・キャッシュ・アレイ等
の回路に用いられる論理機能を有する検出増幅器が提供
される。本検出増幅器は、入力部と出力部とから構成さ
れる。入力部は、入力信号が所定の論理状態の場合、第
1信号と第2信号との間の差に応答して第1差信号を与
え、かつ入力信号の補数(本明細書において相補的な信
号を意味する。)が所定の論理状態の場合、第2信号と
第1信号との差に応答して第2差信号を与える。出力部
は入力部に結合され、入力信号が所定の論理状態にある
場合、第1差信号に応答して、あるいは入力信号の補数
または相補信号が所定の論理状態にある場合、第2差信
号に応答して、出力信号を与える。
【0006】一つの例では、検出増幅器は第1および第
2トランジスタから成り、この第1および第2トランジ
スタは仮想接地ノードに結合された第1電流電極を有
し、かつ制御電極において第1および第2信号をそれぞ
れ受け取る。第3トランジスタは、第1トランジスタの
第2電流電極に結合された第1電流電極と,制御電極
と、正の電源電圧端子に結合された第2電流電極とを有
する。第4トランジスタは、第2トランジスタの第2電
流電極に結合された第1電流電極と、第3トランジスタ
の制御電極に結合された制御電極と、正の電源電圧端子
に結合された第2電流電極とを有する。論理部は、第
1,第2,第3および第4トランジスタに結合され、入
力信号の補数に応答して、第3トランジスタのゲートと
第1電流電極とを結合し、かつ入力信号に応答して、第
4トランジスタのゲートと第1電流電極とを結合する。
出力部は第1および第2トランジスタの第2電流電極に
結合され、入力信号に応じて第1トランジスタまたは第
2トランジスタいずれかの第2電流電極上の電圧に応答
して、出力信号を与える。
2トランジスタから成り、この第1および第2トランジ
スタは仮想接地ノードに結合された第1電流電極を有
し、かつ制御電極において第1および第2信号をそれぞ
れ受け取る。第3トランジスタは、第1トランジスタの
第2電流電極に結合された第1電流電極と,制御電極
と、正の電源電圧端子に結合された第2電流電極とを有
する。第4トランジスタは、第2トランジスタの第2電
流電極に結合された第1電流電極と、第3トランジスタ
の制御電極に結合された制御電極と、正の電源電圧端子
に結合された第2電流電極とを有する。論理部は、第
1,第2,第3および第4トランジスタに結合され、入
力信号の補数に応答して、第3トランジスタのゲートと
第1電流電極とを結合し、かつ入力信号に応答して、第
4トランジスタのゲートと第1電流電極とを結合する。
出力部は第1および第2トランジスタの第2電流電極に
結合され、入力信号に応じて第1トランジスタまたは第
2トランジスタいずれかの第2電流電極上の電圧に応答
して、出力信号を与える。
【0007】
【実施例】図1は、本発明に従って、論理機能を有する
検出増幅器50を内蔵するタグ・キャッシュ30を備え
たデータ・プロセッサ20のブロック図を示す。一般
に、データ・プロセッサ20は、キャッシュ22,CP
U24,アドレス・バス26およびデータ・バス28か
ら成る。一般に、キャッシュ22は、タグ・キャッシュ
30およびキャッシュ・アレイ40から成る。タグ・キ
ャッシュ30は、デコーダ32,ビット・セル33,第
1ビット・ライン34,第2ビット・ライン35および
行ライン36から構成されるタグ部31と;論理/制御
ブロック38,ANDゲート39および検出増幅器50
から構成される検出増幅部37とから成る。
検出増幅器50を内蔵するタグ・キャッシュ30を備え
たデータ・プロセッサ20のブロック図を示す。一般
に、データ・プロセッサ20は、キャッシュ22,CP
U24,アドレス・バス26およびデータ・バス28か
ら成る。一般に、キャッシュ22は、タグ・キャッシュ
30およびキャッシュ・アレイ40から成る。タグ・キ
ャッシュ30は、デコーダ32,ビット・セル33,第
1ビット・ライン34,第2ビット・ライン35および
行ライン36から構成されるタグ部31と;論理/制御
ブロック38,ANDゲート39および検出増幅器50
から構成される検出増幅部37とから成る。
【0008】CPU24は、データ・プロセッサ20の
中央演算装置であり、プログラム(図示せず)に応答し
て命令を実行する。制御信号,クロック信号および本発
明と関連ないデータ・プロセッサ20の他のブロックは
図1において示されていない。CPU24は、プログラ
ムに応答して、複数のアドレス信号をアドレス・バスに
与える。命令の応じて、CPU24はデータ・バス28
からデータを読み出すかあるいはデータを書き込む。タ
グ部31は、「インデックス・アドレス」と記されたア
ドレスの一部を受け取る。デコーダ32は、この「イン
デックス・アドレス」を解読し、それに応答して1つの
行ラインをアクティブにする。デコーダ32に結合され
た行ライン36は、「インデックス・アドレス」の全て
の可能性のある値に対応する複数の行ラインの1つを表
す。行ラインのそれぞれ1つと複数のビット・ライン対
との交点に配置されているのがメモリ・セル33のよう
なメモリ・セルであり、このメモリ・セル33はビット
・ライン34,35に結合されて示されており、ビット
・ライン34,35に信号BLJ ,反転BLJ をそれぞ
れ与える。図示の実施例では、各メモリ・セルの内容
は、メモリ・セルに結合されたビットライン対上に差動
的に読み出される。差動ビット・ライン対は、スピード
の点で好ましいが、他の実施例ではシングル・エンド型
ビット・ラインを用いてもよい。
中央演算装置であり、プログラム(図示せず)に応答し
て命令を実行する。制御信号,クロック信号および本発
明と関連ないデータ・プロセッサ20の他のブロックは
図1において示されていない。CPU24は、プログラ
ムに応答して、複数のアドレス信号をアドレス・バスに
与える。命令の応じて、CPU24はデータ・バス28
からデータを読み出すかあるいはデータを書き込む。タ
グ部31は、「インデックス・アドレス」と記されたア
ドレスの一部を受け取る。デコーダ32は、この「イン
デックス・アドレス」を解読し、それに応答して1つの
行ラインをアクティブにする。デコーダ32に結合され
た行ライン36は、「インデックス・アドレス」の全て
の可能性のある値に対応する複数の行ラインの1つを表
す。行ラインのそれぞれ1つと複数のビット・ライン対
との交点に配置されているのがメモリ・セル33のよう
なメモリ・セルであり、このメモリ・セル33はビット
・ライン34,35に結合されて示されており、ビット
・ライン34,35に信号BLJ ,反転BLJ をそれぞ
れ与える。図示の実施例では、各メモリ・セルの内容
は、メモリ・セルに結合されたビットライン対上に差動
的に読み出される。差動ビット・ライン対は、スピード
の点で好ましいが、他の実施例ではシングル・エンド型
ビット・ラインを用いてもよい。
【0009】行ライン上に配置されるタグ部31内の項
目の数は、キャッシュ構成により決まる。例えば、4方
向セット連想型キャッシュは、各行に置かれた4つの項
目を有する。CPU24がアドレス・バス26にアドレ
スを乗せると、デコーダ32は1つの行ラインをアクテ
ィブにし、解読された行に置かれた4つの項目の対応す
る部分がビット・ライン対上に読み出される。その後、
タグ部31からの複数のビット・ライン対に結合された
検出増幅部37は、「インデックス・アドレス」で選択
された行ライン上の4つのタグ・キャッシュ項目のそれ
ぞれに格納された値と、「タグ・アドレス」として知ら
れるアドレスの残りの部分とを比較する。各ビット・ラ
イン対の差動信号の論理状態が検出され、「タグ・アド
レス」内の対応するビットと比較される。一致と判定さ
れると、そのビット位置に対して一致信号が発生する。
例えば、対応するアドレス・ビット「AJ 」の論理状態
がBLJ および反転BLJ における論理状態と一致する
場合、反転MATCHJ が発生する。全てのビット位置
が入力アドレスにおける対応するビットと一致する場
合、反転「キャッシュ・ヒット」と記された信号が発生
する。反転「キャッシュ・ヒット」は、アドレス・バス
26上でアクティブになったアドレスがキャッシュ内の
有効項目に対応することをキャッシュ・アレイ40に知
らせる。反転「キャッシュ・ヒット」に応答して、キャ
ッシュ・アレイ40は、「キャッシュ・データ」と記さ
れた複数のデータ信号をデータ・バス28上に乗せる。
その後、「キャッシュ・データ」はマイクロプロセッサ
24により読み出される。
目の数は、キャッシュ構成により決まる。例えば、4方
向セット連想型キャッシュは、各行に置かれた4つの項
目を有する。CPU24がアドレス・バス26にアドレ
スを乗せると、デコーダ32は1つの行ラインをアクテ
ィブにし、解読された行に置かれた4つの項目の対応す
る部分がビット・ライン対上に読み出される。その後、
タグ部31からの複数のビット・ライン対に結合された
検出増幅部37は、「インデックス・アドレス」で選択
された行ライン上の4つのタグ・キャッシュ項目のそれ
ぞれに格納された値と、「タグ・アドレス」として知ら
れるアドレスの残りの部分とを比較する。各ビット・ラ
イン対の差動信号の論理状態が検出され、「タグ・アド
レス」内の対応するビットと比較される。一致と判定さ
れると、そのビット位置に対して一致信号が発生する。
例えば、対応するアドレス・ビット「AJ 」の論理状態
がBLJ および反転BLJ における論理状態と一致する
場合、反転MATCHJ が発生する。全てのビット位置
が入力アドレスにおける対応するビットと一致する場
合、反転「キャッシュ・ヒット」と記された信号が発生
する。反転「キャッシュ・ヒット」は、アドレス・バス
26上でアクティブになったアドレスがキャッシュ内の
有効項目に対応することをキャッシュ・アレイ40に知
らせる。反転「キャッシュ・ヒット」に応答して、キャ
ッシュ・アレイ40は、「キャッシュ・データ」と記さ
れた複数のデータ信号をデータ・バス28上に乗せる。
その後、「キャッシュ・データ」はマイクロプロセッサ
24により読み出される。
【0010】具体的には、検出増幅部37において、論
理/制御ブロック38が「タグ・アドレス」を受け取
り、「SE」と記された選択信号,アドレス信号AJ お
よび反転「AJ 」と記されたAJ の補数を検出増幅器5
0に与える。信号SEは、検出増幅器50を選択しアク
ティブにするために用いる制御信号である。検出増幅器
50は、SEに応答してメモリ・セル33によって与え
られたデータの論理状態を検出し、そのデータの論理状
態と信号AJ とを比較する。これらが一致している場
合、検出増幅器50はそれに応答して反転MATCHJ
を出力する。全てのメモリ・セルの内容が「タグ・アド
レス」の対応するビット位置と一致する場合、反転「キ
ャッシュ・ヒット」信号が発生する。検出増幅部37に
おいては、この機能がANDゲート39により実行され
る。ANDゲート39は、複数の一致信号を受け取る。
図1において、ANDゲート39の第1,第2および第
3入力端子上で受信される反転「MATCHN 」,反転
「MATCHJ 」および「MATCHM 」と記された一
致信号が示されている。また、ANDゲート39は、
「タグ・アドレス」における残りのビット位置に対応す
る別のビットのそれぞれを受け取る。図1において、
「タグ・アドレス」の幅は(M−N)ビットで、ここで
Nは「タグ・アドレス」における最初のビット位置、J
は中間ビット位置、そしてMは最後のビット位置を示
す。
理/制御ブロック38が「タグ・アドレス」を受け取
り、「SE」と記された選択信号,アドレス信号AJ お
よび反転「AJ 」と記されたAJ の補数を検出増幅器5
0に与える。信号SEは、検出増幅器50を選択しアク
ティブにするために用いる制御信号である。検出増幅器
50は、SEに応答してメモリ・セル33によって与え
られたデータの論理状態を検出し、そのデータの論理状
態と信号AJ とを比較する。これらが一致している場
合、検出増幅器50はそれに応答して反転MATCHJ
を出力する。全てのメモリ・セルの内容が「タグ・アド
レス」の対応するビット位置と一致する場合、反転「キ
ャッシュ・ヒット」信号が発生する。検出増幅部37に
おいては、この機能がANDゲート39により実行され
る。ANDゲート39は、複数の一致信号を受け取る。
図1において、ANDゲート39の第1,第2および第
3入力端子上で受信される反転「MATCHN 」,反転
「MATCHJ 」および「MATCHM 」と記された一
致信号が示されている。また、ANDゲート39は、
「タグ・アドレス」における残りのビット位置に対応す
る別のビットのそれぞれを受け取る。図1において、
「タグ・アドレス」の幅は(M−N)ビットで、ここで
Nは「タグ・アドレス」における最初のビット位置、J
は中間ビット位置、そしてMは最後のビット位置を示
す。
【0011】典型的なタグ・キャッシュ検出増幅器で
は、ビット・ライン対の論理状態が検出され、ついで対
応するアドレス・ビットと比較される。しかし、検出増
幅部37においては、検出増幅器50のような各検出増
幅器が検出増幅機能と比較機能とを1つの回路にまとめ
ている。従って、典型的なタグ・キャッシュ設計に存在
する比較器によって生じる余分な遅延が、本発明による
検出増幅器では節約される。図1はタグ・キャッシュ検
出増幅器における検出増幅器50の使用を図示している
が、検出増幅器50はその他のメモリ用途や、信号ライ
ンにおいて値を検出し、その後論理機能を実行する回路
において利用できることに注目されたい。図2は、排他
OR関数を有する図1の検出増幅器50の概略図であ
る。一般に、検出増幅器50は、入力部52,第1出力
部54,第2出力部54’およびイネーブル部56から
成る。入力部52は、Pチャンネル・トランジスタ6
0,61,62,63およびNチャンネル・トランジス
タ64,65から成る。第1出力部54は、3状態イン
バータ70から成る。第2出力部54’は、3状態イン
バータ71から成る。イネーブル部56は、Pチャンネ
ル・トランジスタ80とNチャンネル・トランジスタ8
1とから成る。
は、ビット・ライン対の論理状態が検出され、ついで対
応するアドレス・ビットと比較される。しかし、検出増
幅部37においては、検出増幅器50のような各検出増
幅器が検出増幅機能と比較機能とを1つの回路にまとめ
ている。従って、典型的なタグ・キャッシュ設計に存在
する比較器によって生じる余分な遅延が、本発明による
検出増幅器では節約される。図1はタグ・キャッシュ検
出増幅器における検出増幅器50の使用を図示している
が、検出増幅器50はその他のメモリ用途や、信号ライ
ンにおいて値を検出し、その後論理機能を実行する回路
において利用できることに注目されたい。図2は、排他
OR関数を有する図1の検出増幅器50の概略図であ
る。一般に、検出増幅器50は、入力部52,第1出力
部54,第2出力部54’およびイネーブル部56から
成る。入力部52は、Pチャンネル・トランジスタ6
0,61,62,63およびNチャンネル・トランジス
タ64,65から成る。第1出力部54は、3状態イン
バータ70から成る。第2出力部54’は、3状態イン
バータ71から成る。イネーブル部56は、Pチャンネ
ル・トランジスタ80とNチャンネル・トランジスタ8
1とから成る。
【0012】トランジスタ60は、ドレインと、ゲート
と、「VDD」と記された電源電圧端子に接続されたソー
スとを有する。トランジスタ61は、VDDに接続された
ソースと、トランジスタ60のゲートに接続されたゲー
トと、トレインとを有する。トランジスタ62は、トラ
ンジスタ60のゲートに接続されたソースと、アドレス
信号反転AJ を受け取るゲートと、トランジスタ60の
ドレインに接続されたドレインとを有する。トランジス
タ63は、トランジスタ60のゲートに接続されたソー
スと、アドレス信号AJ を受け取るゲートと、トランジ
スタ60のドレインに接続されたドレインとを有する。
トランジスタ64は、トランジスタ60のドレインに接
続されたドレインと、ビット・ライン信号BLJ を受け
取るゲートと、ソースとを有する。トランジスタ65
は、トランジスタ61のドレインに接続されたドレイン
と、ビット・ライン信号反転BLJ を受け取るゲート
と、トランジスタ60のソースに接続されたソースとを
有する。インバータ70は、トランジスタ60のドレイ
ンに接続された入力端子と、アドレス信号反転AJ を受
け取る正のイネーブル入力端子と、アドレス信号AJ を
受け取る負のイネーブル入力端子と、反転MATCHJ
を与える出力端子とを有する。インバータ71は、トラ
ンジスタ61のドレインに接続された入力端子と、アド
レス信号AJ を受け取る正のイネーブル入力端子と、ア
ドレス信号反転AJ を受け取る負のイネーブル入力端子
と、反転MATCHJ を与える出力端子とを有する。ト
ランジスタ80は、トランジスタ60のドレインに接続
されたソースと、選択信号SEを受け取るゲートと、ト
ランジスタ61のドレインに接続されたドレインとを有
する。トランジスタ81は、トランジスタ64のソース
とトランジスタ65のソースとに接続されたドレイン
と、選択信号SEを受け取るゲートと、「VSS」と記さ
れた電源電圧端子に接続されたソースとを有する。図示
の実施例では、VDDはVSSに対して正の電源電圧端子で
あるが、これはトランジスタの導電性を変えた他の実施
例では必ずしもそうではない。
と、「VDD」と記された電源電圧端子に接続されたソー
スとを有する。トランジスタ61は、VDDに接続された
ソースと、トランジスタ60のゲートに接続されたゲー
トと、トレインとを有する。トランジスタ62は、トラ
ンジスタ60のゲートに接続されたソースと、アドレス
信号反転AJ を受け取るゲートと、トランジスタ60の
ドレインに接続されたドレインとを有する。トランジス
タ63は、トランジスタ60のゲートに接続されたソー
スと、アドレス信号AJ を受け取るゲートと、トランジ
スタ60のドレインに接続されたドレインとを有する。
トランジスタ64は、トランジスタ60のドレインに接
続されたドレインと、ビット・ライン信号BLJ を受け
取るゲートと、ソースとを有する。トランジスタ65
は、トランジスタ61のドレインに接続されたドレイン
と、ビット・ライン信号反転BLJ を受け取るゲート
と、トランジスタ60のソースに接続されたソースとを
有する。インバータ70は、トランジスタ60のドレイ
ンに接続された入力端子と、アドレス信号反転AJ を受
け取る正のイネーブル入力端子と、アドレス信号AJ を
受け取る負のイネーブル入力端子と、反転MATCHJ
を与える出力端子とを有する。インバータ71は、トラ
ンジスタ61のドレインに接続された入力端子と、アド
レス信号AJ を受け取る正のイネーブル入力端子と、ア
ドレス信号反転AJ を受け取る負のイネーブル入力端子
と、反転MATCHJ を与える出力端子とを有する。ト
ランジスタ80は、トランジスタ60のドレインに接続
されたソースと、選択信号SEを受け取るゲートと、ト
ランジスタ61のドレインに接続されたドレインとを有
する。トランジスタ81は、トランジスタ64のソース
とトランジスタ65のソースとに接続されたドレイン
と、選択信号SEを受け取るゲートと、「VSS」と記さ
れた電源電圧端子に接続されたソースとを有する。図示
の実施例では、VDDはVSSに対して正の電源電圧端子で
あるが、これはトランジスタの導電性を変えた他の実施
例では必ずしもそうではない。
【0013】動作中、検出増幅器50は、ビット・ライ
ン電圧BLJ ,反転BLJ で表される差動信号を受け取
る。本質的には、検出増幅器50は、アドレス信号AJ
,反転AJ によって構成され、 このアドレス信号AJ
,反転AJ は検出増幅器50に対する制御ビットとし
て機能する。アドレス信号AJ の論理状態により、入力
部52の出力端子の構成が決定する。アドレス信号AJ
が低論理の場合、入力部52の出力端子はトランジスタ
60のドレインとなり、インバータ70が一致信号反転
MATCHJ を与える。しかし、アドレス信号AJ が高
論理の場合、入力部52の出力端子はトランジスタ61
のドレインとなり、インバータ71が一致信号反転MA
TCHJ を与える。従って、検出増幅器50は、ビット
・ライン対上の電圧を検出し、アドレス信号AJ とビッ
ト・ライン信号BLJとの間の排他的ORに応答して、
一致信号反転MATCHJ を与える。検出増幅器50
は、1つの信号論理レベルによって検出および論理機能
を実行するので、ゲートの遅延を節約する。
ン電圧BLJ ,反転BLJ で表される差動信号を受け取
る。本質的には、検出増幅器50は、アドレス信号AJ
,反転AJ によって構成され、 このアドレス信号AJ
,反転AJ は検出増幅器50に対する制御ビットとし
て機能する。アドレス信号AJ の論理状態により、入力
部52の出力端子の構成が決定する。アドレス信号AJ
が低論理の場合、入力部52の出力端子はトランジスタ
60のドレインとなり、インバータ70が一致信号反転
MATCHJ を与える。しかし、アドレス信号AJ が高
論理の場合、入力部52の出力端子はトランジスタ61
のドレインとなり、インバータ71が一致信号反転MA
TCHJ を与える。従って、検出増幅器50は、ビット
・ライン対上の電圧を検出し、アドレス信号AJ とビッ
ト・ライン信号BLJとの間の排他的ORに応答して、
一致信号反転MATCHJ を与える。検出増幅器50
は、1つの信号論理レベルによって検出および論理機能
を実行するので、ゲートの遅延を節約する。
【0014】選択信号SEにより、検出増幅器50の動
作が可能となる。選択信号SEが高論理の場合、検出増
幅器50は動作可能となる。トランジスタ80は非導通
状態となり、電流源として機能するトランジスタ81
は、仮想接地電位(VSSに実質的に等しい)の電圧をト
ランジスタ64,65のソースにおいて与える。選択信
号SEが低論理の場合、検出増幅器50は動作不可能と
なる。トランジスタ81は非導通状態となり、トランジ
スタ80は導通状態となって、トランジスタ64のドレ
インをトランジスタ65のドレインに結合する。このよ
うに、選択信号SEが低論理の場合、インバータ70,
71の入力端子における電圧は等しくなる。
作が可能となる。選択信号SEが高論理の場合、検出増
幅器50は動作可能となる。トランジスタ80は非導通
状態となり、電流源として機能するトランジスタ81
は、仮想接地電位(VSSに実質的に等しい)の電圧をト
ランジスタ64,65のソースにおいて与える。選択信
号SEが低論理の場合、検出増幅器50は動作不可能と
なる。トランジスタ81は非導通状態となり、トランジ
スタ80は導通状態となって、トランジスタ64のドレ
インをトランジスタ65のドレインに結合する。このよ
うに、選択信号SEが低論理の場合、インバータ70,
71の入力端子における電圧は等しくなる。
【0015】アドレス信号AJ が高論理(入力アドレス
のJ番目ビット位置の「1」に対応)の場合、インバー
タ71は動作可能となり、インバータ70は動作不可能
となる。さらに、トランジスタ63は非導通状態とな
り、トランジスタ62は導通状態となる。アドレス信号
AJ が高論理の場合の検出増幅器50の応答を、図3の
検出増幅器50’で説明する。検出増幅器50’では、
インバータ70とトランジスタ63とが省略され、トラ
ンジスタ62のソース・ドレイン間経路が直接接続に置
き換えられている。トランジスタ60’,61’,6
4’,65’,インバータ71’およびトランジスタ8
0’,81’は、図2の同様な(’)の付いていない番
号の素子に対応している。
のJ番目ビット位置の「1」に対応)の場合、インバー
タ71は動作可能となり、インバータ70は動作不可能
となる。さらに、トランジスタ63は非導通状態とな
り、トランジスタ62は導通状態となる。アドレス信号
AJ が高論理の場合の検出増幅器50の応答を、図3の
検出増幅器50’で説明する。検出増幅器50’では、
インバータ70とトランジスタ63とが省略され、トラ
ンジスタ62のソース・ドレイン間経路が直接接続に置
き換えられている。トランジスタ60’,61’,6
4’,65’,インバータ71’およびトランジスタ8
0’,81’は、図2の同様な(’)の付いていない番
号の素子に対応している。
【0016】選択信号SEが高論理の場合、トランジス
タ81’は導通状態となり、VSSに実質的に等しい仮
想接地電位をトランジスタ64’,65’のソースに与
える。トランジスタ64’,65’は入力対を形成し、
ビット・ライン信号BLJと反転BLJとの間の電圧差
が電流の導通を制御する。ビット・ライン信号BLJが
ビット・ライン信号反転BLJを上回ると、トランジス
タ64’のゲート・ソース間電圧(VGS)が増加し、
トランジスタ64’を流れるドレイン・ソース間電流I
DSが増加する。トランジスタ64’のIDSは、トラ
ンジスタ60’によってトランジスタ61’に鏡映(鏡
に映すごとく、実質的に等しい電流値を生じさせること
を言う。)される。トランジスタ64’に流れる電流と
実質的に同じIDSがトランジスタ65’を流れるが、
VGSは小さくなる。トランジスタ65’のドレイン・
ソース間電圧VDSが増加すると、トランジスタ65’
のドレイン電圧は増加する。Pチャンネル・トランジス
タ60’,61’とNチャンネル・トランジスタ6
4’,65’のゲート・サイズの比率は、ビット・ライ
ン信号BLJと反転BLJとの間の小さな電圧差によっ
てトランジスタ65’のドレイン電圧が大幅に切り替わ
り、実質的にVDDまで上昇するような比率となってい
る。ビット・ライン信号BLJ がビット・ライン信号
反転BLJ を上回ると、インバータ71’のドレイン
電圧は切り換え点より高くなり、一致信号反転MATC
HJ はアクティブになる。ビット・ライン信号反転B
LJ がビット・ライン信号BLJ を上回ると、イン
バータ71’の入力端子電圧は切り換え点より低くな
り、反転MATCHJ は非アクティブになる。従っ
て、トランジスタ65’のドレインは検出増幅器50’
の出力ノードとなる。
タ81’は導通状態となり、VSSに実質的に等しい仮
想接地電位をトランジスタ64’,65’のソースに与
える。トランジスタ64’,65’は入力対を形成し、
ビット・ライン信号BLJと反転BLJとの間の電圧差
が電流の導通を制御する。ビット・ライン信号BLJが
ビット・ライン信号反転BLJを上回ると、トランジス
タ64’のゲート・ソース間電圧(VGS)が増加し、
トランジスタ64’を流れるドレイン・ソース間電流I
DSが増加する。トランジスタ64’のIDSは、トラ
ンジスタ60’によってトランジスタ61’に鏡映(鏡
に映すごとく、実質的に等しい電流値を生じさせること
を言う。)される。トランジスタ64’に流れる電流と
実質的に同じIDSがトランジスタ65’を流れるが、
VGSは小さくなる。トランジスタ65’のドレイン・
ソース間電圧VDSが増加すると、トランジスタ65’
のドレイン電圧は増加する。Pチャンネル・トランジス
タ60’,61’とNチャンネル・トランジスタ6
4’,65’のゲート・サイズの比率は、ビット・ライ
ン信号BLJと反転BLJとの間の小さな電圧差によっ
てトランジスタ65’のドレイン電圧が大幅に切り替わ
り、実質的にVDDまで上昇するような比率となってい
る。ビット・ライン信号BLJ がビット・ライン信号
反転BLJ を上回ると、インバータ71’のドレイン
電圧は切り換え点より高くなり、一致信号反転MATC
HJ はアクティブになる。ビット・ライン信号反転B
LJ がビット・ライン信号BLJ を上回ると、イン
バータ71’の入力端子電圧は切り換え点より低くな
り、反転MATCHJ は非アクティブになる。従っ
て、トランジスタ65’のドレインは検出増幅器50’
の出力ノードとなる。
【0017】図2に戻って、アドレス信号AJ が低論理
(入力アドレスのJ番目ビット位置の「0」に対応)の
場合、インバータ70は動作可能となり、インバータ7
1は動作不可能となる。さらに、トランジスタ62は非
導通状態となり、トランジスタ63は導通状態となる。
アドレス信号AJ が低論理の場合の検出増幅器50の応
答を、図4の増幅器50”で説明する。検出増幅器5
0”では、インバータ71とトランジスタ62が省略さ
れ、トランジスタ63のソース・ドレイン間経路が直接
接続で置き換えられている。トランジスタ60”,6
1”,64”,65”,インバータ71”,トランジス
タ80”,81”は、図2の同様な(”)の付いていな
い番号の素子に対応している。
(入力アドレスのJ番目ビット位置の「0」に対応)の
場合、インバータ70は動作可能となり、インバータ7
1は動作不可能となる。さらに、トランジスタ62は非
導通状態となり、トランジスタ63は導通状態となる。
アドレス信号AJ が低論理の場合の検出増幅器50の応
答を、図4の増幅器50”で説明する。検出増幅器5
0”では、インバータ71とトランジスタ62が省略さ
れ、トランジスタ63のソース・ドレイン間経路が直接
接続で置き換えられている。トランジスタ60”,6
1”,64”,65”,インバータ71”,トランジス
タ80”,81”は、図2の同様な(”)の付いていな
い番号の素子に対応している。
【0018】選択信号SEが高論理の場合、トランジス
タ81”は導通状態となり、VSSに実質的に等しい仮想
接地電位をトランジスタ64”、65”のソースに与え
る。トランジスタ64”,65”は、入力対を形成し、
ビット・ライン信号反転BLJ とBLJ との間の電圧差
が電流の導通を制御する。ビット・ライン信号反転BL
J がビット・ライン信号BLJ を上回ると、トランジス
タ65”のゲート・ソース間電圧VGSが増加し、ドレイ
ン・ソース間電流IDSが増加する。トランジスタ65”
のIDSはトランジスタ61”によりトランジスタ60”
に鏡映される。トランジスタ65”に流れる電流と実質
的に同じIDSがトランジスタ64”を流れるが、VGSは
小さくなるので、トランジスタ64”のドレイン・ソー
ス間電圧VDSは増加し、トランジスタ64”のドレイン
電圧は、実質的にVDDまで増加する。ビット・ライン信
号反転BLJ がビット・ライン信号BLJ を上回ると、
インバータ70”のドレイン電圧は切り換え点より高く
なり、一致信号反転MATCHJ がアクティブとなる。
ビット・ライン信号BLJ がビット・ライン信号反転B
LJ を上回ると、インバータ70”の入力端子電圧は切
り換え点より低くなり、反転MATCHJ は非アクティ
ブとなる。従って、トランジスタ64”のドレインは、
検出増幅器50”の出力ノードとなる。
タ81”は導通状態となり、VSSに実質的に等しい仮想
接地電位をトランジスタ64”、65”のソースに与え
る。トランジスタ64”,65”は、入力対を形成し、
ビット・ライン信号反転BLJ とBLJ との間の電圧差
が電流の導通を制御する。ビット・ライン信号反転BL
J がビット・ライン信号BLJ を上回ると、トランジス
タ65”のゲート・ソース間電圧VGSが増加し、ドレイ
ン・ソース間電流IDSが増加する。トランジスタ65”
のIDSはトランジスタ61”によりトランジスタ60”
に鏡映される。トランジスタ65”に流れる電流と実質
的に同じIDSがトランジスタ64”を流れるが、VGSは
小さくなるので、トランジスタ64”のドレイン・ソー
ス間電圧VDSは増加し、トランジスタ64”のドレイン
電圧は、実質的にVDDまで増加する。ビット・ライン信
号反転BLJ がビット・ライン信号BLJ を上回ると、
インバータ70”のドレイン電圧は切り換え点より高く
なり、一致信号反転MATCHJ がアクティブとなる。
ビット・ライン信号BLJ がビット・ライン信号反転B
LJ を上回ると、インバータ70”の入力端子電圧は切
り換え点より低くなり、反転MATCHJ は非アクティ
ブとなる。従って、トランジスタ64”のドレインは、
検出増幅器50”の出力ノードとなる。
【0019】また図2に戻って、図3,4で具体的に説
明した検出増幅器50の動作を考えると、アドレス信号
AJ が「1」の場合、一致信号反転MATCHJ はビッ
ト・ライン信号BLJ の反転として与えられ、またアド
レス信号AJ が「0」の場合、ビット・ライン信号反転
BLJ の反転として与えられることがわかる。これは、
ビット・ライン信号BLJ と反転BLJ の間の検出信号
とアドレス信号AJ との排他的ORにほかならない。検
出増幅器50は、対応するメモリ・セルに格納されたビ
ットの値を直接には与えないが、一致信号反転MATC
HJ とアドレス信号AJ との間の排他的OR演算を実行
することにより、値を得ることができる。
明した検出増幅器50の動作を考えると、アドレス信号
AJ が「1」の場合、一致信号反転MATCHJ はビッ
ト・ライン信号BLJ の反転として与えられ、またアド
レス信号AJ が「0」の場合、ビット・ライン信号反転
BLJ の反転として与えられることがわかる。これは、
ビット・ライン信号BLJ と反転BLJ の間の検出信号
とアドレス信号AJ との排他的ORにほかならない。検
出増幅器50は、対応するメモリ・セルに格納されたビ
ットの値を直接には与えないが、一致信号反転MATC
HJ とアドレス信号AJ との間の排他的OR演算を実行
することにより、値を得ることができる。
【0020】以上より、論理機能を有する検出増幅器が
提供されたことは明かである。説明してきた実施例で
は、検出増幅器は、タグ・キャッシュ・アレイのメモリ
・セルの内容を検出しながら、排他的OR関数を実行す
る。しかし、検出増幅器が電圧を検出し、同時に論理機
能も実行するようなその他の実施例も可能である。説明
してきた論理機能は排他的ORであるが、他の論理機能
も可能である。例えば、インバータ70、71は、非反
転3状態バッファで置き換えることができる。また、説
明してきた実施例では、検出増幅器50はビット・ライ
ン信号BLJ と反転BLJ との間の差電圧を検出する
が、シングル・エンド信号を受信するように検出増幅器
を構成することもできる。シングル・エンド信号を検出
するため、トランジスタ65の制御電極は基準電圧を受
信でき、シングル・エンド入力信号はトランジスタ64
のゲートまたは制御電極で受信することができる。入力
信号SE,AJ ,反転AJ ,BLJ ,反転BLJ をアク
ティブにする順番は、検出増幅器の機能に影響を与えな
いことに注意されたい。しかし、入力信号が、SE,A
J ,反転AJ ,BLJ ,反転BLJ の順序で受信される
とき、検出増幅器は最も高速となる。
提供されたことは明かである。説明してきた実施例で
は、検出増幅器は、タグ・キャッシュ・アレイのメモリ
・セルの内容を検出しながら、排他的OR関数を実行す
る。しかし、検出増幅器が電圧を検出し、同時に論理機
能も実行するようなその他の実施例も可能である。説明
してきた論理機能は排他的ORであるが、他の論理機能
も可能である。例えば、インバータ70、71は、非反
転3状態バッファで置き換えることができる。また、説
明してきた実施例では、検出増幅器50はビット・ライ
ン信号BLJ と反転BLJ との間の差電圧を検出する
が、シングル・エンド信号を受信するように検出増幅器
を構成することもできる。シングル・エンド信号を検出
するため、トランジスタ65の制御電極は基準電圧を受
信でき、シングル・エンド入力信号はトランジスタ64
のゲートまたは制御電極で受信することができる。入力
信号SE,AJ ,反転AJ ,BLJ ,反転BLJ をアク
ティブにする順番は、検出増幅器の機能に影響を与えな
いことに注意されたい。しかし、入力信号が、SE,A
J ,反転AJ ,BLJ ,反転BLJ の順序で受信される
とき、検出増幅器は最も高速となる。
【0021】本発明は、好適な実施例の点から説明して
きたが、本発明は多くの点で修正でき、以上具体的に説
明してきた以外の実施例が可能であることが当業者には
明かである。従って、添付のクレームには、本発明の真
の精神と適応範囲とに該当する本発明の全ての変形例が
含まれるものとする。
きたが、本発明は多くの点で修正でき、以上具体的に説
明してきた以外の実施例が可能であることが当業者には
明かである。従って、添付のクレームには、本発明の真
の精神と適応範囲とに該当する本発明の全ての変形例が
含まれるものとする。
【0022】本発明の1つの実施例では、検出増幅器
(50)の入力手段(52)は、第3トランジスタ(6
1),第4トランジスタ(60),第5トランジスタ
(63),第6トランジスタ(62),第7トランジス
タ(65)および第8トランジスタ(64)から構成さ
れる。第3トランジスタ(61)は、第2電源電圧端子
に結合された第1電流電極と、制御電極と、第1差信号
を与える第2電流電極とを有する。第4トランジスタ
(60)は第2電源電圧端子に結合された第1電流電極
と、第3トランジスタ(61)の制御電極に結合された
制御電極と、第2差信号を与える第2電流電極とを有す
る。第5トランジスタ(63)は、第3トランジスタ
(61)の第2電流電極に結合された第1電流電極と、
制御信号を受け取る制御電極と、第3トランジスタ(6
1)の制御電極に結合された第2電流電極とを有する。
第6トランジスタ(62)は、第4トランジスタ(6
0)の第2電流電極に結合された第1電流電極と、制御
信号の補数を受け取る制御電極と、第3トランジスタ
(61)の制御電極に結合された第2電流電極とを有す
る。第7トランジスタ(65)は、第3トランジスタの
第2電流電極に結合された第1電流電極と、第2入力信
号を受け取る制御電極と、第2トランジスタ(81)の
第1電流電極に結合された第2電流電極とを有する。第
8トランジスタ(64)は、第4トランジスタ(60)
の第2電流電極に結合された第1電流電極と、第1入力
信号を受け取る制御電極と、第2トランジスタ(81)
の第1電流電極に結合された第2電流電極とを有する。
(50)の入力手段(52)は、第3トランジスタ(6
1),第4トランジスタ(60),第5トランジスタ
(63),第6トランジスタ(62),第7トランジス
タ(65)および第8トランジスタ(64)から構成さ
れる。第3トランジスタ(61)は、第2電源電圧端子
に結合された第1電流電極と、制御電極と、第1差信号
を与える第2電流電極とを有する。第4トランジスタ
(60)は第2電源電圧端子に結合された第1電流電極
と、第3トランジスタ(61)の制御電極に結合された
制御電極と、第2差信号を与える第2電流電極とを有す
る。第5トランジスタ(63)は、第3トランジスタ
(61)の第2電流電極に結合された第1電流電極と、
制御信号を受け取る制御電極と、第3トランジスタ(6
1)の制御電極に結合された第2電流電極とを有する。
第6トランジスタ(62)は、第4トランジスタ(6
0)の第2電流電極に結合された第1電流電極と、制御
信号の補数を受け取る制御電極と、第3トランジスタ
(61)の制御電極に結合された第2電流電極とを有す
る。第7トランジスタ(65)は、第3トランジスタの
第2電流電極に結合された第1電流電極と、第2入力信
号を受け取る制御電極と、第2トランジスタ(81)の
第1電流電極に結合された第2電流電極とを有する。第
8トランジスタ(64)は、第4トランジスタ(60)
の第2電流電極に結合された第1電流電極と、第1入力
信号を受け取る制御電極と、第2トランジスタ(81)
の第1電流電極に結合された第2電流電極とを有する。
【0023】本発明の別の実施例では、検出増幅器(5
0)の出力手段(54,54’)は、第1インバータ
(71)と第2インバータ(70)とから構成される。
第1インバータは(71)は、第3トランジスタ(6
1)の第2電流電極に結合された入力端子と、制御信号
を受け取る正のイネーブル入力端子と、制御信号の補数
を受け取る負のイネーブル入力端子と、出力信号を与え
る出力端子とを有する。第2インバータ(70)は、第
4トランジスタ(60)の第2電流電極に結合された入
力端子と、制御信号の補数を受け取る正のイネーブル入
力端子と、制御信号を受け取る負のイネーブル入力端子
と、第1インバータ(61)の出力端子に結合された出
力端子とを有する。
0)の出力手段(54,54’)は、第1インバータ
(71)と第2インバータ(70)とから構成される。
第1インバータは(71)は、第3トランジスタ(6
1)の第2電流電極に結合された入力端子と、制御信号
を受け取る正のイネーブル入力端子と、制御信号の補数
を受け取る負のイネーブル入力端子と、出力信号を与え
る出力端子とを有する。第2インバータ(70)は、第
4トランジスタ(60)の第2電流電極に結合された入
力端子と、制御信号の補数を受け取る正のイネーブル入
力端子と、制御信号を受け取る負のイネーブル入力端子
と、第1インバータ(61)の出力端子に結合された出
力端子とを有する。
【0024】本発明のさらに別の例では、データを保存
する手段を有するデータ・プロセッサにおいて、回路
(50)はさらに、第3信号の補数に応答して第1トラ
ンジスタ(64)の第2電流電極における電圧から出力
信号を与えるか、あるいは第3信号に応答して第2トラ
ンジスタ(65)の第2電流電極における電圧から出力
信号を与える出力手段(54,54’)から成る。
する手段を有するデータ・プロセッサにおいて、回路
(50)はさらに、第3信号の補数に応答して第1トラ
ンジスタ(64)の第2電流電極における電圧から出力
信号を与えるか、あるいは第3信号に応答して第2トラ
ンジスタ(65)の第2電流電極における電圧から出力
信号を与える出力手段(54,54’)から成る。
【0025】さらに本発明の別の例では、検出増幅器
(50)は、第3トランジスタ(60),第4トランジ
スタ(61),第5トランジスタ(62)および第6ト
ランジスタ(63)から構成される手段(60,61,
62,63)を有する。第3トランジスタ(60)は、
電源電圧端子に結合された第1電流電極と、制御電極
と、第1トランジスタ(64)の第2電流電極に結合さ
れた第2電流電極とを有する。第4トランジスタ(6
1)は、電源電圧端子に結合された第1電流電極と、第
3トランジスタ(60)の制御電極に結合された制御電
極と、第2トランジスタ(65)の第2電流電極に結合
された第2電流電極とを有する。第5トランジスタ(6
2)は、第3トランジスタ(60)および第4トランジ
スタ(61)の制御電極に結合された第1電流電極と、
制御信号の補数を受け取る制御電極と、第3トランジス
タ(60)の第2電流電極に結合された第2電流電極と
を有する。第6トランジスタは(63)は、第3トラン
ジスタ(60)および第4トランジスタ(61)の制御
電極に結合された第1電流電極と、制御信号を受け取る
制御電極と、第4トランジスタ(61)の第2電流電極
に結合された第2電流電極とを有する。
(50)は、第3トランジスタ(60),第4トランジ
スタ(61),第5トランジスタ(62)および第6ト
ランジスタ(63)から構成される手段(60,61,
62,63)を有する。第3トランジスタ(60)は、
電源電圧端子に結合された第1電流電極と、制御電極
と、第1トランジスタ(64)の第2電流電極に結合さ
れた第2電流電極とを有する。第4トランジスタ(6
1)は、電源電圧端子に結合された第1電流電極と、第
3トランジスタ(60)の制御電極に結合された制御電
極と、第2トランジスタ(65)の第2電流電極に結合
された第2電流電極とを有する。第5トランジスタ(6
2)は、第3トランジスタ(60)および第4トランジ
スタ(61)の制御電極に結合された第1電流電極と、
制御信号の補数を受け取る制御電極と、第3トランジス
タ(60)の第2電流電極に結合された第2電流電極と
を有する。第6トランジスタは(63)は、第3トラン
ジスタ(60)および第4トランジスタ(61)の制御
電極に結合された第1電流電極と、制御信号を受け取る
制御電極と、第4トランジスタ(61)の第2電流電極
に結合された第2電流電極とを有する。
【0026】本発明のさらに別の例では、検出増幅器
(50)はさらに、第1および第2ノードに結合され、
制御信号がアクティブの場合、第2ノードにおける電圧
に応答して、あるいは制御信号が非アクティブの場合、
第1ノードにおける電圧に応答して出力信号を与える出
力手段(54,54’)から成る。
(50)はさらに、第1および第2ノードに結合され、
制御信号がアクティブの場合、第2ノードにおける電圧
に応答して、あるいは制御信号が非アクティブの場合、
第1ノードにおける電圧に応答して出力信号を与える出
力手段(54,54’)から成る。
【0027】さらに、本発明の別の例では、出力手段
(54,54’)は、第1インバータ(70)と第2イ
ンバータ(71)とから成る。第1インバータ(70)
は、第1ノードに結合された入力端子と、制御信号の補
数を受け取る正のイネーブル入力端子と、制御信号を受
け取る負のイネーブル入力端子と、出力信号を与える出
力端子とを有する。第2インバータ(71)は、第2ノ
ードに結合された入力端子と、制御信号を受け取る正の
イネーブル入力端子と、制御信号の補数を受け取る負の
イネーブル入力端子と、第1インバータ(70)の出力
端子に結合された出力端子とを有する。
(54,54’)は、第1インバータ(70)と第2イ
ンバータ(71)とから成る。第1インバータ(70)
は、第1ノードに結合された入力端子と、制御信号の補
数を受け取る正のイネーブル入力端子と、制御信号を受
け取る負のイネーブル入力端子と、出力信号を与える出
力端子とを有する。第2インバータ(71)は、第2ノ
ードに結合された入力端子と、制御信号を受け取る正の
イネーブル入力端子と、制御信号の補数を受け取る負の
イネーブル入力端子と、第1インバータ(70)の出力
端子に結合された出力端子とを有する。
【図1】論理機能を有する改善された検出増幅器を内蔵
するタグ・キャッシュを備えたデータ・プロセッサのブ
ロック図である。
するタグ・キャッシュを備えたデータ・プロセッサのブ
ロック図である。
【図2】排他的OR関数を有する図1の検出増幅器の概
略図である。
略図である。
【図3】入力AJ が「1」に等しい場合の図2の検出増
幅器に対応する検出増幅器の概略図である。
幅器に対応する検出増幅器の概略図である。
【図4】入力AJ が「0」に等しい場合の図2の回路に
対応する回路の概略図である。
対応する回路の概略図である。
20 データ・プロセッサ 30 タグ・キャッシュ 22 キャッシュ 24 CPU 26 アドレス・バス 28 データ・バス 31 タグ部 32 デコーダ 33 ビット・セル 34 第1ビット・ライン 35 第2ビット・ライン 36 行ライン 37 検出増幅部 38 制御ブロック 39 ANDゲート 40 キャッシュ・アレイ 50 検出増幅器 52 入力部 54 第1出力部 54’ 第2出力部 56 イネーブル部 60,61,62,63 Pチャンネル・トランジスタ 64,65 Nチャンネル・トランジスタ 70,71 3状態インバータ 80 Pチャンネル・トランジスタ 81 Nチャンネル・トランジスタ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11C 15/00 G11C 11/34
Claims (1)
- 【請求項1】データ格納手段を有するデータ・プロセッ
サにおける検出増幅回路(50)であって: 仮想接地ノードに結合された第1電流電極をそれぞれ有
し、かつ制御電極において第1信号および第2信号をそ
れぞれ受け取る第1入力トランジスタ(64)および第
2入力トランジスタ(65); 前記第1トランジスタ(64)の第2電流電極に結合さ
れた第1電流電極と、制御電極と、正の電源電圧端子に
結合された第2電流電極とを有する第3トランジスタ
(60); 前記第2トランジスタ(65)の第2電流電極に結合さ
れた第1電流電極と、前記第3トランジスタ(60)の
前記制御電極に結合された制御電極と、前記正の電源電
圧端子に結合された第2電流電極とを有する第4トラン
ジスタ(61); 前記第1トランジスタ(64),第2トランジスタ(6
5),第3トランジスタ(60)および第4トランジス
タ(61)に結合され、制御信号の相補信号に応答して
前記第3トランジスタ(60)の前記制御電極と前記第
1電流電極とを共に結合し、また前記制御信号に応答し
て前記第4トランジスタ(61)の前記制御電極と前記
第1電流電極とを共に結合する論理手段(62,6
3); によって構成されることを特徴とする検出増幅回路(5
0)。
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