JP2597186Y2 - 通信線路用サージ保護装置 - Google Patents
通信線路用サージ保護装置Info
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- JP2597186Y2 JP2597186Y2 JP1992002955U JP295592U JP2597186Y2 JP 2597186 Y2 JP2597186 Y2 JP 2597186Y2 JP 1992002955 U JP1992002955 U JP 1992002955U JP 295592 U JP295592 U JP 295592U JP 2597186 Y2 JP2597186 Y2 JP 2597186Y2
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- Japan
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- circuit
- surge
- line
- diode
- bridge circuit
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、通信線路に侵入する雷
サージから通信機器等を保護するための通信線路用サー
ジ保護装置に係わり、特に高周波回路及びデジタル回線
等に使用できる通信線路用サージ保護装置に関する。
サージから通信機器等を保護するための通信線路用サー
ジ保護装置に係わり、特に高周波回路及びデジタル回線
等に使用できる通信線路用サージ保護装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、通信線路に接続された通信機器を
通信線路に侵入する雷サージ等の異常高電圧から保護す
るための装置として、通信線路に絶縁トランスを設け、
この絶縁トランスの線路側の線間に一方が接地されたガ
スアレスタを設け、絶縁トランスの機器側の線間にダイ
オードバリスタを設けた通信線路用サージ保護装置が用
いられている。
通信線路に侵入する雷サージ等の異常高電圧から保護す
るための装置として、通信線路に絶縁トランスを設け、
この絶縁トランスの線路側の線間に一方が接地されたガ
スアレスタを設け、絶縁トランスの機器側の線間にダイ
オードバリスタを設けた通信線路用サージ保護装置が用
いられている。
【0003】しかしながら、この種の装置にあっては次
のような問題があった。即ち、2本の線路にそれぞれ別
のガスアレスタが接続されているため、ガスアレスタの
動作電圧(動作遅れ)に差があると線間電圧が発生する
ことがある。また、高周波回線やデジタル回線等に使用
する場合、ダイオードバリスタの静電容量の影響でアド
ミタンスが増加し、伝送損失が生じたり波形歪が生じる
という問題があった。
のような問題があった。即ち、2本の線路にそれぞれ別
のガスアレスタが接続されているため、ガスアレスタの
動作電圧(動作遅れ)に差があると線間電圧が発生する
ことがある。また、高周波回線やデジタル回線等に使用
する場合、ダイオードバリスタの静電容量の影響でアド
ミタンスが増加し、伝送損失が生じたり波形歪が生じる
という問題があった。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】上述のように従来の通
信線路用サージ保護装置は、高周波回線やデジタル回線
にダイオードバリスタを使用する場合、サージ電流耐量
が低下するが静電容量の小さいダイオードバリスタを使
用したり、ガスアレスタの動作遅れによる対策を別に設
ける等することが必要である。このため、サージ電流耐
量不足によるダイオードバリスタの破壊が生じ信頼性を
低下させるという問題があった。
信線路用サージ保護装置は、高周波回線やデジタル回線
にダイオードバリスタを使用する場合、サージ電流耐量
が低下するが静電容量の小さいダイオードバリスタを使
用したり、ガスアレスタの動作遅れによる対策を別に設
ける等することが必要である。このため、サージ電流耐
量不足によるダイオードバリスタの破壊が生じ信頼性を
低下させるという問題があった。
【0005】本考案は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、サージの極性に対して
ガスアレスタを1個のみ動作させるようにして線間電圧
の発生を防ぐと共に、ダイオードバリスタ等の半導体サ
ージ吸収素子を使用しても静電容量に影響され難い高周
波回線及びデジタル回線等に使用可能な通信線路用サー
ジ保護装置を提供することにある。
ので、その目的とするところは、サージの極性に対して
ガスアレスタを1個のみ動作させるようにして線間電圧
の発生を防ぐと共に、ダイオードバリスタ等の半導体サ
ージ吸収素子を使用しても静電容量に影響され難い高周
波回線及びデジタル回線等に使用可能な通信線路用サー
ジ保護装置を提供することにある。
【0006】
【0007】
【課題を解決するための手段】 上記課題を解決するため
に、本考案に係る 通信線路用サージ保護装置は、通信線
路に設けられた絶縁トランスと、この絶縁トランスの線
路側の線間にダイオードブリッジ回路の交流側を接続
し、且つ該ブリッジ回路の整流側端子をそれぞれガスア
レスタを介して接地してなる第1のサージ吸収回路と、
前記絶縁トランスの機器側の線間にダイオードブリッジ
回路の交流側を接続し、且つ該ブリッジ回路の整流側に
半導体サージ吸収素子を接続してなる第2のサージ吸収
回路と、前記絶縁トランスの機器側の線間に前記第2の
サージ吸収回路と直列に接続された誘導性リアクタンス
素子と、前記絶縁トランスの機器側の線間に前記第2の
サージ吸収回路及び前記誘導性リアクタンス素子と直列
に接続され、且つ整流側が短絡されたダイオードブリッ
ジ回路からなる静電容量補償回路とを具備してなること
を特徴とする。
に、本考案に係る 通信線路用サージ保護装置は、通信線
路に設けられた絶縁トランスと、この絶縁トランスの線
路側の線間にダイオードブリッジ回路の交流側を接続
し、且つ該ブリッジ回路の整流側端子をそれぞれガスア
レスタを介して接地してなる第1のサージ吸収回路と、
前記絶縁トランスの機器側の線間にダイオードブリッジ
回路の交流側を接続し、且つ該ブリッジ回路の整流側に
半導体サージ吸収素子を接続してなる第2のサージ吸収
回路と、前記絶縁トランスの機器側の線間に前記第2の
サージ吸収回路と直列に接続された誘導性リアクタンス
素子と、前記絶縁トランスの機器側の線間に前記第2の
サージ吸収回路及び前記誘導性リアクタンス素子と直列
に接続され、且つ整流側が短絡されたダイオードブリッ
ジ回路からなる静電容量補償回路とを具備してなること
を特徴とする。
【0008】
【作用】本考案によれば、第1のサージ吸収回路におい
て、ダイオードブリッジ回路を介して前記関係にガスア
レスタを接続しているので、線間に対し常に1個のガス
アレスタが動作することになり、これによりガスアレス
タの動作差による線間電圧の発生を防止することができ
る。また、第2のサージ吸収回路において、ダイオード
ブリッジ回路を介して半導体サージ吸収素子を接続し、
さらに上記第2のサージ吸収回路と直列に誘導性リアク
タンス素子及び整流側が短絡されたダイオードブリッジ
回路からなる静電容量補償回路を接続することにより、
伝送損失及び波形歪みを改善し、品質良好な伝送及びサ
ージ電流耐量の向上をはかることが可能となる。
て、ダイオードブリッジ回路を介して前記関係にガスア
レスタを接続しているので、線間に対し常に1個のガス
アレスタが動作することになり、これによりガスアレス
タの動作差による線間電圧の発生を防止することができ
る。また、第2のサージ吸収回路において、ダイオード
ブリッジ回路を介して半導体サージ吸収素子を接続し、
さらに上記第2のサージ吸収回路と直列に誘導性リアク
タンス素子及び整流側が短絡されたダイオードブリッジ
回路からなる静電容量補償回路を接続することにより、
伝送損失及び波形歪みを改善し、品質良好な伝送及びサ
ージ電流耐量の向上をはかることが可能となる。
【0009】
【実施例】以下、本考案の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【0010】図1は、本考案の第1の実施例に係わる通
信線路用サージ保護装置を示す回路構成図である。図中
1は通信線路に設けられた絶縁トランスで、この絶縁ト
ランス1は線路側2と機器側3とを絶縁している。絶縁
トランス1の線路側2には第1のサージ吸収回路10が
設けられ、機器側3には第2のサージ吸収回路20が設
けられている。
信線路用サージ保護装置を示す回路構成図である。図中
1は通信線路に設けられた絶縁トランスで、この絶縁ト
ランス1は線路側2と機器側3とを絶縁している。絶縁
トランス1の線路側2には第1のサージ吸収回路10が
設けられ、機器側3には第2のサージ吸収回路20が設
けられている。
【0011】第1のサージ吸収回路10は、次のように
して構成されている。即ち、2個のダイオードの陽極同
士を接続し、この陽極同士の接続中点を含む3端子を構
成した1構成単位とする第1ダイオード回路11と、別
の2個のダイオードの陰極同士を接続しこの陰極同士の
接続中点を含む3端子を構成した1構成単位とする第2
ダイオード回路12と、を組み合わせてダイオードブリ
ッジ回路13を構成する。そして、このダイオードブリ
ッジ回路13の交流側14及び15を線路L1及びL2
にそれぞれ接続する。さらに、整流側16及び17には
ガスアレスタ18及び19を接続し、他方を接地端Eに
接続して第1のサージ吸収回路10が構成されている。
して構成されている。即ち、2個のダイオードの陽極同
士を接続し、この陽極同士の接続中点を含む3端子を構
成した1構成単位とする第1ダイオード回路11と、別
の2個のダイオードの陰極同士を接続しこの陰極同士の
接続中点を含む3端子を構成した1構成単位とする第2
ダイオード回路12と、を組み合わせてダイオードブリ
ッジ回路13を構成する。そして、このダイオードブリ
ッジ回路13の交流側14及び15を線路L1及びL2
にそれぞれ接続する。さらに、整流側16及び17には
ガスアレスタ18及び19を接続し、他方を接地端Eに
接続して第1のサージ吸収回路10が構成されている。
【0012】一方、第2のサージ吸収回路20は、第1
のサージ吸収回路10で用いているダイオードブリッジ
回路13と同様な構成のダイオードブリッジ回路23
と、半導体サージ吸収素子(例えばダイオードバリス
タ、ツェナーダイオード及びアバランシェダイオード
等)29とから構成されている。即ち、ダイオードブリ
ッジ回路23の交流側24及び25は、線路T1及びT
2に誘導性リアクタンス素子28を介してそれぞれ接続
されている。そして、ダイオードブリッジ回路23の整
流側26及び27間には、半導体サージ吸収素子29が
接続されている。次に、このように構成された本装置の
動作を説明する。
のサージ吸収回路10で用いているダイオードブリッジ
回路13と同様な構成のダイオードブリッジ回路23
と、半導体サージ吸収素子(例えばダイオードバリス
タ、ツェナーダイオード及びアバランシェダイオード
等)29とから構成されている。即ち、ダイオードブリ
ッジ回路23の交流側24及び25は、線路T1及びT
2に誘導性リアクタンス素子28を介してそれぞれ接続
されている。そして、ダイオードブリッジ回路23の整
流側26及び27間には、半導体サージ吸収素子29が
接続されている。次に、このように構成された本装置の
動作を説明する。
【0013】線路L1,L2側よりサージが侵入する
と、線路側2に接続された第1のサージ吸収回路10に
おいて、サージの極性に応じてダイオードブリッジ回路
13によりガスアレスタ18又は19が別々に動作す
る。
と、線路側2に接続された第1のサージ吸収回路10に
おいて、サージの極性に応じてダイオードブリッジ回路
13によりガスアレスタ18又は19が別々に動作す
る。
【0014】具体的には、線路L1に正極性のサージが
侵入した場合、線路L1→第1ダイオード回路11→ガ
スアレスタ18→接地Eの通路でサージが吸収される。
線路L1に負極性のサージが侵入した場合、線路L1→
第2ダイオード回路12→ガスアレスタ19→接地Eの
通路でサージが吸収される。また、線路L2に正極性の
サージが侵入した場合は線路L2→第1ダイオード回路
11→ガスアレスタ18→接地Eの通路で、負極性のサ
ージが侵入した場合は線路L2→第2ダイオード回路1
2→ガスアレスタ19→接地Eの通路でサージが吸収さ
れる。
侵入した場合、線路L1→第1ダイオード回路11→ガ
スアレスタ18→接地Eの通路でサージが吸収される。
線路L1に負極性のサージが侵入した場合、線路L1→
第2ダイオード回路12→ガスアレスタ19→接地Eの
通路でサージが吸収される。また、線路L2に正極性の
サージが侵入した場合は線路L2→第1ダイオード回路
11→ガスアレスタ18→接地Eの通路で、負極性のサ
ージが侵入した場合は線路L2→第2ダイオード回路1
2→ガスアレスタ19→接地Eの通路でサージが吸収さ
れる。
【0015】このように、正極及び負極のサージに対し
てガスアレスタ18,19は常にその一方しか動作しな
いので、ガスアレスタ18,19の動作差による線間電
圧の発生はない。
てガスアレスタ18,19は常にその一方しか動作しな
いので、ガスアレスタ18,19の動作差による線間電
圧の発生はない。
【0016】ガスアレスタ18又は19で吸収できない
サージ部分は絶縁トランス1を介して機器側3に侵入す
るが、このサージは第2のサージ吸収回路20の半導体
サージ吸収素子29で吸収されることになり、線路T
1,T2側に接続された通信機器(図示せず)はサージ
から保護される。
サージ部分は絶縁トランス1を介して機器側3に侵入す
るが、このサージは第2のサージ吸収回路20の半導体
サージ吸収素子29で吸収されることになり、線路T
1,T2側に接続された通信機器(図示せず)はサージ
から保護される。
【0017】また、伝送信号は、線路側2より送出され
絶縁トランス1を介して機器側3に伝送されるが、この
とき機器側3に接続された第2のサージ吸収回路20の
半導体サージ吸収素子29の静電容量Cが伝送信号に影
響して波形歪を生じるが、この波形歪は初めのデジタル
回線の1パルスのみ発生し、その後パルスに対して歪を
発生させない。
絶縁トランス1を介して機器側3に伝送されるが、この
とき機器側3に接続された第2のサージ吸収回路20の
半導体サージ吸収素子29の静電容量Cが伝送信号に影
響して波形歪を生じるが、この波形歪は初めのデジタル
回線の1パルスのみ発生し、その後パルスに対して歪を
発生させない。
【0018】即ち、線路T1,T2間に表れる電送信号
の極性は一定である。一方、半導体サージ吸収素子29
は、非動作時においては、端子間に静電容量Cを有して
いる。伝送信号パルスが線路T1,T2間に表れると、
ダイオードブリッジ回路23の回り込み作用により、半
導体サージ吸収素子29の静電容量Cを介して電流が流
れ、静電容量Cは常時、伝送信号の極性によって決まる
極性に充電された状態となる。従って、半導体サージ吸
収素子29が有している静電容量Cへの充電および上記
静電容量Cからの放電に伴って起こり易い伝送信号の歪
みを少なくすることができる。即ち、万一、絶縁トラン
ス1の機器側3にサージが侵入した場合であっても、こ
のサージを第2のサージ吸収回路20で吸収できるとと
もに、サージ吸収回路20を設けたことによって起こり
易い伝送信号歪みの増大を防止することができる。な
お、誘導性リアクタンス素子28は次のように機能す
る。即ち、ダイオードブリッジ回路23は、僅かではあ
るが静電容量を有しており、この静電容量も伝送信号波
形に影響を与える。そこで、この実施例では第2のサー
ジ吸収回路20と直列に誘導性リアクタンス素子28を
設け、この素子でダイオードブリッジ回路23の静電容
量をキャンセルするようにしている。したがって、定常
時における伝送信号の歪みを極めて少なくすることがで
きる。
の極性は一定である。一方、半導体サージ吸収素子29
は、非動作時においては、端子間に静電容量Cを有して
いる。伝送信号パルスが線路T1,T2間に表れると、
ダイオードブリッジ回路23の回り込み作用により、半
導体サージ吸収素子29の静電容量Cを介して電流が流
れ、静電容量Cは常時、伝送信号の極性によって決まる
極性に充電された状態となる。従って、半導体サージ吸
収素子29が有している静電容量Cへの充電および上記
静電容量Cからの放電に伴って起こり易い伝送信号の歪
みを少なくすることができる。即ち、万一、絶縁トラン
ス1の機器側3にサージが侵入した場合であっても、こ
のサージを第2のサージ吸収回路20で吸収できるとと
もに、サージ吸収回路20を設けたことによって起こり
易い伝送信号歪みの増大を防止することができる。な
お、誘導性リアクタンス素子28は次のように機能す
る。即ち、ダイオードブリッジ回路23は、僅かではあ
るが静電容量を有しており、この静電容量も伝送信号波
形に影響を与える。そこで、この実施例では第2のサー
ジ吸収回路20と直列に誘導性リアクタンス素子28を
設け、この素子でダイオードブリッジ回路23の静電容
量をキャンセルするようにしている。したがって、定常
時における伝送信号の歪みを極めて少なくすることがで
きる。
【0019】このように本実施例によれば、ガスアレス
タ18,19をダイオードブリッジ回路13を介して線
路L1,L2に接続しているので、線間に対し常に1個
のガスアレスタが動作することになり、これによりガス
アレスタの動作差による線間電圧の発生を未然に防止す
ることができる。また、半導体サージ吸収素子29をダ
イオードブリッジ回路23を介して線路T1,T2に接
続し、さらに誘導性リアクタンス素子28を接続するこ
とにより、ダイオードバリスタ等の半導体サージ吸収素
子29を使用しても静電容量に影響され難い特性を得る
ことができる。これは高周波回路及びデジタル回路等に
おいても、半導体サージ吸収素子としてサージ電流耐量
の大きなものを使用できることになり、従って伝送損失
及び波形歪みを改善し、品質良好な伝送及びサージ電流
大量の向上をはかることが可能となる。
タ18,19をダイオードブリッジ回路13を介して線
路L1,L2に接続しているので、線間に対し常に1個
のガスアレスタが動作することになり、これによりガス
アレスタの動作差による線間電圧の発生を未然に防止す
ることができる。また、半導体サージ吸収素子29をダ
イオードブリッジ回路23を介して線路T1,T2に接
続し、さらに誘導性リアクタンス素子28を接続するこ
とにより、ダイオードバリスタ等の半導体サージ吸収素
子29を使用しても静電容量に影響され難い特性を得る
ことができる。これは高周波回路及びデジタル回路等に
おいても、半導体サージ吸収素子としてサージ電流耐量
の大きなものを使用できることになり、従って伝送損失
及び波形歪みを改善し、品質良好な伝送及びサージ電流
大量の向上をはかることが可能となる。
【0020】図2は、本考案の第2の実施例に係わる通
信線路用サージ保護装置を示す回路構成図である。な
お、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい
説明は省略する。
信線路用サージ保護装置を示す回路構成図である。な
お、図1と同一部分には同一符号を付して、その詳しい
説明は省略する。
【0021】この実施例が第1の実施例と異なる点は、
絶縁トランス1の機器側3に設けられた第2のサージ吸
収回路20と誘導性リアクタンス素子28との直列回路
に、整流側を短絡したダイオードブリッジ回路33から
なる静電容量補償回路30を直列に接続したことにあ
る。この静電容量補償回路30は必要に応じて1個以上
接続することができる。このように構成することで、半
導体サージ吸収素子29の静電容量Cが影響する信号歪
みをさらに良好に改善できる。
絶縁トランス1の機器側3に設けられた第2のサージ吸
収回路20と誘導性リアクタンス素子28との直列回路
に、整流側を短絡したダイオードブリッジ回路33から
なる静電容量補償回路30を直列に接続したことにあ
る。この静電容量補償回路30は必要に応じて1個以上
接続することができる。このように構成することで、半
導体サージ吸収素子29の静電容量Cが影響する信号歪
みをさらに良好に改善できる。
【0022】また、サージ吸収回路10,20の各ダイ
オードブリッジ回路13,23及び静電容量補償回路3
0のダイオードブリッジ回路33を構成する場合、3端
子を構成した1構成単位とする第1及び第2のダイオー
ド回路を予め用意しておけば、これらの組のみで各サー
ジ吸収回路及び静電容量補償回路のダイオードブリッジ
を容易に構成することができ、在庫管理上も好ましい利
点を有する。
オードブリッジ回路13,23及び静電容量補償回路3
0のダイオードブリッジ回路33を構成する場合、3端
子を構成した1構成単位とする第1及び第2のダイオー
ド回路を予め用意しておけば、これらの組のみで各サー
ジ吸収回路及び静電容量補償回路のダイオードブリッジ
を容易に構成することができ、在庫管理上も好ましい利
点を有する。
【0023】
【考案の効果】以上詳述したように本考案によれば、通
信線路に絶縁トランスを設け、この絶縁トランスの線路
側にダイオードブリッジ回路を構成してガスアレスタを
設けると共に、機器側にはダイオードブリッジ回路を構
成してダイオードバリスタ等の動作遅れのない半導体サ
ージ吸収素子を設けることにより、半導体サージ吸収素
子の静電容量による高周波回線の伝送損失及びデジタル
回線における波形歪の発生を殆ど影響なくすると共に、
サージに対しても電流耐量の向上やサージ吸収特性の向
上が図られる。
信線路に絶縁トランスを設け、この絶縁トランスの線路
側にダイオードブリッジ回路を構成してガスアレスタを
設けると共に、機器側にはダイオードブリッジ回路を構
成してダイオードバリスタ等の動作遅れのない半導体サ
ージ吸収素子を設けることにより、半導体サージ吸収素
子の静電容量による高周波回線の伝送損失及びデジタル
回線における波形歪の発生を殆ど影響なくすると共に、
サージに対しても電流耐量の向上やサージ吸収特性の向
上が図られる。
【図1】第1の実施例に係わる通信線路用サージ保護装
置を示す回路構成図
置を示す回路構成図
【図2】第2の実施例に係わる通信線路用サージ保護装
置を示す回路構成図
置を示す回路構成図
1…絶縁トランス 10…第1のサージ吸収回路 11,12…ダイオード回路 13,23,33…ダイオードブリッジ回路 14,15,24,25…交流側 16,17,26,27…整流側 18,19…ガスアレスタ 20…第2のサージ吸収回路 28…誘導性リアクタンス素子 29…半導体サージ吸収素子 30…整流側が短絡されたダイオードブリッジ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭51−75936(JP,A) 特開 昭58−144530(JP,A) 特開 昭49−77156(JP,A) 特開 昭64−64527(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H02H 9/00 - 9/06
Claims (1)
- 【請求項1】通信線路に設けられた絶縁トランスと、こ
の絶縁トランスの線路側の線間にダイオードブリッジ回
路の交流側を接続し、且つ該ブリッジ回路の整流側端子
をそれぞれガスアレスタを介して接地してなる第1のサ
ージ吸収回路と、前記絶縁トランスの機器側の線間にダ
イオードブリッジ回路の交流側を接続し、且つ該ブリッ
ジ回路の整流側に半導体サージ吸収素子を接続してなる
第2のサージ吸収回路と、前記絶縁トランスの機器側の
線間に前記第2のサージ吸収回路と直列に接続された誘
導性リアクタンス素子と、前記絶縁トランスの機器側の
線間に前記第2のサージ吸収回路及び前記誘導性リアク
タンス素子と直列に接続され、且つ整流側が短絡された
ダイオードブリッジ回路からなる静電容量補償回路とを
具備してなることを特徴とする通信線路用サージ保護装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992002955U JP2597186Y2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 通信線路用サージ保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1992002955U JP2597186Y2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 通信線路用サージ保護装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0562150U JPH0562150U (ja) | 1993-08-13 |
JP2597186Y2 true JP2597186Y2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=11543795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1992002955U Expired - Lifetime JP2597186Y2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 通信線路用サージ保護装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2597186Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4666827B2 (ja) * | 2001-07-25 | 2011-04-06 | 株式会社昭電 | 接地電位差抑制装置 |
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