JP2541489B2 - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

Info

Publication number
JP2541489B2
JP2541489B2 JP5305322A JP30532293A JP2541489B2 JP 2541489 B2 JP2541489 B2 JP 2541489B2 JP 5305322 A JP5305322 A JP 5305322A JP 30532293 A JP30532293 A JP 30532293A JP 2541489 B2 JP2541489 B2 JP 2541489B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire bonding
wire
image
lead
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP5305322A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07161759A (ja
Inventor
隆 河野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP5305322A priority Critical patent/JP2541489B2/ja
Priority to US08/349,522 priority patent/US5516023A/en
Priority to EP94119263A priority patent/EP0657917B1/en
Priority to KR1019940033233A priority patent/KR0155181B1/ko
Priority to DE69418837T priority patent/DE69418837T2/de
Publication of JPH07161759A publication Critical patent/JPH07161759A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2541489B2 publication Critical patent/JP2541489B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/788Means for moving parts
    • H01L2224/78801Lower part of the bonding apparatus, e.g. XY table
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置(以下、I
Cと略す。)の組立に用いるワイヤボンディング装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】ワイヤボンディング装置を用いてICを
組立てるにあたっては、まず図7に示すようにリードフ
レーム11の内部リード5により取り囲まれた領域にI
C素子6がダイボンディングにより固着されている必要
がある。次に、図7に示すIC素子6が固着されたリー
ドフレーム11を用いて、図8及び図10に示すように
リードフレーム11の内部リード5とIC素子6の電極
パッド7とをワイヤ20によりそれぞれ接続している。
図8は、IC素子1個の場合のワイヤボンディングにつ
いて図示したものであるが、実際には、図9に示すよう
に1枚のリードフレーム11に複数のIC素子6が一定
ピッチで連続して配列されている。そしてIC素子毎に
ワイヤボンディングを行うために、IC素子毎に内部リ
ード位置の座標基準となる検出マーク21a,21bが
設けられている。この検出マークとしては、内部リード
5の先端で代用することも可能である。
【0003】ところで、この種のワイヤボンディング装
置においては、一般的には、ボンディングヘッドが搭載
されて水平移動するXYテーブルに検出カメラが固定さ
れ、ボンディングする際に、各IC素子毎にXYテーブ
ルにより検出カメラをIC素子6、或いは個々の内部リ
ード5の真上に移動させて電極パッド7及び内部リード
5の位置座標を検出して記憶させ、次にこの記憶した位
置座標に基づいてXYテーブルによりボンディングヘッ
ドを移動させながらワイヤボンディングを行っていた。
【0004】即ち、まず、XYテーブルを駆動し、検出
カメラによりIC素子6の対象線上の電極パッド7a,
7bの2ケ所を位置検出した後、図11に示すように、
検出カメラを最端部の内部リード5bの検出位置28b
に移動させて、特定の内部リード5bを位置検出する。
次に、検出カメラを内部リード5bと隣接する内部リー
ド5cの検出位置28cに移動させて、その隣接する内
部リード5cを位置検出し、順次、検出カメラを内部リ
ード5の検出位置28に移動させて、残りの内部リード
5を検出し、全ての内部リード5の位置を検出してい
た。
【0005】しかしながら、このようなワイヤボンディ
ング装置では、検出カメラによる電極パッド及び内部リ
ードの座標位置の検出作業と、これらの検出データに基
づいて電極パッドと内部リードとのボンディング作業を
同じに行うことは不可能であり、また、最近のリードフ
レーム,セラミックパッケージ,テープキャリア等の多
数ピンのボンディングでは、内部リードの寸法が微小に
なることから、正規の位置に対する各内部リードの許容
ずれ量も微小にならざるを得ず、正確な内部リードの位
置検出を行うには、多数の内部リードの位置を個々に検
出しなければならず、この多数の内部リード位置検出作
業は、ボンディングの作業性を著しく阻害し、生産性の
向上を困難にしていた。例えば、内部リードの個々の検
出時間は、概ね0.08秒であり、従って、300ピン
程度の多ピンの場合、内部リードの総合検出時間は、概
略1個のICあたり24秒となる。1個のICあたり内
部リードの総合検出時間に24秒を費やすということ
は、ワイヤボンディング装置の分野では、生産性の低下
を招くこととなる。
【0006】このため、例えば図12に示す特開平3−
48434号公報に記載のワイヤボンディング装置で
は、ボンディングツール3を保持したボンディングヘッ
ド4を搭載したXYテーブル2b上に備えた2台の検出
カメラ10c,10dを搭載している。そして一方の検
出カメラ10cを内部リード位置検出用とし、残りの一
台の検出カメラ10cを電極パッド位置検出用として用
いている。内部リード位置検出用カメラ10cは、ボン
ディングステーション13の1ピッチ手前のステーショ
ン12で前述のボンディングツール3からの距離を調整
可能にXYテーブル2b上に配備し、また電極パッド位
置検出用カメラ10dはXYテーブル2b上にボンディ
ング位置に臨ませて固定し、ボンディングと同時に内部
リード側ボンディング点の位置検出を行うようにして全
ての内部リードの位置検出作業を行い、内部リード位置
検出作業とワイヤボンディング作業をオーバーラップさ
せてボンディングの作業性を向上させ、生産性の向上を
図るようにしていた。図12中、1は匡体ベース,9c
は検出カメラ10c,10dの光学系であり、14は画
像処理ユニット,16は制御ユニット,17はITVモ
ニタ,18は支持体,25は信号を示す。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図12に示された従来
のワイヤボンディング装置では、内部リード位置検出を
ワイヤボンディングステーション13の1ピッチ手前の
ステーション12で行うため、リードフレーム,テープ
キャリアのように内部リードが容易に変形しやすいもの
を対象とする場合は、1ピッチ手前からボンディング位
置への搬送により個々の内部リードに変形が生じたとき
に、図13に示すように1ピッチ手前で検出された内部
リードの検出位置5は、実際には、5aのようにずれて
しまう。
【0008】このため、1ピッチ手前で検出された位置
座標のままワイヤボンディングした場合、ボンディング
点が内部リード上から外れてしまい、ボンディングによ
る正常な接続がなされない可能性がある。
【0009】また、一般的に1ピッチ手前のステーショ
ン12でのステージ温度とボンディングステーション1
3でのステージ温度とは、プロセス上、異なるように設
定している場合が多く、この場合、セラミックパッケー
ジを含めて、このステージ間の温度の違いを原因とする
個々の内部リードの熱変形、及び熱膨張を生じて、1ピ
ッチ手前のステーション12における位置検出により得
られた内部リードの個々の位置座標からのずれが、更に
大きくなり、一層ボンディングを困難にしており、ボン
ディングの接続の信頼性を維持することを困難としてい
た。
【0010】また、個々の内部リード,電極パッドの検
出は、ワイヤボンディング時に高速度で移動中のXYテ
ーブルを急停止してから行うため、検出カメラ及びその
支持体に残留振動が残り、その影響を完全に無くすこと
は困難であり、検出の精度を悪化させるという問題もあ
った。
【0011】特に、多数ピンのリードフレーム,テープ
キャリアを対象とする場合は、内部リードの寸法が微小
になることから、内部リード位置に対するボンディング
点の許容ずれ量も微小となり、ボンディングの接続の信
頼性を維持することが著しく困難である。
【0012】例えば、300ピン程度の多ピンの場合に
おける内部リードの寸法(幅)は概略0.10mmであ
り、許容ワイヤボンディングずれ量は概略±0.01m
mである。これに対し、前述の原因による内部リードの
変形量は、概ね±0.02±0.01mmである。
【0013】内部リードへのワイヤボンディング精度
は、 (ワイヤボンディング精度)>(内部リードの変形量) であるから、 (ワイヤボンディング精度)>(許容ワイヤボンディン
グずれ量) となり、従来の方法では、品質を満足させるワイヤボン
ディングを行えない。
【0014】本発明の目的は、内部リードと電極パッド
の検出精度を向上させるとともに、検出作業時間を短縮
させるワイヤボンディング装置を提供することにある。
【0015】
【0016】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るワイヤボンディング装置は、XYテー
ブルと、位置検知部と、制御ユニットとを有し、半導体
素子の電極パッドと該電極パッドとは対をなすリードと
の位置情報に基づいて、電極パッドとリードとをワイヤ
ボンディングツールにより電気的にワイヤボンディング
するワイヤボンディング装置であって、XYテーブル
は、ボンディングヘッドを支持し、該ボンディングヘッ
ドに保持させたワイヤボンディングツールをボンディン
グ位置に移動させるものであり、位置検知部は、ワイヤ
ボンディングを行うためのXYテーブルに備え付けら
れ、撮像エリアを拡大してワイヤボンディングツールに
よるワイヤボンディングの対象となる全ての半導体素子
の電極パッドとリードとを含むエリアを撮像範囲とする
ものであり、撮像範囲内に位置する半導体素子の電極パ
ッドとリードとの画像データを入力として、これらの正
規位置に対するずれを多値化画像情報として制御ユニッ
トに出力するものであり、制御ユニットは、位置検知部
よりの多値化画像情報を入力とし、XYテーブルの移動
量を補正しワイヤボンディングツールを半導体素子の電
極パッドとリードとの正規位置に移行させるものであ
る。
【0017】また、位置検知部は、撮像ユニットと、メ
モリユニットと、画像処理ユニットとを有し、撮像ユニ
ットは、ワイヤボンディングツールによるワイヤボンデ
ィングの対象となる全ての半導体素子の電極パッドとリ
ードとを含むエリアを撮像範囲とし、該撮像範囲内の全
ての電極パッドとリードとの画像データを画像処理ユニ
ットに出力するものであり、メモリユニットは、ワイヤ
ボンディングの対象となる全ての半導体素子の電極パッ
ドとリードとの正規の位置情報を記憶するものであり、
画像処理ユニットは、撮像ユニットよりの画像データを
入力とし、該画像データに基づいて撮像範囲内に含まれ
る全ての半導体素子の電極パッドとリードとの位置を検
出し、その検出した位置データをメモリユニット内の正
規位置データと比較し、正規位置に対するずれを位置情
報として出力するものであることを特徴とする請求項1
又は2に記載のワイヤボンディング装置。
【0018】また、位置検知部は、撮像ユニットと、メ
モリユニットと、画像処理ユニットとを有し、撮像ユニ
ットは、ワイヤボンディングツールによるワイヤボンデ
ィングの対象となる全ての半導体素子の電極パッドとリ
ードとを含むエリアを撮像範囲とし、該撮像範囲内の全
てのリードと少なくとも1つ以上の半導体素子上の電極
パッドの画像データを画像処理ユニットに出力するもの
であり、メモリユニットは、ワイヤボンディングの対象
となる全ての半導体素子の電極パッドとリードとの正規
の位置情報を記憶するものであり、画像処理ユニット
は、撮像ユニットよりの画像データを入力とし、該画像
データに基づいて撮像範囲内に含まれる半導体素子の電
極パッドとリードとの位置を検出し、その検出した位置
データをメモリユニット内の正規位置データと比較し、
正規位置に対するずれを位置情報として出力するもので
ある。ものである。
【0019】
【作用】ボンディングステーション13に搬送されたリ
ードフレーム11のワイヤボンディングを行う対象とな
る全ての内部リードと、IC素子上の電極パッドを含む
エリアを撮像ユニット8aで撮像し、その得られた画像
情報を画像処理ユニット14で処理し、全ての内部リー
ドと、IC素子上の電極パッドの位置検出を行う。上記
位置検出はワイヤボンディング位置で行われるため、リ
ードフレーム,テープキャリア,セラミックパッケージ
等を搬送する必要がなく、搬送を原因とする内部リード
の変形,熱変形,熱膨張,及び撮像ユニットの残留振動
の影響を受けずにすみ、ワイヤボンディングの精度の向
上を図ることができ、また、同時に、検出に要する時間
の短縮も実現することができる。
【0020】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
【0021】(実施例1)図1は、本発明の実施例1に
係るワイヤボンディング装置を示す構成図である。本実
施例では、リードフレームを被ボンディング体にワイヤ
ボンディングを行うワイヤボンディング装置を例にとっ
て説明する。
【0022】図1において、匡体ベース1上に設けられ
た水平方向に移動可能なXYテーブル2a上には、ボン
ディングツール3を保持したボンディングヘッド4が搭
載され、さらにリードフレーム11の内部リード5とI
C素子6上の電極パッド7位置の検出用の撮像ユニット
8aが支持体18を介して固定されている。
【0023】また、リードフレーム11は、匡体ベース
1上に固定された搬送ユニット26上に搬送され、搬送
ユニット26上に治工具により固定されるようになって
いる。
【0024】撮像ユニット8aは図2に示すように、光
学系9aと2台の検出カメラ10a及び10bで構成さ
れる。
【0025】光学系9aは、全ての内部リード5とIC
素子6上の検出マークである電極パッド7a,7bを含
むエリアの画像情報を検出カメラ10a及び10bへ取
り込むためのものである。光学系9aは、その取り込む
べき画像対象エリアが約22mm□と大きいため、収差
等による画像の歪が生じず、かつ、解像度の十分高いレ
ンズ22を使用している。光学系9aのハーフミラー1
9aは光学系9aの下段に設けられ、光源24からの光
線27を被ワイヤボンディング体へ導くためのものであ
る。ハーフミラー19bは、ハーフミラー19aより上
方位置の光学系9aの中段に設けられ、被ワイヤボンデ
ィング体のモニタ用及び電極パッド検出用を兼ねた検出
カメラ10bへ画像情報を取り込むためのものであり、
ハーフミラー19bと検出カメラ10bの間には、拡大
された画像を得るための拡大レンズ23を設けている。
【0026】また検出カメラ10aは、光学系9aの上
段に取り付けられ、IC素子6がダイボンディングされ
たリードフレーム11に対してボンディングツール3に
よりワイヤボンディングが行われるボンディングステー
ション13の位置で、ワイヤボンディングが実行される
直前に、被ワイヤボンディング体のワイヤボンディング
を行う対象となる全ての内部リード5とIC素子6上の
電極パッド7を含むエリアの画像情報を取り込み、得ら
れた画像情報を画像処理ユニット14に転送するもので
ある。
【0027】また検出カメラ10bは、被ワイヤボンデ
ィング体のモニタ用のものであり、電極パッド7の画像
情報を取り込むためのものであり、得られた画像情報
を、画像処理ユニット14に転送するものである。
【0028】画像処理ユニット14は、検出カメラ10
aと検出カメラ10bとから得られた画像情報に基づい
て、個々の内部リード,電極パッドの位置を、あらかじ
めメモリユニット15に記憶されている全ての内部リー
ド5と電極パッド7の個々の正規位置と照合しながら画
像検出することにより、全ての内部リード5と電極パッ
ド7の位置を検出するものである。また、画像処理ユニ
ット14は、あらかじめメモリユニット15に記憶され
ている全ての内部リード5と電極パッド7の正規位置
と、検出された全ての内部リード5と電極パッド7との
位置の差異を求め、この結果を制御ユニット16に転送
するものである。また、この画像処理ユニット14は、
目視用のITVモニタ17にも接続されている。メモリ
ユニット15は、全ての内部リード5と電極パッド7の
正規位置を記憶しておくものである。
【0029】制御ユニット16は、XYテーブル2aの
駆動量を前述の全ての内部リード5と電極パッド7の正
規位置と、検出された全ての内部リード5と電極パッド
7との位置の差異により補正し、補正した後の数値に従
ってXYテーブル2aを駆動しながら、内部リード5と
電極パッド7上にボンディングツール3によりワイヤボ
ンディングを行うものである。
【0030】次に本発明について図3を用いて動作フロ
ーを説明する。
【0031】まず、ステップ1では、ボンディングステ
ーション13に搬送されたダイボンディング済みの被ワ
イヤボンディング体のワイヤボンディングを行う対象と
なる全ての内部リード5とIC素子6上の電極パッド7
とを含むエリアを撮像可能となるように、検出カメラ1
0aが撮像対象エリアの垂線の上のほぼ中心になるよう
にXYテーブル2aを移動する。
【0032】ステップ2では、検出カメラ10aにより
画像情報を取り込む。
【0033】ステップ3では、検出カメラ10aより取
り込んだ画像情報を信号25として画像処理ユニット1
4に転送する。画像処理ユニット14では、得られた画
像情報を、あらかじめメモリユニット15に記憶されて
いる全ての内部リード5の正規位置と照合しながら画像
検出することにより、全ての内部リード5の位置検出を
行う。
【0034】ステップ4では、ワイヤボンディングを行
う対象となるIC素子6上の電極パッド7を撮像可能と
なるように、検出カメラ10bが検出マークである電極
パッド7a,7bの垂線上のほぼ中心になるようにXY
テーブル2aを移動する。
【0035】ステップ5では、検出カメラ10bにより
画像情報を取り込む。
【0036】ステップ6では、検出カメラ10bより取
り込んだ画像情報を画像処理ユニット14に転送する。
画像処理ユニット14では、得られた画像情報を、あら
かじめメモリユニット15に記憶されている検出マーク
である電極パッド7a,7bの正規位置と照合しながら
画像検出することにより、全ての電極パッド7の位置検
出を行う。
【0037】ステップ7では、画像処理ユニット14
が、あらかじめメモリユニット15に記憶されている全
ての内部リード5と電極パッド7の正規位置と、検出さ
れた全ての内部リード5と電極パッド7との位置の差異
を求める。
【0038】ステップ8では、この求められた差異の結
果を制御ユニット16へ転送する。
【0039】ステップ9では、制御ユニット16は、X
Yテーブル2aの駆動量をこの差異により補正した後、
XYテーブル2aを駆動しながらボンディングツール3
により全てのボンディング点についてワイヤボンディン
グを行う。
【0040】以上により、ボンディングステーション1
3に搬送されたダイボンディング済みの被ワイヤボンデ
ィング体のワイヤボンディングを行う対象となる全ての
内部リード5と、IC素子6上の電極パッド7を含むエ
リアを撮像し、得られたエリアの画像を処理し、その位
置検出を行うことにより、ワイヤボンディング精度の向
上を図ることができ、また、検出に要する時間の短縮も
実現することができる。
【0041】例えば、内部リードのボンディング精度
は、検出カメラ10aの図示しない撮像素子に高画素タ
イプの2次元のCCDを使用すると、一辺あたりの画素
は512画素であるため、画像情報の画素数は、512
×512となる。
【0042】また、撮像エリアを、22mm×22mm
とする。
【0043】また、多値化画像処理を行うと、分解能
は、1/10画素(3σ)が得られる。
【0044】従って、次の通りの内部リードの検出精度
を得ることができる。内部リードの検出精度:±22÷
512×1/10(3σ)=±0.004(3σ)m
m。
【0045】以上のことから、内部リードの検出精度
は、300ピン程度の多ピンの場合の内部リードの許容
ワイヤボンディングずれ量と比べると、(内部リードの
検出精度)<<(許容ワイヤボンディングずれ量)のよ
うに、十分な精度であることがわかり、本発明によれ
ば、ボンディング精度の高いワイヤボンディングを行う
ことができる。
【0046】また、前述の撮像エリアの全ての内部リー
ドと電極パッドの総合検出時間は、IC素子1個あたり
3秒である。
【0047】従って、300ピン程度の多ピンの場合、
内部リードの個々の検出時間は、概ね0.01秒とな
る。
【0048】以上により、本発明によれば、検出時間の
短縮ができ、生産性の高いワイヤボンディングを行うこ
とができる。
【0049】(実施例2)次に本発明の実施例2につい
て図面を参照して説明する。図4は、本発明の実施例2
に係るワイヤボンディング装置を示す構成図である。
【0050】匡体ベース1上に設けられた水平方向に移
動可能なXYテーブル2a上には、ボンディングツール
3を保持したボンディングヘッド4が搭載され、さらに
内部リード5とIC素子6上の電極パッド7との位置の
検出用の撮像ユニット8bが支持体18を介して固定さ
れている。
【0051】撮像ユニット8bは図5に示すように、光
学系9bと検出カメラ10aで構成される。
【0052】光学系9aは、全ての内部リード5とIC
素子6上の電極パッド7を含むエリアの画像情報を検出
カメラ10へ取り込むためのものである。光学系9a
は、その取り込むべき画像対象エリアが約22mm□と
大きいため、収差等による画像の歪が生じず、かつ、解
像度の十分高いレンズを使用している。光学系9aのハ
ーフミラー19aは、光源24からの光線27を被ワイ
ヤボンディング体へ導くものである。
【0053】また、検出カメラ10aは光学系9bに取
り付けられ、IC素子6がダイボンディングされたリー
ドフレーム11に対してボンディングツール3によりワ
イヤボンディングが行われるボンディングステーション
13の位置で、ワイヤボンディングが実行される直前
に、被ワイヤボンディング体のワイヤボンディングを行
う対象となる全ての内部リード5とIC素子6上の電極
パッド7を含むエリアの画像情報を取り込み、得られた
画像情報を画像処理ユニット14に転送するものであ
る。
【0054】画像処理ユニット14は、検出カメラ10
aより得られた画像情報に基づいて、個々の内部リー
ド,電極パッドの位置をメモリユニット15に記憶され
ている全ての内部リード5と電極パッド7の個々の正規
位置と照合しながら画像検出することにより、全ての内
部リード5と電極パッド7の位置を検出するものであ
る。また、あらかじめメモリユニット15に記憶されて
いる全ての内部リード5と電極パッド7の正規位置と、
検出された全ての内部リード5と電極パッド7との位置
の差異を求め、この結果を制御ユニット16に転送する
ものである。また、画像処理ユニット14は、目視用の
ITVモニタ17にも接続されている。
【0055】メモリユニット15は、全ての内部リード
5と電極パッド7の正規位置を記憶しておくものであ
る。
【0056】制御ユニット16は、XYテーブル2aの
駆動量を前述の全ての内部リード5と電極パッド7の正
規位置と、検出された全ての内部リード5と電極パッド
7との位置の差異により補正し、補正した後の数値に従
ってXYテーブル2aを駆動しながら内部リード5と電
極パッド7上にボンディングツール3によりワイヤボン
ディングを行うものである。
【0057】次に本発明について図6を用いて動作フロ
ーを説明する。
【0058】まず、ステップ1では、ボンディングステ
ーション13に搬送されたダイボンディング済みの被ワ
イヤボンディング体のワイヤボンディングを行う対象と
なる全ての内部リード5とIC素子6上の検出マークで
ある電極パッド7a,7bを含むエリアを撮像可能とな
るように、検出カメラ10aが撮像対象エリアの垂線上
のほぼ中心になるようにXYテーブル2aを移動する。
【0059】ステップ2では、検出カメラ10aにより
画像情報を取り込む。
【0060】ステップ3では、検出カメラ10aより取
り込んだ画像情報を画像処理ユニット14に転送する。
画像処理ユニット14では、得られた画像情報を、あら
かじめメモリユニット15に記憶されている全ての内部
リード5と検出マークである電極パッド7a,7bの正
規位置と照合しながら画像検出することで、全ての内部
リード5と電極パッド7の位置検出を行う。
【0061】ステップ4では、画像処理ユニット14
が、あらかじめメモリユニット15に記憶されている全
ての内部リード5と電極パッド7の正規位置と、検出さ
れた全ての内部リード5と電極パッド7との位置の差異
を求める。
【0062】ステップ5では、この求められた差異の結
果を制御ユニット16へ転送する。
【0063】ステップ6では、制御ユニット16は、X
Yテーブル2aの駆動量をこの差異により補正した後、
XYテーブル2aを駆動しながらボンディングツール3
により全てのボンディング点についてワイヤボンディン
グを行う。
【0064】以上により、内部リードと電極パッドの検
出用のカメラを同一としたので、検出カメラへ取り込む
際のXYテーブルの動作は1回で済み、精度の向上、及
び検出に要する時間の短縮が実現することができる。
【0065】また、撮像ユニットの構成を単純にでき、
XYテーブル上に搭載される重量が軽くなるたるめ、X
Yテーブルの移動速度を増してボンディング動作の高速
化に有利となる効果がある。
【0066】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ボンディ
ングステーションに搬送されたダイボンディング済みの
被ワイヤボンディング体のワイヤボンディングを行う対
象となる全ての内部リードと、IC素子上の電極パッド
とを含むエリアを撮像し、その得られた画像情報を処理
し、全ての内部リードと、IC素子上の電極パッドとの
位置検出を行うようにしたので、リードフレーム,テー
プキャリア,セラミックパッケージ等において、搬送を
原因とする内部リードの変形,熱変形,熱膨張、及び撮
像ユニットの残留振動の影響を受けずにすみ、ワイヤボ
ンディングの精度の向上を図ることができるとともに、
検出に要する時間の短縮も実現することができるという
効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1を示す構成図である。
【図2】本発明の実施例1における撮像ユニットを示す
構成図である。
【図3】本発明の実施例1に係る動作を示すフローチャ
ートである。
【図4】本発明の実施例2を示す構成図である。
【図5】本発明の実施例2における撮像ユニットを示す
構成図である。
【図6】本発明の実施例2に係る動作を示すフローチャ
ートである。
【図7】ワイヤボンディング前の状態を示す平面図であ
る。
【図8】ワイヤボンディング後の状態を示す平面図であ
る。
【図9】リードフレームの一部を示す平面図である。
【図10】ワイヤボンディング後の状態を示す正面図で
ある。
【図11】従来の内部リードの位置検出方法を示す説明
図である。
【図12】従来例を示す構成図である。
【図13】従来例によるボンディングを示す説明図であ
る。
【符号の説明】
1 匡体ベース 2a,2b XYテーブル 3 ボンディングツール 4 ボンディングヘッド 5,5a,5b,5c 内部リード 6 IC素子 7,7a,7b 電極パッド 8a,8b 撮像ユニット 9a,9b,9c 光学系 10a,10b,10c,10d 検出カメラ 11 リードフレーム 12 1ピッチ手前のステーション 13 ボンディングステーション 14 画像処理ユニット 15 メモリユニット 16 制御ユニット 17 ITVモニタ 18 支持体 19a,19b ハーフミラー 20 ワイヤ 21a,21b 検出マーク 22 レンズ 23 拡大レンズ 24 照明 25 信号 26 搬送ユニット 27 光線 28,28b,28c 内部リードの検出位置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−48434(JP,A) 特開 昭60−150638(JP,A) 特開 平3−131983(JP,A) 特開 平3−9249(JP,A) 特開 平3−195906(JP,A) 特開 平4−301711(JP,A) 特開 平4−355938(JP,A) 特開 平5−165944(JP,A) 特開 平1−265144(JP,A)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 XYテーブルと、位置検知部と、制御ユ
    ニットとを有し、半導体素子の電極パッドと該電極パッ
    ドとは対をなすリードとの位置情報に基づいて、電極パ
    ッドとリードとをワイヤボンディングツールにより電気
    的にワイヤボンディングするワイヤボンディング装置で
    あって、 XYテーブルは、ボンディングヘッドを支持し、該ボン
    ディングヘッドに保持させたワイヤボンディングツール
    をボンディング位置に移動させるものであり、 位置検知部は、ワイヤボンディングを行うためのXYテ
    ーブルに備え付けられ、撮像エリアを拡大してワイヤボ
    ンディングツールによるワイヤボンディングの対象とな
    る全ての半導体素子の電極パッドとリードとを含むエリ
    アを撮像範囲とするものであり、撮像範囲内に位置する
    半導体素子の電極パッドとリードとの画像データを入力
    として、これらの正規位置に対するずれを多値化画像
    報として制御ユニットに出力するものであり、 制御ユニットは、位置検知部よりの多値化画像情報を入
    力とし、XYテーブルの移動量を補正しワイヤボンディ
    ングツールを半導体素子の電極パッドとリードとの正規
    位置に移行させるものであることを特徴とするワイヤボ
    ンディング装置。
  2. 【請求項2】 位置検知部は、撮像ユニットと、メモリ
    ユニットと、画像処理ユニットとを有し、 撮像ユニットは、ワイヤボンディングツールによるワイ
    ヤボンディングの対象となる全ての半導体素子の電極パ
    ッドとリードとを含むエリアを撮像範囲とし、該撮像範
    囲内の全ての電極パッドとリードとの画像データを画像
    処理ユニットに出力するものであり、 メモリユニットは、ワイヤボンディングの対象となる全
    ての半導体素子の電極パッドとリードとの正規の位置情
    報を記憶するものであり、 画像処理ユニットは、撮像ユニットよりの画像データを
    入力とし、該画像データに基づいて撮像範囲内に含まれ
    る全ての半導体素子の電極パッドとリードとの位置を検
    出し、その検出した位置データをメモリユニット内の正
    規位置データと比較し、正規位置に対するずれを位置情
    報として出力するものであることを特徴とする請求項
    記載のワイヤボンディング装置。
  3. 【請求項3】 位置検知部は、撮像ユニットと、メモリ
    ユニットと、画像処理ユニットとを有し、 撮像ユニットは、ワイヤボンディングツールによるワイ
    ヤボンディングの対象となる全ての半導体素子の電極パ
    ッドとリードとを含むエリアを撮像範囲とし、該撮像範
    囲内の全てのリードと少なくとも1つ以上の半導体素子
    上の電極パッドの画像データを画像処理ユニットに出力
    するものであり、 メモリユニットは、ワイヤボンディングの対象となる全
    ての半導体素子の電極パッドとリードとの正規の位置情
    報を記憶するものであり、 画像処理ユニットは、撮像ユニットよりの画像データを
    入力とし、該画像データに基づいて撮像範囲内に含まれ
    る半導体素子の電極パッドとリードとの位置を検出し、
    その検出した位置データをメモリユニット内の正規位置
    データと比較し、正規位置に対するずれを位置情報とし
    て出力するものであることを特徴とする請求項1に記載
    のワイヤボンディング装置。
JP5305322A 1993-12-06 1993-12-06 ワイヤボンディング装置 Expired - Lifetime JP2541489B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5305322A JP2541489B2 (ja) 1993-12-06 1993-12-06 ワイヤボンディング装置
US08/349,522 US5516023A (en) 1993-12-06 1994-12-05 Wire bonding apparatus
EP94119263A EP0657917B1 (en) 1993-12-06 1994-12-06 Wire bonding apparatus
KR1019940033233A KR0155181B1 (ko) 1993-12-06 1994-12-06 와이어 본딩 장치
DE69418837T DE69418837T2 (de) 1993-12-06 1994-12-06 Drahtverbindungseinrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5305322A JP2541489B2 (ja) 1993-12-06 1993-12-06 ワイヤボンディング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07161759A JPH07161759A (ja) 1995-06-23
JP2541489B2 true JP2541489B2 (ja) 1996-10-09

Family

ID=17943718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5305322A Expired - Lifetime JP2541489B2 (ja) 1993-12-06 1993-12-06 ワイヤボンディング装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5516023A (ja)
EP (1) EP0657917B1 (ja)
JP (1) JP2541489B2 (ja)
KR (1) KR0155181B1 (ja)
DE (1) DE69418837T2 (ja)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69534124T2 (de) 1994-04-18 2006-05-04 Micron Technology, Inc. Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Positionieren elektronischer Würfel in Bauteilverpackungen
US20030062889A1 (en) 1996-12-12 2003-04-03 Synaptics (Uk) Limited Position detector
US6249234B1 (en) 1994-05-14 2001-06-19 Absolute Sensors Limited Position detector
WO2000033244A2 (en) 1998-11-27 2000-06-08 Synaptics (Uk) Limited Position sensor
JP3106345B2 (ja) * 1995-10-23 2000-11-06 株式会社新川 ワイヤボンディング装置
US6788221B1 (en) 1996-06-28 2004-09-07 Synaptics (Uk) Limited Signal processing apparatus and method
US5839640A (en) * 1996-10-23 1998-11-24 Texas Instruments Incorporated Multiple-tool wire bonder
EP1852209B1 (en) 1996-11-20 2013-08-14 Ibiden Co., Ltd. Laser machining apparatus for manufacturing a multilayered printed wiring board
US7732732B2 (en) 1996-11-20 2010-06-08 Ibiden Co., Ltd. Laser machining apparatus, and apparatus and method for manufacturing a multilayered printed wiring board
US6068174A (en) 1996-12-13 2000-05-30 Micro)N Technology, Inc. Device and method for clamping and wire-bonding the leads of a lead frame one set at a time
JP3534583B2 (ja) * 1997-01-07 2004-06-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
DE69832274T2 (de) 1997-05-28 2006-08-03 Synaptics (Uk) Ltd., Harston Verfahren und drahtbond-vorrichtung zur herstellung eines wandlers
GB9720954D0 (en) 1997-10-02 1997-12-03 Scient Generics Ltd Commutators for motors
GB9721891D0 (en) 1997-10-15 1997-12-17 Scient Generics Ltd Symmetrically connected spiral transducer
US6363293B1 (en) * 1998-01-05 2002-03-26 Texas Instruments Incorporated Video wire bonded system and method of operation
GB9811151D0 (en) 1998-05-22 1998-07-22 Scient Generics Ltd Rotary encoder
JP2000164626A (ja) * 1998-09-25 2000-06-16 Fuji Photo Film Co Ltd 部品のボンディング方法および装置
US6820792B2 (en) * 1998-09-30 2004-11-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Die bonding equipment
US7019672B2 (en) 1998-12-24 2006-03-28 Synaptics (Uk) Limited Position sensor
JP3757254B2 (ja) * 1999-12-28 2006-03-22 株式会社新川 ボンディング装置およびボンディング方法
JP3416091B2 (ja) * 2000-01-21 2003-06-16 株式会社新川 ボンディング装置およびボンディング方法
US6730998B1 (en) 2000-02-10 2004-05-04 Micron Technology, Inc. Stereolithographic method for fabricating heat sinks, stereolithographically fabricated heat sinks, and semiconductor devices including same
CN1211178C (zh) * 2000-05-04 2005-07-20 德克萨斯仪器股份有限公司 减少集成电路焊接机焊接程序误差的系统与方法
US7069102B2 (en) * 2000-05-16 2006-06-27 Texas Instruments Incorporated System and method to customize bond programs compensating integrated circuit bonder variability
US6426552B1 (en) 2000-05-19 2002-07-30 Micron Technology, Inc. Methods employing hybrid adhesive materials to secure components of semiconductor device assemblies and packages to one another and assemblies and packages including components secured to one another with such hybrid adhesive materials
US6432752B1 (en) * 2000-08-17 2002-08-13 Micron Technology, Inc. Stereolithographic methods for fabricating hermetic semiconductor device packages and semiconductor devices including stereolithographically fabricated hermetic packages
SG97164A1 (en) 2000-09-21 2003-07-18 Micron Technology Inc Individual selective rework of defective bga solder balls
US6708863B2 (en) * 2000-12-21 2004-03-23 Shibaura Mechatronics Corporation Heat bonding method and heat bonding device
JP4467175B2 (ja) * 2000-12-22 2010-05-26 株式会社新川 ボンディングデータ設定装置および方法
WO2002103622A2 (en) 2001-05-21 2002-12-27 Synaptics (Uk) Limited Position sensor
JP2003163236A (ja) * 2001-11-27 2003-06-06 Shinkawa Ltd ワイヤボンディング装置
AU2003232360A1 (en) 2002-06-05 2003-12-22 Synaptics (Uk) Limited Signal transfer method and apparatus
US20040164461A1 (en) * 2002-11-11 2004-08-26 Ahmad Syed Sajid Programmed material consolidation systems including multiple fabrication sites and associated methods
GB0319945D0 (en) 2003-08-26 2003-09-24 Synaptics Uk Ltd Inductive sensing system
US7216009B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Machine vision systems for use with programmable material consolidation system and associated methods and structures
TWI315089B (en) * 2006-10-30 2009-09-21 Advanced Semiconductor Eng Wire-bonding method for wire-bonding apparatus
WO2008139216A2 (en) 2007-05-10 2008-11-20 Cambridge Integrated Circuits Limited Transducer
JP4264458B1 (ja) * 2008-06-13 2009-05-20 株式会社新川 圧着ボール径検出装置および方法
US20100072262A1 (en) * 2008-09-23 2010-03-25 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding method
JP2011086880A (ja) * 2009-10-19 2011-04-28 Advantest Corp 電子部品実装装置および電子部品の実装方法
GB2488389C (en) 2010-12-24 2018-08-22 Cambridge Integrated Circuits Ltd Position sensing transducer
GB2503006B (en) 2012-06-13 2017-08-09 Cambridge Integrated Circuits Ltd Position sensing transducer
US11540399B1 (en) * 2020-04-09 2022-12-27 Hrl Laboratories, Llc System and method for bonding a cable to a substrate using a die bonder

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2643810C2 (de) * 1976-09-29 1983-08-11 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Einjustieren
JPS5434670A (en) * 1977-08-22 1979-03-14 Nec Corp Freqency discriminator
JPS5681950A (en) * 1979-12-07 1981-07-04 Toshiba Corp Position detecting method
JPS5750058A (en) * 1980-09-10 1982-03-24 Usac Electronics Ind Co Ltd Debugging method by instruction exchange
JPS603777A (ja) * 1983-06-21 1985-01-10 Omron Tateisi Electronics Co プログラムの分割実行方法
JPS60150638A (ja) * 1984-01-18 1985-08-08 Marine Instr Co Ltd ワイヤボンデイング装置
US4763827A (en) * 1984-08-13 1988-08-16 Hitachi, Ltd. Manufacturing method
US4674670A (en) * 1984-08-13 1987-06-23 Hitachi, Ltd. Manufacturing apparatus
US4759073A (en) * 1985-11-15 1988-07-19 Kulicke & Soffa Industries, Inc. Bonding apparatus with means and method for automatic calibration using pattern recognition
JPS6359248A (ja) * 1986-08-29 1988-03-15 Nec Corp 着信呼転送方式
JPH0267739A (ja) * 1988-09-01 1990-03-07 Mitsubishi Electric Corp ダイボンディング方法とその装置
US5030008A (en) * 1988-10-11 1991-07-09 Kla Instruments, Corporation Method and apparatus for the automated analysis of three-dimensional objects
JP2534912B2 (ja) * 1989-07-17 1996-09-18 株式会社カイジョー ワイヤボンディング装置
JPH0793340B2 (ja) * 1989-08-18 1995-10-09 株式会社東芝 半導体装置の配線接続装置
US5097406A (en) * 1989-10-03 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Lead frame lead located for wire bonder
JP2851151B2 (ja) * 1990-10-12 1999-01-27 株式会社東芝 ワイヤボンディング検査装置
JPH04205574A (ja) * 1990-11-30 1992-07-27 Nec Kansai Ltd パターン認識方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5516023A (en) 1996-05-14
KR0155181B1 (ko) 1998-12-01
DE69418837T2 (de) 2000-01-13
EP0657917B1 (en) 1999-06-02
EP0657917A1 (en) 1995-06-14
KR950021294A (ko) 1995-07-26
DE69418837D1 (de) 1999-07-08
JPH07161759A (ja) 1995-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2541489B2 (ja) ワイヤボンディング装置
US6389688B1 (en) Method and apparatus for chip placement
JP2006324599A (ja) ダイボンダ用撮像装置
JP3009564B2 (ja) ワイヤボンディング装置及びその方法
KR100412109B1 (ko) 본딩장치 및 본딩방법
US6250534B1 (en) Wire bonding method
KR20040071590A (ko) 다이본딩 방법 및 장치
KR100186239B1 (ko) 와이어 굽힘 검사방법 및 장치
JPH07142530A (ja) ボンデイング座標のティーチング方法及びティーチング手段
TWI786739B (zh) 晶粒接合裝置及半導體裝置之製造方法
JP4124554B2 (ja) ボンディング装置
JPH11214428A (ja) ボンディング装置
JP3686064B2 (ja) ボンディング方法及びボンディング装置
JP2023041413A (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
KR100231835B1 (ko) 와이어본딩장치
JPH0951030A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH07302825A (ja) ワイヤボンディング検査装置
JP5941707B2 (ja) ダイボンディング方法及びそれを用いたダイボンダ
JPH0894319A (ja) 画像認識による位置補正方法、およびその装置
JP2769199B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2022145998A (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP4447101B2 (ja) 画像処理によるボンディング状態の検査方法およびこれを利用した検査機能付きワイヤボンディング装置
JPH11330139A (ja) ボンディング装置
JPH07273163A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH05114624A (ja) ワイヤーボンデイング方法とその装置