JP2922214B2 - 外観検査方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置あるいは他の電子部品等の外観
検査、得に多項目の外観検査を効率的に行うことのでき
る技術に関する。

〔従来の技術〕

この種の技術について記載されている例としては、特
開昭62−103548号公報、あるいは特開昭62−156547号公
報等がある。

半導体装置等の製造においては、パッケージの外観が
品質に大きく影響する場合が多い。すなわち、当該製品
においてリードを含むパッケージ不良が生じていると視
覚的に印象が悪いというばかりでなく、実装不良あるい
は水分の浸入等による特性劣化を来し易い場合が多い。
そのために、製造工程の最終段階ではこれらの外観が一
定基準を満たしているかを検査する外観検査工程が行わ
れている。

かかる外観検査は、上記の各公報にも記載されている
ように、ICパッケージ等の被検査対象に対してできるだ
け均一な照度を有する照明系を用意し、被検査対象とし
てのパッケージ表面あるいはリードからの反射光を検出
してこれを検査者の視覚を通じて認識し、製品の良否を
判定するものが一般的である。

ところで、上記外観検査における検査項目としては、
リードに関するものだけでもたとえば、リード曲がり、
リードの欠落、リード平坦度、表面の傷、打痕、メッキ
状態等多岐にわたっており、この他にパッケージに関す
る項目としてはモールドくぼみ、ボイド、パッケージ欠
け、割れ、さらにはパッケージ表面のマークの印字状態
に至るまで多種の検査項目がある。これらの複数種類の
検査項目に対して、検査手段としては被検査物体に対し
て一律的な照明光の照射を行うことによって行ってい
た。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記のように多種の検査項目間において、
最適な検査条件、特に照明条件は一定なものではなく、
検査項目毎に照明条件が及ぼす影響、たとえば不良検出
率等が大きく異なることが本発明者によって見い出され
た。すなわち、上記従来技術においては、パッケージ本
体表面とリード表面とのように光の反射率の大きく異な
る被検査対象部位間であっても一定の照明条件下しか設
定せずに、多種にわたる検査項目を実施していたため、
項目によっては必然的に不良検出率が低下し、精度の高
い外観検査を実施することが困難な状況となっていた。

また、上記の如く検査者の目視に依存した検査基準に
よっては客観的な良否判定が難しく、これも検査精度を
低下させる要因であった。

さらに、照明光量等の条件を異なったものに設定した
複数の検査装置を用意することも考えられるが、検査効
率を著しく低下させるおそれがあり、現実的ではなかっ
た。

本発明は、上記課題に着目してなされたものであり、
その目的は、多種の項目にわたる外観検査を高精度かつ
効率的に行うことのできる技術を提供することにある。

本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、概ね次のとおりである。

すなわち、パッケージ本体およびリードを有する半導
体装置上の被測定点に中心軸を合わせてリング照明を配
置し、該リング照明のリング内を通して前記半導体装置
により反射される反射光を検査ヘッドで撮像して前記半
導体装置の外観検査を行う方法であって、前記半導体装
置の検査項目毎に最適な照射角度のパラメータを事前に
求めて記憶し、記憶した前記照明角度のパラメータを読
み出し、前記照明角度のパラメータに基づく前記リング
照明の上下動又は異なる径若しくは異なる高さ位置の複
数のリング照明の照灯の切り替えにより、検査項目毎に
前記リング照明による最適な照射角度を設定して、前記
半導体装置の検査項目の検査を行うものである。

また、被検査対象に対してあらかじめ照明光源の照明
条件設定のために用意されたパラメータを種々に変更し
て多種の検査項目を実施する際に、検査項目を完全不良
項目と再生可能不良項目とに分け、完全不良項目を検査
した後に再生可能不良項目を検査するものである。

〔作用〕

上記した手段によれば、多種の検査項目に対してそれ
ぞれ最適な照明状態の設定を可能とすることにより、パ
ッケージ本体表面とリード表面とのように光の反射率の
異なる被検査部位間においても不良検出率が変化するこ
となく、常に高精度な検出を行うことができる。

また、検査項目を完全不良項目と再生可能不良項目と
に分け、完全不良項目を検査した後に再生可能不良項目
を検査することによって、完全不良項目に該当する不良
の検出された被検査対象物はこの段階で排除されるた
め、次の再生可能不良項目の検査を効率的に行うことが
でき、外観検査の効率化を図ることができる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である外観検査装置の光学
系を示す説明図、第２図はその処理系を示すブロック
図、第３図は照明光源を示す斜視図、第４図は照明光源
の移動による変化の状態を示す説明図、第５図はリング
照明の断面構造を示す断面図、第６図は被検査対象の移
動手順を説明するためのブロック図、第７図は装置構成
の外観を示す斜視図、第８図（ａ）〜（ｒ）はそれぞれ
被検査対象のリード部における不良項目を具体的に示す
説明図、第９図（ａ）〜（ｉ）はそれぞれ被検査対象の
モールド部における不良項目を具体的に示す説明図、第
10図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ被検査対象のパッケージ
表面のマーキング部における不良項目を具体的に示す説
明図、第11図は外観検査装置内における被検査物体の移
動手順を具体的に示す説明図、第12図はリード平坦度修
正部の機構を示す断面図、第13図（ａ）〜（ｄ）は検査
部における被検査物体と検査ヘッドとの位置関係を示す
説明図、第14図は検査ヘッドの内部における光学系を示
す説明図、第15図は実施例の実験結果を説明するための
光学系とリング照明と被検査物体である半導体装置の配
置状態を示す説明図、第16図〜第22図は実施例の説明の
ために、本発明者の実験によって得られた各検査項目に
おける不良検出精度（縦軸）と照明光の入射角度θ（横
軸）との関係を示す説明図である。

本実施例における外観検査装置１は第７図に示すよう
に、装置本体２と、これを制御するパソコンシステム等
からなる制御部３とで構成されており、制御部３には同
図に図示されているプリンタ装置４および制御情報を表
示するためのディスプレイ５の他に同図では図示されて
いないが外部記憶手段として磁気ディスク装置６等が備
えられている。

本実施例で用いられる照明光源は照明本体がリング状
に構成された、いわゆるリング照明７であり、第３図に
示すようなランプハウス８を有している。ランプハウス
８には図示しないハロゲンランプなどの照明光源が内蔵
されており、この照明光源によって発生された照明光が
束状に構成された光ファイバケーブル10を経由してリン
グ照明７に伝えられる構成となっている。

第１図は、上記リング照明７を２重構造としたものを
示しており、外周側のリング照明7aと内周側のリング照
明7bとで照灯の切り換えを行うことによって、被検査対
象物である半導体装置11に対して照射される照明光の照
明角度θを変更可能となっている。このような、２重構
造のリング照明７は、第５図に示すように大径のリング
照明7aと小径のリング照明7bとで各々独立した照明が可
能な構造とされており、各リング照明７内にはたとえば
光ファイバが埋め込まれた構造を有している。

なお、照明条件の変更方法として、第１図に示した大
径のリング照明7aと小径のリング照明7bとの照灯の切り
換えによるものの他、第４図に示すように単一のリング
照明７を用意し、このリング照明７を半導体装置11に対
して上下動させる構造としてもよい。

上記照明光源からの照明光は、半導体装置11の表面で
反射した後、リング照明７の上方に位置するTVカメラ13
によって光電変換される。TVカメラ13の撮像信号は、概
略的には第２図に示すように、まずA/D変換部14におい
てA/D変換された後、多値化部19において２値化あるい
は多値化されて一旦メモリ15に格納された後、検出部16
において、予めサンプリングされた基準信号と比較され
て外観不良の有無が検出される。

第６図は、半導体装置11の移動手順を示しており、同
図に示すように、ローダ・アンローダ17より供給され、
位置決めの行われた半導体装置11は、まずリード平坦度
修正部18においてリード20の平坦度が修正された後、検
査部21（同図では第１検査部21a〜第３検査部21cまでを
図示）において所定の検査が実施され、搬送部22によっ
てローダ・アンローダ17に戻される。

上記の半導体装置11の移動は、たとえばコンベア等の
搬送手段により行われ、これらは第６図に示す駆動機構
制御部23によって制御されている。検査部21は各々画像
処理部24に接続されており、検査部21より得られた画像
信号はこの画像処理部24で処理されるとともにCRT等の
モニタ25によってオペレータの目視による監視が可能と
なっている。上記画像処理部24は、制御部３によって制
御される構成となっている。

上記構成を装置上のレイアウトで示したものが第11図
である。半導体装置11である半導体装置11は、収納トレ
イ26に収容された状態でローダ・アンローダ17に供給さ
れ、該収納トレイ26より順次１個ずつ取り出されて位置
決め部９にてパッケージの位置決めが行われた後、リー
ド平坦度修正部18に送られる。リード平坦度修正部18で
は、第12図（ａ）および（ｂ）に示すように、押上機構
27と押下機構28とを備えており、両機構27,28は共に半
導体装置11のパッケージ面を固定する真空吸引口30を備
えた吸着ステージ31を有している。押上機構27における
吸着ステージ31の上方にはリード押え32が半導体装置11
の側面より突出されたリード20の根元部分を同図上方よ
り支持するように設けられている。上記リード20に対し
てその下方には押上型33が配置されており、上記リード
20の先端部分を下方から上方に一定距離だけ押し上げる
構造となっている。

一方、押下機構28は、第12図（ｂ）に示すように吸着
ステージ31の側方に配置され、半導体装置11の側面から
突出されたリード20の根元部分を同図下方より支持する
リード押え32と、その上方に配置された押下型34を有し
ており、上記リード20の先端部分を上方より下方に一定
距離だけ押し下げる構造となっている。

上記押上機構27および押下機構28の押上型33および押
下型34は、マイクロメータヘッド等により定量的な移動
が可能な構造となっており、同図のようにガルウィング
状にリード20が形成された製品に対して、リード20の押
し下げおよび押し上げの２工程を通じて平坦度の修正を
行うものである。

上記リード平坦度修正部18においてリード20の平坦度
修正の行われた半導体装置11は、検査部21に送られて所
定の外観検査が実施される。第13図（ａ）〜（ｄ）はそ
れぞれ第１〜第４検査部（21a〜21d）における半導体装
置11と検査ヘッド35との位置関係を示したものである。
すなわち、第１検査部21a（第13図（ａ））では半導体
装置11の側面方向に検査ヘッド35が配置されており、リ
ード20の平坦度、パッケージ側面のボイド、リード20の
根元部分の半田付着等が検査される。第２検査部21b
（第13図（ｂ））では、検査ヘッド35は半導体装置11の
上方に配置されており、主としてパッケージ表面のボイ
ド、異物付着、パッケージの欠け／クボミ、パッケージ
クラック、マーキング状態、リード20の曲がり等が検査
される。第３検査部21c（第13図（ｃ））では、半導体
装置11の下方に検査ヘッド35が配置されており、半導体
装置11の下面側から上記第13図（ｂ）で説明したものと
同様の検査項目を実施する。なお、前述の第６図では図
示していないが、第４検査部21d（第13図（ｄ））とし
て検査ヘッド35を半導体装置11の側面方向に配置して、
リード20の平坦度および曲がり等をさらに精密に検査す
るかあるいは第１検査部21a〜第３検査部21cで検査する
ことが出来ない部分（リード裏側）の検査を行うように
してもよい。

第14図は、上記検査ヘッド35の構成を示している。第
14図の検査ヘッド35の配置は第13図（ｂ）の検査ヘッド
35の配置状態に対応しているものとする。この配置状態
において、リング照明７の上方に位置する検査ヘッド35
の内部には、レンズ36を経てガルバノミラー37が配置さ
れており、このガルバノミラー37によって反射された反
射光が例えば2048画素のCCDリニアセンサによって構成
された受光素子38に入光され、半導体装置11からの反射
光を画像信号に変換する構成となっている。なお、上記
ガルバノミラー37は、ガルバノミラー制御部40によって
反射角度を移動できる構造とされており、半導体装置11
のパッケージ表面を所定の範囲で走査可能となってい
る。

次に、本実施例における主な検査項目について第８図
〜第10図を用いて具体的に説明する。

第８図（ａ）〜（ｒ）は半導体装置11のリード部にお
ける不良項目を各々示している。

同図（ａ）はフラットパッケージ、（ｂ）はＪリード
パッケージのリード平坦度に関する不良状態を示してお
り、同図中に示すばらつきΔａが所定値、たとえば数十
μｍ以上の場合にはリード平坦度不良とされるものであ
る。

同図（ｃ）および（ｄ）は、リード曲がり不良、すな
わちリード20の水平方向のずれを示しており、このずれ
量Δａが一定値以上となった場合が不良とされる。

同図（ｅ）はリード不揃い不良、同図（ｆ）はダム切
断不良、同図（ｇ）はリード打痕不良、同図（ｈ）はレ
ジンフラッシュ不良、同図（ｉ）はリードキズ不良、同
図（ｊ）はめっき不良、同図（ｋ）は半田濡れ不良、同
図（ｌ）は半田ブリッジ不良、同図（ｍ）は半田ヒゲお
よび半田ツララ不良、同図（ｎ）〜（ｐ）はそれぞれ半
田突起／過多／粒不良、同図（ｑ）は異物付着不良、同
図（ｒ）は汚れ不良をそれぞれ示している。これらの各
検査項目は同一の検査部21で同時に検査可能なものも多
い。たとえば、同図（ｅ）〜同図（ｊ）等の項目につい
ては同時に検査可能である。

第９図（ａ）〜（ｉ）は、モールド部における不良項
目をそれぞれ示している。

すなわち、同図（ａ）および（ｂ）は、半導体装置11
のパッケージ表面におけるボイド不良を示しており、同
図（ｃ）は主としてレジンクズ等による異物付着不良、
同図（ｄ）および（ｅ）はカケ／クボミ不良、同図
（ｆ）はパッケージクラック不良、同図（ｇ）はキズ不
良、同図（ｈ）は汚れ／シミ不良、同図（ｉ）は半田付
着不良をそれぞれ示している。なお、同図では（ｉ）の
みDIP形のパッケージ構造で示しているが、他のパッケ
ージ構造であっても検査項目はほぼ同様である。

第10図（ａ）〜（ｃ）は、それぞれマーキング不良の
態様を示しており、同図（ａ）は文字の一部が欠けてい
る状態のマーク欠け不良、同図（ｂ）は文字が消えてい
るマーク消え不良、同図（ｃ）はマーキングの濃淡が異
常となっている濃淡不良をそれぞれ示している。なおマ
ーキング不良に関してはこの他にも図示していないが、
インク付着、位置ズレ、ダブリマーキング等の不良項目
がある。

なお、第10図にそれぞれ示したマーキング不良の検査
に関しては、先の第８図におけるリード部の検査あるい
はモールド部の検査等において同時に実施することが可
能である。

また、上記第８図〜第10図で説明した検査項目は完全
不良項目と再生可能不良項目とに分類することができ
る。すなわち、前者はその不良が再加工によって補填で
きない程度のものであり、当該不良が発見されるとその
製品はライン上から廃棄してしまう以外にないものを指
す。これらに該当するものとしては、リードの不揃い不
良（第８図（ｅ））、リード打痕不良（第８図
（ｇ））、めっき不良（第８図（ｋ））、ボイド不良
（第９図（ａ））、パッケージクラック不良（第９図
（ｆ））等がある。また、後者の再生可能不良は、不良
箇所の修正によって再生可能な項目であり、リード平坦
度不良（第８図（ａ）および（ｂ））、リード曲がり不
良（第８図（ｃ）および（ｄ））、半田濡れ不良（第８
図（ｋ））、半田ブリッジ不良（第８図（ｌ））、等が
ある。

本実施例の検査部21で行われる不良項目の検査に際し
ては、まず前者の完全不良項目についての検査を行い、
続いて再生可能不良項目の検査を行うことにより、完全
不良項目該当製品をラインから強制的に排除した後に、
効率的に再生可能不良項目の検査を行うことができ、検
査重複の無駄を低減することができる。

次に、本実施例により得られた不良検出率の変化につ
いて本発明者の実験結果を基に説明する。

本実験において、本発明者は第15図に示すように、被
検査物体である半導体装置11の上方ｈの高さに上下動可
能な直径ｒのリング照明７を配置し、その上方に光学系
41を配置した。このとき、リング照明７からの入射光と
基準光軸ｌとで構成される角度をθとしてリング照明７
の高さｈを変化させることによりこの角度θを変化させ
て不良検出率の変化を測定した。

なお、第16図〜第22図において、◎，○，△，×は不
良検出率の度合を示しており、◎は最適な画像認識によ
り不良検出が最適な状態で行われた場合、○は概ね適正
な状態となっている場合、△は検出にやや難がある場
合、×は検出が困難な場合をそれぞれ示している。

第16図は第９図（ａ）もしくは（ｂ）に示すようなパ
ッケージ表面におけるボイドの検出を行った実験結果を
示しており、予めφ＝200〜300μｍ程度のボイド不良を
生じている製品を試料として用意し、不良検出率をθ＝
12.3゜〜40.9゜の範囲でモニタ25上における認識画像に
よって検査した。この結果、同図に示すように、θが1
2.3゜〜32.6゜の間では上記ボイドが鮮明に検出可能で
あったが、27.5゜〜33.0゜の間では検出に難があり、3
9.1゜以上では検出不可能であった。この結果、パッケ
ージ表面のボイドの検出においては、θが小さい値、す
なわちｈを比較的高い位置に配置する方が検出率が高く
なることが判明した。

第17図は、第８図（ｉ）に示したようなリードキズ不
良を検出する場合を示しており、この場合には同図に示
すように、12.3゜〜16.3゜の狭い範囲で検出率が高いこ
とが明かとなった。

第18図は、第８図（ｇ）に示したようなリード打痕不
良の検出を示しており、このような検査項目においては
22.1゜〜40.9゜の比較的θの大きくなる範囲、すなわち
ｈの値が小さくなるように半導体装置11に対してリング
照明７を降下・接近させた位置に配置することにより不
良検出率が高くなることが明らかになった。

第19図は、第８図（ｈ）に示したレジンフラッシュ不
良の検出を示しており、この種の検査項目では12.3゜〜
33.0゜の比較的広範囲で高い検出率が得られている。

第20図は、半導体装置11のパッケージにおけるモール
ドキズ不良（第９図（ｇ））の検出率の変化を示してお
り、当該検査項目については、22.5゜〜40.9゜の範囲に
おける検出率が高くなっている。

第21図は、半導体装置11のパッケージにおけるモール
ド異物付着（第９図（ｃ））の検出率の変化を示してお
り、同図によればθ＝12.3゜〜40.9゜の範囲で概ね適正
な検出率を維持できている。

第22図は、半導体装置11におけるパッケージ表面のマ
ーキング不良を示しており、22.1゜〜40.9゜の範囲で高
い検出率が得られている。

以上第16図〜第22図で示したように、各検査項目によ
って高い検出率の得られる角度θの範囲は異なってお
り、検査項目毎に最高検出率の得られるように角度θを
設定する必要のあることが理解できる。

上記角度θの設定は、先に説明したように、第15図に
示した高さｈを変化させることによって可能である。な
お、第15図ではリング照明７を上下動させて高さｈを変
化させ、これにともなって角度θを変化させる場合で説
明したが、これに限らず第１図で説明したように、大径
と小径のリング照明7a,7bを用意し、これらの照灯を切
り換えることによって角度θを２段階あるいは数段階に
変化させてもよい。

さらに、上記以外にも、リング照明７を高さｈの異な
る位置に複数系統設けた構成として、これらの照灯を切
換制御することによって角度θを段階的に変更する機構
としてもよい。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、照明条件の
変更としては、被検査対象に対する照明光源の照射角度
を変更する場合について説明したが、これに限らず他の
照明条件の変更、たとえば照明光量の変更等を行うこと
にしてもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発
明をその利用分野である、いわゆる半導体装置製造にお
けるパッケージ組立後の外観検査技術に適用した場合に
ついて説明したが、これに限定されるものではなく、た
とえば半導体ウエハ状態における外観検査、さらには他
の電子部品等における外観検査に広く適用できる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。

すなわち、多種の検査項目に対してそれぞれ最適な照
明状態の設定を可能とすることにより、光の反射率の異
なる被検査部位間においても不良検出率が変化すること
なく、常に高精度な検出を行うことができる。

また、検査項目を完全不良項目と再生可能不良項目と
に分け、完全不良項目を検査した後に再生可能不良項目
を検査することによって、完全不良項目に該当する不良
の検出された被検査対象物はこの段階で排除されるた
め、次の再生化可能不良項目の検査を効率的に行うこと
ができ、外観検査の効率化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である外観検査装置の光学系
を示す説明図、 第２図はその処理系を示すブロック図、 第３図は上記実施例における照明光源を示す斜視図、 第４図は同じく照明光源の移動による変化の状態を示す
説明図、 第５図はリング照明の断面構造を示す断面図、 第６図は本実施例における被検査対象の移動手順を説明
するためのブロック図、 第７図は装置構成の外観を示す斜視図、 第８図（ａ）〜（ｒ）はそれぞれ被検査対象のリード部
における不良項目を具体的に示す説明図、 第９図（ａ）〜（ｉ）はそれぞれ被検査対象のモールド
部における不良項目を具体的に示す説明図、 第10図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ被検査対象のパッケー
ジ表面のマーキング部における不良項目を具体的に示す
説明図、 第11図は実施例の外観検査装置内における被検査物体の
移動手順を具体的に示す説明図、 第12図（ａ）および（ｂ）は実施例のリード平坦度修正
部の機構を示す断面図、 第13図（ａ）〜（ｄ）は各検査部における被検査物体と
検査ヘッドとの位置関係を示す説明図、 第14図は実施例における検査ヘッドの内部における光学
系を示す説明図、 第15図は本実施例の実験結果を説明するための光学系と
リング照明と被検査物体である半導体装置の配置状態を
示す説明図、 第16図〜第22図は実施例の説明のために、本発明者の実
験によって得られた各検査項目における不良検出精度
（縦軸）と照明光の入射角度θ（横軸）との関係を示す
説明図である。 １……外観検査装置、２……装置本体、３……制御部、
４……プリンタ装置、５……ディスプレイ、７……リン
グ照明、7a……リング照明、7b……リング照明、８……
ランプハウス、９……位置決め部、10……光ファイバケ
ーブル、11……半導体装置、13……TVカメラ、14……A/
D変換部、15……メモリ、16……検出部、17……ローダ
・アンローダ、18……リード平坦度修正部、19……多値
化部、20……リード、21……検査部、21a……第１検査
部、21b……第２検査部、21c……第３検査部、21d……
第４検査部、22……搬送部、23……駆動機構制御部、24
……画像処理部、25……モニタ、26……収納トレイ、27
……押上機構、28……押下機構、30……真空吸引口、31
……吸着ステージ、32……リード押え、33……押上型、
34……押下型、35……検査ヘッド、36……レンズ、37…
…ガルバノミラー、38……受光素子、40……ガルバノミ
ラー制御部、41……光学系、θ……入射角度。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡部 隆史 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−293657（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−299709（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−87608（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 102 G01N 21/84 - 21/91

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】パッケージ本体およびリードを有する半導
   体装置上の被測定点に中心軸を合わせてリング照明を配
   置し、該リング照明のリング内を通して前記半導体装置
   により反射される反射光を検査ヘッドで撮像して前記半
   導体装置の外観検査を行う方法であって、 前記半導体装置の検査項目毎に最適な照射角度のパラメ
   ータを事前に求めて記憶し、 記憶した前記照明角度のパラメータを読み出し、前記照
   明角度のパラメータに基づく前記リング照明の上下動又
   は異なる径若しくは異なる高さ位置の複数のリング照明
   の照灯の切り替えにより、検査項目毎に前記リング照明
   による最適な照射角度を設定して、 前記半導体装置の検査項目の検査を行うことを特徴とす
   る外観検査方法。
2. 【請求項２】前記半導体装置、前記リング照明および前
   記検査ヘッドの相対的位置関係は、鉛直線上、横方向ま
   たは任意の角度の直線上に配置されていることを特徴と
   する請求項１記載の外観検査方法。
3. 【請求項３】照明光源の照明条件設定のために予め用意
   されたパラメータを種々に変更して被検査対象に対して
   多種の検査項目を実施する際に、検査項目を完全不良項
   目と再生可能不良項目とに分け、完全不良項目を検査し
   た後に再生可能不良項目を検査することを特徴とする外
   観検査方法。