JPH0367108A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH0367108A
JPH0367108A JP1204172A JP20417289A JPH0367108A JP H0367108 A JPH0367108 A JP H0367108A JP 1204172 A JP1204172 A JP 1204172A JP 20417289 A JP20417289 A JP 20417289A JP H0367108 A JPH0367108 A JP H0367108A
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弘明 中島
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杉浦 力夫
Takehisa Sugawara
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体装置のリードフレーム等のパターン位置ずれを検
査して排除する半導体装置の製造方法に関し、 検査時間、加工精度等を向上させることを目的とし、 リードフレームのリードの先端部の基準となるパターン
データを基準データとして記憶部に記憶させ、被検査リ
ードフレームのリードの先端部を撮像部により撮像して
撮像データを形成し、該撮像データと該基準データを処
理部において比較し、該被検査リードフレームの良否を
、設定される所定の基#−範囲で判断する工程を含むよ
うに構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半導体装置
のリードフレーム等のパターン位置ずれを検査して排除
するに半導体装置の製造方法に関する。
近年、ICチップの高密度化、高集積化が進行し、IC
チップの多ビン化が急速に進んでいる。
これに伴い、ICを構成するリードフレームが不良品と
なり易く、この不良品のリードフレームを迅速かつ正確
に排除することが要求されている。
(従来の技術) 従来、ICチップは、第5図(A)に示すように、リー
ドフレーム11のステージlla上にICチップ12を
ダイボンディング等により実装を行なっている。そして
、ダイボンディングされたICチップ12と周辺のリー
ドフレーム11のリード11bとの間で金ワイヤ13に
よるワイヤボンディングを行っている。
ところで、近年における、ICチップの高密度化、高集
積化が進行して、ICチップは多ビン化となっている。
これに伴って、第5図(B)に示すように、ICチップ
12内におけるパッド領域やその間隔及び周辺リードフ
レームのリード11bのワイヤボンド領域やその間隔が
狭くなっている。
また、金ワイヤ13によるワイヤボンディングの間隔も
狭くなっている。すなわち、リードフレーム11のリー
ド11bの一つ一つが細くなり、強度が低下して曲がり
易くなってくる。該リード11bが、第5図(B)11
cのように曲がると位置ずれによりワイヤボンディング
における加工精度が悪くなる。一方、位置ずれしたリー
ド11bの一つ一つについて、その補正をしながらワイ
ヤボンディングを行うこともできるが、加工時間が長く
なり、生産性が低下する。
そこで、リード11bが歪曲したリードフレーム11を
除去して、歪曲していないリードフレーム 11のみを
ボンディング加工するようにしているが、このリードフ
レーム11の検査は主に、視覚検査によっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、視覚によるリードフレーム11のリード11b
の歪曲の検査は、検査時間を要すると共に、人の感覚、
及び作業時間による疲労の度合いなどによるばらつきに
より高精度の検査が困難である。従っ′て、歪曲したリ
ード11bを有するリードフレーム11であっても加工
されることとなり、歩留りが悪くなると共に、加工にお
ける時間と労力が費やされるという問題があった。
そこで本発明は、上記課題に鑑みなされたもので検査時
間、加工精度を向上させる半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
〔課題を解決するための手段) 第1図に本発明の原理説明図を示す。
第1図の半導体装置の製造方法において、2は被検査リ
ードフレーム、2aは基準パターンデータ、3は処理部
、4は撮像部である。
被検査リードフレーム2は搬送用レール部上を移送され
る。基準パターンデータ2aは被検査リードフレーム2
と同寸大の理想形状のものである。
記憶部3aは基準パターンデータ2aを記憶し、撮像部
4は搬送用レール部上を移送されてくる被検査物2を撮
像する。そして、処理部3は記憶部3aからの基準パタ
ーンデータ2aの基準データと被検査リードフレーム2
の撮像データを比較し、被検査リードフレーム2の良否
を、設定される所定の基準範囲で判断する。
〔作用〕
予め、基準パターンデータ2aを作成しておく。
この基準データを記憶部3aで記憶する。そして、被検
査リードフレーム2を撮像部4より@像して処理部3に
撮像データを送出する。
処理部3では基準パターンデータ2aの基準データと被
検査リードフレーム2の撮像データを比較する。処理部
3には予め基準範囲が設定されており、この範囲内で被
検査リードフレーム2の良否を判断する。
このように、理想形状の基準パターンデータ2aを用い
ることで、半導体装置のパターンが短時間かつ高精度に
検査され、リード歪曲の大きいリードフレームが次工程
に流れた場合、最終的に製品になり得ないのに、ワイヤ
ボンド等の該加工が行なわれてしまう様な無駄な加工が
回避される。
また、被検査リードフレーム2の品種毎に基準バターン
データ2aを作成することができ、任意の品種又はロッ
トに対応可能となる。
〔実施例〕 第2図に本発明の一実施例の構成図を示す。
第2図の半導体装置の製造方法を実施するパターン検査
装置1において、被検査リードフレームであるリードフ
レーム2は、自動フレームフィード8N構(図示せず)
により、ローダ−5から撮像部であるCOD等のカメラ
4の下方を通り、リジェクタ−6を介してアンローダ−
7まで順次移送される。このローダ−5,リジェクタ−
6、アンローダ−7及びその間を結ぶ搬送レールによっ
て、リードフレームの搬送部を構成する。ここで、ロー
ダ−5は未検査のリードフレーム2を格納し、上下動し
て供給する。リジェクタ−6は不良品と判定されたリー
ドフレーム2を排出する。また、アンローダ−7は良品
と判定されたリードフレーム2を上下動して格納する。
一方、処理部3は記憶部3aを有すると共に、カメラ4
からの撮像データを処理して判定するためのもので、こ
の判定基準を設定するための操作スイッチ8が接続され
ている。また、処理部3にはモニター9が接続されてい
る。このモニター9は、条件設定やカメラ4の画像及び
リードフレーム2のリードに位置ずれがあったときにモ
ニター画面上にCODカメラの捕えた画像1位置ずれの
あった個所を示す補助線等を表示する。
次に、上記動作を第3図及び第4図により説明する。
まヂ、第3図に示すように、理想形状のパターンの基準
パターンデータ2aを作成してカメラ4により撮像しく
第3図ステップ1)、これをデジタル化した記憶データ
S+を処理部3の記憶部3aに記憶しておく〈同ステッ
プ2〉。ここで、撮像は基準パターンデータ2aのリー
ド部の先端の一群、又、該リードの周端を所定の画面サ
イズで読む込むことで行われる。後述する実際のり一ド
フレーム2を読み込む場合も同様である。また、1tl
ll!パターンデータ2aの作成は、例えば、リードフ
レーム2の設計図面を原寸大にしてフィルム等に焼きつ
けたものである。これは、実際のリードフレーム2の一
つを基準とすると、実際のリードフレーム2のリードの
一つ一つが微小に歪曲しており、理想的な形状を得るこ
とが困難だからである。ぞして、処理部3に操作スイッ
チ8より、リードフレーム2のリード位置ずれの許容範
囲を設定する。この設定は、モニター9に写し出される
操作画面によって、画面の指示に従って操作スイッチを
操作する事で行なう。
一方、ローダ−5から目動供給されるリードフレーム2
がカメラ4の下方に送り込まれる。そして、リードル−
ム2がカメラ4の下方に位置すると移送を停止してこの
リードル−ムを固定してからカメラ4により当該リード
フレーム2を撮像しく同ステップ3)、その画像をデジ
タル化した撮像データS2を処理部3に記憶する(同ス
テップ4)。
次に、処理部3では、基準パターンデータ2aの基準デ
ータS+ と実際のリードフレーム2の撮像データS2
とを比較するく同ステップ5)。この比較は、例えば、
リードフレーム2のリード部における先端部分を読み込
んだドツトが一致するか否かで判断する。そして、基準
データS1及び撮像データS2が一致又は不一致の度合
が極めて小さい場合は、良品であることを処理部3内に
記憶する(ステップ9)。また、不一致の度合が大きい
場合には、リード−列毎の輪郭のずれの大きさを求め(
ステップ6〉、その位置ずれ縁を求める(ステップ7)
。この位置ずれ量が、操作スイッチ8で設定した量の範
囲内か否かを判断しくステップ8)、範囲内であれば良
品であることを処理部3内に記憶する(ステップ9〉。
また、範囲外であればエラー処理をして、その旨を記憶
する(ステップ10)。
次に、カメラ4により撮像したリードフレーム2は移送
され、次のリードフレームがカメラ4の直下に位置され
る(同ステップ11)。この時、処理部3に記憶された
リードフレーム2の良品か不良品かの基準データS1は
基準となる画像でずゥとそのまま保持される。そして、
リードフレーム2が、リジェクタ−6に位置した時、そ
のリードフレームが良品か不良品かという記憶データに
基き(同ステップ12)、不良品ならば排出され、又は
リードフレーム2上に傷が付される(同ステップ13)
。また、良品であるならば〈リジェクタ−の上で良否判
定せず、カメラの下に来た時に良否判定した結果をリジ
ェクタ−の所に来るまで保持する。〉アンローダ−7に
移送されて格納される。この格納されたリードフレーム
2は次のボンディング工程に移される。
そして、次のリードフレームをカメラ4によりIl!!
しく同ステップ3)、これらを繰り返す。
なお、ICチップは半導体装置の品種によって形状が異
ることから、各品種の各形状毎の基準パターンデータ2
aを準備しておけば、任意の品種に対応可能となり、品
種によるカメラ4のwi像倍率の変化にも対応可能とな
る。
このように、良品のみのリードフレームをボンディング
工程に移すので、ボンディングミスが回避されると共に
、従来のボンディングミスの排除による時間と労力が回
避され、短時間且つ高精度なボンディング加工をするこ
とができる。また、品種毎に基準パターンデータを作成
できるため、任意の品種又はロフトに対応させることが
できる。
なお、上記実施例ではリードフレームのパターン位置ず
れを検査する場合の方法を示したが、半導体装置におけ
るパターンを検査するものであればリードフレームには
限られない。また、撮像部にカメラを用いた場合を示し
ているが、イメージセンサを用いても同様の効果を有す
る。
(発明の効果) 以上のように本発明によれば、基準パターンデータによ
る基準データと被検査リードフレームの撮像データとを
比較することにより、短時間且つ高精度に被検査物のパ
ターンを検査して半導体装置を製造することがきると共
に、基準パターンデータを任意に作成できることから品
種の異なるあらゆる半導体装置におけるパターンを検査
して半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理説明図、 第2図及び第3図は本発明の一実施例の構成図、第4図
は本実施例のフローチャート、 第5図はリードフレームのボンディング加工を示した部
分概略図である。 図において、 1は半導体装置の製造方法におけるパターン検査装置、 2はリードフレーム、 2aは基準パターンデータ、 3は処理部、 3aは記憶部、 4はカメラ(撮像部) を示す。 第1図 第2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 リードフレームのリードの先端部の基準となるパターン
    データを基準データとして記憶部に記憶させ、 被検査リードフレームのリードの先端部を撮像部により
    撮像して撮像データを形成し、 該撮像データと該基準データを処理部において比較し、
    該被検査リードフレームの良否を、設定される所定の基
    準範囲で判断する工程を 含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6371534U (ja) * 1986-10-29 1988-05-13
JPH01140048A (ja) * 1987-11-26 1989-06-01 Toshiba Corp 物体形状の検査方法

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