JPH10112469A - ワイヤボンディング検査装置 - Google Patents
ワイヤボンディング検査装置Info
- Publication number
- JPH10112469A JPH10112469A JP8281298A JP28129896A JPH10112469A JP H10112469 A JPH10112469 A JP H10112469A JP 8281298 A JP8281298 A JP 8281298A JP 28129896 A JP28129896 A JP 28129896A JP H10112469 A JPH10112469 A JP H10112469A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- bonding
- inspection
- image
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
- H01L2223/5448—Located on chip prior to dicing and remaining on chip after dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/859—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving monitoring, e.g. feedback loop
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1016—Shape being a cuboid
- H01L2924/10161—Shape being a cuboid with a rectangular active surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ミスティーチングおよび打痕やノイズ成分に
かかわらずボンディングミスの検査を良好に行なう。 【解決手段】 半導体装置の電極の位置や形状として、
ボンディングの行なわれない電極の位置や形状も含むデ
ータを記憶させ、これらのデータを用いて半導体装置の
走査およびボンディングの良否判断を行なう。
かかわらずボンディングミスの検査を良好に行なう。 【解決手段】 半導体装置の電極の位置や形状として、
ボンディングの行なわれない電極の位置や形状も含むデ
ータを記憶させ、これらのデータを用いて半導体装置の
走査およびボンディングの良否判断を行なう。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、複数の半導体チッ
プ同士ないしは半導体チップとリードフレーム等の電極
基板との間をワイヤボンディングによって接続した半導
体装置の外観検査を行なうことのできるワイヤボンディ
ング検査装置に関するものである。
プ同士ないしは半導体チップとリードフレーム等の電極
基板との間をワイヤボンディングによって接続した半導
体装置の外観検査を行なうことのできるワイヤボンディ
ング検査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ワイヤボンディング後の外観検査
はもっぱら検査作業者による目視検査によって行なわれ
ており、光学式の顕微鏡ないしは拡大機能を持った撮像
装置によってボンディング行程を終了した半導体装置の
像を観察し、定性的に良否判定を行なう方法が採られて
いたが、近年では、例えばＵＳＰ．５，０３０，００８
号、特開平５−１６０２３号、特開平４−２５５２４２
号、特開平６−２２４２６７号、特公平５−２４６６７
号や特公平７−１１１９９８号に示されるように、検査
対象である半導体装置の正常な状態をデータとして記憶
装置に記憶させた上で、撮像装置と半導体装置を相対的
に移動させて外観画像を取り込み、さらには取り込まれ
た外観画像を画像解析装置によって解析して半導体装置
の構成要素であるリードフレーム、半導体チップおよび
ボンディングワイヤ等の輪郭を抽出処理し、それぞれの
構成要素の位置および形状を捉えた後に前記各構成要素
に対して予め設定された良否判定基準と比較してボンデ
ィングの状態の良否を判定する技術が報告されている。
はもっぱら検査作業者による目視検査によって行なわれ
ており、光学式の顕微鏡ないしは拡大機能を持った撮像
装置によってボンディング行程を終了した半導体装置の
像を観察し、定性的に良否判定を行なう方法が採られて
いたが、近年では、例えばＵＳＰ．５，０３０，００８
号、特開平５−１６０２３号、特開平４−２５５２４２
号、特開平６−２２４２６７号、特公平５−２４６６７
号や特公平７−１１１９９８号に示されるように、検査
対象である半導体装置の正常な状態をデータとして記憶
装置に記憶させた上で、撮像装置と半導体装置を相対的
に移動させて外観画像を取り込み、さらには取り込まれ
た外観画像を画像解析装置によって解析して半導体装置
の構成要素であるリードフレーム、半導体チップおよび
ボンディングワイヤ等の輪郭を抽出処理し、それぞれの
構成要素の位置および形状を捉えた後に前記各構成要素
に対して予め設定された良否判定基準と比較してボンデ
ィングの状態の良否を判定する技術が報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、先ず、特公平
７−１１１９９８号に示される従来例を説明する。図２
４は特公平７−１１１９９８号によるワイヤボンディン
グ検査装置の構成を示す図であり、本従来例によれば、
半導体チップ１とリードフレーム４およびボンディング
ワイヤ２によって構成された検査対象である半導体装置
（以下被検物と呼ぶ）は検査台１１上に搭載されてお
り、被検物上のボンディング位置の座標とワイヤの形状
の正常な状態での情報と前記ボンディング位置の座標と
ワイヤ形状に対して設定されている許容値が合否判定基
準記憶装置１９内に記憶されている。検査装置は記憶さ
れたボンディング位置の情報に従ってＸ−Ｙテーブルコ
ントローラ１６によって光学鏡筒１３および撮像装置１
４を被検物の上で移動させて被検物上のボンディング位
置の画像を取り込み、さらに取り込まれた画像を画像記
憶・処理・認識計測装置２０によって解析して、ボンデ
ィングされたワイヤ２の位置と形状が合否基準に適合し
ているかどうかを判定するようにしている。図２４にお
いて、１２は照明装置、１５は駆動装置、１７は中央処
理装置、１８は表示装置である。
７−１１１９９８号に示される従来例を説明する。図２
４は特公平７−１１１９９８号によるワイヤボンディン
グ検査装置の構成を示す図であり、本従来例によれば、
半導体チップ１とリードフレーム４およびボンディング
ワイヤ２によって構成された検査対象である半導体装置
（以下被検物と呼ぶ）は検査台１１上に搭載されてお
り、被検物上のボンディング位置の座標とワイヤの形状
の正常な状態での情報と前記ボンディング位置の座標と
ワイヤ形状に対して設定されている許容値が合否判定基
準記憶装置１９内に記憶されている。検査装置は記憶さ
れたボンディング位置の情報に従ってＸ−Ｙテーブルコ
ントローラ１６によって光学鏡筒１３および撮像装置１
４を被検物の上で移動させて被検物上のボンディング位
置の画像を取り込み、さらに取り込まれた画像を画像記
憶・処理・認識計測装置２０によって解析して、ボンデ
ィングされたワイヤ２の位置と形状が合否基準に適合し
ているかどうかを判定するようにしている。図２４にお
いて、１２は照明装置、１５は駆動装置、１７は中央処
理装置、１８は表示装置である。
【０００４】ここで図２は被検物の一部を示しており、
半導体チップ１上の電極３ａ〜３ｅおよびリードフレー
ム上の電極４ａ〜４ｅに対して３ａと４ａ、３ｂと４ｂ
および３ｅと４ｅをそれぞれボンディングワイヤ２ａ，
２ｂ，２ｅによって接続しているが、この被検物を検査
する場合、上記従来例によれば、半導体チップ１上の電
極３ａ，３ｂ，３ｅとリードフレーム上の電極４ａ，４
ｂ，４ｅおよびボンディングワイヤ２ａ，２ｂ，２ｅ付
近の外観画像を撮像装置１４によって順次取り込んで画
像を解析し、ファーストボンド側（いわゆるボール部）
の形状やワイヤの曲がり量のようなボンディングワイヤ
の位置と形状に関する合否判定基準と照らし合わせて合
否判定を行なうこととなる。
半導体チップ１上の電極３ａ〜３ｅおよびリードフレー
ム上の電極４ａ〜４ｅに対して３ａと４ａ、３ｂと４ｂ
および３ｅと４ｅをそれぞれボンディングワイヤ２ａ，
２ｂ，２ｅによって接続しているが、この被検物を検査
する場合、上記従来例によれば、半導体チップ１上の電
極３ａ，３ｂ，３ｅとリードフレーム上の電極４ａ，４
ｂ，４ｅおよびボンディングワイヤ２ａ，２ｂ，２ｅ付
近の外観画像を撮像装置１４によって順次取り込んで画
像を解析し、ファーストボンド側（いわゆるボール部）
の形状やワイヤの曲がり量のようなボンディングワイヤ
の位置と形状に関する合否判定基準と照らし合わせて合
否判定を行なうこととなる。
【０００５】一般にボンディング状態の検査によって検
出される欠陥は、ボンディング情報をボンディング装置
に教示する際のティーチング作業のミスによりボンディ
ングの座標自体が誤っている場合（いわゆるミスティー
チ）と、ボンディングの座標は正しくてもワイヤ切れや
圧着不良のようにワイヤの状態が悪い場合（いわゆるワ
イヤ不良）に大別されるが、前記従来例の場合「ワイヤ
不良」は検知できても「ミスティーチ」は検知できない
場合が発生する。
出される欠陥は、ボンディング情報をボンディング装置
に教示する際のティーチング作業のミスによりボンディ
ングの座標自体が誤っている場合（いわゆるミスティー
チ）と、ボンディングの座標は正しくてもワイヤ切れや
圧着不良のようにワイヤの状態が悪い場合（いわゆるワ
イヤ不良）に大別されるが、前記従来例の場合「ワイヤ
不良」は検知できても「ミスティーチ」は検知できない
場合が発生する。
【０００６】例えば、図３では図２に示した半導体装置
を作成するためのボンディングの際にリードフレーム上
の電極４ｂと４ｄとを間違えてティーチングした例を示
しているが、従来例による検査装置ではリード部４ｄは
検査部位として登録されていないためにリード部４ｄに
ついての検査が行なわれないこととなり、ボンディング
ワイヤ２ｆがどこに接続されているかを判定することは
できず、また、例えば図４では図２に示した半導体装置
を作成するためのボンディングの際に電極３ｃと電極４
ｃとを接続するボンディングワイヤ２ｃを余分にティー
チングしてしまった例を示しているが、この例の場合に
おいても、電極３ｃと電極４ｃとは検査部位として登録
されていないためにボンディングワイヤ２ｃは検査が行
なわれることは無く、しかも他のボンディングワイヤ２
ａ、２ｂ，２ｅの状態が合否判定基準を満たしていれ
ば、検査に合格すると判定されてしまう。
を作成するためのボンディングの際にリードフレーム上
の電極４ｂと４ｄとを間違えてティーチングした例を示
しているが、従来例による検査装置ではリード部４ｄは
検査部位として登録されていないためにリード部４ｄに
ついての検査が行なわれないこととなり、ボンディング
ワイヤ２ｆがどこに接続されているかを判定することは
できず、また、例えば図４では図２に示した半導体装置
を作成するためのボンディングの際に電極３ｃと電極４
ｃとを接続するボンディングワイヤ２ｃを余分にティー
チングしてしまった例を示しているが、この例の場合に
おいても、電極３ｃと電極４ｃとは検査部位として登録
されていないためにボンディングワイヤ２ｃは検査が行
なわれることは無く、しかも他のボンディングワイヤ２
ａ、２ｂ，２ｅの状態が合否判定基準を満たしていれ
ば、検査に合格すると判定されてしまう。
【０００７】一方、ここで用いられている合否判断基準
はボール部の形状やワイヤの曲がり量のようなボンディ
ングワイヤの位置や形状に関する基準値および許容範囲
を設定することによって作成されているために、あくま
でも検査対象としてのボンディングワイヤが存在したと
きの外形情報に対する基準となっており、ボンディング
ワイヤが存在しない状態を合格と判断する手段を持って
いない。
はボール部の形状やワイヤの曲がり量のようなボンディ
ングワイヤの位置や形状に関する基準値および許容範囲
を設定することによって作成されているために、あくま
でも検査対象としてのボンディングワイヤが存在したと
きの外形情報に対する基準となっており、ボンディング
ワイヤが存在しない状態を合格と判断する手段を持って
いない。
【０００８】さらに、以上の不具合を回避する手段を講
じたとしても、従来例によるワイヤボンディング検査装
置ではボンディングワイヤ２（２ａ〜２ｆ）とボンディ
ングワイヤ２以外のノイズ画像との識別手段に関しては
言及していないために、例えば図５に示すように、半導
体チップ１上の電極３ｄ上に半導体チップ１を電気試験
する際に付けられたプローバ端子の圧痕６ｄやごみや傷
等によるノイズ画像が存在する場合、ボンディングワイ
ヤの一部であるボール部５ｂないしは５ｃと区別するこ
とができずに誤判定をしてしまうという欠点があった。
じたとしても、従来例によるワイヤボンディング検査装
置ではボンディングワイヤ２（２ａ〜２ｆ）とボンディ
ングワイヤ２以外のノイズ画像との識別手段に関しては
言及していないために、例えば図５に示すように、半導
体チップ１上の電極３ｄ上に半導体チップ１を電気試験
する際に付けられたプローバ端子の圧痕６ｄやごみや傷
等によるノイズ画像が存在する場合、ボンディングワイ
ヤの一部であるボール部５ｂないしは５ｃと区別するこ
とができずに誤判定をしてしまうという欠点があった。
【０００９】本発明は、上記の従来例における問題点に
鑑みてなされたもので、誤ったティーチングによるボン
ディングミスの検査を良好に行なうことを第１の目的と
し、ボンディングがなされていない電極についての検査
を支障なく行なうことを第２の目的とし、さらに電極上
の外観画像のノイズ成分によって誤判定をすることなく
検査を行なうことを第３の目的としている。
鑑みてなされたもので、誤ったティーチングによるボン
ディングミスの検査を良好に行なうことを第１の目的と
し、ボンディングがなされていない電極についての検査
を支障なく行なうことを第２の目的とし、さらに電極上
の外観画像のノイズ成分によって誤判定をすることなく
検査を行なうことを第３の目的としている。
【００１０】次に、第２の従来例を説明する。図２５は
特開平４−２５５２４２号に記載されたワイヤボンディ
ング検査装置を示す説明図であり、図２６はその検査装
置の検査フローを示している。このワイヤボンディング
検査装置はハイブリッド集積回路素子等の半導体装置に
おけるワイヤボンディング行程後の外観検査を行なうこ
とができるものである。図２５において、ボンディング
位置データメモリ３８にはこれから検査を行なおうとす
る半導体チップ１１０およびリードフレーム１０１の位
置決めマークの座標および基準となるワイヤリング状態
の座標が収納されており、検査の開始信号が全体制御手
段３９に送られると検査対象物である半導体チップ１１
０はチップ搬送（工程５１）後にＸＹテーブルの上に固
定され、照明手段３３によって適度な条件で照明されて
テレビカメラ３４によって外観画像を取り込むことが可
能となるので、ボンディング位置データメモリ３８に記
憶された『第一の位置決めマーク位置』および『第二の
位置決めマーク位置』の画像を取り込んで半導体チップ
１１０の固定位置のずれ量を認識して、検査座標のずれ
を補正する。
特開平４−２５５２４２号に記載されたワイヤボンディ
ング検査装置を示す説明図であり、図２６はその検査装
置の検査フローを示している。このワイヤボンディング
検査装置はハイブリッド集積回路素子等の半導体装置に
おけるワイヤボンディング行程後の外観検査を行なうこ
とができるものである。図２５において、ボンディング
位置データメモリ３８にはこれから検査を行なおうとす
る半導体チップ１１０およびリードフレーム１０１の位
置決めマークの座標および基準となるワイヤリング状態
の座標が収納されており、検査の開始信号が全体制御手
段３９に送られると検査対象物である半導体チップ１１
０はチップ搬送（工程５１）後にＸＹテーブルの上に固
定され、照明手段３３によって適度な条件で照明されて
テレビカメラ３４によって外観画像を取り込むことが可
能となるので、ボンディング位置データメモリ３８に記
憶された『第一の位置決めマーク位置』および『第二の
位置決めマーク位置』の画像を取り込んで半導体チップ
１１０の固定位置のずれ量を認識して、検査座標のずれ
を補正する。
【００１１】続いて、検査装置はボンディング位置デー
タメモリ３８に記憶されたボンディング位置のデータを
順次読み込みながら照明手段３３、ＸＹテーブル３１お
よびテレビカメラ３４を制御して、ボンディング状態の
画像を取り込みながら予め設定されている良否判定基準
に従ってボンディング状態の検査を進めていく。
タメモリ３８に記憶されたボンディング位置のデータを
順次読み込みながら照明手段３３、ＸＹテーブル３１お
よびテレビカメラ３４を制御して、ボンディング状態の
画像を取り込みながら予め設定されている良否判定基準
に従ってボンディング状態の検査を進めていく。
【００１２】このとき特開平４−２５５２４２号の装置
ではオペレータがモニタテレビ３５に映し出された外観
画像を見ながら、ワイヤリング状態の良否判定を行なっ
ている。一方、特開平５−１６０２３０号では画像解析
を用いることによって自動的に良否判定を行なう例が示
されている。
ではオペレータがモニタテレビ３５に映し出された外観
画像を見ながら、ワイヤリング状態の良否判定を行なっ
ている。一方、特開平５−１６０２３０号では画像解析
を用いることによって自動的に良否判定を行なう例が示
されている。
【００１３】しかしながら、上記第２の従来例では検査
を行なう時に用いられる位置情報は位置決めマーク位置
を基準として、リード部の位置情報・チップ上のパター
ン位置情報およびボンディングの位置情報がまとめて
『ボンディング検査用データ』として記憶されているた
めに、例えば図１０に示すように同一種類の半導体チッ
プ１１０がリードフレーム１０１上に水平方向に１８０
度ずつ回転した状態で搭載されている場合は、異なった
半導体チップが搭載されていると判断され、ボンディン
グ位置データを２種類準備する必要がある。
を行なう時に用いられる位置情報は位置決めマーク位置
を基準として、リード部の位置情報・チップ上のパター
ン位置情報およびボンディングの位置情報がまとめて
『ボンディング検査用データ』として記憶されているた
めに、例えば図１０に示すように同一種類の半導体チッ
プ１１０がリードフレーム１０１上に水平方向に１８０
度ずつ回転した状態で搭載されている場合は、異なった
半導体チップが搭載されていると判断され、ボンディン
グ位置データを２種類準備する必要がある。
【００１４】また、上記従来例では一組の位置決めマー
クを用いた座標ズレの補正を行なっているために、図９
に示すように半導体チップ９４の上にさらに複数個の半
導体チップ９５ａ，９５ｂおよび半導体チップ９６が搭
載されているような場合においては、半導体チップ９４
上のボンディング位置座標のズレを補正することはでき
ても、半導体チップ９５ａ，９５ｂおよび９６上のボン
ディング位置座標のずれを個別に補正して検査を行なう
ことはできない。
クを用いた座標ズレの補正を行なっているために、図９
に示すように半導体チップ９４の上にさらに複数個の半
導体チップ９５ａ，９５ｂおよび半導体チップ９６が搭
載されているような場合においては、半導体チップ９４
上のボンディング位置座標のズレを補正することはでき
ても、半導体チップ９５ａ，９５ｂおよび９６上のボン
ディング位置座標のずれを個別に補正して検査を行なう
ことはできない。
【００１５】さらに図９に示す例において、同種の半導
体チップ９５が２個搭載されていてもチップ毎にボンデ
ィング状態の判定基準が異なる場合は、それぞれを別個
の『ボンディング検査用データ』としてすべてのデータ
を新たに記憶しなおさなければならなかった。
体チップ９５が２個搭載されていてもチップ毎にボンデ
ィング状態の判定基準が異なる場合は、それぞれを別個
の『ボンディング検査用データ』としてすべてのデータ
を新たに記憶しなおさなければならなかった。
【００１６】本発明は、同一の半導体チップが異なった
相対位置関係で搭載されている場合や複数の半導体チッ
プが混載されている場合であっても自動的に外観検査を
行なうことを第４の目的とする。また、同一種類のリー
ドフレームや半導体チップで測定箇所によって良否判定
基準の異なったものを検査する場合であっても、『ボン
ディング検査用データ』を新たに記憶しなおす必要をな
くすことを第５の目的とする。さらに複数の半導体チッ
プが混載されている場合であって、半導体チップどうし
に相対的な位置ずれを生じている場合であっても精度良
く検査を行なうことを第６の目的としている。
相対位置関係で搭載されている場合や複数の半導体チッ
プが混載されている場合であっても自動的に外観検査を
行なうことを第４の目的とする。また、同一種類のリー
ドフレームや半導体チップで測定箇所によって良否判定
基準の異なったものを検査する場合であっても、『ボン
ディング検査用データ』を新たに記憶しなおす必要をな
くすことを第５の目的とする。さらに複数の半導体チッ
プが混載されている場合であって、半導体チップどうし
に相対的な位置ずれを生じている場合であっても精度良
く検査を行なうことを第６の目的としている。
【００１７】第３の従来例として、特開平６−２２４２
６７号公報に記載されているボール厚さ測定方法につい
て簡単に説明する。半導体チップ上のボンディングワイ
ヤを照明装置から光束で落射照明したボンディングワイ
ヤのボールを、撮像装置の高さを変えながら撮像する
と、ボール上の平面部分からの反射光は明るく写し出さ
れ、キャピラリ内部の形状によって作られる円錐形をし
たワイヤ立ち上がり部分から反射光は散乱して暗く写し
出される。明るく写し出される部分の境界線の形状は、
キャピラリ内部の形状によって作られる円錐形をしたワ
イヤ立ち上がり部分の輪郭部分と形状が等しいので、該
境界線の形状を画像処理で抽出する。該抽出した画像と
予め設定された円錐部のパターン画像とを比較して、双
方の画像が一致したときの撮像装置の高さ位置をボール
の厚さとする。
６７号公報に記載されているボール厚さ測定方法につい
て簡単に説明する。半導体チップ上のボンディングワイ
ヤを照明装置から光束で落射照明したボンディングワイ
ヤのボールを、撮像装置の高さを変えながら撮像する
と、ボール上の平面部分からの反射光は明るく写し出さ
れ、キャピラリ内部の形状によって作られる円錐形をし
たワイヤ立ち上がり部分から反射光は散乱して暗く写し
出される。明るく写し出される部分の境界線の形状は、
キャピラリ内部の形状によって作られる円錐形をしたワ
イヤ立ち上がり部分の輪郭部分と形状が等しいので、該
境界線の形状を画像処理で抽出する。該抽出した画像と
予め設定された円錐部のパターン画像とを比較して、双
方の画像が一致したときの撮像装置の高さ位置をボール
の厚さとする。
【００１８】また、第４の従来例として半導体チップ上
をレーザ光で走査し半導体チップ上からの反射光により
立体形状を捕捉し、ボールの厚さを算出する方法が知ら
れている。
をレーザ光で走査し半導体チップ上からの反射光により
立体形状を捕捉し、ボールの厚さを算出する方法が知ら
れている。
【００１９】一方、ボールの位置ずれ量を求める従来例
として、特開平７−６３５２８号公報に記載されている
ように、ボールを照明方向可変の照明装置で照射し、ボ
ール上の反射光の明暗からキャピラリの打痕に該当する
円形状の図形を画像処理で抽出して、該キャピラリの打
痕の中心座標を求め、ボールの位置ずれを測定する方法
が提案されている。
として、特開平７−６３５２８号公報に記載されている
ように、ボールを照明方向可変の照明装置で照射し、ボ
ール上の反射光の明暗からキャピラリの打痕に該当する
円形状の図形を画像処理で抽出して、該キャピラリの打
痕の中心座標を求め、ボールの位置ずれを測定する方法
が提案されている。
【００２０】しかしながら上記第３および第４の従来例
には以下のような問題があった。第３の従来例では、ボ
ール上に平面部分があるとして説明しているが、実際に
測定するボールの形状はキャピラリ先端部の形状や、ボ
ンディングするときのキャピラリを半導体チップ上に押
しつける強さ（ボンディングの強さ）で決まる。また、
キャピラリ先端部には、ワイヤボンディングによるスト
レスがかかり、形状の経時変化が起きる。そのため、常
にボール上に平面部分があるとは限らず、反射光を捕捉
できない場合があるために、その場合は、ボール厚さを
測定できないとう問題がある。
には以下のような問題があった。第３の従来例では、ボ
ール上に平面部分があるとして説明しているが、実際に
測定するボールの形状はキャピラリ先端部の形状や、ボ
ンディングするときのキャピラリを半導体チップ上に押
しつける強さ（ボンディングの強さ）で決まる。また、
キャピラリ先端部には、ワイヤボンディングによるスト
レスがかかり、形状の経時変化が起きる。そのため、常
にボール上に平面部分があるとは限らず、反射光を捕捉
できない場合があるために、その場合は、ボール厚さを
測定できないとう問題がある。
【００２１】第４の従来例では、レーザ光は正確にボー
ル厚さを測定するにはスポット径を小さくする必要があ
り、ボール全体を走査すると測定に時間がかかる。１回
の測定に１ワイヤ分しか測定できず、例えばワイヤ本数
が２００の半導体チップの場合、上記測定を２００回繰
り返すことになりワイヤ本数が増えれば増えるほどワイ
ヤ本数に比例して、測定時間がかかる。また、例えば被
検物であるボール上を他のワイヤがまたいでいる場合
は、該ワイヤ下のボール部分は、レーザ光が当たらずボ
ールの厚さを正確に測定できないという問題点がある。
ル厚さを測定するにはスポット径を小さくする必要があ
り、ボール全体を走査すると測定に時間がかかる。１回
の測定に１ワイヤ分しか測定できず、例えばワイヤ本数
が２００の半導体チップの場合、上記測定を２００回繰
り返すことになりワイヤ本数が増えれば増えるほどワイ
ヤ本数に比例して、測定時間がかかる。また、例えば被
検物であるボール上を他のワイヤがまたいでいる場合
は、該ワイヤ下のボール部分は、レーザ光が当たらずボ
ールの厚さを正確に測定できないという問題点がある。
【００２２】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
ので、ボール上に平面部分がない場合や、被検物である
ボール上を他のワイヤ等がまたいでいる場合でも、ボー
ルの厚さの測定ができるボンディングワイヤ検査装置を
提供することを第７の目的としている。
ので、ボール上に平面部分がない場合や、被検物である
ボール上を他のワイヤ等がまたいでいる場合でも、ボー
ルの厚さの測定ができるボンディングワイヤ検査装置を
提供することを第７の目的としている。
【００２３】また、ボールの位置ずれを測定する従来例
は、ボールを照明装置で照射し、ボール上からの反射光
によりリング状に光るキャピラリの打痕に該当する円形
状の図形を認識しているが、ボールの形状は様々であり
必ずしも反射光がリング状に光るとは限らず、キャピラ
リの打痕に該当する円形状の図形を認識できない場合が
ある。
は、ボールを照明装置で照射し、ボール上からの反射光
によりリング状に光るキャピラリの打痕に該当する円形
状の図形を認識しているが、ボールの形状は様々であり
必ずしも反射光がリング状に光るとは限らず、キャピラ
リの打痕に該当する円形状の図形を認識できない場合が
ある。
【００２４】よって本発明は、ボール上がリング状に光
らない場合でもボールの位置ずれが測定できるワイヤボ
ンディング装置を提供することを第８の目的としてい
る。
らない場合でもボールの位置ずれが測定できるワイヤボ
ンディング装置を提供することを第８の目的としてい
る。
【００２５】
【課題を解決するための手段および作用】上記第１の目
的を達成するために本発明の第１の局面では、半導体装
置の電極の位置や形状として、ボンディングの行なわれ
ない電極の位置や形状も含むデータを記憶する電極情報
収納部を具備することを特徴としている。すなわち、前
記電極情報収納部には例えば従来のボンディング装置に
収納されているボンディング電極の位置形状データのほ
かにボンディングの行なわれない電極の位置形状データ
も含まれているために、ボンディングの行なわれていな
い電極についても外観の検査を行なうことができるよう
になっている。ボンディングの行なわれない電極も含む
データとはすなわち半導体装置上の全電極のデータを意
味し、リードフレームや半導体チップのＣＡＤデザイン
データからボンディングの行なわれる電極のデータだけ
を選択・抽出することなく、そのままを基準データとし
て使用できることを意味している。
的を達成するために本発明の第１の局面では、半導体装
置の電極の位置や形状として、ボンディングの行なわれ
ない電極の位置や形状も含むデータを記憶する電極情報
収納部を具備することを特徴としている。すなわち、前
記電極情報収納部には例えば従来のボンディング装置に
収納されているボンディング電極の位置形状データのほ
かにボンディングの行なわれない電極の位置形状データ
も含まれているために、ボンディングの行なわれていな
い電極についても外観の検査を行なうことができるよう
になっている。ボンディングの行なわれない電極も含む
データとはすなわち半導体装置上の全電極のデータを意
味し、リードフレームや半導体チップのＣＡＤデザイン
データからボンディングの行なわれる電極のデータだけ
を選択・抽出することなく、そのままを基準データとし
て使用できることを意味している。
【００２６】次に、本発明の第２の局面では前記半導体
装置の電極の中でワイヤボンディングによって接続され
る電極の組み合わせを収納するワイヤリング情報収納部
を具備することを特徴としており、検査された半導体装
置上の各電極にワイヤボンディングがなされているべき
か否かを判断することが可能となっている。
装置の電極の中でワイヤボンディングによって接続され
る電極の組み合わせを収納するワイヤリング情報収納部
を具備することを特徴としており、検査された半導体装
置上の各電極にワイヤボンディングがなされているべき
か否かを判断することが可能となっている。
【００２７】上記第２の目的を達成するために本発明の
第３の局面では、ボンディングがなされていないことを
良否判断基準として設定可能であることを特徴とする。
これにより、ボンディングがなされていない電極を検査
した場合にワイヤの形状不良ということを理由として合
否判定で不合格となることを防止している。
第３の局面では、ボンディングがなされていないことを
良否判断基準として設定可能であることを特徴とする。
これにより、ボンディングがなされていない電極を検査
した場合にワイヤの形状不良ということを理由として合
否判定で不合格となることを防止している。
【００２８】上記第３の目的を達成するために本発明の
第４の局面では、半導体装置の電極上のプローバ圧痕と
ボンディングワイヤとを区別するための判断基準を持つ
ことを特徴とする。これにより、ボンディングがなされ
ていない電極を検査した場合に前記電極上にプローバ圧
痕が存在した場合であっても、ボンディングワイヤが存
在すると誤判定をすることを防止している。
第４の局面では、半導体装置の電極上のプローバ圧痕と
ボンディングワイヤとを区別するための判断基準を持つ
ことを特徴とする。これにより、ボンディングがなされ
ていない電極を検査した場合に前記電極上にプローバ圧
痕が存在した場合であっても、ボンディングワイヤが存
在すると誤判定をすることを防止している。
【００２９】上記第４〜６の目的を達成するために本発
明の第５の局面では、リードフレームの外観情報である
リードデータと半導体チップの外観情報であるチップデ
ータとワイヤリングの情報であるワイヤデータをそれぞ
れ複数個収納することのできる手段を具備した上で、収
納された情報の中から選択された複数の情報を組み合わ
せて『ボンディング検査用データ』を作成することを特
徴としており、検査対象物が複数のチップで構成される
半導体装置の場合であっても、『ボンディング検査用デ
ータ』の作成を容易にしている。また、本発明の第６の
局面では収納されたリードデータおよびチップデータは
それぞれ指定されたパターンを基準として設定された独
立した座標系によって管理されていることを特徴として
おり、例えば混載された複数のリードあるいはチップ同
士の相対位置がずれた場合であっても、個々のリードお
よびチップ毎に位置補正を行なうことが可能である。ま
た、本発明の第７の局面では、選択された複数のリード
あるいはチップ同士の相対的な位置関係を配列情報とし
て記憶できることを特徴としており、個々に独立して設
定されている座標系同士の相対関係を設定できると共
に、同一のリードあるいはチップが方向や位置を変えて
使用されている場合であっても、配列情報を変えること
によってリードデータあるいはチップデータは変更する
必要が無くなっている。さらに、本発明の第８の局面で
は、良否判断を行なうための判断基準をそれぞれ複数個
収納することのできる手段を具備した上で、収納された
情報の中から選択された複数の情報を組み合わせて『ボ
ンディング検査用データ』を作成することを特徴として
おり、検査対象物が複数のチップで構成される半導体装
置の場合であっても、また、検査位置によって良否判定
基準が異なる場合であっても『ボンディング検査用デー
タ』の作成を容易にしている。
明の第５の局面では、リードフレームの外観情報である
リードデータと半導体チップの外観情報であるチップデ
ータとワイヤリングの情報であるワイヤデータをそれぞ
れ複数個収納することのできる手段を具備した上で、収
納された情報の中から選択された複数の情報を組み合わ
せて『ボンディング検査用データ』を作成することを特
徴としており、検査対象物が複数のチップで構成される
半導体装置の場合であっても、『ボンディング検査用デ
ータ』の作成を容易にしている。また、本発明の第６の
局面では収納されたリードデータおよびチップデータは
それぞれ指定されたパターンを基準として設定された独
立した座標系によって管理されていることを特徴として
おり、例えば混載された複数のリードあるいはチップ同
士の相対位置がずれた場合であっても、個々のリードお
よびチップ毎に位置補正を行なうことが可能である。ま
た、本発明の第７の局面では、選択された複数のリード
あるいはチップ同士の相対的な位置関係を配列情報とし
て記憶できることを特徴としており、個々に独立して設
定されている座標系同士の相対関係を設定できると共
に、同一のリードあるいはチップが方向や位置を変えて
使用されている場合であっても、配列情報を変えること
によってリードデータあるいはチップデータは変更する
必要が無くなっている。さらに、本発明の第８の局面で
は、良否判断を行なうための判断基準をそれぞれ複数個
収納することのできる手段を具備した上で、収納された
情報の中から選択された複数の情報を組み合わせて『ボ
ンディング検査用データ』を作成することを特徴として
おり、検査対象物が複数のチップで構成される半導体装
置の場合であっても、また、検査位置によって良否判定
基準が異なる場合であっても『ボンディング検査用デー
タ』の作成を容易にしている。
【００３０】上記第７の目的を達成するため、本発明の
第９の局面では半導体チップ上にボンディングワイヤの
ボール部分を焦点深度の浅い結像系を用いて、照明装置
からの光束で照明する手段と、該照明手段により照明さ
れたボールを上方から撮像し画像信号を得る撮像手段
と、該撮像手段により得た画像信号を処理する処理手段
と、該撮像手段の合焦面の高さ位置を制御する制御手段
とを具備し、前記処理手段で、焦点が合っているボール
部分の形状を画像処理により捕捉する手段と、該形状の
径が予め設定しておいたキャピラリ内径、ワイヤ径と等
しくなったときの撮像装置の高さを算出する手段を有す
ることで、ボール上に平面部分がない場合や、被検物で
あるボール上を他のワイヤ等がまたいでいる場合でも、
ボールの厚さの測定を正確に行なうことを特徴としてい
る。
第９の局面では半導体チップ上にボンディングワイヤの
ボール部分を焦点深度の浅い結像系を用いて、照明装置
からの光束で照明する手段と、該照明手段により照明さ
れたボールを上方から撮像し画像信号を得る撮像手段
と、該撮像手段により得た画像信号を処理する処理手段
と、該撮像手段の合焦面の高さ位置を制御する制御手段
とを具備し、前記処理手段で、焦点が合っているボール
部分の形状を画像処理により捕捉する手段と、該形状の
径が予め設定しておいたキャピラリ内径、ワイヤ径と等
しくなったときの撮像装置の高さを算出する手段を有す
ることで、ボール上に平面部分がない場合や、被検物で
あるボール上を他のワイヤ等がまたいでいる場合でも、
ボールの厚さの測定を正確に行なうことを特徴としてい
る。
【００３１】また、第８の目的を達成するため第１０の
局面では、上記第９の局面に係わるボンディングワイヤ
検査装置において画像信号を処理する処理手段で焦点が
合っているボール部分の形状を画像処理により捕捉する
手段と、該形状の径が予め設定しておいたキャピラリ内
径、ワイヤ径と等しくなったときのボールの輪切り像の
重心位置を求める手段を有することで、ボール上が照明
装置で照射されてリング状に光らない場合でも、ボール
の位置ずれが測定できるという特徴がある。
局面では、上記第９の局面に係わるボンディングワイヤ
検査装置において画像信号を処理する処理手段で焦点が
合っているボール部分の形状を画像処理により捕捉する
手段と、該形状の径が予め設定しておいたキャピラリ内
径、ワイヤ径と等しくなったときのボールの輪切り像の
重心位置を求める手段を有することで、ボール上が照明
装置で照射されてリング状に光らない場合でも、ボール
の位置ずれが測定できるという特徴がある。
【００３２】上記第９および第１０の局面では画像処理
を用いるため、撮像装置により撮像して得られた画像に
複数のボールが含まれていれば、一般に並列に画像処理
することが可能であり１ワイヤあたりの測定時間を短縮
できるという特徴がある。
を用いるため、撮像装置により撮像して得られた画像に
複数のボールが含まれていれば、一般に並列に画像処理
することが可能であり１ワイヤあたりの測定時間を短縮
できるという特徴がある。
【００３３】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００３４】（第１の実施例）図１は本発明の一実施例
に係るワイヤボンディング検査装置の構成を示す。同図
において、１は被検物である半導体チップ、２はボンデ
ィングワイヤ、４は半導体チップ１を搭載しており半導
体チップ１と同様に被検物であるリードフレーム、１０
は被検物を搬送するための搬送装置、１４は被検物の外
観画像を取り込むための撮像装置、１５は撮像装置１４
を走査するための駆動装置、１７はこの検査装置全体を
制御する中央処理装置、２２は中央処理装置１７に対す
る情報伝達手段としての入出力手段、２６は搬送情報収
納部、２７は電極情報収納部、２８はワイヤリング情報
収納部、２９は良否判定情報収納部、３０は後処理情報
収納部を示している。
に係るワイヤボンディング検査装置の構成を示す。同図
において、１は被検物である半導体チップ、２はボンデ
ィングワイヤ、４は半導体チップ１を搭載しており半導
体チップ１と同様に被検物であるリードフレーム、１０
は被検物を搬送するための搬送装置、１４は被検物の外
観画像を取り込むための撮像装置、１５は撮像装置１４
を走査するための駆動装置、１７はこの検査装置全体を
制御する中央処理装置、２２は中央処理装置１７に対す
る情報伝達手段としての入出力手段、２６は搬送情報収
納部、２７は電極情報収納部、２８はワイヤリング情報
収納部、２９は良否判定情報収納部、３０は後処理情報
収納部を示している。
【００３５】ここで搬送情報収納部２６には、被検物で
あるリードフレーム４の巾、長さ、厚さ、送りピッチ
や、リードフレーム４を収納する図示しないマガジンの
巾、長さ、段ピッチのように、被検物を搬送するために
必要な情報が収納されており、オペレータが入出力手段
２２によって中央処理装置１７に被検物の品種指定を行
なうと、これらのデータに従って搬送装置１０は搬送部
制御装置２３によって制御され、被検物の形状に適合し
た寸法、位置に設定された後に、被検物は検査領域に搬
送されて固定される。
あるリードフレーム４の巾、長さ、厚さ、送りピッチ
や、リードフレーム４を収納する図示しないマガジンの
巾、長さ、段ピッチのように、被検物を搬送するために
必要な情報が収納されており、オペレータが入出力手段
２２によって中央処理装置１７に被検物の品種指定を行
なうと、これらのデータに従って搬送装置１０は搬送部
制御装置２３によって制御され、被検物の形状に適合し
た寸法、位置に設定された後に、被検物は検査領域に搬
送されて固定される。
【００３６】一方、電極情報収納部２７にはリードフレ
ーム４上の電極の位置を示す情報と半導体チップ１上の
電極の位置を示す情報とが収納されており、またワイヤ
リング情報収納部２８には前記リードフレーム４上の電
極（以下、リード電極と呼ぶ）と半導体装置１上の電極
（以下パッドと呼ぶ）に対してどの電極とどの電極とを
ワイヤボンディングによって接続するのかという、組み
合わせの情報が収納されている。但し、パッド側が一般
に長方形ないしは菱形を基本とした形状を呈しているの
に対し、リードフレーム４上の電極は図２に示すよう
に、空間的に閉じた形状となってはいないために電極部
の中心座標が特定できず、一般にはリード電極の先端部
からある一定の距離をもって、かつ電極部の幅方向の中
心である点を中心座標の代用として用いており、ボンデ
ィングが行なわれる際にもこの座標をリード電極側のボ
ンディングポイントとして用いられているため、本実施
例において電極情報収納部２７に収納される電極位置の
座標にもこの値が使用されるものとする。
ーム４上の電極の位置を示す情報と半導体チップ１上の
電極の位置を示す情報とが収納されており、またワイヤ
リング情報収納部２８には前記リードフレーム４上の電
極（以下、リード電極と呼ぶ）と半導体装置１上の電極
（以下パッドと呼ぶ）に対してどの電極とどの電極とを
ワイヤボンディングによって接続するのかという、組み
合わせの情報が収納されている。但し、パッド側が一般
に長方形ないしは菱形を基本とした形状を呈しているの
に対し、リードフレーム４上の電極は図２に示すよう
に、空間的に閉じた形状となってはいないために電極部
の中心座標が特定できず、一般にはリード電極の先端部
からある一定の距離をもって、かつ電極部の幅方向の中
心である点を中心座標の代用として用いており、ボンデ
ィングが行なわれる際にもこの座標をリード電極側のボ
ンディングポイントとして用いられているため、本実施
例において電極情報収納部２７に収納される電極位置の
座標にもこの値が使用されるものとする。
【００３７】被検物が検査領域に固定されたことが確認
されると、中央処理装置１７は電極情報収納部２７とワ
イヤリング情報収納部２８より前記情報を取り出し、続
いて、検査効率を向上させるために検査対象の各電極の
位置と検査項目から、検査手順と、検査を行なうための
画像を取り込むときの照明装置１２、光学装置１３およ
び撮像装置１４の設定条件と、検査を行なうために撮像
装置１４をどの位置に移動させるかとを決定する最適化
処理を行ない、検査最適化位置情報として記憶・処理装
置２５に再度記憶する。
されると、中央処理装置１７は電極情報収納部２７とワ
イヤリング情報収納部２８より前記情報を取り出し、続
いて、検査効率を向上させるために検査対象の各電極の
位置と検査項目から、検査手順と、検査を行なうための
画像を取り込むときの照明装置１２、光学装置１３およ
び撮像装置１４の設定条件と、検査を行なうために撮像
装置１４をどの位置に移動させるかとを決定する最適化
処理を行ない、検査最適化位置情報として記憶・処理装
置２５に再度記憶する。
【００３８】さらに電極情報収納部２７には、特開平５
−１６０２３０号の実施例に記載されているようにリー
ドフレーム４および半導体チップ１の位置補正を行なう
ためのアライメント点の情報が収納されており、この情
報を基にしてリードフレーム４および半導体チップ１の
位置ずれ量を確認してから、前記検査最適化位置情報の
座標を補正する。このとき行なわれるアライメントの手
法は本発明の主たる目的に直接関係しないためここでは
説明を省略するが、ここで言うアライメントには、例え
ばチップ面の湾曲補正等のようにリードフレーム４や半
導体チップ１の変形成分を考慮した位置補正の手法も含
んでいる。
−１６０２３０号の実施例に記載されているようにリー
ドフレーム４および半導体チップ１の位置補正を行なう
ためのアライメント点の情報が収納されており、この情
報を基にしてリードフレーム４および半導体チップ１の
位置ずれ量を確認してから、前記検査最適化位置情報の
座標を補正する。このとき行なわれるアライメントの手
法は本発明の主たる目的に直接関係しないためここでは
説明を省略するが、ここで言うアライメントには、例え
ばチップ面の湾曲補正等のようにリードフレーム４や半
導体チップ１の変形成分を考慮した位置補正の手法も含
んでいる。
【００３９】続いて、図１の検査装置は被検物の検査の
工程に入り、最初にリード電極の検査を行なう。先ず、
前記検査最適化位置情報に従って駆動装置１５が光学装
置１３を画像の取り込み位置まで移動させ、同時に中央
処理装置１７と照明部制御装置２４によって照明の制御
やフォーカスの制御等の撮像条件の設定が行なわれた上
で、リード電極部周辺の画像が撮像装置１４によって取
り込まれて画像解析装置２１に送られる。この画像解析
装置２１では、取り込まれた画像からボンディングワイ
ヤのワイヤおよびセカンドボンド部の画像とリード電極
部の画像とを抽出分離して、それぞれの形状寸法の解析
を行なった結果を中央処理装置１７へと転送する。
工程に入り、最初にリード電極の検査を行なう。先ず、
前記検査最適化位置情報に従って駆動装置１５が光学装
置１３を画像の取り込み位置まで移動させ、同時に中央
処理装置１７と照明部制御装置２４によって照明の制御
やフォーカスの制御等の撮像条件の設定が行なわれた上
で、リード電極部周辺の画像が撮像装置１４によって取
り込まれて画像解析装置２１に送られる。この画像解析
装置２１では、取り込まれた画像からボンディングワイ
ヤのワイヤおよびセカンドボンド部の画像とリード電極
部の画像とを抽出分離して、それぞれの形状寸法の解析
を行なった結果を中央処理装置１７へと転送する。
【００４０】ここで、前述したように図３は図２に示し
た半導体装置を作成するためのボンディングの際にリー
ド電極４ｂと４ｄとを間違えてティーチングした例を示
しているが、本実施例によるワイヤボンディング検査装
置では、中央処理装置１７が上記画像解析装置２１によ
って解析されたリード電極部の外観状態の検査を行な
う。ここでは、リード電極部の変形や隣接するリード電
極同士の接触やごみや異物によるショート等が検査さ
れ、続いてリード電極部のボンディングワイヤの検査に
移る。一般にリード電極部のボンディングワイヤの検査
では、例えば図示しないセカンドボンド部の幅Ｗおよび
長さＬに対して、それぞれ下限基準値ＷminおよびＬmin
と上限基準値Ｗmax およびＬmax を設定した上で検査
結果のＷおよびＬがＷmin ≦Ｗ≦Ｗmax とＬmin ≦Ｌ≦
Ｌmax の条件を満たしているときにセカンドボンド部の
形状が正常であると判断されるようにワイヤ存在型の判
定条件が設定されている。これに対し、本実施例の良否
判定情報収納部２９には、さらに、ボンディングのなさ
れていないリード電極部用としてＷ＝０，Ｌ＝０の時に
正常と判断するワイヤ非存在型の判定条件が用意されて
おり、図２に示す半導体装置の場合はリード電極４ａ，
４ｂ，４ｅに対しては上記ワイヤ存在型の判定条件が採
用され、リード電極４ｃ，４ｄに対してはワイヤ非存在
型の判定条件が採用されるので、図３の半導体装置を検
査した場合は、４ａ，４ｃ，４ｅのリード電極が合格判
定を得、４ｂ，４ｄのリード電極が不合格の判定を得る
こととなる。但し、当然のことながら、撮像装置１４に
よって取り込まれたリード電極部の画像にはごみの付着
や表面の粗さによってノイズ画像が存在しており、単純
に画像の二値化を行なっただけではボンディングワイヤ
が存在しない場合でもＷ＝０，Ｌ＝０という値が得られ
ない場合が発生するが、上記のノイズ画像成分を除去す
るために施されるフィルタ処理等の詳細技術に関して
は、画像解析装置２１内で行なわれる処理の一部である
ためにここでは説明を省略し、フィルタ処理後に出力さ
れる解析結果として、Ｗ＝０，Ｌ＝０の値が得られたも
のとする。
た半導体装置を作成するためのボンディングの際にリー
ド電極４ｂと４ｄとを間違えてティーチングした例を示
しているが、本実施例によるワイヤボンディング検査装
置では、中央処理装置１７が上記画像解析装置２１によ
って解析されたリード電極部の外観状態の検査を行な
う。ここでは、リード電極部の変形や隣接するリード電
極同士の接触やごみや異物によるショート等が検査さ
れ、続いてリード電極部のボンディングワイヤの検査に
移る。一般にリード電極部のボンディングワイヤの検査
では、例えば図示しないセカンドボンド部の幅Ｗおよび
長さＬに対して、それぞれ下限基準値ＷminおよびＬmin
と上限基準値Ｗmax およびＬmax を設定した上で検査
結果のＷおよびＬがＷmin ≦Ｗ≦Ｗmax とＬmin ≦Ｌ≦
Ｌmax の条件を満たしているときにセカンドボンド部の
形状が正常であると判断されるようにワイヤ存在型の判
定条件が設定されている。これに対し、本実施例の良否
判定情報収納部２９には、さらに、ボンディングのなさ
れていないリード電極部用としてＷ＝０，Ｌ＝０の時に
正常と判断するワイヤ非存在型の判定条件が用意されて
おり、図２に示す半導体装置の場合はリード電極４ａ，
４ｂ，４ｅに対しては上記ワイヤ存在型の判定条件が採
用され、リード電極４ｃ，４ｄに対してはワイヤ非存在
型の判定条件が採用されるので、図３の半導体装置を検
査した場合は、４ａ，４ｃ，４ｅのリード電極が合格判
定を得、４ｂ，４ｄのリード電極が不合格の判定を得る
こととなる。但し、当然のことながら、撮像装置１４に
よって取り込まれたリード電極部の画像にはごみの付着
や表面の粗さによってノイズ画像が存在しており、単純
に画像の二値化を行なっただけではボンディングワイヤ
が存在しない場合でもＷ＝０，Ｌ＝０という値が得られ
ない場合が発生するが、上記のノイズ画像成分を除去す
るために施されるフィルタ処理等の詳細技術に関して
は、画像解析装置２１内で行なわれる処理の一部である
ためにここでは説明を省略し、フィルタ処理後に出力さ
れる解析結果として、Ｗ＝０，Ｌ＝０の値が得られたも
のとする。
【００４１】続くパッド部の検査においても、リード電
極部の検査のときと同様に、前記検査最適化位置情報に
従って駆動装置１５は光学装置１３を画像の取り込み位
置まで移動させ、同時に中央処理装置１７によって照明
の制御やフォーカスの制御等の撮像条件の設定が行なわ
れた上で、パッド部周辺の画像が撮像装置１４によって
取り込まれて画像解析装置２１に送られる。この画像解
析装置２１では、取り込まれた画像からボンディングワ
イヤのワイヤおよびファーストボンド部の画像とパッド
部の画像とを抽出分離して、それぞれの形状寸法の解析
を行なった結果を、中央処理装置１７へと転送してパッ
ドの検査ならびにファーストボンド部の検査を行なって
いく。良否判定情報収納部２９にはリード電極上のセカ
ンドボンド部の検査の場合と同様にワイヤ存在型の判定
条件とワイヤ非存在型の判定条件とが用意されているこ
とは言うまでもなく、例えば図２を良品基準とする半導
体装置の検査を図３の半導体装置に対して行なった場合
は、パッド部の状態は良品と判断され、図４の半導体装
置に対して行なった場合はパッド３ｃ部に存在してはな
らないワイヤが存在するために不良判定が下される。
極部の検査のときと同様に、前記検査最適化位置情報に
従って駆動装置１５は光学装置１３を画像の取り込み位
置まで移動させ、同時に中央処理装置１７によって照明
の制御やフォーカスの制御等の撮像条件の設定が行なわ
れた上で、パッド部周辺の画像が撮像装置１４によって
取り込まれて画像解析装置２１に送られる。この画像解
析装置２１では、取り込まれた画像からボンディングワ
イヤのワイヤおよびファーストボンド部の画像とパッド
部の画像とを抽出分離して、それぞれの形状寸法の解析
を行なった結果を、中央処理装置１７へと転送してパッ
ドの検査ならびにファーストボンド部の検査を行なって
いく。良否判定情報収納部２９にはリード電極上のセカ
ンドボンド部の検査の場合と同様にワイヤ存在型の判定
条件とワイヤ非存在型の判定条件とが用意されているこ
とは言うまでもなく、例えば図２を良品基準とする半導
体装置の検査を図３の半導体装置に対して行なった場合
は、パッド部の状態は良品と判断され、図４の半導体装
置に対して行なった場合はパッド３ｃ部に存在してはな
らないワイヤが存在するために不良判定が下される。
【００４２】但し、パッド部の検査においてリード電極
部の検査と大きく異なる点は、図５に示すようにパッド
３ｄ上にプローバ圧痕６ｄが存在する場合があり、この
プローバ圧痕６ｄは画像解析によってファーストボンド
部と誤認識される可能性があるという点である。
部の検査と大きく異なる点は、図５に示すようにパッド
３ｄ上にプローバ圧痕６ｄが存在する場合があり、この
プローバ圧痕６ｄは画像解析によってファーストボンド
部と誤認識される可能性があるという点である。
【００４３】上記プローバ圧痕は必ずしも全てのパッド
上に存在するものではなく、ワイヤボンディング工程以
前の工程で半導体チップ単体での電気性能試験を行なう
ための図示しないプローバ装置の接触式端子がパッド上
に押し当てられることによりパッド表面が削られること
によって、表面の反射状態が変化して図５に示すごとく
見えるものである。このような圧痕は、一般にボンディ
ングを行なう場合には図５に示すファーストボンド部５
ａにより覆い隠されて外部には露出しないために問題と
はならない場合が多い。しかし、本実施例によるワイヤ
ボンディング検査装置の場合はボンディングの行なわれ
ていないパッドについても検査を行なうために、例えば
ワイヤのネック切れを起こしたファーストボンド部５ｃ
とプローバ圧痕６ｄのように一見、区別がつきにくい像
同士を識別するための判断基準を良否判断収納部２９内
に記憶している。
上に存在するものではなく、ワイヤボンディング工程以
前の工程で半導体チップ単体での電気性能試験を行なう
ための図示しないプローバ装置の接触式端子がパッド上
に押し当てられることによりパッド表面が削られること
によって、表面の反射状態が変化して図５に示すごとく
見えるものである。このような圧痕は、一般にボンディ
ングを行なう場合には図５に示すファーストボンド部５
ａにより覆い隠されて外部には露出しないために問題と
はならない場合が多い。しかし、本実施例によるワイヤ
ボンディング検査装置の場合はボンディングの行なわれ
ていないパッドについても検査を行なうために、例えば
ワイヤのネック切れを起こしたファーストボンド部５ｃ
とプローバ圧痕６ｄのように一見、区別がつきにくい像
同士を識別するための判断基準を良否判断収納部２９内
に記憶している。
【００４４】上述したように、プローバ圧痕６ｄはそも
そもパッド部の表面が削られてできたものであってその
深さは一般に１μｍ以下であり、上方より落射照明を照
射した場合、紡錘型に集合した引っかき傷状の細かな線
の集合体が撮像装置１４によって捉えられる。これに対
してファーストボンド部５ｂは、球状に整形されたボン
ディングワイヤの先端部をパッド３ｂ上に押しつけるこ
とによって形成されるために、図６に示すようにパッド
に対して盛り上がった形状をなしていて、その厚さは１
０〜２０μｍ程度であり、プローバ圧痕と比較してかな
り厚いものとなっている。したがって、ファーストボン
ド部５ｂは、パッド面に対する凹凸の度合いがプローバ
圧痕の場合より大きくなっていて、ファーストボンド部
５ｂは上方より落射照明を照射した場合には、図６に示
すように外周部および中心付近が暗い、はっきりとした
輪郭画像として撮像装置１４によって捉えることができ
る。
そもパッド部の表面が削られてできたものであってその
深さは一般に１μｍ以下であり、上方より落射照明を照
射した場合、紡錘型に集合した引っかき傷状の細かな線
の集合体が撮像装置１４によって捉えられる。これに対
してファーストボンド部５ｂは、球状に整形されたボン
ディングワイヤの先端部をパッド３ｂ上に押しつけるこ
とによって形成されるために、図６に示すようにパッド
に対して盛り上がった形状をなしていて、その厚さは１
０〜２０μｍ程度であり、プローバ圧痕と比較してかな
り厚いものとなっている。したがって、ファーストボン
ド部５ｂは、パッド面に対する凹凸の度合いがプローバ
圧痕の場合より大きくなっていて、ファーストボンド部
５ｂは上方より落射照明を照射した場合には、図６に示
すように外周部および中心付近が暗い、はっきりとした
輪郭画像として撮像装置１４によって捉えることができ
る。
【００４５】したがって、本実施例によるワイヤボンデ
ィング検査装置によれば、図５においてまず撮像装置１
４によって取り込まれたパッド部３ｃ，３ｄ周辺の画像
に対して画像解析装置２１によって例えば微分処理を行
ない、ファーストボンド部５ｃおよびプローバ圧痕部６
ｄの画像のそれぞれについての輪郭線の強度係数Ｅ（５
ｃ）およびＥ（６ｄ）を求める。このときファーストボ
ンド部５ｃの輪郭線はプローバ圧痕６ｄの輪郭線に比べ
て明瞭であるために、ある適度な閾値Ｅ（ｔｈ）を設定
することによって両者を識別することを可能としてい
る。
ィング検査装置によれば、図５においてまず撮像装置１
４によって取り込まれたパッド部３ｃ，３ｄ周辺の画像
に対して画像解析装置２１によって例えば微分処理を行
ない、ファーストボンド部５ｃおよびプローバ圧痕部６
ｄの画像のそれぞれについての輪郭線の強度係数Ｅ（５
ｃ）およびＥ（６ｄ）を求める。このときファーストボ
ンド部５ｃの輪郭線はプローバ圧痕６ｄの輪郭線に比べ
て明瞭であるために、ある適度な閾値Ｅ（ｔｈ）を設定
することによって両者を識別することを可能としてい
る。
【００４６】また、上記に説明したようにファーストボ
ンド部５ｃがほぼ円形の形状をなすのに比べてプローバ
圧痕部６ｄはいびつな紡錘型をなすために、第２の識別
手段として、本実施例によるワイヤボンディング検査装
置によればファーストボンド部５ｃおよびプローバ圧痕
部６ｄの画像のそれぞれについて円に対する相関度Ｆ
（５ｃ）およびＦ（６ｄ）を求め、ある適度な閾値Ｆ
（ｔｈ）を設定することによって両者を識別することを
可能としている。ここで用いる円の相関度は例えばそれ
ぞれの面積Ｓ（５ｃ）およびＳ（６ｄ）を求めて、それ
ぞれの平均径Ｒ（５ｃ）およびＲ（６ｄ）を求め、さら
にそれぞれの画像の重心位置より放射状に輪郭線までの
距離を求めて前記平均径に対する偏差値を求めることに
よって相関度として用いることができる。
ンド部５ｃがほぼ円形の形状をなすのに比べてプローバ
圧痕部６ｄはいびつな紡錘型をなすために、第２の識別
手段として、本実施例によるワイヤボンディング検査装
置によればファーストボンド部５ｃおよびプローバ圧痕
部６ｄの画像のそれぞれについて円に対する相関度Ｆ
（５ｃ）およびＦ（６ｄ）を求め、ある適度な閾値Ｆ
（ｔｈ）を設定することによって両者を識別することを
可能としている。ここで用いる円の相関度は例えばそれ
ぞれの面積Ｓ（５ｃ）およびＳ（６ｄ）を求めて、それ
ぞれの平均径Ｒ（５ｃ）およびＲ（６ｄ）を求め、さら
にそれぞれの画像の重心位置より放射状に輪郭線までの
距離を求めて前記平均径に対する偏差値を求めることに
よって相関度として用いることができる。
【００４７】さらに、ボンディングを行なうパッドに関
しては、一般にはプローバ圧痕の面積は正常にボンディ
ングされたファーストボンド部の面積より小さくなって
おり、第３の識別手段として、本実施例によるワイヤボ
ンディング検査装置によればファーストボンド部５ｃお
よびプローバ圧痕部６ｄ画像それぞれについての面積Ｓ
（５ｃ）およびＳ（６ｄ）を求めて、ある適度な閾値Ｓ
（ｔｈ）を設定することによって両者を識別することを
可能としている。
しては、一般にはプローバ圧痕の面積は正常にボンディ
ングされたファーストボンド部の面積より小さくなって
おり、第３の識別手段として、本実施例によるワイヤボ
ンディング検査装置によればファーストボンド部５ｃお
よびプローバ圧痕部６ｄ画像それぞれについての面積Ｓ
（５ｃ）およびＳ（６ｄ）を求めて、ある適度な閾値Ｓ
（ｔｈ）を設定することによって両者を識別することを
可能としている。
【００４８】以上の３種類の識別手段によって判定され
た結果によってファーストボンド部５ｃとプローバ圧痕
部６ｄを区別することが可能となるために、ボンディン
グのなされていないパッド部であっても外観検査が可能
となっているが、前記した３種類の判断手段は必ずしも
並列に用いられる必要はなく、それぞれの識別手段によ
って導き出された判定結果に、重み付け係数を付与する
ことによって多種多様な被検物に対する検査を行なうこ
とができる。勿論、半導体チップ１上ないしはリードフ
レーム４上に存在するごみや傷等によって現れる画像ノ
イズの場合であっても、プローバ圧痕による画像ノイズ
の場合と同様の識別手段を用いることによって、識別を
行なうことができるのは言うまでもない。
た結果によってファーストボンド部５ｃとプローバ圧痕
部６ｄを区別することが可能となるために、ボンディン
グのなされていないパッド部であっても外観検査が可能
となっているが、前記した３種類の判断手段は必ずしも
並列に用いられる必要はなく、それぞれの識別手段によ
って導き出された判定結果に、重み付け係数を付与する
ことによって多種多様な被検物に対する検査を行なうこ
とができる。勿論、半導体チップ１上ないしはリードフ
レーム４上に存在するごみや傷等によって現れる画像ノ
イズの場合であっても、プローバ圧痕による画像ノイズ
の場合と同様の識別手段を用いることによって、識別を
行なうことができるのは言うまでもない。
【００４９】さらに、本実施例によるワイヤボンディン
グ検査装置では、次の工程としてワイヤ部の検査を行な
い、ワイヤ切れやワイヤの接触、だれ、高さ不良といっ
た項目についての判定を行なって、最後に以上のリード
電極部、パッド部およびワイヤ部の判定結果を総合判定
することによって被検物全体での良否判断を中央処理装
置１７により行なっている。
グ検査装置では、次の工程としてワイヤ部の検査を行な
い、ワイヤ切れやワイヤの接触、だれ、高さ不良といっ
た項目についての判定を行なって、最後に以上のリード
電極部、パッド部およびワイヤ部の判定結果を総合判定
することによって被検物全体での良否判断を中央処理装
置１７により行なっている。
【００５０】以上によって検査の全行程が終了するが、
後処理情報収納部３０には、検査の結果に対して例えば
被検物の検査結果に不良や異常が発見されると、入出力
手段２２より警報を発したり、不良品に対するマーキン
グないしは破壊処理を行なったり、ボンディング位置の
ずれに対する検査結果に応じて図示しないボンディング
装置のボンディングデータの修正を行なったり、あるい
は被検物を次の加工検査行程へと搬送するというような
後処理の指示内容が収納されている。ここに収納された
情報に従って、中央処理装置１７は入出力手段２２に対
しての命令を発するが、後処理の内容手段については、
特公平２−１０５７４号、特開昭６０−３４１６号、特
開昭６２−６７８３０号、特公平７−３２１８８号、特
開平７−１２９３２号等によって報告がなされているた
めここでは説明を省略する。
後処理情報収納部３０には、検査の結果に対して例えば
被検物の検査結果に不良や異常が発見されると、入出力
手段２２より警報を発したり、不良品に対するマーキン
グないしは破壊処理を行なったり、ボンディング位置の
ずれに対する検査結果に応じて図示しないボンディング
装置のボンディングデータの修正を行なったり、あるい
は被検物を次の加工検査行程へと搬送するというような
後処理の指示内容が収納されている。ここに収納された
情報に従って、中央処理装置１７は入出力手段２２に対
しての命令を発するが、後処理の内容手段については、
特公平２−１０５７４号、特開昭６０−３４１６号、特
開昭６２−６７８３０号、特公平７−３２１８８号、特
開平７−１２９３２号等によって報告がなされているた
めここでは説明を省略する。
【００５１】（第２の実施例）第１の実施例において
は、本発明に係るワイヤボンディング検査装置は単独の
検査装置として説明されているが、ワイヤボンディング
装置の一部として構成できることは言うまでもなく、ま
た、搬送情報収納部２６、電極情報収納部２７およびワ
イヤリング情報収納部２８に収納されるデータは、図示
しない他の検査装置またはボンディング装置と共用して
もよい。
は、本発明に係るワイヤボンディング検査装置は単独の
検査装置として説明されているが、ワイヤボンディング
装置の一部として構成できることは言うまでもなく、ま
た、搬送情報収納部２６、電極情報収納部２７およびワ
イヤリング情報収納部２８に収納されるデータは、図示
しない他の検査装置またはボンディング装置と共用して
もよい。
【００５２】（第３の実施例）また、第１の実施例で述
べた検査内容は必ずしもすべての検査が行なわれる必要
はなく、検査項目の選択および検査手順の設定は本発明
の主たる目的に反しない範囲において変更が可能であ
る。
べた検査内容は必ずしもすべての検査が行なわれる必要
はなく、検査項目の選択および検査手順の設定は本発明
の主たる目的に反しない範囲において変更が可能であ
る。
【００５３】（第４の実施例）図７は本発明の第４の実
施例に係るワイヤボンディング検査装置の主な構成要素
を示す図であり、図８は図７の装置の検査フローを示す
図である。以下これらの図に基づいて本発明の第４の実
施例について説明する。なお、本実施例によるワイヤボ
ンディング検査装置の検査対象である半導体装置の種類
は広範囲となるが、ここでは説明を簡略化するために図
９に示す半導体装置について検査を行なう場合の例を中
心として説明を行なう。
施例に係るワイヤボンディング検査装置の主な構成要素
を示す図であり、図８は図７の装置の検査フローを示す
図である。以下これらの図に基づいて本発明の第４の実
施例について説明する。なお、本実施例によるワイヤボ
ンディング検査装置の検査対象である半導体装置の種類
は広範囲となるが、ここでは説明を簡略化するために図
９に示す半導体装置について検査を行なう場合の例を中
心として説明を行なう。
【００５４】図７の検査装置はその全体動作を中央処理
装置６１によって制御される。中央処理装置６１には、
検査制御部６２、データベース部６３および接続処理部
６４を介して、外部装置接続部６５ないし通信装置７５
が接続されている。
装置６１によって制御される。中央処理装置６１には、
検査制御部６２、データベース部６３および接続処理部
６４を介して、外部装置接続部６５ないし通信装置７５
が接続されている。
【００５５】ワイヤボンディング検査装置の場合、検査
を実行する時の工程は一般に『ティーチング』、『検
査、判定』、『後処理』の三つの工程に大別することが
できるが、本実施例によるワイヤボンディング検査装置
では『ティーチング』工程はさらに『基本データの作
成』と『品種データの作成』の二つに分類されている。
を実行する時の工程は一般に『ティーチング』、『検
査、判定』、『後処理』の三つの工程に大別することが
できるが、本実施例によるワイヤボンディング検査装置
では『ティーチング』工程はさらに『基本データの作
成』と『品種データの作成』の二つに分類されている。
【００５６】『基本データの作成』で言う『基本デー
タ』とは単一のリードフレームの形状を示したデータあ
るいは単一の半導体チップの形状を示したデータあるい
はワイヤボンディングの条件を示したデータあるいは前
記の各リードフレームや半導体チップのデータを指して
いる。一方、『品種データ』はリードフレームと半導体
チップとの相対的な位置関係やリードフレームと半導体
チップとを接続するワイヤボンディングの状態およびボ
ンディングの状態のそれぞれに対応した良否判定基準を
示したデータを指す。例えば図９に示された半導体装置
において、９３はリードフレームで、その電極部分のみ
を図示している。９４は半導体チップ、９５ａ，９５ｂ
は半導体チップ９４上に固定された同一形状の半導体チ
ップ、９６は半導体チップ９４上に固定された９５ａ，
９５ｂとは異なる形状の半導体チップ、９７，９８ａ，
９８ｂ，９９は電極間を導通させるためのワイヤを示
す。９０，９１，９２ａ，９２ｂは半導体チップ上の電
極（パッド）である。ここでは、リードフレーム９３の
形状を示した基本データと半導体チップ９５ａまたは９
５ｂの形状を示した基本データ、半導体チップ９４，９
６の形状を示した基本データ、ワイヤ９７，９８ａまた
は９８ｂ，９９の形状を示した品種データおよび良否判
定基準の品種データの作成を行なうこととなる。
タ』とは単一のリードフレームの形状を示したデータあ
るいは単一の半導体チップの形状を示したデータあるい
はワイヤボンディングの条件を示したデータあるいは前
記の各リードフレームや半導体チップのデータを指して
いる。一方、『品種データ』はリードフレームと半導体
チップとの相対的な位置関係やリードフレームと半導体
チップとを接続するワイヤボンディングの状態およびボ
ンディングの状態のそれぞれに対応した良否判定基準を
示したデータを指す。例えば図９に示された半導体装置
において、９３はリードフレームで、その電極部分のみ
を図示している。９４は半導体チップ、９５ａ，９５ｂ
は半導体チップ９４上に固定された同一形状の半導体チ
ップ、９６は半導体チップ９４上に固定された９５ａ，
９５ｂとは異なる形状の半導体チップ、９７，９８ａ，
９８ｂ，９９は電極間を導通させるためのワイヤを示
す。９０，９１，９２ａ，９２ｂは半導体チップ上の電
極（パッド）である。ここでは、リードフレーム９３の
形状を示した基本データと半導体チップ９５ａまたは９
５ｂの形状を示した基本データ、半導体チップ９４，９
６の形状を示した基本データ、ワイヤ９７，９８ａまた
は９８ｂ，９９の形状を示した品種データおよび良否判
定基準の品種データの作成を行なうこととなる。
【００５７】上記の分類による『ティーチング』の工程
では、まずリードフレームは例えば図１０に示した形状
をしており、一般に金属製の一枚のリードフレーム上に
電極および半導体チップの固定を目的としたパターン
（以下リードパターンと呼ぶ）が複数個連続して形成さ
れているので、リードフレームの形状を示す『基本デー
タ』では巾、長さ、厚さといった外形の寸法と共に上記
した複数のリードパターン同士の配置寸法と形成された
パターンの形状を含んでおり、特にパターンの形状につ
いてはリードパターンの中で特徴的なパターンを少なく
とも１カ所以上選択して座標設定の基準を設定する。こ
こで使用される特徴的なパターンは特開平５−１６０９
６０号の実施例に示されるところの『リードフレーム上
のアライメント点』（以下、リードアライメント点と呼
ぶ）に相当するものであり、上記実施例と同様にパター
ンの位置およびパターンの画像情報を組み合わせて構成
される情報（以下、リードアライメント情報と呼ぶ）で
あるが、本実施例によるワイヤボンディング検査装置で
は、与えられたリードアライメント情報を基準として独
立した座標系を形成する。すなわち、少なくとも１点以
上設定されたリードアライメント点をそれぞれ三次元的
なある特定の座標（ｘi ，ｙi ，ｚi ）と設定すること
によって、他のパターンすべてを同じ座標系上の点とし
て設定することができるようになる。図１０において、
１０１はリードフレーム、１１０は半導体チップであ
る。
では、まずリードフレームは例えば図１０に示した形状
をしており、一般に金属製の一枚のリードフレーム上に
電極および半導体チップの固定を目的としたパターン
（以下リードパターンと呼ぶ）が複数個連続して形成さ
れているので、リードフレームの形状を示す『基本デー
タ』では巾、長さ、厚さといった外形の寸法と共に上記
した複数のリードパターン同士の配置寸法と形成された
パターンの形状を含んでおり、特にパターンの形状につ
いてはリードパターンの中で特徴的なパターンを少なく
とも１カ所以上選択して座標設定の基準を設定する。こ
こで使用される特徴的なパターンは特開平５−１６０９
６０号の実施例に示されるところの『リードフレーム上
のアライメント点』（以下、リードアライメント点と呼
ぶ）に相当するものであり、上記実施例と同様にパター
ンの位置およびパターンの画像情報を組み合わせて構成
される情報（以下、リードアライメント情報と呼ぶ）で
あるが、本実施例によるワイヤボンディング検査装置で
は、与えられたリードアライメント情報を基準として独
立した座標系を形成する。すなわち、少なくとも１点以
上設定されたリードアライメント点をそれぞれ三次元的
なある特定の座標（ｘi ，ｙi ，ｚi ）と設定すること
によって、他のパターンすべてを同じ座標系上の点とし
て設定することができるようになる。図１０において、
１０１はリードフレーム、１１０は半導体チップであ
る。
【００５８】当然のことながらリードフレームは品種に
よって形状が異なるために、リードフレーム毎に同上の
方法によって独立した座標系上に構築された形状データ
は、品種毎に図７のリードデータ収納部６８に収納され
る。リードフレームに対して、半導体チップの場合はＳ
ｉやＧａＡｓ化合物ないしは樹脂または金属等の基板上
に電気的回路や電極パターン等が形成されているが、こ
の場合においても特開平５−１６０９６０号の実施例に
示されるところの『半導体チップ上のアライメント点』
（以下、チップアライメント点と呼ぶ）を少なくとも１
点以上選択し、選択されたアライメント点を基準とな
す、独立した座標系上で半導体チップ上のパターン位置
を認識して図７のチップデータ収納部６９に収納する。
よって形状が異なるために、リードフレーム毎に同上の
方法によって独立した座標系上に構築された形状データ
は、品種毎に図７のリードデータ収納部６８に収納され
る。リードフレームに対して、半導体チップの場合はＳ
ｉやＧａＡｓ化合物ないしは樹脂または金属等の基板上
に電気的回路や電極パターン等が形成されているが、こ
の場合においても特開平５−１６０９６０号の実施例に
示されるところの『半導体チップ上のアライメント点』
（以下、チップアライメント点と呼ぶ）を少なくとも１
点以上選択し、選択されたアライメント点を基準とな
す、独立した座標系上で半導体チップ上のパターン位置
を認識して図７のチップデータ収納部６９に収納する。
【００５９】勿論、チップデータの場合もリードデータ
の場合と同様に複数の品種の情報を収納できるものと
し、また、データの入力方法としてはＣＡＤデータ等の
数値化されたデータをフロッピーディスク等の記憶媒体
を介して入力装置７４から読みとり中央処理装置６１に
よって適切な書式に変換して収納する方法をとるが、特
開平５−１６０９６０号の実施例に示されるように、検
査対象半導体装置と同種の半導体装置を実際に検査装置
内の搬送部６６に搭載した上で検査ヘッド６７によって
画像を取り込みながら、データの収納部に記憶するとい
った方法をとってもよく、さらには通信装置７５を介し
てボンディング装置や他の検査装置からデータを取り込
むことも可能である。
の場合と同様に複数の品種の情報を収納できるものと
し、また、データの入力方法としてはＣＡＤデータ等の
数値化されたデータをフロッピーディスク等の記憶媒体
を介して入力装置７４から読みとり中央処理装置６１に
よって適切な書式に変換して収納する方法をとるが、特
開平５−１６０９６０号の実施例に示されるように、検
査対象半導体装置と同種の半導体装置を実際に検査装置
内の搬送部６６に搭載した上で検査ヘッド６７によって
画像を取り込みながら、データの収納部に記憶するとい
った方法をとってもよく、さらには通信装置７５を介し
てボンディング装置や他の検査装置からデータを取り込
むことも可能である。
【００６０】以上によって、単体のリードフレームに関
するリードデータおよび単体の半導体チップに関するチ
ップデータを検査装置内に記憶することが完了すると、
続いて配置データおよびワイヤデータの作成を行なう。
するリードデータおよび単体の半導体チップに関するチ
ップデータを検査装置内に記憶することが完了すると、
続いて配置データおよびワイヤデータの作成を行なう。
【００６１】配置データは図９における、リードフレー
ム９３と半導体チップ９４の相対的な位置関係や半導体
チップ９５ａと半導体チップ９４の相対的な位置関係の
ように、検査対象である半導体装置の構成要素同士の位
置関係を示すものである。図９に示す例ではまずリード
フレーム９３のリードデータと半導体チップ９４のチッ
プデータのそれぞれに設定されている座標系同士の相対
位置を設定し、続いて半導体チップ９４と半導体チップ
９５ａ、半導体チップ９４と半導体チップ９５ｂ、半導
体チップ９４と半導体チップ９６の各組み合わせについ
てそれぞれの座標系同士の相対位置を設定したものであ
り、ここで作成された配置データを配置データ収納部７
０に収納する。
ム９３と半導体チップ９４の相対的な位置関係や半導体
チップ９５ａと半導体チップ９４の相対的な位置関係の
ように、検査対象である半導体装置の構成要素同士の位
置関係を示すものである。図９に示す例ではまずリード
フレーム９３のリードデータと半導体チップ９４のチッ
プデータのそれぞれに設定されている座標系同士の相対
位置を設定し、続いて半導体チップ９４と半導体チップ
９５ａ、半導体チップ９４と半導体チップ９５ｂ、半導
体チップ９４と半導体チップ９６の各組み合わせについ
てそれぞれの座標系同士の相対位置を設定したものであ
り、ここで作成された配置データを配置データ収納部７
０に収納する。
【００６２】さらに、次の工程としてワイヤデータの作
成を行なうが、複数の半導体チップを混載した図９に示
すような半導体装置の場合、接続する場所によってワイ
ヤボンディングの条件が異なり、たとえばワイヤ９７と
ワイヤ９８ａとではワイヤの材質、径が異なる場合もあ
るためにワイヤデータの作成に当たっては、ワイヤボン
ディングの条件毎にどの電極とどの電極とをワイヤボン
ディングするかを入力して、ワイヤデータ収納部７１に
入力する。
成を行なうが、複数の半導体チップを混載した図９に示
すような半導体装置の場合、接続する場所によってワイ
ヤボンディングの条件が異なり、たとえばワイヤ９７と
ワイヤ９８ａとではワイヤの材質、径が異なる場合もあ
るためにワイヤデータの作成に当たっては、ワイヤボン
ディングの条件毎にどの電極とどの電極とをワイヤボン
ディングするかを入力して、ワイヤデータ収納部７１に
入力する。
【００６３】そして『ティーチング』工程の最後として
判定データの入力が行なわれるが、この工程において
は、例えばリード部の電極の変形量、半導体チップのク
ラックの大きさ、ボンディング時のボンディング位置の
ずれ量等の検査内容と各検査内容に対応した良否判定基
準が設定されて判定データ収納部７２に収納される。
判定データの入力が行なわれるが、この工程において
は、例えばリード部の電極の変形量、半導体チップのク
ラックの大きさ、ボンディング時のボンディング位置の
ずれ量等の検査内容と各検査内容に対応した良否判定基
準が設定されて判定データ収納部７２に収納される。
【００６４】本実施例によるワイヤボンディング検査装
置は、以上によって作成されたデータに基づいて検査を
行なうものであり、以下、『検査、判定』の工程につい
て具体的に説明する。
置は、以上によって作成されたデータに基づいて検査を
行なうものであり、以下、『検査、判定』の工程につい
て具体的に説明する。
【００６５】まず、「チップ搬送」（図８の工程５１）
では入力装置７４または通信装置７５を介して中央処理
装置６１に与えられた検査対象である半導体装置（以
下、被検物と呼ぶ）の品種および検査条件に従って、搬
送部６６は被検物の形状に合わせて自動的に位置決めが
なされ、被検物を検査領域まで搬送して固定を行ない、
「リード位置検出」（工程５２）においてリードデータ
収納部６８に収納されたリードフレーム９３の形状デー
タと配置データ収納部７０に納められた配置データから
算出されるリードアライメント点の画像を検査ヘッド６
７によって取り込んで、図示しない画像解析手段によっ
てリードアライメント情報と取り込まれた画像を比較演
算することにより、リードアライメント点のずれ量を算
出してリードフレーム９３の位置ずれを補正する。「リ
ード状態検出」（工程５３）ではリードフレーム９３の
状態が検出される。
では入力装置７４または通信装置７５を介して中央処理
装置６１に与えられた検査対象である半導体装置（以
下、被検物と呼ぶ）の品種および検査条件に従って、搬
送部６６は被検物の形状に合わせて自動的に位置決めが
なされ、被検物を検査領域まで搬送して固定を行ない、
「リード位置検出」（工程５２）においてリードデータ
収納部６８に収納されたリードフレーム９３の形状デー
タと配置データ収納部７０に納められた配置データから
算出されるリードアライメント点の画像を検査ヘッド６
７によって取り込んで、図示しない画像解析手段によっ
てリードアライメント情報と取り込まれた画像を比較演
算することにより、リードアライメント点のずれ量を算
出してリードフレーム９３の位置ずれを補正する。「リ
ード状態検出」（工程５３）ではリードフレーム９３の
状態が検出される。
【００６６】続いて、「メインチップ位置検出」（工程
４１）では混載された半導体チップ９４，９５ａ，９５
ｂ，９６の中で基板となる半導体チップ９４をメインチ
ップとして考え、チップデータおよび配置データから半
導体チップ９４のチップアライメント点の位置を算出
し、さらにリードアライメント点の補正分を加えて位置
を修正した上で、リード部と同様に位置ずれの補正を行
なう。「メインチップ検査」（工程４２）では半導体チ
ップ９４の傷、欠け、パターン不良といった外観状態の
検査を行なうが、この工程ではリードの位置ずれ補正
と、メインチップ９４の位置ずれ補正が完了しているた
めにリードとメインチップを配線するワイヤ９７がボン
ディングされるべき座標も同時に算出することができ
る。
４１）では混載された半導体チップ９４，９５ａ，９５
ｂ，９６の中で基板となる半導体チップ９４をメインチ
ップとして考え、チップデータおよび配置データから半
導体チップ９４のチップアライメント点の位置を算出
し、さらにリードアライメント点の補正分を加えて位置
を修正した上で、リード部と同様に位置ずれの補正を行
なう。「メインチップ検査」（工程４２）では半導体チ
ップ９４の傷、欠け、パターン不良といった外観状態の
検査を行なうが、この工程ではリードの位置ずれ補正
と、メインチップ９４の位置ずれ補正が完了しているた
めにリードとメインチップを配線するワイヤ９７がボン
ディングされるべき座標も同時に算出することができ
る。
【００６７】図１１は以降の行程について説明を行なう
ために図９に示した半導体装置を上方から観察した図で
ある。ここでは説明を簡略化するために、二次元の座標
上での例を示すものとする。さらに図８では、半導体チ
ップ９５ａないしは９５ｂないしは９６の上にさらに別
の半導体チップが搭載されている場合を想定したフロー
図となっているが、ここでは図８の工程４５におけるｉ
をｉ＝０として「孫チップ位置検出および検査」（工程
４６）を省略して説明する。
ために図９に示した半導体装置を上方から観察した図で
ある。ここでは説明を簡略化するために、二次元の座標
上での例を示すものとする。さらに図８では、半導体チ
ップ９５ａないしは９５ｂないしは９６の上にさらに別
の半導体チップが搭載されている場合を想定したフロー
図となっているが、ここでは図８の工程４５におけるｉ
をｉ＝０として「孫チップ位置検出および検査」（工程
４６）を省略して説明する。
【００６８】リードフレームおよびメインチップの検査
の検査終了に続いては、メインチップである半導体チッ
プ９４上に搭載された半導体チップ（親チップ）９５
ａ，９５ｂ，９６のそれぞれについての検査が行なわれ
る。
の検査終了に続いては、メインチップである半導体チッ
プ９４上に搭載された半導体チップ（親チップ）９５
ａ，９５ｂ，９６のそれぞれについての検査が行なわれ
る。
【００６９】一般に図９に示すような構成をもつ半導体
装置の場合、半導体チップ９５ａ，９５ｂ，９６は半導
体チップ９４の上に接着固定されているのであるが、半
導体チップ９４がリードフレーム９３に対して固定され
る場合に位置ずれを生じるのと同様に、半導体チップ同
士も図１１に示すように半導体チップ９５ａ，９５ｂ，
９６は二点鎖線で示す設計上の位置に対して位置ずれを
生じている。本実施例によるワイヤボンディング検査装
置においては、チップデータ収納部６９に収納されてい
る半導体チップ９５ａのチップデータと配置データ収納
部７０に収納されている配置データから半導体チップ９
５ａのチップアライメント点の設計上の位置を算出する
と共に、「リード位置検出」（工程５２）および「メイ
ンチップ位置検出」（工程４１）によって行なわれた位
置ずれの補正量を加えてチップアライメント点の座標補
正を行ない、「親チップ位置検出」（工程４３）におい
て半導体チップ９４の場合と同様の方法で半導体チップ
９５ａ上のチップアライメント点の補正を行なう。ここ
で得られた補正量によって半導体チップ９５ａ上のパタ
ーンはすべて補正された座標系上で認識することが可能
となるので、「親チップ検査」（工程４４）で半導体チ
ップ９５ａの外観検査を行なう。
装置の場合、半導体チップ９５ａ，９５ｂ，９６は半導
体チップ９４の上に接着固定されているのであるが、半
導体チップ９４がリードフレーム９３に対して固定され
る場合に位置ずれを生じるのと同様に、半導体チップ同
士も図１１に示すように半導体チップ９５ａ，９５ｂ，
９６は二点鎖線で示す設計上の位置に対して位置ずれを
生じている。本実施例によるワイヤボンディング検査装
置においては、チップデータ収納部６９に収納されてい
る半導体チップ９５ａのチップデータと配置データ収納
部７０に収納されている配置データから半導体チップ９
５ａのチップアライメント点の設計上の位置を算出する
と共に、「リード位置検出」（工程５２）および「メイ
ンチップ位置検出」（工程４１）によって行なわれた位
置ずれの補正量を加えてチップアライメント点の座標補
正を行ない、「親チップ位置検出」（工程４３）におい
て半導体チップ９４の場合と同様の方法で半導体チップ
９５ａ上のチップアライメント点の補正を行なう。ここ
で得られた補正量によって半導体チップ９５ａ上のパタ
ーンはすべて補正された座標系上で認識することが可能
となるので、「親チップ検査」（工程４４）で半導体チ
ップ９５ａの外観検査を行なう。
【００７０】次の行程として、検査装置は半導体チップ
９５ｂの検査を行なうこととなるが、ここで図９に示す
例においては半導体チップ９５ａと９５ｂは同一品種の
半導体チップが使用されているために、チップデータ収
納部６９から呼び出されるチップデータは半導体チップ
９５ａの時と同一のものとなっている。但し、配置デー
タ収納部７０からは半導体チップ９５ｂの配置に関する
データを呼び出して半導体チップ９４のチップデータの
座標系に対する半導体チップ９５ｂのチップデータの座
標系の相対位置が読みとられて、半導体チップ９５ａの
場合と同様に「親チップ位置検出」（工程４３）および
「親チップ検査」（工程４４）の工程を実行することが
できる。図８においてｍ＝３と考えれば半導体チップ９
４上の３番目の半導体チップ９６も上記と同様に検査の
工程を実行できる。
９５ｂの検査を行なうこととなるが、ここで図９に示す
例においては半導体チップ９５ａと９５ｂは同一品種の
半導体チップが使用されているために、チップデータ収
納部６９から呼び出されるチップデータは半導体チップ
９５ａの時と同一のものとなっている。但し、配置デー
タ収納部７０からは半導体チップ９５ｂの配置に関する
データを呼び出して半導体チップ９４のチップデータの
座標系に対する半導体チップ９５ｂのチップデータの座
標系の相対位置が読みとられて、半導体チップ９５ａの
場合と同様に「親チップ位置検出」（工程４３）および
「親チップ検査」（工程４４）の工程を実行することが
できる。図８においてｍ＝３と考えれば半導体チップ９
４上の３番目の半導体チップ９６も上記と同様に検査の
工程を実行できる。
【００７１】ここまでの工程では、主にリードフレーム
および半導体チップの相対的な位置ずれの補正とリード
フレームおよび半導体チップ自体の外観検査が行なわれ
ているが、以上の作業を終了することによってワイヤボ
ンディングが行なわれるべき電極同士の位置補正が同時
に行なわれることとなり、ワイヤの検査は補正された座
標を基準として実行することができる。
および半導体チップの相対的な位置ずれの補正とリード
フレームおよび半導体チップ自体の外観検査が行なわれ
ているが、以上の作業を終了することによってワイヤボ
ンディングが行なわれるべき電極同士の位置補正が同時
に行なわれることとなり、ワイヤの検査は補正された座
標を基準として実行することができる。
【００７２】すなわち、「配線検査」（工程４７）では
ワイヤデータ収納部７１より読み込まれた情報に基づい
て、半導体チップ９４とその上に搭載されている半導体
チップ９５ａ，９５ｂ，９６との間を接続しているワイ
ヤ９５ａ，９５ｂ，９６について外観形状の検査が行な
われ、次いで「配線検査」（工程５６）では同様にして
リードフレーム９３と半導体チップ９４との間を接続し
ているワイヤ９７の検査が行なわれて、最後に「データ
処理」（工程５７）では検査結果と判定データ収納部７
２に収納された合否判定基準とを比較して各検査項目毎
の良否判定が行なわれることとなる。
ワイヤデータ収納部７１より読み込まれた情報に基づい
て、半導体チップ９４とその上に搭載されている半導体
チップ９５ａ，９５ｂ，９６との間を接続しているワイ
ヤ９５ａ，９５ｂ，９６について外観形状の検査が行な
われ、次いで「配線検査」（工程５６）では同様にして
リードフレーム９３と半導体チップ９４との間を接続し
ているワイヤ９７の検査が行なわれて、最後に「データ
処理」（工程５７）では検査結果と判定データ収納部７
２に収納された合否判定基準とを比較して各検査項目毎
の良否判定が行なわれることとなる。
【００７３】以上のように『検査、判定』の工程が終了
することによって、本発明によるワイヤボンディング検
査装置では最後行程である『後処理』の工程を実行す
る。
することによって、本発明によるワイヤボンディング検
査装置では最後行程である『後処理』の工程を実行す
る。
【００７４】この工程では『検査、判定』工程の結果を
受けて、検査対象物の検査結果に不良、異常が発見され
ると出力装置７３より警報を発すると共に、不良品に対
するマーキングないしは破壊処理を行なうが、処理の内
容、手段については特公平２−１０５７４号、特開昭６
０−３４１６号、特開昭６２−６７８３０号、特公平７
−３９７８８号、特開平２−１２９３２号等によって報
告がなされているためここでは説明を省略する。
受けて、検査対象物の検査結果に不良、異常が発見され
ると出力装置７３より警報を発すると共に、不良品に対
するマーキングないしは破壊処理を行なうが、処理の内
容、手段については特公平２−１０５７４号、特開昭６
０−３４１６号、特開昭６２−６７８３０号、特公平７
−３９７８８号、特開平２−１２９３２号等によって報
告がなされているためここでは説明を省略する。
【００７５】（第５の実施例）上記第４の実施例におい
ては、本発明に係るワイヤボンディング検査装置は単独
の検査装置として説明されているが、ワイヤボンディン
グ装置の一部として構成できることは言うまでもなく、
また、『ティーチング』の工程で使用しているデータの
構成および手段はワイヤボンディング装置の『ティーチ
ング』に流用してもよい。本発明に係るワイヤボンディ
ング検査装置は、ワイヤボンディング装置に、外部装置
接続部６５を介して接続される。
ては、本発明に係るワイヤボンディング検査装置は単独
の検査装置として説明されているが、ワイヤボンディン
グ装置の一部として構成できることは言うまでもなく、
また、『ティーチング』の工程で使用しているデータの
構成および手段はワイヤボンディング装置の『ティーチ
ング』に流用してもよい。本発明に係るワイヤボンディ
ング検査装置は、ワイヤボンディング装置に、外部装置
接続部６５を介して接続される。
【００７６】（第６の実施例）また、上記第４の実施例
で述べた検査内容は必ずしもすべての検査を行なう必要
はなく、検査の内容および順序は本発明の主たる目的に
反しない範囲において変更が可能である。
で述べた検査内容は必ずしもすべての検査を行なう必要
はなく、検査の内容および順序は本発明の主たる目的に
反しない範囲において変更が可能である。
【００７７】（第７の実施例）図１２は本発明の第７の
実施例に係るワイヤボンディング検査装置のブロック図
であり、図１３は図１２におけるボンディングワイヤ２
０１部分の拡大斜視図である。図において、２０１は被
検物であるところのボンディングワイヤ、２０２は光学
顕微鏡等の結像系とＣＣＤカメラ等の撮像系から構成さ
れる撮像装置、２０３は被検物２０１を照明する光源を
備える照明装置、２０４は撮像装置２０２を水平および
垂直方向に移動するためのＸＹＺステージ、２０５は撮
像装置２０２からの画像信号を処理する画像処理装置、
２０６はシステム全体の制御を行なう中央制御装置、２
０７は中央制御装置２０６の結果表示を行なう表示装
置、２０８は中央制御装置２０６に対して入力を行なう
入力装置である。また、２２１はボール、２２２はその
上にボンディングワイヤ２０１がボンディングされる半
導体チップ、２２３はインナーリード、２２４はパッド
である。
実施例に係るワイヤボンディング検査装置のブロック図
であり、図１３は図１２におけるボンディングワイヤ２
０１部分の拡大斜視図である。図において、２０１は被
検物であるところのボンディングワイヤ、２０２は光学
顕微鏡等の結像系とＣＣＤカメラ等の撮像系から構成さ
れる撮像装置、２０３は被検物２０１を照明する光源を
備える照明装置、２０４は撮像装置２０２を水平および
垂直方向に移動するためのＸＹＺステージ、２０５は撮
像装置２０２からの画像信号を処理する画像処理装置、
２０６はシステム全体の制御を行なう中央制御装置、２
０７は中央制御装置２０６の結果表示を行なう表示装
置、２０８は中央制御装置２０６に対して入力を行なう
入力装置である。また、２２１はボール、２２２はその
上にボンディングワイヤ２０１がボンディングされる半
導体チップ、２２３はインナーリード、２２４はパッド
である。
【００７８】照明装置２０３から照射された照明光は、
被検物２０１を照明する。焦点深度の浅い撮像装置２０
２で撮像された画像信号は、画像処理装置２０５で演算
処理される。一方、撮像装置２０２はＸＹＺステージ２
０４に取り付けてあり、その光軸方向の高さを変えるこ
とで、異なった焦点面の像を撮像し、画像処理装置２０
５はそれらの画像データを順次、演算処理しボール厚さ
を算出している。そして中央制御装置２０６からの指令
によりＸＹＺステージ２０４を移動しながら、全てのボ
ンディングワイヤ２０１に対してボール厚さを算出し、
この結果を表示装置２０７に出力してる。
被検物２０１を照明する。焦点深度の浅い撮像装置２０
２で撮像された画像信号は、画像処理装置２０５で演算
処理される。一方、撮像装置２０２はＸＹＺステージ２
０４に取り付けてあり、その光軸方向の高さを変えるこ
とで、異なった焦点面の像を撮像し、画像処理装置２０
５はそれらの画像データを順次、演算処理しボール厚さ
を算出している。そして中央制御装置２０６からの指令
によりＸＹＺステージ２０４を移動しながら、全てのボ
ンディングワイヤ２０１に対してボール厚さを算出し、
この結果を表示装置２０７に出力してる。
【００７９】一般にボール部はその形成の際に図１４に
示すようにワイヤボンダのキャピラリ２３１の先端部に
よって半導体チップ上のパッド２２４に押しつけられ
る。
示すようにワイヤボンダのキャピラリ２３１の先端部に
よって半導体チップ上のパッド２２４に押しつけられ
る。
【００８０】図１５はキャピラリ２３１を、水平方向か
ら見た断面図である。キャピラリ２３１の先端部には、
チャンファ２３２と呼ばれる部分がある。
ら見た断面図である。キャピラリ２３１の先端部には、
チャンファ２３２と呼ばれる部分がある。
【００８１】図１６はボール２２１を水平方向から見た
形状例であり、該形状は主にワイヤボンディングするキ
ャピラリ２３１先端部の形状と、チャンファ２３２の形
状と、パッド２２４に押しつける強さによって変化し様
々な形状がある。
形状例であり、該形状は主にワイヤボンディングするキ
ャピラリ２３１先端部の形状と、チャンファ２３２の形
状と、パッド２２４に押しつける強さによって変化し様
々な形状がある。
【００８２】図１７はキャピラリ２３１と該キャピラリ
によってワイヤボンディングされたボール２２１を示し
たものである。チャンファ２３２によってつくられるワ
イヤ立ち上がり付近のボール形状は、常にチャンファ２
３２の形状とほぼ等しくなり、ワイヤ立ち上がり付近の
ボール径ｄ２とキャピラリ２３１のチャンファ２３２内
径ｄ１もほぼ等しくなる。
によってワイヤボンディングされたボール２２１を示し
たものである。チャンファ２３２によってつくられるワ
イヤ立ち上がり付近のボール形状は、常にチャンファ２
３２の形状とほぼ等しくなり、ワイヤ立ち上がり付近の
ボール径ｄ２とキャピラリ２３１のチャンファ２３２内
径ｄ１もほぼ等しくなる。
【００８３】以上を踏まえると、パッド平面からボール
厚さ方向（光軸方向）へボールを水平方向に輪切りにし
たときのボール直径を求め、該直径がキャピラリ２３１
のチャンファ内径（直径）ｄ１と等しくなるときの撮像
装置２０２の高さが求められれば、ボールの厚さｈ１を
求めることができる。
厚さ方向（光軸方向）へボールを水平方向に輪切りにし
たときのボール直径を求め、該直径がキャピラリ２３１
のチャンファ内径（直径）ｄ１と等しくなるときの撮像
装置２０２の高さが求められれば、ボールの厚さｈ１を
求めることができる。
【００８４】以下に、本実施例においてボールの厚さを
測定する方法について説明する。初めに、キャピラリ２
３１のチャンファ内径ｄ１の値を、入力装置２０８を用
いて中央制御装置２０６に予め設定しておく。次にボー
ル厚さ測定時の基準面となるパッド面高さを求める。方
法として画像処理による合焦方式やレーザ測長方式など
が挙げられるが、本実施例ではレーザ測長方式でパッド
上の高さ位置を３点以上測定して近似面を算出し、それ
を基準面としている。
測定する方法について説明する。初めに、キャピラリ２
３１のチャンファ内径ｄ１の値を、入力装置２０８を用
いて中央制御装置２０６に予め設定しておく。次にボー
ル厚さ測定時の基準面となるパッド面高さを求める。方
法として画像処理による合焦方式やレーザ測長方式など
が挙げられるが、本実施例ではレーザ測長方式でパッド
上の高さ位置を３点以上測定して近似面を算出し、それ
を基準面としている。
【００８５】図１８は被検物であるボール２２１と、撮
像装置２０２との高さ関係を表した図である。同図にお
いて、Ｆ１〜Ｆ５はそれぞれ撮像装置２０２の結像系の
焦点面を示しており、撮像装置２０２をボール厚さ方向
に移動させながら各焦点面Ｆ１〜Ｆ５での画像を撮像す
る。該各焦点面を撮像して得られた画像信号は、画像処
理装置２０５内部の記憶装置に順次記憶していき、例え
ば５画面分の画像信号を記憶してから処理を開始する。
撮像する各焦点面Ｆ１〜Ｆ５の高さ、画面数は、入力装
置２０８を用いて予め任意に設定することができ、中央
制御装置２０６により撮像装置２０２は撮像する各焦点
面Ｆ１〜Ｆ５に制御される。
像装置２０２との高さ関係を表した図である。同図にお
いて、Ｆ１〜Ｆ５はそれぞれ撮像装置２０２の結像系の
焦点面を示しており、撮像装置２０２をボール厚さ方向
に移動させながら各焦点面Ｆ１〜Ｆ５での画像を撮像す
る。該各焦点面を撮像して得られた画像信号は、画像処
理装置２０５内部の記憶装置に順次記憶していき、例え
ば５画面分の画像信号を記憶してから処理を開始する。
撮像する各焦点面Ｆ１〜Ｆ５の高さ、画面数は、入力装
置２０８を用いて予め任意に設定することができ、中央
制御装置２０６により撮像装置２０２は撮像する各焦点
面Ｆ１〜Ｆ５に制御される。
【００８６】図１９は画像処理装置２０５に記憶された
各焦点面Ｆ１〜Ｆ５におけるボールの見え方を示したも
のである。画像処理装置２０５に記憶された各画像は、
例えば焦点深度が５μｍといった浅い結像系により撮像
されているため、ボールを輪切りにしたような画像とな
り、結像系の焦点深度の範囲を越え、焦点の合っていな
いボール部分はぼやけた画像になる。また、ボール上を
他のワイヤ等がまたいでいるときは、該ワイヤはボール
厚さに対して十分高い位置にあり結像系の焦点深度の範
囲を大きく越えているため、画像から見えなくなりボー
ルの輪切り像のみ見えるようになる。
各焦点面Ｆ１〜Ｆ５におけるボールの見え方を示したも
のである。画像処理装置２０５に記憶された各画像は、
例えば焦点深度が５μｍといった浅い結像系により撮像
されているため、ボールを輪切りにしたような画像とな
り、結像系の焦点深度の範囲を越え、焦点の合っていな
いボール部分はぼやけた画像になる。また、ボール上を
他のワイヤ等がまたいでいるときは、該ワイヤはボール
厚さに対して十分高い位置にあり結像系の焦点深度の範
囲を大きく越えているため、画像から見えなくなりボー
ルの輪切り像のみ見えるようになる。
【００８７】次に、各焦点面Ｆ１〜Ｆ５でボールの輪切
り像の輪郭を画像処理により抽出し、該輪郭内部を塗り
つぶすマスク処理を行ない２値化する。
り像の輪郭を画像処理により抽出し、該輪郭内部を塗り
つぶすマスク処理を行ない２値化する。
【００８８】図２０は、焦点面Ｆ３（図１９（ｃ））の
ボールの輪切り像にマスク処理を行なった２値化画像２
３７である。このようにして得られた各焦点面Ｆ１〜Ｆ
５における２値化画像２３７において、その面積Ｓと重
心座標２３９を求め、中央制御装置２０６に記憶してお
く。次に、中央制御装置２０６で上記処理で記憶してお
いた面積Ｓと重心座標２３９から該面積Ｓと等しく該重
心座標２３９を中心とする、例えば近似円の方程式を算
出し該円の直径を求める。
ボールの輪切り像にマスク処理を行なった２値化画像２
３７である。このようにして得られた各焦点面Ｆ１〜Ｆ
５における２値化画像２３７において、その面積Ｓと重
心座標２３９を求め、中央制御装置２０６に記憶してお
く。次に、中央制御装置２０６で上記処理で記憶してお
いた面積Ｓと重心座標２３９から該面積Ｓと等しく該重
心座標２３９を中心とする、例えば近似円の方程式を算
出し該円の直径を求める。
【００８９】図２１は中央制御装置２０６において既知
である焦点面Ｆ１〜Ｆ５の高さ位置と、上記で求めた近
似円の直径との関係を示したもので、同図においてプロ
ットした点を例えば、スプライン曲線等の手法を用いて
補間したものである。ここで、予め入力しておいたキャ
ピラリ２３１のチャンファ内径ｄ１の値をＤｔとして図
２１に代入すると、ボールの厚さｈ１はＦｔとして求め
られる。
である焦点面Ｆ１〜Ｆ５の高さ位置と、上記で求めた近
似円の直径との関係を示したもので、同図においてプロ
ットした点を例えば、スプライン曲線等の手法を用いて
補間したものである。ここで、予め入力しておいたキャ
ピラリ２３１のチャンファ内径ｄ１の値をＤｔとして図
２１に代入すると、ボールの厚さｈ１はＦｔとして求め
られる。
【００９０】なお、本実施例ではボールの輪切り像を円
に変換したときの直径とキャピラリ２３１のチャンファ
内径（直径）ｄ１によって、ボールの厚さｈ１を求めて
いるが、ボールの輪切り像の面積とキャピラリのチャン
ファ内径ｄ１を直径とする円の面積により、本実施例と
同様な処理を実施してもボールの厚さｈ１を求めること
ができるということは言うまでもない。
に変換したときの直径とキャピラリ２３１のチャンファ
内径（直径）ｄ１によって、ボールの厚さｈ１を求めて
いるが、ボールの輪切り像の面積とキャピラリのチャン
ファ内径ｄ１を直径とする円の面積により、本実施例と
同様な処理を実施してもボールの厚さｈ１を求めること
ができるということは言うまでもない。
【００９１】また、本実施例ではキャピラリのチャンフ
ァ内径ｄ１の値を、入力装置２０８を用いて中央制御装
置２０６に予め設定しておいたが、ワイヤ径を設定すれ
ば図２２のようにパッド２２４からネック２２５と呼ば
れているボール上のワイヤ立ち上がり部までの厚さｈ２
を求めることができる。
ァ内径ｄ１の値を、入力装置２０８を用いて中央制御装
置２０６に予め設定しておいたが、ワイヤ径を設定すれ
ば図２２のようにパッド２２４からネック２２５と呼ば
れているボール上のワイヤ立ち上がり部までの厚さｈ２
を求めることができる。
【００９２】また、チップ面からボール厚さ方向にボー
ル輪切り像を連続させて取り込めば、任意高さでのボー
ルの三次元像を得ることができる。
ル輪切り像を連続させて取り込めば、任意高さでのボー
ルの三次元像を得ることができる。
【００９３】（第８の実施例）第８の実施例では、第７
の実施例と同じ装置構成、駆動シーケンスでパッド２２
４の中心座標のように本来ボール２２１がボンディング
がなされているべき基準座標とワイヤボンディングされ
たボール２２１上のネック座標とのＸ，Ｙ方向における
位置ずれ量を求める方法を説明する。
の実施例と同じ装置構成、駆動シーケンスでパッド２２
４の中心座標のように本来ボール２２１がボンディング
がなされているべき基準座標とワイヤボンディングされ
たボール２２１上のネック座標とのＸ，Ｙ方向における
位置ずれ量を求める方法を説明する。
【００９４】はじめに、第７の実施例と同様にキャピラ
リ２３１のチャンファ内径ｄ１の値を、予め入力装置２
０８を用いて中央制御装置２０６に設定しておく。
リ２３１のチャンファ内径ｄ１の値を、予め入力装置２
０８を用いて中央制御装置２０６に設定しておく。
【００９５】図２３はワイヤボンディング時のボールの
状態を示した図である。ワイヤは円筒形のキャピラリの
中心を通ってボンディングされるので、ボール上のネッ
ク座標２４１と、第７の実施例で求めたボール厚さＦｔ
におけるボール輪切り像の重心座標２４２は等しいとい
える。したがって、該ボール重心座標２４２を求めれ
ば、ネック座標２４１とパッド２２４の中心座標２４３
とのずれ量を求めることができる。
状態を示した図である。ワイヤは円筒形のキャピラリの
中心を通ってボンディングされるので、ボール上のネッ
ク座標２４１と、第７の実施例で求めたボール厚さＦｔ
におけるボール輪切り像の重心座標２４２は等しいとい
える。したがって、該ボール重心座標２４２を求めれ
ば、ネック座標２４１とパッド２２４の中心座標２４３
とのずれ量を求めることができる。
【００９６】しかし、中央制御装置２０６は図１８中Ｆ
１〜Ｆ５の各焦点面Ｆ１〜Ｆ５でのボール重心座標しか
記憶しておらず、第７の実施例の図２１において補間し
て求めているボール厚さＦｔでのボール重心座標は記憶
していない。
１〜Ｆ５の各焦点面Ｆ１〜Ｆ５でのボール重心座標しか
記憶しておらず、第７の実施例の図２１において補間し
て求めているボール厚さＦｔでのボール重心座標は記憶
していない。
【００９７】一方、図２３において焦点面Ｆｔより高さ
の高い部分のボール形状はキャピラリ２３１のチャンフ
ァ２３２形状と等しいので焦点面Ｆｔより高さの高い焦
点面Ｆ４，Ｆ５のボールの輪切り像の重心座標２３９
は、Ｆｔにおけるボール輪切り像の重心座標２４２とほ
ぼ等しいことが分かっている。上記を鑑みると焦点面Ｆ
ｔより高さの高い焦点面で、かつＦｔとの距離が近い焦
点面を採用し、そのボールの輪切り像の重心座標をワイ
ヤボンディングしたときのボール上のネック座標２４１
としても良いといえる。
の高い部分のボール形状はキャピラリ２３１のチャンフ
ァ２３２形状と等しいので焦点面Ｆｔより高さの高い焦
点面Ｆ４，Ｆ５のボールの輪切り像の重心座標２３９
は、Ｆｔにおけるボール輪切り像の重心座標２４２とほ
ぼ等しいことが分かっている。上記を鑑みると焦点面Ｆ
ｔより高さの高い焦点面で、かつＦｔとの距離が近い焦
点面を採用し、そのボールの輪切り像の重心座標をワイ
ヤボンディングしたときのボール上のネック座標２４１
としても良いといえる。
【００９８】本実施例では焦点面Ｆ４を採用し、ボール
の輪切り像の重心座標２３９を求め、これをネック座標
として基準座標であるパッド２２４の中心座標２４３と
の位置ずれ量を求めている。
の輪切り像の重心座標２３９を求め、これをネック座標
として基準座標であるパッド２２４の中心座標２４３と
の位置ずれ量を求めている。
【００９９】また、本実施例ではキャピラリ先端部の内
径ｄ１の値を、入力装置２０８を用いて中央制御装置２
０６に予め設定しておいたが、ワイヤ径を設定すればボ
ール上のワイヤ立ち上がり部分のワイヤの位置を直接測
ることも可能であることは言うまでもない。
径ｄ１の値を、入力装置２０８を用いて中央制御装置２
０６に予め設定しておいたが、ワイヤ径を設定すればボ
ール上のワイヤ立ち上がり部分のワイヤの位置を直接測
ることも可能であることは言うまでもない。
【０１００】（第９の実施例）ここでは、上記実施例で
測定しているボール厚さ測定と、基準座標との位置ずれ
量を１回の駆動シーケンスで求める方法を説明する。は
じめに、第７の実施例と同様にキャピラリのチャンファ
内径ｄ１の値を、予め入力装置２０８を用いて中央制御
装置２０６に設定しておく。次にボール厚さ測定時の基
準面となるチップ面高さを求める。方法として画像処理
による合焦方式やレーザ測長方式などが挙げられるが、
本実施例ではレーザ測長方式でチップ上の高さ位置を３
点以上測定して近似面を算出し、それを基準面としてい
る。
測定しているボール厚さ測定と、基準座標との位置ずれ
量を１回の駆動シーケンスで求める方法を説明する。は
じめに、第７の実施例と同様にキャピラリのチャンファ
内径ｄ１の値を、予め入力装置２０８を用いて中央制御
装置２０６に設定しておく。次にボール厚さ測定時の基
準面となるチップ面高さを求める。方法として画像処理
による合焦方式やレーザ測長方式などが挙げられるが、
本実施例ではレーザ測長方式でチップ上の高さ位置を３
点以上測定して近似面を算出し、それを基準面としてい
る。
【０１０１】次に第７の実施例の図１８で示したように
撮像装置２０２をボール厚さ方向に移動させながら各焦
点面Ｆ１〜Ｆ５での画像を撮像する。該各焦点面を撮像
して得られた画像信号を画像処理装置内部の記憶装置に
順次記憶していき、５画面分の画像信号を記憶してから
処理を開始する。撮像する各焦点面Ｆ１〜Ｆ５の高さ、
画面数は、入力装置２０８を用いて予め任意に設定する
ことができ、中央制御装置２０６により撮像装置２０２
は撮像する各焦点面Ｆ１〜Ｆ５に制御される。
撮像装置２０２をボール厚さ方向に移動させながら各焦
点面Ｆ１〜Ｆ５での画像を撮像する。該各焦点面を撮像
して得られた画像信号を画像処理装置内部の記憶装置に
順次記憶していき、５画面分の画像信号を記憶してから
処理を開始する。撮像する各焦点面Ｆ１〜Ｆ５の高さ、
画面数は、入力装置２０８を用いて予め任意に設定する
ことができ、中央制御装置２０６により撮像装置２０２
は撮像する各焦点面Ｆ１〜Ｆ５に制御される。
【０１０２】次に第７の実施例の図１９，図２０で示し
たように、各焦点面Ｆ１〜Ｆ５でボールの輪切り像の輪
郭を画像処理により抽出し、該輪郭内部を塗りつぶすマ
スク処理を行ない２値化する。また、このようにして得
られた各焦点面Ｆ１〜Ｆ５における２値化画像２３７に
おいて、その面積Ｓと重心座標２３９を求め中央制御装
置２０６に記憶しておく。中央制御装置２０６で上記処
理で記憶しておいた面積Ｓと重心座標２３９から該面積
と等しく該重心座標を中心とする、例えば近似円の方程
式を算出し該円の直径を求める。
たように、各焦点面Ｆ１〜Ｆ５でボールの輪切り像の輪
郭を画像処理により抽出し、該輪郭内部を塗りつぶすマ
スク処理を行ない２値化する。また、このようにして得
られた各焦点面Ｆ１〜Ｆ５における２値化画像２３７に
おいて、その面積Ｓと重心座標２３９を求め中央制御装
置２０６に記憶しておく。中央制御装置２０６で上記処
理で記憶しておいた面積Ｓと重心座標２３９から該面積
と等しく該重心座標を中心とする、例えば近似円の方程
式を算出し該円の直径を求める。
【０１０３】次に、第７の実施例の図２１で示したよう
に、中央制御装置２０６において既知である焦点面Ｆ１
〜Ｆ５の高さ位置と、上記で求めた近似円の直径との関
係から予め入力しておいたキャピラリのチャンファ内径
ｄ１の値をＤｔとして図２１に代入して、Ｆｔを求め
る。中央制御装置２０６において既知である焦点面Ｆ１
〜Ｆ５の高さ位置からＦｔの高さ位置を算出して、ボー
ル厚さｈ１が求められる。
に、中央制御装置２０６において既知である焦点面Ｆ１
〜Ｆ５の高さ位置と、上記で求めた近似円の直径との関
係から予め入力しておいたキャピラリのチャンファ内径
ｄ１の値をＤｔとして図２１に代入して、Ｆｔを求め
る。中央制御装置２０６において既知である焦点面Ｆ１
〜Ｆ５の高さ位置からＦｔの高さ位置を算出して、ボー
ル厚さｈ１が求められる。
【０１０４】また上記処理に並行して、図２３で示して
いるようにネック座標２４１はＦｔのボール輪切り像の
重心座標２４２とほぼ等しく、かつ焦点面Ｆｔより高さ
の高い焦点面Ｆ４，Ｆ５のボールの輪切り像の重心座標
２３９に等しいことが分かっているので、焦点面Ｆ４の
ボール輪切り像の重心座標２３９を求め、基準座標であ
るパッド２２４の中心座標２４３との位置ずれ量を求め
る。
いるようにネック座標２４１はＦｔのボール輪切り像の
重心座標２４２とほぼ等しく、かつ焦点面Ｆｔより高さ
の高い焦点面Ｆ４，Ｆ５のボールの輪切り像の重心座標
２３９に等しいことが分かっているので、焦点面Ｆ４の
ボール輪切り像の重心座標２３９を求め、基準座標であ
るパッド２２４の中心座標２４３との位置ずれ量を求め
る。
【０１０５】以上の処理を行なうことで、１回の駆動シ
ーケンスでボール厚さ測定と、基準座標との位置ずれ量
を求めることができる。
ーケンスでボール厚さ測定と、基準座標との位置ずれ量
を求めることができる。
【０１０６】上記第７〜９の実施例では１つのボンディ
ングワイヤについて説明しているが、画像処理装置２０
５で同一画面内の複数のボンディングワイヤを並列に処
理しても良い。その結果、１ワイヤあたりの測定時間を
短縮できる。
ングワイヤについて説明しているが、画像処理装置２０
５で同一画面内の複数のボンディングワイヤを並列に処
理しても良い。その結果、１ワイヤあたりの測定時間を
短縮できる。
【０１０７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の第１〜２の
局面によれば、誤ったティーチングによるボンディング
ミスの検査を良好に行なうことが可能であり、本発明の
第３の局面によればボンディングがなされていない電極
についての検査を支障なく行なうことが可能であり、さ
らに本発明の第４の局面によれば電極上の外観画像のノ
イズ成分によって誤判定をすることなく検査を行なうこ
とが可能である。
局面によれば、誤ったティーチングによるボンディング
ミスの検査を良好に行なうことが可能であり、本発明の
第３の局面によればボンディングがなされていない電極
についての検査を支障なく行なうことが可能であり、さ
らに本発明の第４の局面によれば電極上の外観画像のノ
イズ成分によって誤判定をすることなく検査を行なうこ
とが可能である。
【０１０８】また、本発明の第５〜７の局面によれば、
同一の半導体チップが異なった相対位置関係で搭載され
ている場合や複数の半導体チップが混載されている場合
であっても自動的に外観検査を行なうことが可能とな
る。また、第８の局面によれば、同一種類のリードフレ
ームや半導体チップで良否判定基準の異なったものを検
査する場合であっても、『ボンディング検査用データ』
を新たに記憶しなおす必要をなくすことができる。
同一の半導体チップが異なった相対位置関係で搭載され
ている場合や複数の半導体チップが混載されている場合
であっても自動的に外観検査を行なうことが可能とな
る。また、第８の局面によれば、同一種類のリードフレ
ームや半導体チップで良否判定基準の異なったものを検
査する場合であっても、『ボンディング検査用データ』
を新たに記憶しなおす必要をなくすことができる。
【０１０９】また、本発明の第９の局面によれば、焦点
深度の浅い結像系を用いて、照明装置から照明した半導
体チップ上のパッド面から予め設定した値に従って高さ
方向に駆動制御した撮像装置により撮像して得られた各
画像のうち、測定するボール上の焦点の合っている部分
の形状を画像処理により捕捉する手段と、該形状の径が
予め設定しておいたキャピラリ径、ワイヤ径等と等しく
なったときの撮像装置の高さを算出する手段を有するこ
とで、ボール上に平らな部分がない場合や、被検物であ
るボール上を他のワイヤ等がまたいでいる場合でも、ボ
ールの厚さの測定を正確に行なうことが可能となる。
深度の浅い結像系を用いて、照明装置から照明した半導
体チップ上のパッド面から予め設定した値に従って高さ
方向に駆動制御した撮像装置により撮像して得られた各
画像のうち、測定するボール上の焦点の合っている部分
の形状を画像処理により捕捉する手段と、該形状の径が
予め設定しておいたキャピラリ径、ワイヤ径等と等しく
なったときの撮像装置の高さを算出する手段を有するこ
とで、ボール上に平らな部分がない場合や、被検物であ
るボール上を他のワイヤ等がまたいでいる場合でも、ボ
ールの厚さの測定を正確に行なうことが可能となる。
【０１１０】また、本発明の第１０の局面によれば、上
記ボンディングワイヤ検査装置において画像信号を処理
する処理手段で焦点が合っているボール部分の形状を画
像処理により捕捉する手段と、該形状の径が予め設定し
ておいたキャピラリ内径、ワイヤ径と等しくなったとき
のボールの輪切り像の重心位置を求める手段を有するこ
とで、ボール上が照明装置で照射されてリング状に光ら
ない場合でもボールの位置ずれが測定を行なうことが可
能となる。
記ボンディングワイヤ検査装置において画像信号を処理
する処理手段で焦点が合っているボール部分の形状を画
像処理により捕捉する手段と、該形状の径が予め設定し
ておいたキャピラリ内径、ワイヤ径と等しくなったとき
のボールの輪切り像の重心位置を求める手段を有するこ
とで、ボール上が照明装置で照射されてリング状に光ら
ない場合でもボールの位置ずれが測定を行なうことが可
能となる。
【０１１１】さらに、これらの第９および第１０の局面
によれば、ボールの厚さと、ボールの位置ずれを、測定
する際の駆動シーケンスが同じなため同時に並列処理す
ることが可能である。また、画像処理を用いるため、撮
像装置により撮像して得られた画像に複数のボールが含
まれていれば、一般に並列に画像処理することが可能で
あり１ワイヤあたりの測定時間を短縮できる。
によれば、ボールの厚さと、ボールの位置ずれを、測定
する際の駆動シーケンスが同じなため同時に並列処理す
ることが可能である。また、画像処理を用いるため、撮
像装置により撮像して得られた画像に複数のボールが含
まれていれば、一般に並列に画像処理することが可能で
あり１ワイヤあたりの測定時間を短縮できる。
【図１】 本発明の第１の実施例に係るワイヤボンディ
ング検査装置の構成を説明する図である。
ング検査装置の構成を説明する図である。
【図２】 検査対象としての半導体装置のワイヤの状態
の例を示す図である。
の例を示す図である。
【図３】 検査対象としての半導体装置のワイヤの状態
の例を示す図である。
の例を示す図である。
【図４】 検査対象としての半導体装置のワイヤの状態
の例を示す図である。
の例を示す図である。
【図５】 検査対象としての半導体装置のワイヤの状態
の例を示す図である。
の例を示す図である。
【図６】 ワイヤの形状を説明する図である。
【図７】 本発明の第４の実施例に係るワイヤボンディ
ング検査装置の構成図である。
ング検査装置の構成図である。
【図８】 図７の装置の動作を示すフロー図である。
【図９】 検査対象としての半導体装置のワイヤの状態
の例を示す斜視図である。
の例を示す斜視図である。
【図１０】 検査対象としての半導体装置全体の状態の
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
【図１１】 図９に示す部分の撮影画像を示す図であ
る。
る。
【図１２】 本発明の第７の実施例に係るボンディング
ワイヤ検査装置を示すブロック図である。
ワイヤ検査装置を示すブロック図である。
【図１３】 検査対象であるボンディングワイヤを示す
斜視図である。
斜視図である。
【図１４】 ワイヤボンディング時のキャピラリとボー
ルを示した図である。
ルを示した図である。
【図１５】 キャピラリとチャンファを説明する図であ
る。
る。
【図１６】 ボンディングワイヤのボールを水平方向か
ら見た図である。
ら見た図である。
【図１７】 キャピラリ形状とボールの形状を示した図
である。
である。
【図１８】 図１２の装置におけるボールと撮像装置の
高さとの関係を示した図である。
高さとの関係を示した図である。
【図１９】 図１２の装置における図１８の各焦点面に
おけるボールの輪切り像を示した図である。
おけるボールの輪切り像を示した図である。
【図２０】 図１２の装置において図１９（ｃ）のボー
ル輪切り像のマスク処理を示した図である。
ル輪切り像のマスク処理を示した図である。
【図２１】 図１２の装置における各焦点面の高さと該
焦点面で得られるボール輪切り像の近似円の直径との関
係を示した図である。
焦点面で得られるボール輪切り像の近似円の直径との関
係を示した図である。
【図２２】 パッドからワイヤ立ち上がり部までのボー
ル厚さを示した図である。
ル厚さを示した図である。
【図２３】 第８の実施例において、ワイヤボンディン
グ時のボール状態を示した図で、ボール上のワイヤ立ち
上がり部であるネック座標と、キャピラリ中心座標の関
係を示した図である。
グ時のボール状態を示した図で、ボール上のワイヤ立ち
上がり部であるネック座標と、キャピラリ中心座標の関
係を示した図である。
【図２４】 従来のワイヤボンディング検査装置の構成
を説明する図である。
を説明する図である。
【図２５】 従来の他のワイヤボンディング検査装置の
構成を説明する図である。
構成を説明する図である。
【図２６】 図２５の装置の動作を示すフロー図であ
る。
る。
１：半導体チップ、２（２ａ〜２ｆ）：ボンディングワ
イヤ、３（３ａ〜３ｅ）：パッド（チップ上の電極）、
４：リードフレーム、４ａ〜４ｅ：リード電極（リード
フレーム上の電極）、５（５ａ〜５ｃ）：ボンディング
ボール、６ｄ：プローバの圧痕、１０：搬送装置、１
１：検査台、１２：照明装置、１３：光学装置、１４：
撮像装置、１５：駆動装置、１６：駆動部制御装置、１
７：中央処理装置、１８：表示装置、１９：記憶装置、
２０：画像記憶処理認識計測装置、２１：画像解析装
置、２２：入出力装置、２３：搬送部制御装置、２４：
照明部制御装置、２５：記憶・処理装置、２６：搬送情
報収納部、２７：電極情報収納部、２８：ワイヤリング
情報収納部、２９：良否判定情報収納部、３０：後処理
情報収納部、６１：中央処理装置、６２：検査制御部、
６３：データベース部、６４：接続処理部、６５：外部
装置接続部、６６：搬送部、６７：検査ヘッド、６８：
リードデータ収納部、６９：チップデータ収納部、７
０：配置データ収納部、７１：ワイヤデータ収納部、７
２：判定データ収納部、７３：出力装置、７４：入力装
置、７５：通信装置、９０，９１，９２：パッド、９
３：リードフレーム、９４，９５ａ，９５ｂ，９６：半
導体チップ、９７，９８ａ，９８ｂ，９９：ワイヤ、１
０１：リードフレーム、１１０：半導体チップ、２０
１：ボンディングワイヤ、２０２：撮像装置、２０３：
照明装置、２０４：ＸＹＺステージ、２０５：画像処理
装置、２０６：中央制御装置、２０７：表示装置、２０
８：入力装置、２２１：ボール、２２２：半導体チッ
プ、２２３：インナーリード、２２４：パッド、２２
５：ネック、２３１：キャピラリ、２３２：チャンフ
ァ、ｄ１：チャンファ内径、ｄ２：ワイヤ立ち上がり付
近のボール径、２３７：２値化画像、２３９：ボール輪
切り像の重心座標、２４１：ネック座標、２４２：Ｆｔ
におけるボール輪切り像の重心座標、２４３：パッドの
中心座標、ｈ１：ボール厚さ、ｈ２：パッドからワイヤ
立ち上がり部までの厚さ、Ｆ１〜Ｆ５：撮像装置結像系
の焦点面、Ｓ：ボール輪切り像の面積。
イヤ、３（３ａ〜３ｅ）：パッド（チップ上の電極）、
４：リードフレーム、４ａ〜４ｅ：リード電極（リード
フレーム上の電極）、５（５ａ〜５ｃ）：ボンディング
ボール、６ｄ：プローバの圧痕、１０：搬送装置、１
１：検査台、１２：照明装置、１３：光学装置、１４：
撮像装置、１５：駆動装置、１６：駆動部制御装置、１
７：中央処理装置、１８：表示装置、１９：記憶装置、
２０：画像記憶処理認識計測装置、２１：画像解析装
置、２２：入出力装置、２３：搬送部制御装置、２４：
照明部制御装置、２５：記憶・処理装置、２６：搬送情
報収納部、２７：電極情報収納部、２８：ワイヤリング
情報収納部、２９：良否判定情報収納部、３０：後処理
情報収納部、６１：中央処理装置、６２：検査制御部、
６３：データベース部、６４：接続処理部、６５：外部
装置接続部、６６：搬送部、６７：検査ヘッド、６８：
リードデータ収納部、６９：チップデータ収納部、７
０：配置データ収納部、７１：ワイヤデータ収納部、７
２：判定データ収納部、７３：出力装置、７４：入力装
置、７５：通信装置、９０，９１，９２：パッド、９
３：リードフレーム、９４，９５ａ，９５ｂ，９６：半
導体チップ、９７，９８ａ，９８ｂ，９９：ワイヤ、１
０１：リードフレーム、１１０：半導体チップ、２０
１：ボンディングワイヤ、２０２：撮像装置、２０３：
照明装置、２０４：ＸＹＺステージ、２０５：画像処理
装置、２０６：中央制御装置、２０７：表示装置、２０
８：入力装置、２２１：ボール、２２２：半導体チッ
プ、２２３：インナーリード、２２４：パッド、２２
５：ネック、２３１：キャピラリ、２３２：チャンフ
ァ、ｄ１：チャンファ内径、ｄ２：ワイヤ立ち上がり付
近のボール径、２３７：２値化画像、２３９：ボール輪
切り像の重心座標、２４１：ネック座標、２４２：Ｆｔ
におけるボール輪切り像の重心座標、２４３：パッドの
中心座標、ｈ１：ボール厚さ、ｈ２：パッドからワイヤ
立ち上がり部までの厚さ、Ｆ１〜Ｆ５：撮像装置結像系
の焦点面、Ｓ：ボール輪切り像の面積。
Claims (14)
- 【請求項１】 半導体装置を搬送、固定するための搬送
装置と、該半導体装置を照明するための照明装置と、該
半導体装置の像を捉えるための撮像装置と、該半導体装
置のボンディングの行なわれる電極の位置を記憶する電
極情報収納手段と、該電極情報収納手段に収納された電
極位置データに基づいて前記半導体装置と撮像装置を相
対的に移動させる駆動装置とを具備するワイヤボンディ
ング検査装置において、 前記電極情報収納部が前記半導体装置におけるボンディ
ングの行なわれない電極についてもその位置を記憶する
ようにしたことを特徴とするワイヤボンディング検査装
置。 - 【請求項２】 前記電極位置データのうち前記駆動装置
による相対移動を制御するためのデータを選択する手段
をさらに備え、前記ボンディングの行なわれない電極に
ついても外観の検査を行なう設定が可能であることを特
徴とする請求項１記載のワイヤボンディング検査装置。 - 【請求項３】 半導体装置の電極の位置を記憶した電極
情報の中でワイヤボンディングによって接続される電極
の組み合わせを記憶するワイヤリング情報収納部をさら
に具備することを特徴とする請求項１記載のワイヤボン
ディング検査装置。 - 【請求項４】 半導体装置の良否判定基準を記憶する記
憶手段と、撮像装置によって取り込まれた画像を解析す
る解析手段と、解析装置によって算出された結果と良否
判断基準から良否判断を行う判断手段とを具備するワイ
ヤボンディング検査装置であって、半導体装置上で検査
の行われた電極に対して、ボンディングがなされていな
いことを良否判断基準として設定することが可能である
ことを特徴とするワイヤボンディング検査装置。 - 【請求項５】 半導体装置の良否判定基準を記憶する記
憶手段と、撮像装置によって取り込まれた画像を解析す
る解析手段と、解析装置によって算出された結果と良否
判断基準から良否判断を行う判断手段とを具備するワイ
ヤボンディング検査装置であって、前記判断手段は、半
導体装置の電極上のプローバ圧痕等によるノイズ画像と
ボンディングワイヤの画像とを区別するための判断基準
を持つことを特徴とするワイヤボンディング検査装置。 - 【請求項６】 半導体装置を搬送、固定するための搬送
手段と、該半導体装置を照明するための照明手段と、該
半導体装置の像を捉えるための撮像手段と、半導体装置
と撮像手段を相対的に移動させるための駆動手段と、撮
像手段によって捕らえられた像を解析する解析手段と、
半導体装置の良否判断を行なう判定手段とを具備したワ
イヤボンディング検査装置において、 複数のリードフレームの外観情報を収納するリードデー
タ収納手段と、複数の半導体チップの外観情報を収納す
るチップデータ収納手段と、複数のワイヤリングの情報
を収納するワイヤデータ収納手段と、収納された情報の
中から選択された複数の情報を組み合わせて『ボンディ
ング検査用データ』を作成する手段とを具備することを
特徴とするワイヤボンディング検査装置。 - 【請求項７】 前記収納手段に収納される複数のリード
データおよびチップデータはそれぞれ指定されたパター
ン位置を基準として設定され、個々に独立した座標系に
よって管理されることを特徴とする請求項６記載のワイ
ヤボンディング検査装置。 - 【請求項８】 前記収納手段に収納された複数のリード
データおよびチップデータの中から選択された複数のデ
ータに関し、相対的な位置関係を設定して収納する配列
情報収納手段をさらに具備することを特徴とする請求項
６記載のワイヤボンディング検査装置。 - 【請求項９】 前記収納手段に収納された複数のリード
データの各々に対して、良否を判定するための判定基準
を複数設定して保存する手段をさらに有することを特徴
とする請求項６記載のワイヤボンディング検査装置。 - 【請求項１０】 前記収納手段に収納された複数のチッ
プデータの各々に対して、良否を判定するための判定基
準を複数設定して保存する手段をさらに有することを特
徴とする請求項６記載のワイヤボンディング検査装置。 - 【請求項１１】 前記収納手段に収納された複数のワイ
ヤデータの各々に対して、良否を判定するための判定基
準を複数設定して保存する手段をさらに有することを特
徴とする請求項６記載のワイヤボンディング検査装置。 - 【請求項１２】 前記半導体装置の中で、指定された検
査領域毎に位置補正を行なうことを特徴とする請求項６
記載のワイヤボンディング検査装置。 - 【請求項１３】 半導体チップ上にワイヤボンディング
されたワイヤのボール部分を焦点深度の浅い結像系を用
いて照明装置からの光束で照明する手段と、該照明手段
により照明されたボールを上方から撮像し画像信号を得
る撮像手段と、該撮像手段により得た画像信号を処理す
る処理手段と、該撮像手段の合焦面の高さ位置を制御す
る制御手段と、前記処理手段がボール上の焦点の合って
いる部分の形状を画像処理により捕捉する手段と、該形
状の径が予め設定しておいたキャピラリ内径またはワイ
ヤ径と等しくなったときの撮像装置の高さを算出する手
段を具備することを特徴とするボンディングワイヤ検査
装置。 - 【請求項１４】 前記半導体チップ上にワイヤボンディ
ングされたワイヤのボール部分を測定する際、ボールの
位置ずれを測定する手段をさらに具備することを特徴と
する請求項１３記載のボンディングワイヤ検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8281298A JPH10112469A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | ワイヤボンディング検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8281298A JPH10112469A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | ワイヤボンディング検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10112469A true JPH10112469A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17637128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8281298A Pending JPH10112469A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | ワイヤボンディング検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10112469A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009194136A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US10842491B2 (en) | 2006-01-31 | 2020-11-24 | Ethicon Llc | Surgical system with an actuation console |
| CN113677953A (zh) * | 2019-04-22 | 2021-11-19 | 株式会社新川 | 线形状测量装置、线三维图像产生方法及线形状测量方法 |
-
1996
- 1996-10-03 JP JP8281298A patent/JPH10112469A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10842491B2 (en) | 2006-01-31 | 2020-11-24 | Ethicon Llc | Surgical system with an actuation console |
| JP2009194136A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN113677953A (zh) * | 2019-04-22 | 2021-11-19 | 株式会社新川 | 线形状测量装置、线三维图像产生方法及线形状测量方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5058178A (en) | Method and apparatus for inspection of specular, three-dimensional features | |
| US6118540A (en) | Method and apparatus for inspecting a workpiece | |
| JP5421763B2 (ja) | 検査装置および検査方法 | |
| US7899239B2 (en) | Inspection method of bonded status of ball in wire bonding | |
| JPH07111998B2 (ja) | ワイヤボンディング検査装置 | |
| JPH07260701A (ja) | 検査範囲認識方法 | |
| JPH09504152A (ja) | キャピラリ圧痕の検出方法および装置 | |
| JP3173874B2 (ja) | 外観検査装置 | |
| US5745593A (en) | Method and system for inspecting integrated circuit lead burrs | |
| JP4506395B2 (ja) | 基板検査装置並びにそのパラメータ設定方法およびパラメータ設定装置 | |
| JPH10112469A (ja) | ワイヤボンディング検査装置 | |
| JP4453503B2 (ja) | 基板検査装置および基板検査方法並びに基板検査装置の検査ロジック生成装置および検査ロジック生成方法 | |
| JPH11218499A (ja) | 外観検査装置およびその画像処理方法 | |
| JP2002250700A (ja) | パターン検査方法およびその装置 | |
| JP3032616B2 (ja) | 外観検査方法及び装置 | |
| JP2922214B2 (ja) | 外観検査方法 | |
| JP2010210373A (ja) | 外観検査装置 | |
| JPS6336543A (ja) | 半導体装置の自動検査方法及び検査装置 | |
| JP3385916B2 (ja) | ワイヤボンディングにおけるワイヤの検出方法 | |
| JP2003232624A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JP3008745B2 (ja) | ワイヤボンディング検査方法及びワイヤボンディング検査装置 | |
| JP2000011173A (ja) | 画像認識方法および画像認識装置 | |
| JP2939876B2 (ja) | 実装済プリント基板検査装置における判定基準自由設定方法 | |
| JP2648974B2 (ja) | ワイヤリング検査可能なワイヤボンディング装置及びその方法並びにワイヤリング自動検査装置 | |
| JPH0982739A (ja) | ボンディングワイヤ検査装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040630 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040907 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20041104 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041228 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050223 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20050405 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050411 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20050506 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050513 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090520 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100520 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100520 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110520 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120520 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |