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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112811922B (zh) * 2021-01-20 2021-11-02 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种覆铜板的氮化硅陶瓷基片及其制备方法
CN112830788B (zh) * 2021-01-20 2021-11-02 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种氮化硅陶瓷材料及其制备方法
JP7676903B2 (ja) * 2021-04-19 2025-05-15 三菱マテリアル株式会社 銅／セラミックス接合体、および、絶縁回路基板
CN114478043B (zh) * 2022-01-12 2023-05-09 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种基于液相烧结的碳化硅陶瓷的连接方法
CN114394838B (zh) * 2022-02-09 2023-02-14 江苏耀鸿电子有限公司 一种高击穿强度的高频覆铜基板及其制备方法
DE102023103509A1 (de) * 2023-02-14 2024-08-14 Rogers Germany Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Metall-Keramik-Substrats und ein Metall-Keramik-Substrat hergestellt mit einem solchen Verfahren
DE102023103850A1 (de) * 2023-02-16 2024-08-22 Rogers Germany Gmbh Metall-Keramik-Substrat und Verfahren zur Herstellung eines Metall-Keramik-Substrats
CN116278235B (zh) * 2023-03-20 2025-12-12 潍柴火炬科技股份有限公司 一种耐老化抗冲击的amb氮化硅陶瓷覆铜片及其制备方法
CN116283336A (zh) * 2023-03-24 2023-06-23 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种锆钛酸铅陶瓷与金属的连接方法
CN116275701B (zh) * 2023-03-29 2026-02-06 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种Ti-Si共晶带状焊料及其制备方法和应用
JP2025084167A (ja) * 2023-11-22 2025-06-03 日本特殊陶業株式会社 窒化ケイ素質焼結体、および窒化ケイ素質放熱基板

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60166165A (ja) * 1984-02-10 1985-08-29 Toshiba Corp 窒化物系セラミックスと金属との接合方法
EP0480038B1 (en) * 1990-04-16 1997-07-09 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Ceramic circuit board
JPH0597533A (ja) * 1991-03-15 1993-04-20 Toshiba Corp セラミツクス−金属接合用組成物およびセラミツクス−金属接合体
WO1996029736A1 (fr) * 1995-03-20 1996-09-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrat de circuit au nitrure de silicium
JP3682552B2 (ja) * 1997-03-12 2005-08-10 同和鉱業株式会社 金属−セラミックス複合基板の製造方法
US6107638A (en) * 1997-03-14 2000-08-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride circuit substrate and semiconductor device containing same
EP0935286A4 (en) * 1997-05-26 2008-04-09 Sumitomo Electric Industries COPPER CIRCUIT CONNECTING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURE
JP4332824B2 (ja) 1999-06-07 2009-09-16 日立金属株式会社 高熱伝導窒化ケイ素質焼結体の製造方法およびその焼結体、基板、半導体素子用回路基板
JP2002203942A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体モジュール
JP4591738B2 (ja) * 2001-03-29 2010-12-01 日立金属株式会社 窒化ケイ素質焼結体
JP3775335B2 (ja) 2002-04-23 2006-05-17 日立金属株式会社 窒化ケイ素質焼結体および窒化ケイ素質焼結体の製造方法、並びにそれを用いた回路基板
CN1246253C (zh) 2004-05-17 2006-03-22 清华大学 氮化硅陶瓷制造方法
JP4997431B2 (ja) 2006-01-24 2012-08-08 独立行政法人産業技術総合研究所 高熱伝導窒化ケイ素基板の製造方法
CN101849445B (zh) * 2007-11-06 2012-11-21 三菱综合材料株式会社 陶瓷基板、陶瓷基板的制造方法和电源模块用基板的制造方法
KR101472234B1 (ko) * 2010-11-22 2014-12-11 가부시끼가이샤 도시바 압접 구조용 세라믹 히트 싱크재, 그를 이용한 반도체 모듈 및 반도체 모듈의 제조 방법
US9944565B2 (en) * 2012-11-20 2018-04-17 Dowa Metaltech Co., Ltd. Metal/ceramic bonding substrate and method for producing same
JP5672324B2 (ja) * 2013-03-18 2015-02-18 三菱マテリアル株式会社 接合体の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法
EP3041045B1 (en) * 2013-08-26 2019-09-18 Mitsubishi Materials Corporation Bonded body and power module substrate
JP6256176B2 (ja) * 2014-04-25 2018-01-10 三菱マテリアル株式会社 接合体の製造方法、パワーモジュール用基板の製造方法
TW201605763A (zh) * 2014-06-16 2016-02-16 Ube Industries 氮化矽粉末、氮化矽燒結體及電路基板、以及氮化矽粉末之製造方法
CN104409425B (zh) * 2014-11-13 2018-03-13 河北中瓷电子科技有限公司 高导热氮化硅陶瓷覆铜板及其制备方法
JP2017135374A (ja) * 2016-01-22 2017-08-03 三菱マテリアル株式会社 接合体、パワーモジュール用基板、パワーモジュール、接合体の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法
KR102129339B1 (ko) 2016-06-10 2020-07-03 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 세라믹스 회로 기판, 및 세라믹스 회로 기판의 제조 방법
JP6904094B2 (ja) * 2016-06-23 2021-07-14 三菱マテリアル株式会社 絶縁回路基板の製造方法
EP3352214A1 (de) * 2017-01-23 2018-07-25 Siemens Aktiengesellschaft Halbleitermodul mit bodenplatte mit hohlwölbung
WO2018221492A1 (ja) * 2017-05-30 2018-12-06 デンカ株式会社 セラミックス回路基板及びその製造方法
CN108383532A (zh) 2018-05-28 2018-08-10 江苏东浦精细陶瓷科技股份有限公司 一种致密化氮化硅陶瓷材料及其制备方法
CN108585881A (zh) * 2018-06-14 2018-09-28 哈尔滨工业大学 一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法
KR102139194B1 (ko) * 2018-08-17 2020-07-30 (주) 존인피니티 질화물 세라믹스 활성금속 브레이징 기판의 제조방법
CN109400175B (zh) * 2018-11-15 2020-07-31 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高导热氮化硅陶瓷基片材料的制备方法
CN111253162B (zh) * 2019-02-22 2022-04-05 浙江多面体新材料有限公司 一种制备高强高韧高热导率氮化硅陶瓷的方法
CN111403347B (zh) * 2020-03-03 2022-02-25 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 一种高可靠性氮化硅覆铜陶瓷基板的铜瓷界面结构及其制备方法
CN112142476B (zh) * 2020-09-28 2021-10-01 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种提高氮化硅陶瓷基板材料热导率和力学性能的硅热还原方法
CN112159237B (zh) * 2020-09-28 2021-10-01 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高导热氮化硅陶瓷材料及其制备方法
CN112811922B (zh) * 2021-01-20 2021-11-02 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种覆铜板的氮化硅陶瓷基片及其制备方法

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