JPH10261599A - 半導体ウェハのへき開装置及びへき開方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は、レーザダイオード等の発光素子
を効率良く製造できる半導体ウェハのへき開装置及びへ
き開方法に関する。 【解決手段】 半導体ウェハ１をへき開線１ｂに沿って
へき開し、単体チップを形成するための半導体ウェハ１
のへき開装置において、半導体ウエハ１を単体チップに
へき開する領域を撮像手段（４）で撮像し、そのへき開
１ｂ領域を、へき開線を横断する方向（Ｘ方向）に順次
走査線を走査し、ウェハ１面での位置にともなう明度の
変化から、へき開線１ｂを求める。従って、たとえウェ
ハ面に部分的に汚れ等が存在したとしても、より確かな
へき開線１ｂが検出され、それに沿ってカッター３がへ
き開するので、半導体チップ製造の歩留まりは向上する
とともに、形状の良否選別が簡易化される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
等の発光素子を製造するのに好適な、バー状の半導体ウ
ェハをへき開し半導体チップを得るためのへき開装置及
びへき開方法の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザダイオード等の発光素子は、精々
１ｍｍ程度の幅のバー状の半導体ウェハを小さな単体の
半導体チップに分離（へき（劈）開）することにより形
成される。従って、形成された半導体チップの大きさ
は、最大でも外形が１ｍｍ四方以下の微小形状をなすも
のである。

【０００３】また、バー状の半導体ウエハのへき開によ
り形成されたレーザダイオード等のチップ状の発光素子
は、その外形形状に基づきハウジング内に装着された
後、例えばＤＶＤ装置等の中に組み込み搭載される。装
置に組み込まれたレーザダイオードの光軸が、設計どお
りの機能を満足するには、ハウジングへの組み込み精度
は、±３０μｍ以内であることが要求されている。従っ
て、この要求を満足するためには、チップ状の発光素子
は少なくとも±１０μｍ以内という高い外形寸法精度を
満たすことが必要とされている。

【０００４】バー状のＧａＡｓ等の半導体ウェハのへき
開に際しては、予め金メッキされ面の上にエッチングに
より４０〜１００μｍからなる幅のへき開線が形成さ
れ、そのへき開線に沿って分離するよう、他方の面側か
らカッターが降下して切断される。

【０００５】そこで、例えばバー状の半導体ウエハにつ
いて、約３００μｍの幅間隔で順次へき開してチップ状
の発光素子が形成されるが、もしも半導体ウエハに微小
な割れや欠け等の欠陥があった場合には、へき開工程を
経てもそのまま割れや欠けなどを有し、不良品となるこ
とが多い。

【０００６】また、エッチングにより形成されたへき開
線幅は、上述のように４０〜１００μｍであるのに対
し、発光素子としての機能するために要求される外形寸
法精度は誤差が±１０μｍ以内という高精度が要求さ
れ、またへき開は、半導体ウエハの結晶方位そのものに
依存することもあり、へき開線とカッターとの間に高精
度の位置決めが必要とされる。

【０００７】また、へき開により形成されるチップ状の
発光素子が、もしも形状規格を満足しない場合には、良
品と区別し除外することが必要となる。従来の半導体ウ
ェハのへき開装置及びへき開方法では、チップ状の発光
素子が正常にへき開され、形状規格を満足するか否か
は、個々の半導体チップを作業員が顕微鏡を用いた目視
検査によるものであった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、バー状
の半導体ウェハの製造では、へき開線幅が４０〜１００
μｍであるのに対し、カッターによるへき開は±１０μ
ｍ以内の高精度であることが要求された。しかも、へき
開線が描かれた半導体ウェハ面上では、わずかな汚れや
ごみの付着でも、へき開線を見誤らせるのに十分であ
り、従来の製造装置及び製造方法では、しばしば位置決
め不良等等に起因した不適切なへき開作業により、寸法
や形状不良のチップが製造された。

【０００９】そこで、本発明は半導体ウェハのへき開操
作を改善し、不良品の製造を軽減し、歩留まりを向上さ
せることを目的とするものである。

【００１０】また、へき開により製造されたチップ状の
発光素子は、もしも形状規格を満足しない場合には、良
品と区分する必要であるが、従来の半導体ウェハのへき
開装置及びへき開方法では、作業員の顕微鏡による目視
検査によるものであったから、微小チップの形状良否の
検査や判定は容易でなく、作業員にとっては大きな負担
となった。とりわけ、顕微鏡による検査は、作業員の目
の疲労を著しく促進させるので改善が要望されていた。

【００１１】もっとも、半導体チップをＣＣＤカメラ等
で撮像し、その画像処理により半導体チップの形状を検
査することも考えられるが、画像処理を行うには、微小
な半導体チップの位置決めを必要とする。よく知られて
いるように、画像処理による位置決めは、対象物がプリ
ント基板等の大きさであればともかく、μｍ単位の大き
さのチップで、しかも位置や向きを特定できない対象物
では、装置は複雑化しかつ位置決めや画像処理に相当の
時間を要するので実現は困難であった。

【００１２】そこでこの発明は、目視検査によらず、ま
た複雑な構成を採用することなく、へき開が正常に行わ
れたか否かを高精度で検査し得る半導体ウェハのへき開
装置及びへき開方法を提供するものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記従来の課
題を解決するためになされたもので、第１の発明は、半
導体ウェハに形成された複数の半導体チップをへき開線
に沿ってへき開し、半導体チップに分割するための半導
体ウェハのへき開装置において、前記半導体ウエハを半
導体チップにへき開する領域を撮像する撮像手段と、こ
の撮像手段によって撮像された前記へき開領域内を、前
記へき開線を横断する方向に順次走査線を走査し、明度
の変化する位置の情報を検出して所定のへき開線を求め
るへき開線検出手段と、このへき開線検出手段によって
検出されたへき開線に沿ってへき開するへき開手段とを
具備することを特徴とする。

【００１４】上記のように、この第１の発明による半導
体ウェハのへき開装置は、へき開線検出手段を有し、へ
き開線を横断する方向に順次走査し、明度の変化する位
置の情報を検出してへき開線を求めるので、へき開線上
にたとえ部分的な汚れ等があったとしても、それを避け
てより確かなへき開線を認識することができる。従っ
て、仮に４０〜１００μｍという幅広のへき開線でも、
より正確なへき開位置を設定することができ、不良品の
発生を軽減することができる。

【００１５】第２の発明は、半導体ウェハに形成された
複数の半導体チップをへき開線に沿ってへき開し、半導
体チップに分割するための半導体ウェハのへき開方法に
おいて、前記半導体ウエハを半導体チップにへき開する
へき開領域を撮像し、撮像された前記へき開領域内にお
いて、前記へき開線を横断する方向に走査線を走査し、
明度の変化する位置の情報から所定のへき開線を特定
し、特定されたへき開線に沿って前記半導体ウェハをへ
き開することを特徴とする。

【００１６】このように、本発明方法によれば、へき開
線を横断する方向に走査し、明度の変化する位置情報か
らへき開線を検出し、検出されたへき開線に沿って前記
半導体ウェハをへき開するので、より正確なへき開位置
を設定することができ、不良品の発生を軽減することが
できる。

【００１７】第３の発明は、同じく半導体ウェハに形成
された複数の半導体チップをへき開線に沿ってへき開
し、半導体チップに分割するための半導体ウェハのへき
開方法において、前記半導体ウエハを半導体チップにへ
き開する領域を撮像し、撮像された前記へき開領域内
を、前記へき開線を横断する方向に走査線を走査し、明
度の変化する位置の情報から所定のへき開線を特定し、
特定されたへき開線に沿って前記半導体ウェハをへき開
し、へき開面の直線性と、そのへき開面の一端と次の特
定されたへき開線との間の距離に基づく所定の計算値と
が、それぞれ予め設定された基準値と比較して、前記半
導体チップの良否を判定することを特徴とする。

【００１８】このように、第３の発明では、へき開面の
直線性と、そのへき開面の一端と次の特定されたへき開
線との間の距離に基づく所定の計算値とがそれぞれ予め
設定された基準値と比較して、へき開により形成された
前記単体チップの良否をへき開装置上で判定できること
から、簡単にかつ短時間に良不良の選別が可能となる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体ウェハ
のへき開装置及びへき開方法の一実施の形態を図１乃至
図４を参照して説明する。図１は本発明による半導体ウ
ェハのへき開装置の一実施の形態を示す構成図である。

【００２０】図１において、厚さが５０μｍ程のＧａＡ
ｓ等からなるバー状の半導体ウェハ１は、搬送機器２の
搬送ガイドに沿い、チップ幅（約３００μｍ）間隔で順
次定量送りされ、カッター３位置に搬送される。半導体
ウェハ１がカッター３により、チップ状にへき開される
が、へき開操作に際して、ＣＣＤカメラ４で視野内にへ
き開領域を含んで撮像され、その画像情報はインターフ
ェースボード５を介してパソコン６に供給される。

【００２１】ＣＣＤカメラ４は、５１２×５１２画素か
らなる撮像素子で構成したので、１画素あたり約２μｍ
の分解能が得られ、前述したように誤差が±１０μｍ以
内の外形寸法精度での画像処理が可能である。またパソ
コン６には、ＣＣＤカメラ４からの２５６階調からなる
８ビットの入力画像情報を処理できる容量のフレームメ
モリを内蔵させた。

【００２２】図２（ａ）は、半導体ウェハ１をＣＣＤカ
メラ４側から見た平面図であるが、ＣＣＤカメラ４側の
面には金メッキあるいは半田メッキからなるメッキ層１
ａが形成され、その面にエッチングによるへき開線１ｂ
が形成されている。この実施の形態では、半導体ウェハ
１の幅が３００〜８００μｍで長さが５０ｍｍ、形成さ
れる１個の半導体チップ（発光素子）の幅が約３００μ
ｍ、そして結晶方向に沿いエッチングにより形成された
各へき開線１ｂの線幅Ｗを４０〜１００μｍとした。

【００２３】なお、図１では説明上、搬送された半導体
ウェハ１に対して、ＣＣＤカメラ４が上方に、またカッ
ター３の位置が下方となるように描いたが、実際の装置
では、図３に要部の正面図を示したように、半導体ウェ
ハ１に対しＣＣＤカメラ４は下側に、またカッター３を
上側に配置して構成した。従って、半導体ウェハ１はメ
ッキ層１ａ側を下方にして順次搬送され、搬送機器２に
連なるガラス基板２ａの上に固定して載置される。図２
（ａ）に示したように、ＣＣＤカメラ４の撮像領域４ａ
は約１ｍｍ四方の大きさであるが、へき開線１ｂを検出
する範囲、すなわちパソコン６での演算処理範囲は図示
点線で示すように撮像領域４ａの中の一部の画像処理領
域４ａａとし、処理時間の短縮化を図った。

【００２４】ＣＣＤカメラ４からの画像情報は２５６階
調の明度情報であり、その画像情報からなる撮像領域４
ａの映像をパソコン６で処理し、へき開線１ｂを検出す
る。そこで、このへき開装置は、ＣＣＤカメラ４からの
映像情報を導入し、パソコン６がへき開線１ｂ位置を演
算検出し、パソコン６はそのへき開線１ｂ位置をカッタ
ー３の位置にほぼ一致するようインターフェースボード
５を介して搬送機器２を制御する。なお、パソコン６
は、インターフェースボード５を介して、モニタ映像機
器７にも接続されていて、ＣＣＤカメラ４による半導体
ウェハ２の画像は、パソコン６上はもとより、モニタ映
像機器７でも作業員により確認することができる。

【００２５】この実施の形態では、図３に示したよう
に、ＣＣＤカメラ４によって半導体ウェハ１を撮像する
ための光９は、レンズ機構８の赤色フィルタ８ａを経て
ハーフミラ８ｂに導かれ、ハーフミラ８ｂで反射した光
が、同軸状に構成された２つの円筒状の鏡筒８ｃによっ
て形成された外側の筒状空間を介して半導体ウェハ１面
を照射するよう構成配置した。従って、半導体ウェハ１
面の特へき開線１ｂを含む画像処理領域４ａａは、図３
に示すように、レンズ機構８のレンズ８ｄ、８ｅ及びハ
ーフミラ８ｂを介して、ＣＣＤカメラ４で撮像される。

【００２６】ところで、へき開線１ｂの線幅Ｗは、精々
４０〜１００μｍの狭さであるから、このへき開１ｂに
ごみの付着等があると、真のへき開線１ｂの識別が容易
でなくなり、適正な半導体チップの製造を困難とした。
４０〜１００μｍという狭い線幅Ｗのへき開線１ｂをい
かにして検出するかであるが、ＣＣＤカメラ４で撮像さ
れる半導体ウェハ１面は、赤色フィルタ８ａの存在によ
り、メッキ層１ａは白色に、エッチングによるへき開線
１ｂ部は黒色あるいは青色に写し出されるから、両領域
が画面上で明瞭な明度の差をなし、相互の識別が可能で
ある。

【００２７】そこで、この実施の形態では、ＣＣＤカメ
ラ４及びパソコン６によるへき開検出手段により、その
明暗の差異を利用して画像処理領域４ａａを処理し、ご
み等の付着部分を回避して、真のへき開線１ｂ位置を検
出し、そのへき開線１ｂがカッター３の位置と一致する
よう搬送機器２を制御するものである。

【００２８】図２（ｂ）は、ＣＣＤカメラ４に撮像され
た画像処理領域４ａａを、図２（ａ）に示すように、矢
印Ｘ線方向に走査線を走査して得られるへき開１ｂ領域
の明度情報、すなわち濃淡レベルを示した図である。

【００２９】ＣＣＤカメラ４による映像情報は、図２
（ｂ）に示すように、メッキ層１ａは比較的明るい階調
の色と、へき開線１ｂの黒色の暗い階調の色との差異か
ら、へき開線１ｂの線幅Ｗを明瞭に識別することができ
る。もっとも、この明るさの差異のレベルは、半導体ウ
ェハ１の種類によっても相違する性質がある。

【００３０】そこで、この実施の形態では、４０〜１０
０μｍの幅で長さが３００〜８００μｍの黒色のへき開
１ｂ領域全てを、ごみや汚れで覆われているという特殊
な場合を除き、このへき開線１ｂ領域内に、少なくとも
真のエッジを有するへき開線１ｂが存在するという事実
に着目し、そのエッジの位置を検出して、予め固定され
たカッター３に位置合わせしようとするものである。

【００３１】半導体ウエハ１は、搬送機器２により１チ
ップ分（約３００μｍ）の長さづつ順次定量送りされる
から、その定量送りに同期して都度、ＣＣＤつカメラ４
は、少なくとも一個のへき開線１ｂの領域の画像情報を
パソコン６に供給する。

【００３２】上記構成によるへき開装置により、具体的
に半導体ウエハ１をへき開するための位置決め方法と、
へき開して得られたチップ（発光素子）の寸法及び形状
検査による良不良の判別手段について以下説明する。

【００３３】すなわち、まずパソコン６は、画像処理領
域４ａａ内での真のへき開線１ｂを検出するために、図
２（ａ）に示すように、画像処理領域４ａａを横断する
方向（矢印Ｘ方向）に、かつ半導体ウェハ１の幅方向に
順次走査し、下記（１）項から（８）項に示した手順で
演算を行う。なお、矢印Ｘによる走査線の長さと走査線
の本数は、半導体ウェハ１の幅の長さと、へき開線１ｂ
幅の長さ等に応じて設定した。

【００３４】すなわち、（１）各走査線毎に横（矢印
Ｘ）方向の長さに、ＣＣＤカメラ４における画素の内、
数十画素単位で区分し、ブロック化を行う。

【００３５】（２）各走査線の各ブロック毎に、各画素
のデジタル明度データを加算する。 （３）各走査線毎に、各ブロックについて加算された明
度データの総和を得る。 （４）各走査線における総和
明度データを相互に比較し、総和明度データの最も小さ
い走査線を検出し、その総和明度データの最も小さい走
査線における最も明度データの低い、即ち暗いブロック
を、その半導体ウェハ１のへき開線１ｂラインの候補と
する。

【００３６】（５）上記（１）項乃至（４）項の手順
を、そのへき開線１ｂについて任意の回数行う。１回限
りの場合は、（４）項で得たへき開線１ｂラインの候補
を、その画像処理領域４ａａのへき開線１ｂ検出エリア
とする。もしも、仮に複数回行い、へき開線１ｂライン
の異なる位置の候補（ブロック）が複数得られた場合
は、平均のブロック位置をその画像処理領域４ａａでの
へき開線１ｂ検出エリアと決定する。

【００３７】（６）上記（５）項で、へき開線１ｂ検出
エリアと決定した走査線に関し、明度データについて、
走査方向に微分処理を行い、隣接する２つの変曲点、す
なわちメッキ層１ａとの境界となる左右のエッジを検出
し、その線幅Ｗを算出する。 （７）上記（６）項で算出されたへき開線１ｂの幅が、
予めエッチング上設定された幅（４０〜１００μｍの中
の値）に近い場合は、それが「真のへき開線１ｂ」と見
なし、エッジ候補とする。この走査線上で得られた左右
のエッジ候補を平均してへき開線中心位置Ｐを求め、パ
ソコン６は半導体ウェハ１のへき開線中心位置Ｐがカッ
ター３の位置に一致するよう、カッター３までの送り量
（距離差）を算出し、搬送機器２を駆動制御する。 （８）搬送機器２による駆動制御後の、へき開線１ｂの
確認を行った後、カッター３を降下させ切断する。

【００３８】以上により、半導体ウェハ１における微小
な幅の真のへき開線１ｂが検出され、カッター３による
そのへき開線１ｂ上でのへき開が実行される。

【００３９】チップ化される半導体ウェハ１は最大でも
１ｍｍ四方のごく小さい形状であるが、それ以上にへき
開線幅Ｗは４０〜１００μｍという極めて狭い領域に形
成されているから、ウェハ表面にごみの付着等があった
場合は、従来の装置や方法では、真のへき開線から外れ
て切断される可能性があった。しかし、この実施の形態
によれば、仮にへき開線１ｂ上に汚れやごみ等が付着
し、真のへき開線中心位置Ｐが分かりにくい場合でも、
半導体ウェハ１の幅方向に走査し、明度データを手掛か
りに演算処理し、汚れ等のない走査線を見出だすことに
よって、より確かなへき開線中心位置Ｐを得ることがで
きる。

【００４０】次に、一旦へき開により、チップ化される
発光素子が、上述のように、厳しい外形寸法精度を満足
するか否かが重要である。仮に一つのへき開線１ｂが真
のへき開線であったとしても、カッター３でのへき開が
結晶方向に依存するだけに、形成されたチップの形状
が、全て結果として規定値を満足するとは限らない。

【００４１】そこで、この実施の形態では、半導体ウェ
ハ１の既にへき開された面、及びつぎのチップ化のため
のへき開線１ｂの双方をパソコン６の画像処理領域４ａ
ａとし、半導体ウェハ１の既にへき開された部分の直線
性の良否を判定し、また次のへき開線１ｂでの３値化処
理及びエッジ検出処理により得られる形状検査により、
半導体チップの良否判定を行うものである。

【００４２】すなわち、図４（ａ）は、へき開により分
割された１個の半導体チップ１Ａと残った半導体ウェハ
１との位置関係を示した図である。また図４（ｂ）は、
図４（ａ）に示した半導体ウェハ１について、へき開線
１ｂ部分の画像処理領域４ａａ内の濃淡分布を示した図
である。

【００４３】なお、図４（ａ）に示すように、へき開線
１ｂの中には、半導体チップ１Ａに残った部分１ｂａと
半導体ウェハ１側に残された部分１ｂｂとに分かれ、こ
の双方の幅方向（Ｘ方向）の長さの比、いわゆる分離比
は図４（ｂ）に示すように、この実施の形態での場合は
１：１、すなわち幅の長さがＷ／２であるが、この分離
比は半導体ウエハ１の種類により異なる性質がある。

【００４４】また、この実施の形態では、半導体ウェハ
１に残された部分のへき開線１ｂｂの切断面での直線性
を検出し適正な範囲（±１０μｍ以内）にあるか否かを
判定するとともに、その切断面の端部から次の予定へき
開線１ｂまでの距離ｌに基づいて計算された例えば面積
を測定することによって、既にへき開によって生成され
た半導体チップ１Ａの良否を判定する方法を採用した。

【００４５】つまり、切断された面での直線性が満足す
るものであっても、残された部分の面積が、規定値に対
する許容値から外れている場合は、既にへき開された半
導体チップ１Ａはもとより、半導体ウェハ１の次のへき
開によって形成される半導体チップも外形形状は不良と
なる。

【００４６】図４（ｂ）に示すように、画像処理領域４
ａａ内の半導体ウェハ１に残された部分の一つの走査線
における明度の濃淡分布において、濃い（暗い）階調か
ら淡い（明るい）階調へ、順次背景レベルＮ1 、半導体
ウェハ１のへき開線レベルＮ2 及びメッキ層レベルＮ3
と３つの段階に識別される。そこで、この画像処理領域
４ａａ内における濃淡分布の特徴から、この実施の形態
では、へき開を経て既にチップ化された発光素子（１
Ａ）、及び次にチップ化される半導体ウェハ１につい
て、次の（イ）（ロ）の２つの条件を共に満足した場
合、はじめて適性なチップと判定した。

【００４７】（イ）カッター３によるへき開後の半導体
ウェハ１の切断面を、ＣＣＤカメラ４の撮像画面から、
パソコン６により直線性を演算検出し、切断面の直線性
の誤差が±１０μｍ以内の場合にのみ、既に切断されて
得られた半導体チップ１Ａは良品、またこれからへき開
される半導体ウェハ１についても、一方の切断面は良品
と判定する。従って、これ以外は、連続する２つの半導
体チップの形状は、基準を満足せず不良品と判定でき
る。

【００４８】（ロ）、次に、仮に上記（イ）の条件を満
足しても、例えばごみの存在等によりノイズが生じ、装
置によるへき開線の検出に誤りがあった場合には、正し
いへき開線の位置から外れてへき開されるから、結果的
に規定の外形仕様を満足しない場合が発生する。そこ
で、既にへき開された面と、いま上記（１）項から
（７）項までの工程により既に「正しいへき開線」と見
なされたへき開線１ｂとによって囲まれた例えば面積
が、良品としての予め設定された面積の許容値内にある
場合には、いまへき開されようとしている部分のチップ
は良品であると判断するものである。

【００４９】但し、「正しいへき開線」と見なされたへ
き開線１ｂとは、厳密にはへき開線１ｂの左右のエッジ
までの長さの中央、すなわち図４（ａ）（ｂ）にそれぞ
れ示すへき開線中心位置Ｐである。

【００５０】このようにして、この実施の形態によるへ
き開装置によれば、ＣＣＤカメラ４及びパソコン６によ
るへき開線検出手段により、自動的に上記（イ）（ロ）
両方の条件を満足してはじめて良品として判別される。

【００５１】以上のように、この発明による半導体ウェ
ハのへき開装置及びへき開方法によれば、従来のように
作業員による目視検査によることなく、またチップ化さ
れた後の形状検査という複雑な作業構成を採用すること
もなく、簡単な構成でより短時間にかつしかもより的確
に発光素子等の半導体素子を製造することができるの
で、半導体チップの製造の簡易化及び歩留まり向上が可
能となる。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明装置及び方
法によれば、簡単な画像処理により、高精度なへき開線
検出および形状検査が可能となるもので、従来１個ずつ
作業員が目視検査していたような負担をなくし、かつ安
定した品質の半導体製品の提供が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体ウェハのへき開装置の一実
施の形態を示す構成図である。

【図２】図２（ａ）は図１に示す装置で撮像領域と半導
体ウェハとの関係を示す平面図、図２（ｂ）は図１に示
す装置で画像処理領域の信号波形図である。

【図３】図１に示す装置の、特に搬送機器によって搬送
された半導体ウェハがＣＣＤカメラによって撮像される
様子を示す拡大正面図である。

【図４】図４（ａ）は図１に示す装置で撮像領域と半導
体チップ及び残された半導体ウェハとの関係を示す平面
図、図４（ｂ）は図４（ａ）における画像処理領域の信
号波形図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウェハ １ａ メッキ層 １ｂ へき開線 １ｂａ 半導体チップのへき開線 １ｂｂ チップ化により残された半導体ウェハ側のへき
開線 ２ 搬送機器 ２ａ ガラス基板 ３ カッター ４ ＣＣＤカメラ ４ａ 撮像領域 ４ａａ 画像処理領域 ５ インターフェースボード ６ パソコン ７ モニタ映像機器 ８ 光学機器

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェハに形成された複数の半導体
   チップをへき開線に沿ってへき開し、半導体チップに分
   割するための半導体ウェハのへき開装置において、 前記半導体ウエハを半導体チップにへき開する領域を撮
   像する撮像手段と、 この撮像手段によって撮像された前記へき開領域内を、
   前記へき開線を横断する方向に順次走査線を走査し、明
   度の変化する位置の情報を検出して所定のへき開線を求
   めるへき開線検出手段と、 このへき開線検出手段によって検出されたへき開線に沿
   ってへき開するへき開手段とを具備することを特徴とす
   る半導体ウェハのへき開装置。
2. 【請求項２】 前記へき開線検出手段は、前記半導体ウ
   ェハのへき開面の直線性、及び前記へき開面と次のへき
   開線とによって区分される半導体ウェハの面積を検出
   し、それぞれ予め設定された基準値と比較することによ
   って、へき開による半導体チップの良否を判定すること
   を特徴とする請求項１記載の半導体ウェハのへき開装
   置。
3. 【請求項３】 半導体ウェハに形成された複数の半導体
   チップをへき開線に沿ってへき開し、半導体チップに分
   割するための半導体ウェハのへき開方法において、 前記半導体ウエハを半導体チップにへき開するへき開領
   域を撮像し、 撮像された前記へき開領域内において、前記へき開線を
   横断する方向に走査線を走査し、明度の変化する位置の
   情報から所定のへき開線を特定し、 特定されたへき開線に沿って前記半導体ウェハをへき開
   することを特徴とする半導体ウェハのへき開方法。
4. 【請求項４】 半導体ウェハに形成された複数の半導体
   チップをへき開線に沿ってへき開し、半導体チップに分
   割するための半導体ウェハのへき開方法において、 前記半導体ウエハを半導体チップにへき開する領域を撮
   像し、 撮像された前記へき開領域内を、前記へき開線を横断す
   る方向に走査線を走査し、明度の変化する位置の情報か
   ら所定のへき開線を特定し、 特定されたへき開線に沿って前記半導体ウェハをへき開
   し、 へき開面の直線性と、そのへき開面の一端と次の特定さ
   れたへき開線との間の距離に基づく所定の計算値とが、
   それぞれ予め設定された基準値と比較して、前記半導体
   チップの良否を判定することを特徴とする半導体ウェハ
   のへき開方法。