JPH07273163A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定したボンディングワイヤーの接続を可能
とする半導体装置の製造方法を提供すること。 【構成】 先ず一の基台と半導体素子との接続を行った
ボンディングワイヤーの陰影を受光装置にて取り込み
（ステップ１ａ）、次いでその取り込み画像に基づいて
ボンディングワイヤーの接続状態を検査し（ステップ１
ｂ）、基準との比較を行って（ステップ１ｃ）検査結果
を求める。次にこの検査結果がＯＫであるか否かを判断
し（ステップ１ｄ）、Ｙｅｓである場合には次の基台に
対してそのまま接続を続行し（ステップ１ｅ）、Ｎｏで
ある場合には次の基台に対して条件補正を行うようにす
る（ステップ１ｆ）。
とする半導体装置の製造方法を提供すること。 【構成】 先ず一の基台と半導体素子との接続を行った
ボンディングワイヤーの陰影を受光装置にて取り込み
（ステップ１ａ）、次いでその取り込み画像に基づいて
ボンディングワイヤーの接続状態を検査し（ステップ１
ｂ）、基準との比較を行って（ステップ１ｃ）検査結果
を求める。次にこの検査結果がＯＫであるか否かを判断
し（ステップ１ｄ）、Ｙｅｓである場合には次の基台に
対してそのまま接続を続行し（ステップ１ｅ）、Ｎｏで
ある場合には次の基台に対して条件補正を行うようにす
る（ステップ１ｆ）。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基台と半導体素子とを
ボンディングワイヤーにて接続して成る半導体装置の製
造方法に関する。
ボンディングワイヤーにて接続して成る半導体装置の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、所定の回路パターンが形
成されたチップ状の半導体素子をリードフレーム等の基
台上に搭載した後、半導体素子の電極パッドとリードフ
レームのインナーリード部とをボンディングワイヤーに
て接続し、半導体素子およびボンディングワイヤーを樹
脂等にて封止することで製造される。
成されたチップ状の半導体素子をリードフレーム等の基
台上に搭載した後、半導体素子の電極パッドとリードフ
レームのインナーリード部とをボンディングワイヤーに
て接続し、半導体素子およびボンディングワイヤーを樹
脂等にて封止することで製造される。
【０００３】近年では、半導体装置の薄型化を図る観点
から封止樹脂の厚さが薄くなり、これにともなってボン
ディングワイヤーのループ高さを低くかつ均一に管理す
ることが要求されている。このため、ボンディングワイ
ヤーのループ高さを正確に測定することが半導体装置の
製造における重要な要素となる。図６は、従来の半導体
装置の製造方法におけるボンディングワイヤーのループ
高さの測定例を示している。すなわち、この測定方法
は、半導体素子１０とインナーリード部１２ｂとをボン
ディングワイヤー１１にて接続した状態で所定の位置に
配置し、上方から光学レンズ７１を介して実体顕微鏡等
によりその映像をとらえることでループ高さＨの測定を
行う。
から封止樹脂の厚さが薄くなり、これにともなってボン
ディングワイヤーのループ高さを低くかつ均一に管理す
ることが要求されている。このため、ボンディングワイ
ヤーのループ高さを正確に測定することが半導体装置の
製造における重要な要素となる。図６は、従来の半導体
装置の製造方法におけるボンディングワイヤーのループ
高さの測定例を示している。すなわち、この測定方法
は、半導体素子１０とインナーリード部１２ｂとをボン
ディングワイヤー１１にて接続した状態で所定の位置に
配置し、上方から光学レンズ７１を介して実体顕微鏡等
によりその映像をとらえることでループ高さＨの測定を
行う。
【０００４】ループ高さＨの測定を行うには、先ず、光
学レンズ７１の焦点を半導体素子１０の表面すなわちボ
ンディングワイヤー１１のファーストボンド部と同じ高
さである図中Ａ点に合わせその焦点距離ＨＡを計測す
る。次に、光学レンズ７１の焦点をボンディングワイヤ
ー１１の最上部である図中Ｂ点に合わせその焦点距離Ｈ
Ｂを計測する。そして、各々計測した図中Ａ点の焦点距
離ＨＡと図中Ｂ点の焦点距離ＨＢとの差を求めることで
ボンディングワイヤー１１のループ高さＨを算出する。
このようにしてボンディングワイヤー１１のループ高さ
Ｈを求めた後、この高さが基準範囲内に収まっているか
どうかを判定するようにしている。
学レンズ７１の焦点を半導体素子１０の表面すなわちボ
ンディングワイヤー１１のファーストボンド部と同じ高
さである図中Ａ点に合わせその焦点距離ＨＡを計測す
る。次に、光学レンズ７１の焦点をボンディングワイヤ
ー１１の最上部である図中Ｂ点に合わせその焦点距離Ｈ
Ｂを計測する。そして、各々計測した図中Ａ点の焦点距
離ＨＡと図中Ｂ点の焦点距離ＨＢとの差を求めることで
ボンディングワイヤー１１のループ高さＨを算出する。
このようにしてボンディングワイヤー１１のループ高さ
Ｈを求めた後、この高さが基準範囲内に収まっているか
どうかを判定するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金など
の金属性のワイヤーから成るボンディングワイヤーに光
が当たると表面の光沢によって不要な反射が発生し、部
分的に強い光が実体顕微鏡に入ることになる。特に、湾
曲するループ部分では光の反射によるコントラストが強
くなり、光学レンズの焦点を正確に合わせるのが困難と
なる。ループ高さを測定する場合にはこのような状態で
焦点合わせを行わなければならず、オペレータの個人差
によって測定値がばらついてしまう。このような焦点合
わせの困難性によって半導体装置の製造歩留り低下を招
くとともに、ループ高さの測定値ばらつきによるボンデ
ィングワイヤーの管理の質の低下をもたらし半導体装置
の品質低下を招くことになる。
の金属性のワイヤーから成るボンディングワイヤーに光
が当たると表面の光沢によって不要な反射が発生し、部
分的に強い光が実体顕微鏡に入ることになる。特に、湾
曲するループ部分では光の反射によるコントラストが強
くなり、光学レンズの焦点を正確に合わせるのが困難と
なる。ループ高さを測定する場合にはこのような状態で
焦点合わせを行わなければならず、オペレータの個人差
によって測定値がばらついてしまう。このような焦点合
わせの困難性によって半導体装置の製造歩留り低下を招
くとともに、ループ高さの測定値ばらつきによるボンデ
ィングワイヤーの管理の質の低下をもたらし半導体装置
の品質低下を招くことになる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成された半導体装置の製造方法であ
る。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、一の
基台と半導体素子とをボンディングワイヤーを介して所
定の条件にて接続した後、その接続状態の検査結果に基
づき一の基台の後の基台と半導体素子との接続を行う方
法であり、先ず、一の基台と半導体素子との接続を行っ
たボンディングワイヤーに光を照射してそのボンディン
グワイヤーの陰影を受光装置にて取り込み、次いで、そ
の取り込み画像に基づいてボンディングワイヤーの接続
状態を検査して検査結果を求める。次に、この検査結果
に基づいて一の基台の後の基台と半導体素子とのボンデ
ィングワイヤーによる接続での条件補正を行って半導体
装置を製造する。
題を解決するために成された半導体装置の製造方法であ
る。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、一の
基台と半導体素子とをボンディングワイヤーを介して所
定の条件にて接続した後、その接続状態の検査結果に基
づき一の基台の後の基台と半導体素子との接続を行う方
法であり、先ず、一の基台と半導体素子との接続を行っ
たボンディングワイヤーに光を照射してそのボンディン
グワイヤーの陰影を受光装置にて取り込み、次いで、そ
の取り込み画像に基づいてボンディングワイヤーの接続
状態を検査して検査結果を求める。次に、この検査結果
に基づいて一の基台の後の基台と半導体素子とのボンデ
ィングワイヤーによる接続での条件補正を行って半導体
装置を製造する。
【０００７】また、陰影の取り込み画像に基づき一の基
台と半導体素子とを接続するボンディングワイヤーのル
ープ高さを測定し、その測定高さと基準高さとの差に基
づいて後の基台と半導体素子とのボンディングワイヤー
による接続での条件補正を行ったり、陰影の取り込み画
像に基づき一の基台と半導体素子とを接続するボンディ
ングワイヤーのたるみを測定し、その測定したたるみの
大きさが基準よりも大きい場合には後の基台と半導体素
子とのボンディングワイヤーによる接続をそのたるみが
無くなるように条件補正するようにした半導体装置の製
造方法でもある。
台と半導体素子とを接続するボンディングワイヤーのル
ープ高さを測定し、その測定高さと基準高さとの差に基
づいて後の基台と半導体素子とのボンディングワイヤー
による接続での条件補正を行ったり、陰影の取り込み画
像に基づき一の基台と半導体素子とを接続するボンディ
ングワイヤーのたるみを測定し、その測定したたるみの
大きさが基準よりも大きい場合には後の基台と半導体素
子とのボンディングワイヤーによる接続をそのたるみが
無くなるように条件補正するようにした半導体装置の製
造方法でもある。
【０００８】
【作用】本発明の半導体装置の製造方法では、一の基台
と半導体素子とを接続するボンディングワイヤーの陰影
を受光装置にて取り込み、その取り込み画像に基づいて
ボンディングワイヤーの接続状態を検査している。すな
わち、ボンディングワイヤーの陰影を受光装置にて取り
込んでいるため、取り込み画像上において一律の条件で
ボンディングワイヤーの位置を認識できるようになり正
確な測定を行うことができる。また、この検査結果に基
づいて後の基台と半導体素子とのボンディングワイヤー
による接続での条件補正を行うため、常に安定した接続
状態を維持することができる。
と半導体素子とを接続するボンディングワイヤーの陰影
を受光装置にて取り込み、その取り込み画像に基づいて
ボンディングワイヤーの接続状態を検査している。すな
わち、ボンディングワイヤーの陰影を受光装置にて取り
込んでいるため、取り込み画像上において一律の条件で
ボンディングワイヤーの位置を認識できるようになり正
確な測定を行うことができる。また、この検査結果に基
づいて後の基台と半導体素子とのボンディングワイヤー
による接続での条件補正を行うため、常に安定した接続
状態を維持することができる。
【０００９】また、陰影の取り込み画像に基づきボンデ
ィングワイヤーのループ高さやボンディングワイヤーの
たるみを測定し、これらの測定値と基準値との比較によ
って後の基台と半導体素子との接続における条件を補正
することで、ボンディングワイヤーによる接続状態が一
定となるよう管理できることになる。
ィングワイヤーのループ高さやボンディングワイヤーの
たるみを測定し、これらの測定値と基準値との比較によ
って後の基台と半導体素子との接続における条件を補正
することで、ボンディングワイヤーによる接続状態が一
定となるよう管理できることになる。
【００１０】
【実施例】以下に、本発明の半導体装置の製造方法にお
ける実施例を図に基づいて説明する。図１は本発明の半
導体装置の製造方法を説明する図で、（ａ）はフローチ
ャート、（ｂ）はシステム構成である。すなわち、本発
明の半導体装置の製造方法は、主としてワイヤーボンダ
１により基台であるリードフレーム等のアウターリード
部と半導体素子の電極パッドとのボンディングワイヤー
による接続を行った後、ワイヤー検査装置２によってボ
ンディングワイヤーの接続状態を検査して、その検査結
果に基づきワイヤーボンダ１における接続条件の補正を
行うものである。
ける実施例を図に基づいて説明する。図１は本発明の半
導体装置の製造方法を説明する図で、（ａ）はフローチ
ャート、（ｂ）はシステム構成である。すなわち、本発
明の半導体装置の製造方法は、主としてワイヤーボンダ
１により基台であるリードフレーム等のアウターリード
部と半導体素子の電極パッドとのボンディングワイヤー
による接続を行った後、ワイヤー検査装置２によってボ
ンディングワイヤーの接続状態を検査して、その検査結
果に基づきワイヤーボンダ１における接続条件の補正を
行うものである。
【００１１】このため、図１（ｂ）に示すようなシステ
ム構成としてはワイヤーボンダ１の後にワイヤー検査装
置２が配置されるとともに、ワイヤー検査装置２からの
検査結果がワイヤーボンダ１にフィードバックできるよ
うな状態となっている。次に、このようなシステム構成
における半導体装置の製造方法の概要を図１（ａ）に沿
って説明する。
ム構成としてはワイヤーボンダ１の後にワイヤー検査装
置２が配置されるとともに、ワイヤー検査装置２からの
検査結果がワイヤーボンダ１にフィードバックできるよ
うな状態となっている。次に、このようなシステム構成
における半導体装置の製造方法の概要を図１（ａ）に沿
って説明する。
【００１２】先ず、ステップ１ａに示すように、一のリ
ードフレームと半導体素子との接続を行ったボンディン
グワイヤーの陰影の取り込み処理を行う。次に、ステッ
プ１ｂに示すように、ボンディングワイヤーの陰影の取
り込み画像に基づき、ワイヤー検査装置２の測定部２１
にてボンディングワイヤーのループ高さやたるみ等の接
続状態を検査する。次いで、ステップ１ｃに示すよう
に、接続状態の検査結果と予め設定された基準との比較
をワイヤー検査装置２の演算部２２にて行い、ステップ
１ｄにてその比較結果がＯＫであるか否かを判断する。
ードフレームと半導体素子との接続を行ったボンディン
グワイヤーの陰影の取り込み処理を行う。次に、ステッ
プ１ｂに示すように、ボンディングワイヤーの陰影の取
り込み画像に基づき、ワイヤー検査装置２の測定部２１
にてボンディングワイヤーのループ高さやたるみ等の接
続状態を検査する。次いで、ステップ１ｃに示すよう
に、接続状態の検査結果と予め設定された基準との比較
をワイヤー検査装置２の演算部２２にて行い、ステップ
１ｄにてその比較結果がＯＫであるか否かを判断する。
【００１３】すなわち、検査結果が所定の基準範囲内に
収まっている場合にはボンディングワイヤーの接続状態
が良好であると判断し「Ｙｅｓ」となる。一方、検査結
果が所定の基準範囲内に収まっていない場合にはボンデ
ィングワイヤーの接続状態が不良であると判断し「Ｎ
ｏ」となる。ステップ１ｄで「Ｙｅｓ」となった場合に
は次のステップ１ｅへ進み、そのままの接続条件で次の
リードフレームと半導体素子とのボンディングワイヤー
による接続をワイヤーボンダ１にて続行する。また、ス
テップ１ｄで「Ｎｏ」となった場合にはステップ１ｆへ
進み、検査結果に基づいた条件補正を行うようワイヤー
検査装置２からワイヤーボンダ１に対してフィードバッ
クをかける。そして、この条件補正の後にステップ１ｅ
へ進み次のリードフレームと半導体素子とのボンディン
グワイヤーによる接続をワイヤーボンダ１にて行う。
収まっている場合にはボンディングワイヤーの接続状態
が良好であると判断し「Ｙｅｓ」となる。一方、検査結
果が所定の基準範囲内に収まっていない場合にはボンデ
ィングワイヤーの接続状態が不良であると判断し「Ｎ
ｏ」となる。ステップ１ｄで「Ｙｅｓ」となった場合に
は次のステップ１ｅへ進み、そのままの接続条件で次の
リードフレームと半導体素子とのボンディングワイヤー
による接続をワイヤーボンダ１にて続行する。また、ス
テップ１ｄで「Ｎｏ」となった場合にはステップ１ｆへ
進み、検査結果に基づいた条件補正を行うようワイヤー
検査装置２からワイヤーボンダ１に対してフィードバッ
クをかける。そして、この条件補正の後にステップ１ｅ
へ進み次のリードフレームと半導体素子とのボンディン
グワイヤーによる接続をワイヤーボンダ１にて行う。
【００１４】以上の処理をワイヤーボンダ１からワイヤ
ー検査装置２に送られるリードフレーム毎に行い、その
後のリードフレームへの接続条件を逐次管理する。これ
によって、ワイヤーボンダ１によるボンディングワイヤ
ーの接続状態を常に安定させることができる。
ー検査装置２に送られるリードフレーム毎に行い、その
後のリードフレームへの接続条件を逐次管理する。これ
によって、ワイヤーボンダ１によるボンディングワイヤ
ーの接続状態を常に安定させることができる。
【００１５】次に、本発明の半導体装置の製造方法で使
用するワイヤー検査装置２の説明を行う。図２は、ワイ
ヤー検査装置２を説明する概略図で、（ａ）は側面図、
（ｂ）は平面図である。図２（ａ）に示すように、この
ワイヤー検査装置２はワイヤーボンダ１（図１（ｂ）参
照）から送られるリードフレーム１２をステージ２３上
に配置した状態で、ラインセンサ等から成るＣＣＤセン
サ６１、６２によってボンディングワイヤー１１の陰影
を取り込むものである。
用するワイヤー検査装置２の説明を行う。図２は、ワイ
ヤー検査装置２を説明する概略図で、（ａ）は側面図、
（ｂ）は平面図である。図２（ａ）に示すように、この
ワイヤー検査装置２はワイヤーボンダ１（図１（ｂ）参
照）から送られるリードフレーム１２をステージ２３上
に配置した状態で、ラインセンサ等から成るＣＣＤセン
サ６１、６２によってボンディングワイヤー１１の陰影
を取り込むものである。
【００１６】このため、ワイヤー検査装置２はステージ
２３上に配置されるリードフレーム１２に接続された半
導体素子１０およびボンディングワイヤー１１の側方に
光源３１、３２、ハーフミラー４１、４２、レンズ５
１、５２およびＣＣＤセンサ６１、６２を備えている。
２３上に配置されるリードフレーム１２に接続された半
導体素子１０およびボンディングワイヤー１１の側方に
光源３１、３２、ハーフミラー４１、４２、レンズ５
１、５２およびＣＣＤセンサ６１、６２を備えている。
【００１７】また、例えば図２（ｂ）に示すように略四
角形の半導体素子１０の各辺からリードフレーム１２に
対してボンディングワイヤー１１による接続が成されて
いる場合には、ワイヤー検査装置２は半導体素子１０の
各辺側に対応して光源３１〜３４、ハーフミラー４１〜
４４、レンズ５１〜５４およびＣＣＤセンサ（図２
（ｂ）には示されない）をそれぞれ備えている。
角形の半導体素子１０の各辺からリードフレーム１２に
対してボンディングワイヤー１１による接続が成されて
いる場合には、ワイヤー検査装置２は半導体素子１０の
各辺側に対応して光源３１〜３４、ハーフミラー４１〜
４４、レンズ５１〜５４およびＣＣＤセンサ（図２
（ｂ）には示されない）をそれぞれ備えている。
【００１８】次に、このワイヤー検査装置２を用いたボ
ンディングワイヤー１１の陰影の取り込みについて説明
する。先ず、ワイヤーボンダ１（図１（ｂ）参照）から
送られたリードフレーム１２をワイヤー検査装置２のス
テージ２３上に配置した後、光源３１〜３４を点灯して
ボンディングワイヤー１１に照射する。
ンディングワイヤー１１の陰影の取り込みについて説明
する。先ず、ワイヤーボンダ１（図１（ｂ）参照）から
送られたリードフレーム１２をワイヤー検査装置２のス
テージ２３上に配置した後、光源３１〜３４を点灯して
ボンディングワイヤー１１に照射する。
【００１９】例えば、図２（ａ）に示す半導体素子１０
に対して右側（以下、単に右側という）のボンディング
ワイヤー１１の陰影を取り込むには、半導体素子１０に
対して左側（以下、単に左側という）に配置された光源
３１からの光を用いる。すなわち、光源３１から出射し
た光をハーフミラー４１を通過させて右側のボンディン
グワイヤー１１に当て、その際に生じる陰影をハーフミ
ラー４２によって上方に反射し、レンズ５２を介してＣ
ＣＤセンサ６２にて取り込む。
に対して右側（以下、単に右側という）のボンディング
ワイヤー１１の陰影を取り込むには、半導体素子１０に
対して左側（以下、単に左側という）に配置された光源
３１からの光を用いる。すなわち、光源３１から出射し
た光をハーフミラー４１を通過させて右側のボンディン
グワイヤー１１に当て、その際に生じる陰影をハーフミ
ラー４２によって上方に反射し、レンズ５２を介してＣ
ＣＤセンサ６２にて取り込む。
【００２０】一方、左側のボンディングワイヤー１１の
陰影を取り込むには、右側に配置された光源３２から光
を用いる。つまり、光源３２から出射した光をハーフミ
ラー４２を通過させて左側のボンディングワイヤー１１
に当て、その際に生じる陰影をハーフミラー４１によっ
て上方に反射し、レンズ５１を介してＣＣＤセンサ６１
にて取り込む。
陰影を取り込むには、右側に配置された光源３２から光
を用いる。つまり、光源３２から出射した光をハーフミ
ラー４２を通過させて左側のボンディングワイヤー１１
に当て、その際に生じる陰影をハーフミラー４１によっ
て上方に反射し、レンズ５１を介してＣＣＤセンサ６１
にて取り込む。
【００２１】このように、取り込み対象となるボンディ
ングワイヤー１１が配置される反対側の光源からの光に
よってそのボンディングワイヤー１１の陰影を生成し、
ＣＣＤセンサ６１またはＣＣＤセンサ６２にて取り込む
ようにする。なお、読み取り対象となるボンディングワ
イヤー１１の陰影を取り込む場合には、レンズ５１〜５
４によってそのボンディングワイヤー１１にのみ焦点が
合うように設定しておけば、反対側（半導体素子１０に
対して反対側）に配置されたボンディングワイヤー１１
による陰影の影響を排除できる。
ングワイヤー１１が配置される反対側の光源からの光に
よってそのボンディングワイヤー１１の陰影を生成し、
ＣＣＤセンサ６１またはＣＣＤセンサ６２にて取り込む
ようにする。なお、読み取り対象となるボンディングワ
イヤー１１の陰影を取り込む場合には、レンズ５１〜５
４によってそのボンディングワイヤー１１にのみ焦点が
合うように設定しておけば、反対側（半導体素子１０に
対して反対側）に配置されたボンディングワイヤー１１
による陰影の影響を排除できる。
【００２２】図３は、このような取り込みによる陰影の
取り込み画像を示す図である。取り込み画像には、半導
体素子１０の陰影およびその一辺側のボンディングワイ
ヤー（例えばボンディングワイヤー１１ａ〜１１ｄ）の
陰影とが映し出される（図中斜線部分）。つまり、陰影
では表面に光沢のあるボンディングワイヤー１１ａ〜１
１ｄからの光の反射の影響を受けることなくボンディン
グワイヤー１１ａ〜１１ｄの画像上での認識を行うこと
ができる。
取り込み画像を示す図である。取り込み画像には、半導
体素子１０の陰影およびその一辺側のボンディングワイ
ヤー（例えばボンディングワイヤー１１ａ〜１１ｄ）の
陰影とが映し出される（図中斜線部分）。つまり、陰影
では表面に光沢のあるボンディングワイヤー１１ａ〜１
１ｄからの光の反射の影響を受けることなくボンディン
グワイヤー１１ａ〜１１ｄの画像上での認識を行うこと
ができる。
【００２３】この取り込み画像からボンディングワイヤ
ー１１ａ〜１１ｄのループ高さを測定するには、陰影の
半導体素子１０の表面を基準としてボンディングワイヤ
ー１１ａ〜１１ｄの最上部の位置までの距離Ｈ１〜Ｈ４
をそれぞれ計測する。計測を行うには、例えば取り込み
画像を２値化処理してボンディングワイヤー１１ａ〜１
１ｄの陰影の画素数および取り込み倍率から換算する。
これによってボンディングワイヤー１１ａ〜１１ｄのル
ープ高さである距離Ｈ１〜Ｈ４を正確にしかも精度良く
測定することができる。
ー１１ａ〜１１ｄのループ高さを測定するには、陰影の
半導体素子１０の表面を基準としてボンディングワイヤ
ー１１ａ〜１１ｄの最上部の位置までの距離Ｈ１〜Ｈ４
をそれぞれ計測する。計測を行うには、例えば取り込み
画像を２値化処理してボンディングワイヤー１１ａ〜１
１ｄの陰影の画素数および取り込み倍率から換算する。
これによってボンディングワイヤー１１ａ〜１１ｄのル
ープ高さである距離Ｈ１〜Ｈ４を正確にしかも精度良く
測定することができる。
【００２４】図１（ｂ）に示すワイヤー検査装置２は、
このような測定を測定部２１にて行った後、演算部２２
でこの測定値と基準値との比較を行う。そして、この比
較によって例えば図３に示す距離Ｈ１が基準値よりも低
いとなっ場合には、その差を算出してワイヤーボンダ１
にフィードバックする。ワイヤーボンダ１では、距離Ｈ
１の基準値との差を得ることによりボンディングワイヤ
ー１１ａと対応する位置での接続における条件補正を行
う。
このような測定を測定部２１にて行った後、演算部２２
でこの測定値と基準値との比較を行う。そして、この比
較によって例えば図３に示す距離Ｈ１が基準値よりも低
いとなっ場合には、その差を算出してワイヤーボンダ１
にフィードバックする。ワイヤーボンダ１では、距離Ｈ
１の基準値との差を得ることによりボンディングワイヤ
ー１１ａと対応する位置での接続における条件補正を行
う。
【００２５】すなわち、距離Ｈ１が基準値よりも低いと
いうことは、次のリードフレーム１２に対してボンディ
ングワイヤー１１ａと対応する位置での接続も同様に低
くなることが予想される。そこで、次のリードフレーム
１２に対する接続において、ボンディングワイヤー１１
ａと対応する位置での接続をワイヤー検査装置２から得
た基準値との差だけ高くするように条件補正を行う。こ
れにより、次のリードフレーム１２においてはボンディ
ングワイヤー１１ａと対応する位置での接続を基準値に
合わせることができるようになる。
いうことは、次のリードフレーム１２に対してボンディ
ングワイヤー１１ａと対応する位置での接続も同様に低
くなることが予想される。そこで、次のリードフレーム
１２に対する接続において、ボンディングワイヤー１１
ａと対応する位置での接続をワイヤー検査装置２から得
た基準値との差だけ高くするように条件補正を行う。こ
れにより、次のリードフレーム１２においてはボンディ
ングワイヤー１１ａと対応する位置での接続を基準値に
合わせることができるようになる。
【００２６】同様に、他のボンディングワイヤー１１ｂ
〜１１ｄにおいてもその距離Ｈ２〜Ｈ４と基準値との差
を演算部２２にてそれぞれ算出し、その差をワイヤーボ
ンダ１にフィードバックして次のリードフレーム１２で
の接続における条件補正を行う。このように、ボンディ
ングワイヤー１１ａ〜１１ｄの陰影の取り込み画像から
定量的にループ高さを測定し、さらにそのループ高さと
基準値との差を算出してワイヤーボンダ１にフィードバ
ックすることで、人手を介すことなく自動的にボンディ
ングワイヤー１１ａ〜１１ｄの安定した接続管理を行う
ことができるようになる。
〜１１ｄにおいてもその距離Ｈ２〜Ｈ４と基準値との差
を演算部２２にてそれぞれ算出し、その差をワイヤーボ
ンダ１にフィードバックして次のリードフレーム１２で
の接続における条件補正を行う。このように、ボンディ
ングワイヤー１１ａ〜１１ｄの陰影の取り込み画像から
定量的にループ高さを測定し、さらにそのループ高さと
基準値との差を算出してワイヤーボンダ１にフィードバ
ックすることで、人手を介すことなく自動的にボンディ
ングワイヤー１１ａ〜１１ｄの安定した接続管理を行う
ことができるようになる。
【００２７】次に、ボンディングワイヤー１１のたるみ
を測定する場合について図４〜図５に基づき説明する。
図４はボンディングワイヤー１１のたわみの状態を説明
する図で、（ａ）はその１、（ｂ）はその２である。す
なわち、図４（ａ）に示すボンディングワイヤー１１の
たるみは、ダイパッド部１２ａ上に搭載された半導体素
子１０とインナーリード部１２ｂとの間に接続されるボ
ンディングワイヤー１１において、半導体素子１０側の
ループに不足が生じた状態である（図中破線は正常な状
態のボンディングワイヤー１１の軌跡を示す）。この場
合には、ボンディングワイヤー１１が半導体素子１０の
端部に接触してショートする危険がある。
を測定する場合について図４〜図５に基づき説明する。
図４はボンディングワイヤー１１のたわみの状態を説明
する図で、（ａ）はその１、（ｂ）はその２である。す
なわち、図４（ａ）に示すボンディングワイヤー１１の
たるみは、ダイパッド部１２ａ上に搭載された半導体素
子１０とインナーリード部１２ｂとの間に接続されるボ
ンディングワイヤー１１において、半導体素子１０側の
ループに不足が生じた状態である（図中破線は正常な状
態のボンディングワイヤー１１の軌跡を示す）。この場
合には、ボンディングワイヤー１１が半導体素子１０の
端部に接触してショートする危険がある。
【００２８】また、図４（ｂ）に示すボンディングワイ
ヤー１１のたるみは、半導体素子１０とインナーリード
部１２ｂとの間に接続されるボンディングワイヤー１１
において、インナーリード部１２ｂ側にたるみが生じて
いる状態である。このような場合には、隣のボンディン
グワイヤー１１との接触によるショートの危険がある。
ヤー１１のたるみは、半導体素子１０とインナーリード
部１２ｂとの間に接続されるボンディングワイヤー１１
において、インナーリード部１２ｂ側にたるみが生じて
いる状態である。このような場合には、隣のボンディン
グワイヤー１１との接触によるショートの危険がある。
【００２９】これらのようなボンディングワイヤー１１
のたるみを測定するには、図２（ｂ）に示すワイヤー検
査装置２において、ボンディングワイヤー１１の並ぶ方
向に対して略直角な方向に配置された光源３１〜３４、
ハーフミラー４１〜４４、レンズ５１〜５４およびＣＣ
Ｄセンサ（図２（ｂ）には示されない）をそれぞれ用い
る。例えば、図２（ａ）に示す右側のボンディングワイ
ヤー１１のたるみを測定する場合、図２（ｂ）に示す光
源３３からの光によるボンディングワイヤー１１の陰影
をハーフミラー４４およびレンズ５４を介してＣＣＤセ
ンサ（レンズ５４の上方に配置されている）にて取り込
む。
のたるみを測定するには、図２（ｂ）に示すワイヤー検
査装置２において、ボンディングワイヤー１１の並ぶ方
向に対して略直角な方向に配置された光源３１〜３４、
ハーフミラー４１〜４４、レンズ５１〜５４およびＣＣ
Ｄセンサ（図２（ｂ）には示されない）をそれぞれ用い
る。例えば、図２（ａ）に示す右側のボンディングワイ
ヤー１１のたるみを測定する場合、図２（ｂ）に示す光
源３３からの光によるボンディングワイヤー１１の陰影
をハーフミラー４４およびレンズ５４を介してＣＣＤセ
ンサ（レンズ５４の上方に配置されている）にて取り込
む。
【００３０】図５はこの際の取り込み画像を説明する図
であり、ダイパッド部１２ａ、半導体素子１０、インナ
ーリード部１２ｂとともに同じ並びのボンディングワイ
ヤー１１ｅ、１１ｆの陰影が取り込まれている。つま
り、取り込み画像ではボンディングワイヤー１１ｅ、１
１ｆが並ぶ方向を見通す状態での陰影が映し出されてお
り、これによってボンディングワイヤー１１ｅ、１１ｆ
にたるみが生じているか否かを判断できることになる。
であり、ダイパッド部１２ａ、半導体素子１０、インナ
ーリード部１２ｂとともに同じ並びのボンディングワイ
ヤー１１ｅ、１１ｆの陰影が取り込まれている。つま
り、取り込み画像ではボンディングワイヤー１１ｅ、１
１ｆが並ぶ方向を見通す状態での陰影が映し出されてお
り、これによってボンディングワイヤー１１ｅ、１１ｆ
にたるみが生じているか否かを判断できることになる。
【００３１】ボンディングワイヤー１１ｅ、１１ｆのた
るみを判断するには、図１（ｂ）に示すワイヤー検査装
置２の演算部２２にて、取り込んだボンディングワイヤ
ー１１ｅ、１１ｆの陰影画像と予め設定された基準とな
る画像とを比較して、それが許容範囲内に収まっている
かどうかによって行う。このボンディングワイヤー１１
ｅ、１１ｆのたるみが許容範囲内に収まっている場合に
はそのままの条件によって次の接続を行い、許容範囲内
に収まっていない場合にはそのたるみが無くなるようワ
イヤーボンダ１に対して条件補正のフィードバックをか
ける。
るみを判断するには、図１（ｂ）に示すワイヤー検査装
置２の演算部２２にて、取り込んだボンディングワイヤ
ー１１ｅ、１１ｆの陰影画像と予め設定された基準とな
る画像とを比較して、それが許容範囲内に収まっている
かどうかによって行う。このボンディングワイヤー１１
ｅ、１１ｆのたるみが許容範囲内に収まっている場合に
はそのままの条件によって次の接続を行い、許容範囲内
に収まっていない場合にはそのたるみが無くなるようワ
イヤーボンダ１に対して条件補正のフィードバックをか
ける。
【００３２】例えば、図５に示すボンディングワイヤー
１１ｆのたるみが許容範囲内に収まっていないと判断さ
れた場合には、このボンディングワイヤー１１ｆが並ぶ
側の接続における条件（ワイヤーボンダ１によるボンデ
ィングワイヤーの張りやキャピラリの軌跡等）を補正し
て次以降におけるボンディングワイヤー１１ｆにたるみ
が生じないようにする。なお、このような陰影に基づく
たるみの測定では、同じ並びのボンディングワイヤー１
１ｅ、１１ｆのうちのどこに（並びの何番目に）たるみ
が生じているかを判断できないため、一つでも許容範囲
外のたるみが生じている場合にはその並びの全ての条件
を見直すようにする。これによって、ボンディングワイ
ヤー１１のたるみに関する測定および管理を行うことが
でき、安定した接続を行うことができるようになる。
１１ｆのたるみが許容範囲内に収まっていないと判断さ
れた場合には、このボンディングワイヤー１１ｆが並ぶ
側の接続における条件（ワイヤーボンダ１によるボンデ
ィングワイヤーの張りやキャピラリの軌跡等）を補正し
て次以降におけるボンディングワイヤー１１ｆにたるみ
が生じないようにする。なお、このような陰影に基づく
たるみの測定では、同じ並びのボンディングワイヤー１
１ｅ、１１ｆのうちのどこに（並びの何番目に）たるみ
が生じているかを判断できないため、一つでも許容範囲
外のたるみが生じている場合にはその並びの全ての条件
を見直すようにする。これによって、ボンディングワイ
ヤー１１のたるみに関する測定および管理を行うことが
でき、安定した接続を行うことができるようになる。
【００３３】また、このようなボンディングワイヤー１
１のループ高さの測定とたるみの測定とを同一の画像に
基づいて行ってもよい。すなわち、ＣＣＤセンサ６１、
６２による画像取り込みの幅を広くすることで、一の並
びにおけるボンディングワイヤー１１のループ高さと、
一の並びと略直角な方向の並びにおけるボンディングワ
イヤー１１のたるみとを同時に測定することができる。
実際の半導体装置の製造方法においては生産性の観点か
らループ高さおよびたるみの測定を同一の画像に基づい
て行うことが望ましい。
１のループ高さの測定とたるみの測定とを同一の画像に
基づいて行ってもよい。すなわち、ＣＣＤセンサ６１、
６２による画像取り込みの幅を広くすることで、一の並
びにおけるボンディングワイヤー１１のループ高さと、
一の並びと略直角な方向の並びにおけるボンディングワ
イヤー１１のたるみとを同時に測定することができる。
実際の半導体装置の製造方法においては生産性の観点か
らループ高さおよびたるみの測定を同一の画像に基づい
て行うことが望ましい。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造方法によれば次のような効果がある。すなわ
ち、本発明では一の基台と半導体素子とを接続するボン
ディングワイヤーの陰影を取り込み、その取り込み画像
に基づいてボンディングワイヤーの接続状態を検査する
ため、不要な光に邪魔されることのない正確な測定が可
能となる。また、取り込んだ陰影からボンディングワイ
ヤーのループ高さを測定したり、たるみを測定すること
で基準値との差を求め、この差から成る検査結果に基づ
き一の基台の後の基台と半導体素子とのボンディングワ
イヤーによる接続条件を補正するため、常に安定した接
続を行うことが可能となる。これにより、人手を介すこ
となくボンディングワイヤーの正確な測定と、接続管理
を行うことができ、半導体装置の生産性向上と品質向上
を図ることが可能となる。特に、本発明は低ループでボ
ンディングワイヤーの接続を行う場合において有効な方
法となる。
置の製造方法によれば次のような効果がある。すなわ
ち、本発明では一の基台と半導体素子とを接続するボン
ディングワイヤーの陰影を取り込み、その取り込み画像
に基づいてボンディングワイヤーの接続状態を検査する
ため、不要な光に邪魔されることのない正確な測定が可
能となる。また、取り込んだ陰影からボンディングワイ
ヤーのループ高さを測定したり、たるみを測定すること
で基準値との差を求め、この差から成る検査結果に基づ
き一の基台の後の基台と半導体素子とのボンディングワ
イヤーによる接続条件を補正するため、常に安定した接
続を行うことが可能となる。これにより、人手を介すこ
となくボンディングワイヤーの正確な測定と、接続管理
を行うことができ、半導体装置の生産性向上と品質向上
を図ることが可能となる。特に、本発明は低ループでボ
ンディングワイヤーの接続を行う場合において有効な方
法となる。
【図１】本発明を説明する図で、（ａ）はフローチャー
ト、（ｂ）はシステム構成を示すものである。
ト、（ｂ）はシステム構成を示すものである。
【図２】ワイヤー検査装置を説明する概略図で、（ａ）
は側面図、（ｂ）は平面図である。
は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】取り込み画像を説明する図である。
【図４】ボンディングワイヤーのたるみの状態を説明す
る図で、（ａ）はその１、（ｂ）はその２である。
る図で、（ａ）はその１、（ｂ）はその２である。
【図５】取り込み画像を説明する図である。
【図６】従来例を説明する図である。
１ ワイヤーボンダ ２ ワイヤー
検査装置 １０ 半導体素子 １１ ボンデ
ィングワイヤー １２ リードフレーム １２ａ ダイ
パッド部 １２ｂ インナーリード部 ２１ 測定部 ２２ 演算部 ２３ ステー
ジ ３１〜３４ 光源 ４１〜４４
ハーフミラー ５１〜５４ レンズ ６１、６２
ＣＣＤセンサ
検査装置 １０ 半導体素子 １１ ボンデ
ィングワイヤー １２ リードフレーム １２ａ ダイ
パッド部 １２ｂ インナーリード部 ２１ 測定部 ２２ 演算部 ２３ ステー
ジ ３１〜３４ 光源 ４１〜４４
ハーフミラー ５１〜５４ レンズ ６１、６２
ＣＣＤセンサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/60 ３２１ Ｙ
Claims (3)
- 【請求項１】 一の基台と半導体素子とをボンディング
ワイヤーを介して所定の条件にて接続した後、その接続
状態の検査結果に基づいて該一の基台の後の基台と半導
体素子との接続を行う半導体装置の製造方法であって、 前記一の基台と半導体素子との接続を行ったボンディン
グワイヤーに光を照射して該ボンディングワイヤーの陰
影を受光装置にて取り込んだ後、 その取り込み画像に基づいて前記ボンディングワイヤー
の接続状態を検査して検査結果を求め、 前記検査結果に基づいて前記後の基台と半導体素子との
ボンディングワイヤーによる接続での条件補正を行うこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記陰影の取り込み画像に基づき前記一
の基台と半導体素子とを接続するボンディングワイヤー
のループ高さを測定し、 その測定高さと基準高さとの差に基づいて前記後の基台
と半導体素子とのボンディングワイヤーによる接続での
条件補正を行うことを特徴とする請求項１記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記陰影の取り込み画像に基づき前記一
の基台と半導体素子とを接続するボンディングワイヤー
のたるみを測定し、 その測定したたるみの大きさが基準よりも大きい場合に
は前記後の基台と半導体素子とのボンディングワイヤー
による接続を該たるみが無くなるように条件補正するこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6085817A JPH07273163A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6085817A JPH07273163A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273163A true JPH07273163A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13869419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6085817A Pending JPH07273163A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273163A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100399526C (zh) * | 2002-11-22 | 2008-07-02 | 松下电器产业株式会社 | 半导体器件的布局检验方法 |
-
1994
- 1994-03-29 JP JP6085817A patent/JPH07273163A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100399526C (zh) * | 2002-11-22 | 2008-07-02 | 松下电器产业株式会社 | 半导体器件的布局检验方法 |
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