JP2023134505A - 電子デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】新規な電子デバイスを提供すること。【解決手段】第１の表示装置および太陽電池を有する第１の筐体と、第２の表示装置、コイル、電気二重層キャパシタ、信号処理回路および充放電制御回路を有する第２の筐体と、前記第１の表示装置の表示面と前記第２の表示装置の表示面とが向き合うように折り畳み可能なヒンジ部と、を有し、蓄電装置としての電気二重層キャパシタの残容量に応じて、通常のフレーム周波数で動作する通常駆動モード（Ｎｏｒｍａｌｍｏｄｅ）と、低速のフレーム周波数で動作するアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードとの切り替えを行うことで表示装置の低消費電力化を図る。【選択図】図７

Description

本発明の一態様は、電子デバイスに関する。

表示装置を備えた電子デバイスが普及している。このような電子デバイスは、持ち歩い
て使用する場合、二次電池を電源に用いる。二次電池が電源を供給可能な期間を延ばすこ
とは、電子デバイスを屋外で長時間使用するために有効である。

特許文献１では、二次電池が電源を供給可能な期間を延ばすために、屋外でも二次電池
を充電可能にする太陽電池を備えた電子デバイスを開示している。

米国特許出願公開第２０１２／１２００４７号明細書

太陽電池を有する、表示装置を備えた電子デバイスは屋外または屋内で使用することが
想定される。屋外で使用する場合、表示装置として反射型の液晶表示装置を採用すること
で屋外での視認性の向上を図れるものの、屋内での視認性が低下する虞があった。また二
次電池の電源を利用して電子デバイスを屋内で使用する場合、表示装置に透過型の液晶表
示装置あるいは自発光素子を有する表示装置（発光装置）を採用することで屋内での視認
性の向上を図れるものの、屋外での視認性が低下する虞があった。また、表示装置に半透
過型の液晶表示装置を用いる構成では、屋内および屋外での視認性がある程度向上するも
のの、液晶素子の背面でバックライトを一様に点灯させるために消費電力が増加してしま
う虞があった。

また電子デバイスを屋外または屋内で使用する場合の利便性を高めるためには、持ち運
びやすさ（可搬性）を向上させることが有効である。可搬性を向上させるためには、電子
デバイスの軽量化、中でも二次電池の軽量化が有効である。しかしながら液晶表示装置ま
たは発光装置では、屋外および屋内の双方での視認性の向上と消費電力の低減の両立を図
ることが難しく、二次電池を軽量化することが難しかった。

本発明の一態様は、太陽電池および表示装置を備えた電子デバイスの構成において、屋
外または屋内に限らず視認性に優れた電子デバイスを提供することを課題の一とする。

本発明の一態様は、太陽電池および表示装置を備えた電子デバイスの構成において、利
便性に優れた、中でも可搬性に優れた電子デバイスを提供することを課題の一とする。

これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、こ
れらの課題の全てを解決する必要はないものとする。これら以外の課題は、明細書、図面
、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの
記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、太陽電池および第１の表示装置を有する第１の筐体と、第２の表示
装置、コイル、電気二重層キャパシタ、信号処理回路、および充放電制御回路を有する第
２の筐体と、を有し、第１の筐体および第２の筐体は、第１の表示装置の表示面と第２の
表示装置の表示面とが向き合うように折り畳み可能な構造を有し、太陽電池は、第１の表
示装置の表示面の裏側にあたる第１の筐体の表面に設けられ、第１の表示装置および第２
の表示装置は、それぞれ画素を有し、画素は、液晶素子および液晶素子を駆動するための
第１の画素回路、ならびに発光素子および発光素子を駆動するための第２の画素回路を有
し、液晶素子は開口を有する反射電極を有し、外光を反射して階調表示することができる
機能を有し、発光素子は、開口を介して表示面に発光することで階調表示することができ
る機能を有する電子デバイスである。

本発明の一態様は、太陽電池、第１の表示装置、および第１の構造体を有する第１の筐
体と、第２の表示装置、コイル、電気二重層キャパシタ、信号処理回路、充放電制御回路
、および第２の構造体を有する第２の筐体と、を有し、第１の筐体および第２の筐体は、
第１の表示装置の表示面と第２の表示装置の表示面とが向き合うように折り畳み可能な構
造を有し、第１の筐体および第２の筐体は、第１の構造体と第２の構造体とが向き合うよ
うに折り畳み可能な構造を有し、太陽電池は、第１の表示装置の表示面の裏側にあたる第
１の筐体の表面に設けられ、第１の表示装置および第２の表示装置は、それぞれ画素を有
し、画素は、液晶素子および液晶素子を駆動するための第１の画素回路、ならびに発光素
子および発光素子を駆動するための第２の画素回路を有し、液晶素子は開口を有する反射
電極を有し、外光を反射して階調表示することができる機能を有し、発光素子は、開口を
介して表示面に発光することで階調表示することができる機能を有する、ことを特徴とす
る電子デバイスである。

本発明の一態様において、第１の画素回路および第２の画素回路は、それぞれトランジ
スタを有し、トランジスタは、チャネル形成領域が形成される半導体層に酸化物半導体を
有する電子デバイスが好ましい。

本発明の一態様において、コイル、電気二重層キャパシタ、信号処理回路、および充放
電制御回路は、第２の筐体内に設けられる電子デバイスが好ましい。

本発明の一態様において、充放電制御回路は、モニター回路を有し、モニター回路は、
電気二重層キャパシタの残容量を監視する機能を有し、信号処理回路は、残容量に応じて
、第１の画素回路に書き込む階調表示を行うための電圧を保持する期間を切り替える機能
を有する電子デバイスが好ましい。

本発明の一態様において、センサーを有し、センサーは、照度を検出する機能を有し、
信号処理回路は、照度に応じて、液晶素子で階調表示を行う第１のモードと、液晶素子お
よび発光素子で階調表示を行う第２のモードと、発光素子で階調表示を行う第３のモード
と、を切り替える機能を有する電子デバイスが好ましい。

本発明の一態様において、第１の表示装置および第２の表示装置は、それぞれタッチセ
ンサを有する電子デバイスが好ましい。

第１の構造体および第２の構造体は、天然ゴムまたは合成ゴムであることが好ましい。
また、第１の構造体および第２の構造体は、ヤング率が１ＭＰａ以上１ＧＰａ以下である
ことが好ましい。また、第１の構造体および第２の構造体は、磁性材料を含んでいてもよ
い。

なおその他の本発明の一態様については、以下で述べる実施の形態における説明、およ
び図面に記載されている。

本発明の一態様は、太陽電池および表示装置を備えた電子デバイスの構成において、屋
外または屋内に限らず視認性に優れた電子デバイスを提供することができる。

本発明の一態様は、太陽電池および表示装置を備えた電子デバイスの構成において、利
便性に優れた、中でも可搬性に優れた電子デバイスを提供することができる。

電子デバイスの構成例を説明する斜視図。 電子デバイスの構成例を説明するブロック図および画素の構成例を示す模式図。 電子デバイスの構成例を説明する斜視図。 電子デバイスの構成例を説明する斜視図およびブロック図。 電子デバイスの構成例を説明する斜視図およびブロック図。 電子デバイスの構成例を説明するブロック図および回路図。 電子デバイスの構成例を説明するブロック図、グラフ、およびフローチャート。 電子デバイスの構成例を説明する回路図および２つの駆動モードのタイミングチャート。 電子デバイスの構成例を説明する斜視図、ブロック図、模式図、状態遷移図。 電子デバイスの構成例を説明するブロック図および斜視図。 電子デバイスの構成例を説明する斜視図。 電子デバイスの構成例を説明する斜視図。 電子デバイスの構成例を説明する斜視図。 電子デバイスの構成例を説明する斜視図。 電子デバイスの構成例を説明する斜視図。 電子デバイスの構成例を説明する斜視図。 電子デバイスの構成例を説明する斜視図。 電子デバイスの構成例を説明するブロック図および回路図。 電子デバイスの構成例を説明する回路図およびレイアウト図。 電子デバイスの構成例を説明する断面模式図および斜視図。 電子デバイスの構成例を説明する断面模式図。 電子デバイスの構成例を説明する断面模式図。

以下、実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの
異なる態様で実施することが可能であり、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその
形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本
発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属
の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む
）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）
などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金
属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作
用、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化
物半導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶ
ことができる。また、ＯＳ ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物
半導体を有するトランジスタと換言することができる。

また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘ
ｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅ
ｔａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。

また、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａ
ｌ）、及びＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ－ａｌｉｇｎｅｄ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合
がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一
例を表す。

また、本明細書等において、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅとは
、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体で
は半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅを、トランジスタの半導体層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（
またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能
である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイ
ッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａ
ｌ ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘ
ｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めること
ができる。

また、本明細書等において、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、
導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁
性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性
領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域
とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウ
ド状に連結して観察される場合がある。

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、
絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎ
ｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップ
を有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘ
ｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因する
ナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際
に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャッ
プを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有
する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記
ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル領域に用
いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及
び高い電界効果移動度を得ることができる。

すなわち、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合
材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ
ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。

＜電子デバイスの構成＞
電子デバイスの構成について、図１および図２を参照して説明する。

図１（Ａ）乃至（Ｃ）は、電子デバイスの構成例を説明するための斜視図である。図１
（Ａ）は、電子デバイス１０を一方の側（表面側）から見た図である。図１（Ｂ）は、電
子デバイス１０を他方の側（裏面側）から見た図である。図１（Ｃ）は、電子デバイス１
０を変形させた際の一例を示す図である。

図１（Ａ）乃至（Ｃ）の電子デバイス１０は、筐体１００および筐体２００を有する。
筐体１００は、表示装置１０１および太陽電池１０２を有する。筐体２００は、表示装置
２０１、コイル２０２、充放電制御回路２０３、電気二重層キャパシタ（Ｅｌｅｃｔｒｉ
ｃ Ｄｏｕｂｌｅ－Ｌａｙｅｒ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ：ＥＤＬＣ）２０４および信号処理
回路２０５を有する。

図１（Ａ）乃至（Ｃ）の電子デバイス１０は、表示装置１０１の表示面と表示装置２０
１の表示面とが向き合うように折り畳み可能なヒンジ部３００を有する。

ヒンジ部３００は、図１（Ｃ）に図示するように、筐体１００および筐体２００を開閉
して折り畳めるヒンジ機構を備える。なおヒンジ機構は、回転可能なヒンジ機構、あるい
は取り外し可能なヒンジ機構などを組み合わせた構成でもよい。このように折り畳み可能
な構成とすることで、表示装置１０１および表示装置２０１の互いの表示面を外部からの
衝撃から保護することができる。

図１（Ａ）乃至（Ｃ）の電子デバイス１０は、表示装置１０１の表示面とは反対側の筐
体１００の表面に太陽電池１０２を有する。

図１（Ａ）乃至（Ｃ）の電子デバイス１０は、筐体２００内にコイル２０２、充放電制
御回路２０３、電気二重層キャパシタ２０４および信号処理回路２０５を有する。

図２（Ａ）は、図１（Ａ）乃至（Ｃ）の電子デバイス１０の構成を説明するためのブロ
ック図である。図２（Ｂ）は、表示装置１０１および表示装置２０１が有する画素の構成
を説明するための模式図である。

図２（Ａ）に示す電子デバイス１０は、筐体１００および筐体２００を有する。なお筐
体１００および筐体２００内の各ブロックは、配線等を介して、互いに信号および電力を
送受信することができる。図２（Ａ）では、一部の信号および一部の電力の流れについて
、矢印を付して図示している。

筐体１００は、表示装置１０１および太陽電池１０２を有する。

表示装置１０１は、表示コントローラ１１１および画素１１２を有する。画素１１２は
、画素回路１１、画素回路１２、液晶素子１３および発光素子１４を有する。

筐体２００は、表示装置２０１、コイル２０２、充放電制御回路２０３、電気二重層キ
ャパシタ２０４および信号処理回路２０５を有する。

表示装置２０１は、表示コントローラ２１１および画素２１２を有する。画素２１２は
、画素１１２と同様に、画素回路１１、画素回路１２、液晶素子１３および発光素子１４
を有する。

なお画素１１２および画素２１２が有する液晶素子１３は、液晶層と、液晶層に電界を
印加するための電極と、反射電極と、を有する。

なお画素１１２および画素２１２が有する発光素子１４は、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子または無機エレクトロルミネッセンス素子等のＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎ
ｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いることができる。発光素子１４はＥＬ素子という場合がある
。

充放電制御回路２０３は、逆電流防止回路２２２、整流平滑化回路２２３、安定化回路
２２４およびモニター回路２２５を有する。

信号処理回路２０５は、演算装置２３１、インターフェース回路２３２、インターフェ
ース回路２３３およびシステムバス２３５を有する。

以下、上述した各構成について説明する。

太陽電池１０２は、屋外等において光が照射されることにより発電する。発電によって
得られる電力は、逆電流防止回路２２２を介して、電気二重層キャパシタ２０４に蓄電さ
れる。逆電流防止回路２２２は、蓄電した電力が外部に流れるのを防ぐための回路である
。逆電流防止回路２２２は、ダイオード素子等の整流素子を用いることができる。

コイル２０２は、電磁誘導方式等の非接触給電によって外部から電力を得る。外部から
の非接触給電によって得られる電力は、整流平滑化回路２２３を介して、電気二重層キャ
パシタ２０４に蓄電される。整流平滑化回路２２３は、コイル２０２で得られる交流電圧
を整流化および平滑化するための回路である。整流平滑化回路２２３は、ダイオード素子
等の整流素子、および容量素子を用いることができる。

電気二重層キャパシタ２０４は、電荷を蓄積することで充電し、電荷を放出することで
放電する。そのため放電電圧から残りの電荷量（残容量）を正確に把握することができる
。電気二重層キャパシタ２０４を有する電子デバイスでは、二次電池と比べて正確な残容
量に応じた表示モードの切り替えを行うことができる。正確に把握できる残容量に応じた
表示モードの切り替えによって、低消費電力を図ることができる。低消費電力化を図るこ
とができる電子デバイスは、電子デバイスの利用時間を延ばすことができるため、利便性
を向上させることができる。

また二次電池は電気エネルギーを化学エネルギーに変換して充電、あるいは化学エネル
ギーを電気エネルギーに変換して放電が行われるが、電気二重層キャパシタ２０４は電気
エネルギーである電荷を蓄積または放出することで充電または放電を行う。そのため、電
気二重層キャパシタ２０４は二次電池と比べて充放電に伴う電力ロスが小さい。

また電気二重層キャパシタ２０４は、二次電池に比べて内部抵抗が小さい。そのため電
気二重層キャパシタ２０４を有する電子デバイス１０では、大電流による急速充放電を行
うことができる。

また電気二重層キャパシタ２０４は、充放電に伴う構成部材の劣化等が小さい。そのた
め電気二重層キャパシタ２０４を有する電子デバイス１０では、サイクル特性に優れ、長
寿命で、高温環境下または低温環境下での安全性に優れた充放電を行うことができる。

本発明の一態様の電子デバイス１０は屋外での発電が可能な太陽電池１０２を兼ね備え
ている。そのため、屋外で使用する場合であっても充電可能な構成にでき、利便性を損な
うことなく使用することが可能である。また本発明の一態様の電子デバイス１０は屋内で
の充電が可能なコイル２０２を兼ね備えている。そのため、屋内で使用する場合に充電し
ながら使用可能な構成にでき、利便性を損なうことなく使用することが可能である。また
屋内および屋外での充電を可能とする構成とすることで、本発明の一態様の電子デバイス
１０はエネルギー容量が小さい電気二重層を、利便性を低下させることなく用いることが
できる。そのため、二次電池を電源に用いる場合に比べて電子デバイスを軽量化すること
ができる。本発明の一態様の電子デバイス１０は軽量化によって可搬性に優れた電子デバ
イスとすることができる。

なお電気二重層キャパシタ２０４は、残容量の減少と共に出力電圧が変化する。そのた
め充放電制御回路２０３は、出力電圧を安定して筐体１００および筐体２００が有する各
回路に供給できるよう、安定化回路２２４を有する。安定化回路２２４は、電気二重層キ
ャパシタ２０４の出力電圧を昇圧して安定化した電圧として出力する機能を有する。安定
化回路２２４としては、例えば昇圧型のスイッチングレギュレータを用いることができる
。

なお電気二重層キャパシタ２０４は、例えば、負極、正極、セパレータおよび電解液を
構成要素として有する。電気二重層キャパシタ２０４は、コイン型、ボタン型または巻回
型等を用いることができる。なお電気二重層キャパシタ２０４は、複数のセルを積層して
モジュール化したものであってもよい。

充放電制御回路２０３は、電気二重層キャパシタ２０４の出力電圧をモニターするモニ
ター回路２２５を有する。モニター回路２２５は、電気二重層キャパシタ２０４の残容量
の把握のために設けられる。モニター回路２２５は得られる出力電圧に応じた信号を信号
処理回路２０５に出力する。信号処理回路２０５は出力電圧に応じて電気二重層キャパシ
タ２０４の残容量を演算し、当該残容量に応じて表示装置１０１、２０１の表示モードの
制御等を行うことができる。

信号処理回路２０５は、電子デバイス１０内の信号を処理する機能を有する。信号処理
回路２０５は、例えば、モニター回路２２５で得られる出力電圧に応じた信号をもとに残
容量を演算し、当該残容量に応じた表示装置の表示モードを制御する機能、および別途設
けることができるセンサーから出力される信号に応じた表示装置の表示モードを制御する
機能、等を有する。

信号処理回路２０５は、データを記憶できる記憶回路を有していてもよい。あるいは信
号処理回路２０５の外部に記憶回路を有し、記憶回路用のインターフェース回路を介して
、信号処理回路２０５内の各回路とデータを送受信できる構成としてもよい。

演算装置２３１は、例えばセンサー、モニター回路またはメモリデバイス等のアドレス
を指定して必要なデータを読み出し、演算して得られるデータを出力する。信号処理回路
２０５内のインターフェース回路２３２、インターフェース回路２３３および演算装置２
３１の間での信号のやりとりは、システムバス２３５を介して行われる。

なお演算装置２３１は、データの入出力がない期間、演算することを間欠的に停止して
パワーゲーティングできる構成とすることが好ましい。当該構成とする場合、演算回路の
レジスタ内のデータを電源の供給が停止した状態でも保持にするための不揮発性のレジス
タを設ける。不揮発性のレジスタを有する演算装置の構成とすることで、電源の供給を再
開する前後でデータを保持することができる。なお不揮発性のレジスタとは、電源の供給
を一時的に停止させてもデータの保持ができるレジスタのことをいう。

不揮発性のレジスタとしては、チャネルが形成される半導体層に酸化物半導体を有する
トランジスタ（ＯＳトランジスタ）を用いたレジスタの回路構成が好ましい。ＯＳトラン
ジスタは、非導通状態時のリーク電流（オフ電流）が極めて低いため、ＯＳトランジスタ
を非導通状態とすることでフローティングノードに電荷の保持ができる。ＯＳトランジス
タは、半導体層にシリコンを有するトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）と積層して設ける
構成とできるため、ＯＳトランジスタを設けることによる回路面積の増大を小さくするこ
とができる。

なおＯＳトランジスタのオフ電流が小さいことを利用して、信号処理回路２０５内の記
憶装置のメモリ素子は、ＯＳトランジスタを用いた回路構成とすることもできる。上述し
たようにＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと積層して設けることが可能であるため
、メモリ素子をＯＳトランジスタ、当該メモリ素子の駆動回路をＳｉトランジスタで形成
し、積層して設けることで回路面積の縮小を図ることができる。

インターフェース回路２３２およびインターフェース回路２３３は、信号処理回路２０
５内の他の回路からの信号を表示装置１０１および表示装置２０１で受信できるような信
号に変換する機能、あるいは、表示装置１０１および表示装置２０１から出力される信号
を受信し、信号処理回路２０５に取り込む機能を有する。換言すれば、インターフェース
回路２３２およびインターフェース回路２３３は、演算装置２３１と表示装置１０１およ
び表示装置２０１との間で入出力される信号を仲介する機能を有する。

インターフェース回路２３２およびインターフェース回路２３３の一例としては、ＤＶ
Ｉ、ＨＤＭＩ（登録商標）、ｅＤＰ、ｉＤＰ、Ｖ－ｂｙ－Ｏｎｅ ＨＳ、ＦＰＤ－Ｌｉｎ
ｋ ＩＩ、Ａｄｖａｎｃｅｄ ＰＰｍＬなどのインターフェース規格に即した信号に変換
する回路が挙げられる。

表示コントローラ１１１および２１１は、画素１１２および画素２１２で表示する内容
のデータに応じて画素を駆動するための信号を出力する機能を有する。なお図２（Ａ）で
は図示を省略したが表示装置１０１および２０１は画素１１２および画素２１２を駆動す
るための駆動回路を有し、表示コントローラ１１１および２１１は該駆動回路を介して画
素１１２および画素２１２を駆動することができる。

次いで画素１１２および画素２１２が有する、画素回路１１、画素回路１２、液晶素子
１３および発光素子１４の構成について説明する。画素回路１１は、液晶素子１３の階調
表示を制御するための回路である。画素回路１２は、発光素子１４の階調表示を制御する
ための回路である。なお液晶素子１３は反射電極を有する。液晶素子１３は、反射電極で
反射光の強度を調節して階調表示を行う。発光素子１４は、電極間に流れる電流量を調節
することで発光を制御し、階調表示を行う。

図２（Ｂ）に示す画素１１２（または画素２１２）の模式図では、画素回路１１、画素
回路１２、液晶素子１３および発光素子１４の配置を示している。図２（Ｂ）に示す液晶
素子１３は開口１５を有する。この開口１５は、反射電極に設けられる開口を表している
。図２（Ｂ）に示す発光素子１４は、液晶素子１３が有する開口１５に重ねて設けられる
。図２（Ｂ）に示す画素回路１１および画素回路１２は、液晶素子１３が設けられる層と
発光素子１４が設けられる層の間に設けられる。なお図２（Ｂ）に示す画素回路１１およ
び画素回路１２は、異なる層に設けられてもよい。

図２（Ｂ）に示す構成とすることで画素１１２（または画素２１２）は、液晶素子１３
による反射光１６の強度の制御と、開口１５を透過する発光素子１４の発する光１７の強
度の制御と、によって階調表示を行うことができる。なお反射光１６が射出される方向お
よび発光素子１４が発する光１７が射出される方向は、表示装置１０１（または表示装置
２０１）の表示面となる。

図２（Ｂ）に示す構成では、液晶素子１３が有する反射電極の下に画素回路１１および
画素回路１２といった画素を駆動するための回路を配置することができる。そのため、発
光素子１４を駆動するための画素回路１２が増える分の開口率の低下を抑制することがで
きる。

また図２（Ｂ）に示す構成では、液晶素子が有する反射電極によって外光を利用した反
射光の強度を調節して階調表示を行う。そのため図２（Ｂ）の画素を有する表示装置を備
えた電子デバイスは、屋外での視認性を向上することができる。

また図２（Ｂ）に示す構成では、発光素子１４の発する光１７の強度を調節して階調表
示を行う。そのため図２（Ｂ）の画素を有する表示装置を備えた電子デバイスは、外光の
強度が小さい屋内での視認性を向上することができる。

なお屋外にて液晶素子１３を制御して表示を行う構成、または屋内にて発光素子１４を
制御して表示を行う構成は、電子デバイス１０の表示装置の近くに、照度を測定可能なセ
ンサーを設ける構成とし、当該センサーで得られる照度に応じて切り替える構成とすれば
よい。なお電子デバイスが有する表示装置は、液晶素子または発光素子の少なくとも一方
を制御して階調表示すればよい。そのため、液晶素子および発光素子の双方を制御して階
調表示する構成とすることも可能である。この場合、液晶素子または発光素子のいずれか
一方の階調表示を行う場合に比べて視認性を向上させることができるため、好ましい。

また図２（Ｂ）に示す構成では、画素ごとに液晶素子１３を制御することができる画素
回路１１、及び発光素子１４を制御することができる画素回路１２を有する。つまり、画
素ごとに液晶素子および発光素子の階調表示を別々に制御することができる。このような
構成では、複数の画素で一様に点灯するバックライトの制御とは異なり、表示する画像に
応じた発光素子の発光を画素レベルといった最小単位で制御することができるため、余分
な発光を抑えることができる。そのため図２（Ｂ）の画素を有する表示装置を備えた電子
デバイスは、低消費電力化を図ることができる。

なお画素回路１１および画素回路１２は、階調表示を制御するためのトランジスタを有
する。当該トランジスタとして上述したＯＳトランジスタを用いる構成とすることが好適
である。上述したようにＯＳトランジスタは、オフ電流が極めて低い。そのため、表示装
置で静止画表示を行う場合、画素回路で画像データに応じた電荷を長時間保持することが
できる。画素回路内に画像データに応じた電荷を長時間保持できる構成とすることで、画
素の書き換え頻度（リフレッシュ）を減らせるため、低消費電力化を図ることができる。

以上説明した電子デバイス１０は、屋外または屋内に限らず視認性に優れた電子デバイ
スとすることができる。加えて以上説明した電子デバイス１０は、利便性に優れた、中で
も可搬性に優れた電子デバイスとすることができる。

＜電子デバイスの形態１＞
図１および図２で説明した電子デバイス１０の形態について、図３および図４を参照し
て説明する。

図３（Ａ）乃至（Ｃ）は、太陽電池１０２による発電を利用する場合の電子デバイス１
０の形態を説明する斜視図である。

例えば図３（Ａ）に図示する電子デバイス１０の形態から筐体１００を持ち上げて（図
中、点線矢印）、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）に図示するように表示装置１０１の表示面
の裏面側にある太陽電池に外光が照射されるように調節する。

図３（Ｂ）の形態では、表示装置１０１および表示装置２０１の表示面を視認しながら
、表示装置１０１の表示面の裏面側にある太陽電池１０２に外光を照射して発電させるこ
とが可能である。例えば、表示装置１０１および表示装置２０１で書き込んだ画像データ
を保持させて画像データの書き換えに伴う電力消費を停止させた状態で表示を行うととも
に、電気二重層キャパシタの充電を行うことが可能である。

また図３（Ｃ）の形態では、表示装置１０１および表示装置２０１の表示面を視認せず
に、太陽電池１０２の発電を行うことが可能である。図３（Ｃ）の形態では、表示装置１
０１および表示装置２０１での電力消費を停止させた状態で、電気二重層キャパシタの充
電を行うことが可能である。図４（Ａ）には、図３（Ｃ）の形態で太陽電池１０２に外光
３１０が照射される際の斜視図を図示している。

図４（Ｂ）は、太陽電池１０２に外光が照射されることで発電した電力を電気二重層キ
ャパシタに充電する際の構成を、図２（Ａ）から抜き出したブロック図である。

図４（Ｂ）に図示するように、逆電流防止回路２２２および電気二重層キャパシタ２０
４は、太陽電池１０２とは異なる筐体である筐体２００側に設ける構成とすることが好ま
しい。当該構成とすることで筐体２００側の構成回路による重量を増すことができる。そ
のため、筐体１００を持ち上げて、筐体２００の下面を支持台に載せて操作する場合の安
定性を向上させることができる。

なお図４（Ｃ）に図示するように、逆電流防止回路２２２および電気二重層キャパシタ
２０４とは別に、筐体１００側に逆電流防止回路１２２および電気二重層キャパシタ１２
１を配置する構成としてもよい。また図示していないが、信号処理回路および充放電制御
回路が有する構成等も筐体２００側にあるものとは別に筐体１００側に設ける構成として
もよい。当該構成とすることで、蓄電手段である電気二重層キャパシタ１２１があること
によって、筐体１００と筐体２００とを切り離して使用することができる電子デバイスと
することができる。

＜電子デバイスの形態２＞
図１および図２で説明した電子デバイス１０の形態について、図３および図４とは異な
る形態である図５および図６を参照して説明する。

図５（Ａ）は、非接触給電による電力の給電を行う場合の電子デバイス１０の形態を説
明する斜視図である。

図５（Ａ）は、筐体２００側のコイル２０２に非接触給電を行うための非接触給電装置
４００を図示している。また図５（Ａ）では、図１および図２で説明した電子デバイス１
０が有する、筐体２００が有するコイル２０２、充放電制御回路２０３、電気二重層キャ
パシタ２０４および信号処理回路２０５を図示している。電子デバイス１０はコイル２０
２を有する筐体２００側を非接触給電装置４００に載せて非接触給電を行うことができる
。

図５（Ａ）の形態では、表示装置１０１および表示装置２０１の表示面を視認しながら
、筐体２００側にあるコイル２０２を介して電気二重層キャパシタ２０４の充電を行うこ
とが可能である。例えば、表示装置１０１および表示装置２０１で書き込んだ画像データ
を保持させて画像データの書き換えに伴う電力消費を停止させた状態で表示を行うととも
に、電気二重層キャパシタの充電を行うことが可能である。

なお図５（Ａ）の形態に限らず、図３（Ｃ）で図示したように電子デバイス１０を閉じ
た状態で、電子デバイス１０を非接触給電装置４００に載せることで太陽電池の発電によ
る充電と、電気二重層キャパシタ２０４の充電とを同時に行うことが可能である。

図５（Ｂ）は、非接触給電装置４００を用いて電気二重層キャパシタ２０４を充電する
際の構成を説明するためのブロック図である。図５（Ｂ）に図示するように、非接触給電
装置４００は、交流電源４０１およびコイル４０２を有する。また図５（Ｂ）では筐体２
００側の構成として、コイル２０２、整流平滑化回路２２３および電気二重層キャパシタ
２０４を図示している。

図５（Ｂ）に図示するように、非接触給電装置４００は、交流電源４０１の電力をもと
にコイル４０２に電流を流すことで、コイル２０２とコイル４０２との間に生じる電磁誘
導を利用して無線による電力の伝達を行うことができる。コイル２０２で受け取る電力は
交流信号であるため、整流平滑化回路２２３で整流化および平滑化を経た後に、電気二重
層キャパシタ２０４に充電することができる。

なお電気二重層キャパシタ２０４は、電荷を蓄積することで充電し、電荷を放出するこ
とで放電する。そのため、電気二重層キャパシタ２０４から出力される電圧を表示装置１
０１、表示装置２０１および信号処理回路２０５といった電子デバイス１０内の各回路に
供給する場合、安定な電圧に変換して出力する必要がある。

図６（Ａ）には、電気二重層キャパシタ２０４が電子デバイス１０内の各回路に電圧を
供給する際のブロック図を示す。図６（Ａ）には、表示装置１０１、表示装置２０１およ
び信号処理回路２０５といった電子デバイス１０内の回路の他、電気二重層キャパシタ２
０４および安定化回路２２４を図示している。

安定化回路２２４は、残容量によって変化する、電気二重層キャパシタ２０４の出力電
圧Ｖ_ＥＤＬＣを、安定化した電圧Ｖ_ＲＥＧにする機能を有する。安定化回路２２４として
は、昇圧回路のように入力される電圧を昇圧して出力可能な回路で構成することが好まし
い。

図６（Ｂ）には、安定化回路２２４の一例として、昇圧型のスイッチングレギュレータ
２２４Ａの回路図を図示している。スイッチングレギュレータ２２４Ａは、インダクタ２
４１、トランジスタ２４２、ダイオード２４３、コンデンサ２４４および抵抗素子２４５
を有する。トランジスタ２４２のゲートに与える制御信号ＥＮは、電圧Ｖ_ＲＥＧの値に応
じて与えられる信号である。

なお安定化回路２２４で生成される電圧Ｖ_ＲＥＧは、電子デバイス１０内の各回路で必
要な電圧に昇圧または降圧する構成が好ましい。当該構成とすることで安定化回路２２４
は、電子デバイス１０内の各回路で必要となる複数の電圧を生成する必要がなくなる。そ
のため、安定化回路２２４の回路面積の縮小を図ることができる。

＜電子デバイスの動作モード＞
電子デバイスの動作モードについて、図７から図９までを参照して説明する。

電子デバイス１０は、電気二重層キャパシタの残容量に応じて、動作モードを切り替え
ることができる。図７（Ａ）のブロック図では、電気二重層キャパシタ２０４、モニター
回路２２５および演算装置２３１を示している。

図７（Ａ）においてモニター回路２２５は、電気二重層キャパシタ２０４の出力電圧Ｖ
_ＥＤＬＣに応じた信号Ｓ_Ｆを生成する機能を有する。モニター回路２２５は、例えばアナ
ログ値の出力電圧Ｖ_ＥＤＬＣからデジタル値のデジタル信号である信号Ｓ_Ｆを出力できる
アナログデジタル変換回路等を用いることができる。演算装置２３１は、信号Ｓ_Ｆに応じ
て表示モードを切り替える機能を有する。

また図７（Ｂ）には電気二重層キャパシタ２０４における、電力消費の時間に対する出
力電圧Ｖ_ＥＤＬＣの電圧値の変化を表したグラフを示す。図７（Ｂ）では、残容量が最大
のときの出力電圧Ｖ_ＥＤＬＣを電圧Ｖ_ＦＵとし、一定期間経過後、電力消費によって残容
量が変化することで電圧Ｖ_ＦＵから低下した出力電圧Ｖ_ＥＤＬＣを電圧Ｖ_ＩＤＳとして図
示している。

図７（Ｃ）は、電気二重層キャパシタ２０４の出力電圧Ｖ_ＥＤＬＣの変化に応じた表示
装置１０１、２０１での表示モードの変化を説明するためのフローチャートの一例である
。なお表示装置１０１、２０１が取り得る表示モードとして、通常のフレーム周波数で動
作する通常駆動モード（Ｎｏｒｍａｌ ｍｏｄｅ）と、低速のフレーム周波数で動作する
アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードと、を挙げて説明する。

なお、アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動とは、画像データの書き込み処理を実行
した後、画像データの書き換えを停止する駆動方法のことをいう。一旦画像データの書き
込みをして、その後次の画像データの書き込みまでの間隔を延ばすことで、その間の画像
データの書き込みに要する分の消費電力を削減することができる。

上述した通常駆動モードとアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードについて、図
８（Ａ）乃至（Ｃ）で一例を挙げて説明する。

図８（Ａ）は、液晶素子１３および画素回路１１で構成される画素の回路図を図示して
いる。図８（Ａ）では、信号線ＳＬおよびゲート線ＧＬに接続されたトランジスタＭ１、
容量素子Ｃｓ_ＬＣおよび液晶素子ＬＣを図示している。

図８（Ｂ）は、通常駆動モードでの信号線ＳＬおよびゲート線ＧＬにそれぞれ与える信
号の波形を示すタイミングチャートである。通常駆動モードでは通常のフレーム周波数（
例えば６０Ｈｚ）で動作する。１フレーム期間を期間Ｔ_１乃至Ｔ_３で表すと、各フレーム
期間でゲート線に走査信号を与え、信号線のデータＤ_１を画素に書き込む動作を行う。こ
の動作は、期間Ｔ_１乃至Ｔ_３で同じデータＤ_１を書き込む場合であっても、異なるデータ
を書き込む場合であっても同じである。

一方図８（Ｃ）は、アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動での信号線ＳＬおよびゲー
ト線ＧＬにそれぞれ与える信号の波形を示すタイミングチャートである。アイドリング・
ストップ（ＩＤＳ）駆動では低速のフレーム周波数（例えば１Ｈｚ）で動作する。１フレ
ーム期間を期間Ｔ_１で表し、その中でデータの書き込み期間を期間Ｔ_Ｗ、データの保持期
間を期間Ｔ_ＲＥＴで表す。アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動は、期間Ｔ_Ｗでゲート
線に走査信号を与え、信号線のデータＤ_１を画素に書き込み、期間Ｔ_ＲＥＴでゲート線を
ローレベルの電圧に固定し、トランジスタＭ１を非導通状態として一旦書き込んだデータ
Ｄ_１を画素に保持させる動作を行う。

図７（Ｃ）には、通常駆動モードとアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードとを
切り替える場合のフローチャートを示す。

図７（Ｃ）に示すフローチャートでは、まず出力電圧Ｖ_ＥＤＬＣが電圧Ｖ_ＦＵとなる（
ステップＳ１１）。これは電気二重層キャパシタ２０４における残容量が十分ある状態を
表している。この状態では、表示装置を通常駆動モードとなるように制御する（ステップ
Ｓ１２）。

次いで出力電圧Ｖ_ＥＤＬＣの電圧をモニター回路２２５で取得し、取得した出力電圧Ｖ
_ＥＤＬＣに対応する信号Ｓ_Ｆをもとに、出力電圧Ｖ_ＥＤＬＣが電圧Ｖ_ＩＤＳを下回るか否
かの判断を行う（ステップＳ１３）。出力電圧Ｖ_ＥＤＬＣが十分高く、残容量が十分ある
状態では、通常駆動モードであるステップＳ１２を継続する。出力電圧Ｖ_ＥＤＬＣが電圧
Ｖ_ＩＤＳを下回る場合、表示装置をアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動モードとなる
ように制御する（ステップＳ１４）。

このように電気二重層キャパシタの残容量に応じて、表示モードの切り替えを行うこと
ができる。特に本発明の一態様の構成では、蓄電装置として電気二重層キャパシタを有す
るため、二次電池と比べて正確な残容量に応じた表示モードの切り替えを図ることができ
る。正確に把握できる残容量に応じて表示装置の低消費電力化を図ることができる電子デ
バイスは、電子デバイスの利用時間を延ばすことができるため、利便性を向上させること
ができる。

また電子デバイス１０は、電子デバイス１０周辺の照度に応じて、動作モードを切り替
えることができる。図９（Ａ）の斜視図は、照度を測定する機能を有するセンサー２３４
を備えた電子デバイス１０Ｂの一例である。

電子デバイス１０Ｂは、センサー２３４で取得される照度の情報を含む信号によって、
動作モードを切り替えることができる。図９（Ｂ）のブロック図では、センサー２３４お
よび演算装置２３１を示している。

図９（Ｂ）においてセンサー２３４は、例えば、照度に応じた信号Ｓ_ＩＬＬを生成する
機能を有する。演算装置２３１は、信号Ｓ_ＩＬＬに応じて表示モードを切り替える機能を
有する。

また図９（Ｃ）乃至（Ｅ）には、照度に応じて表示装置が取り得る表示モードを説明す
るための画素の模式図である。なお図９（Ｃ）乃至（Ｅ）においては、図２（Ｂ）と同様
に、画素回路１１、画素回路１２、液晶素子１３、発光素子１４、開口１５、液晶素子１
３が有する反射電極が反射する反射光１６、および開口１５より射出される発光素子１４
が発する光１７を図示している。

表示装置１０１、２０１が取り得る表示モードとしては、図９（Ｃ）乃至（Ｅ）に示す
、反射液晶表示モード（Ｒ－ＬＣ ｍｏｄｅ）と、反射液晶＋ＥＬ表示モード（Ｒ－ＬＣ
＋ＥＬ ｍｏｄｅ）と、ＥＬ表示モード（ＥＬ ｍｏｄｅ）と、を挙げて説明する。

反射液晶表示モードは、画素が有する液晶素子を駆動して反射光の強度を調節して階調
表示を行う表示モードである。具体的には図９（Ｃ）に示す画素の模式図のように液晶素
子１３が有する反射電極で反射光１６の強度を調節して階調表示を行う。

反射液晶＋ＥＬ表示モード（Ｒ－ＬＣ＋ＥＬ ｍｏｄｅ）は、液晶素子の駆動と発光素
子の駆動とによって反射光の強度と発光素子の光の強度の双方を調節して階調表示を行う
表示モードである。具体的には図９（Ｄ）に示す画素の模式図のように液晶素子１３が有
する反射電極で反射光１６の強度と、発光素子１４が開口１５より射出する光１７の強度
と、を調節して階調表示を行う。

ＥＬ表示モード（ＥＬ ｍｏｄｅ）は、発光素子を駆動して光の強度を調節して階調表
示を行う表示モードである。具体的には図９（Ｅ）に示す画素の模式図のように、発光素
子１４が開口１５より射出する光１７の強度を調節して階調表示を行う。

図９（Ｆ）には、上述した３つのモード（反射液晶表示モード、反射液晶＋ＥＬ表示モ
ード、ＥＬ表示モード）の状態遷移図を示す。状態Ｃ１は反射液晶表示モードを表し、状
態Ｃ２は反射液晶＋ＥＬ表示モードを表し、状態Ｃ３はＥＬ表示モードを表している。

図９（Ｆ）に図示するように、状態Ｃ１乃至Ｃ３は照度に応じていずれかの状態の表示
モードを取り得る。例えば屋外のように照度が大きい場合、状態Ｃ１を取り得る。また屋
外から屋内に移動するような照度が小さくなる場合、状態Ｃ１から状態Ｃ３に遷移する。
また屋内であっても照度が大きく、反射光による階調表示が可能な場合、状態Ｃ３から状
態Ｃ２に遷移する。

以上のように照度に応じて表示モードを切り替える構成とすることで、消費電力が比較
的大きい発光素子の光の強度による階調表示の頻度を減らすことができる。そのため、電
子デバイスの消費電力を低減することができる。なお反射液晶表示モードまたは反射液晶
＋ＥＬ表示モードといった表示モードでは、上述したアイドリング・ストップ（ＩＤＳ）
駆動モードと組み合わせることで、さらなる低消費電力化を図ることができる。

＜タッチセンサを備えた電子デバイスの構成例＞
図１および図２で説明した表示装置１０１および表示装置２０１において、タッチセン
サを備えた電子デバイスの構成例について図１０を参照して説明する。

図１０（Ａ）は、表示装置１０１において、タッチセンサを適用した表示装置１０１Ａ
のブロック図の一例である。同様に図１０（Ｂ）は、表示装置２０１において、タッチセ
ンサを適用した表示装置２０１Ａのブロック図の一例である。

図１０（Ａ）において表示装置１０１Ａは、図２で説明した表示装置１０１の構成の他
、タッチセンサコントローラ１１３およびタッチセンサ１１４を有する。同様に、図１０
（Ｂ）において表示装置２０１Ａは、図２で説明した表示装置２０１の構成の他、タッチ
センサコントローラ２１３およびタッチセンサ２１４を有する。

なおタッチセンサ１１４およびタッチセンサ２１４としては、静電容量方式の他、抵抗
膜方式、超音波方式、光学方式等のタッチセンサを用いることができる。光学方式の場合
、画素が有するトランジスタと同じ基板上に光学方式に用いる検出素子を形成することが
できる。そのため、製造コストを削減することができる。

また図１０（Ｃ）にはタッチセンサによる検出物の検知機能を備えた表示装置を有する
電子デバイスの使用形態の一例を示す。図１０（Ｃ）では、上述した表示装置１０１Ａお
よび表示装置２０１Ａを有する電子デバイス１０Ｄを図示している。また図１０（Ｃ）で
は検出物３２０を図示しており、例えば表示装置２０１Ａに表示された文字をなぞること
でマーカー３３０を引くことが可能である。

＜電子デバイスの変形例＞
電子デバイス１０と異なる構成を有する電子デバイス１０Ａ、電子デバイス１０Ｂ、電
子デバイス１０Ｃ、および電子デバイス１０Ｄについて、図面を用いて説明する。なお、
説明の繰り返しを減らすため、主に、電子デバイス１０と異なる点について説明する。特
段の説明がない構成については、本明細書などを参酌すればよい。

〔変形例１：電子デバイス１０Ａ〕
図１１（Ａ）は、電子デバイス１０Ａを一方の側（表面側）から見た斜視図である。図
１２（Ａ）は、電子デバイス１０Ａを他方の側（裏面側）から見た斜視図である。図１１
（Ｂ）、図１１（Ｃ）、図１２（Ｂ）、および図１２（Ｃ）は、電子デバイス１０Ａを変
形させた際の一例を示す斜視図である。

電子デバイス１０と同様に、電子デバイス１０Ａは、筐体１００および筐体２００を有
する。筐体１００は、表面側に表示装置１０１を有し、裏面側に太陽電池１０２を有する
。筐体２００は、表面側に表示装置２０１を有する。また、筐体２００の内部に、コイル
２０２、充放電制御回路２０３、電気二重層キャパシタ２０４、および信号処理回路２０
５を有する。

また、電子デバイス１０Ａはヒンジ部３００を有する。電子デバイス１０Ａは、ヒンジ
部３００を支点として、筐体１００の表面側と筐体２００の表面側が向き合うように折り
畳むことができる。言い換えると、表示装置１０１の表示面と表示装置２０１の表示面と
が向き合うように折り畳むことができる（図１１（Ｃ）参照。）。加えて、筐体１００の
裏面側と筐体２００の裏面側とが向き合うように折り畳むこともできる（図１２（Ｃ）参
照。）。

また、電子デバイス１０Ａは、筐体１００の表面側と筐体２００の表面側に構造体１３
１ａが設けられている。電子デバイス１０Ａでは、筐体１００表面側の四隅、および筐体
２００表面側の四隅の合計８箇所に構造体１３１ａが設けられている。また、電子デバイ
ス１０Ａは、筐体１００の裏面側と筐体２００の裏面側に構造体１３１ｂが設けられてい
る。電子デバイス１０Ａでは、筐体１００裏面側の四隅、および筐体２００裏面側の四隅
の合計８箇所に構造体１３１ｂが設けられている。

構造体１３１ａおよび構造体１３１ｂに用いる材料の一例として、ゴムやプラスチック
などの樹脂材料（高分子材料）が挙げられる。例えば、構造体１３１として、フッ素樹脂
、アクリル樹脂、ポリイミドなどを用いることができる。特に、構造体１３１ａおよび構
造体１３１ｂとして、天然ゴムや合成ゴムなどの弾性材料を用いることが好ましい。具体
的には、構造体１３１ａおよび構造体１３１ｂとして、ヤング率が１ＭＰａ以上１ＧＰａ
以下、好ましくは１ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下、より好ましくは１ＭＰａ以上１００Ｍ
Ｐａ以下の弾性材料を用いる。

構造体１３１ａおよび構造体１３１ｂは、電子デバイス１０Ａを折りたたんだ時の衝撃
により変形する。構造体１３１ａおよび構造体１３１ｂが変形することで、筐体に伝わる
衝撃が緩和される。このため、構造体１３１ａおよび構造体１３１ｂのヤング率が大きす
ぎると、衝撃による変形が生じにくくなり、衝撃を緩和する効果が得にくくなる。一方で
、構造体１３１ａおよび構造体１３１ｂのヤング率が小さすぎると、衝撃により変形しす
ぎるため、やはり衝撃を緩和する効果が得にくくなる。

電子デバイス１０Ａに適切なヤング率を有する構造体１３１ａおよび構造体１３１ｂを
設けることで、電子デバイス１０Ａを折りたたんだ時の衝撃を緩和し、電子デバイス１０
Ａの破損を防ぐことができる。よって、電子デバイス１０Ａの信頼性を高めることができ
る。

また、構造体１３１ａおよび構造体１３１ｂに、アルニコ磁石、フェライト磁石、サマ
リウムコバルト磁石、ネオジム鉄ボロン磁石、サマリウム鉄窒素磁石などの磁性材料を一
種または複数種混合してもよい。

例えば、筐体１００上の構造体１３１ａ、および筐体２００上の構造体１３１ａを、電
子デバイス１０Ａを折りたたんだ時に重なるように配置し、構造体１３１ａとして磁性材
料を含む材料を用いることで、電子デバイス１０Ａを確実に折りたたむことができる。ま
た、折りたたんだ電子デバイス１０Ａが意図せず展開されることを防ぐことができる。な
お、構造体１３１ｂについても、構造体１３１ａと同様である。

電子デバイス１０Ａを折りたたんだ時に対となる筐体１００上の構造体１３１ａおよび
筐体２００上の構造体１３１ａは、どちらか一方を磁石が吸着できる吸着部１３５に置き
換えてもよい（図１３参照。）。また、筐体１００および／または筐体２００が、磁石が
吸着できる材料を含んでいる場合は、筐体１００上の構造体１３１ａまたは筐体２００上
の構造体１３１ａの一方を設けなくてもよい。なお、構造体１３１ｂについても、構造体
１３１ａと同様である。

図１４（Ａ）、（Ｂ）に、電子デバイス１０Ａの使用例を示す。電子デバイス１０Ａは
、表示装置１０１と表示装置２０１の角度を相対的に調節することができる。よって、表
示装置１０１と表示装置２０１を、使用者１５１の望む角度に配置することができる（図
１４（Ａ）参照。）。また、表示装置１０１と表示装置２０１を、互いの背面が向き合う
方向で配置することで、使用者１５１と使用者１５２が電子デバイス１０Ａを同時に使用
することができる（図１４（Ｂ）参照。）。図１４（Ｂ）では、使用者１５１が表示装置
２０１を使用し、使用者１５２が表示装置１０１を使用している様子を例示している。

〔変形例２：電子デバイス１０Ｂ〕
図１５（Ａ）は、電子デバイス１０Ｂを一方の側（表面側）から見た斜視図である。図
１５（Ｂ）は、電子デバイス１０Ｂを変形させた際の一例を示す斜視図である。

構造体１３１ａおよび構造体１３１ｂの形状に特段の制限は無い。例えば平面図で見た
ときに、構造体１３１ａおよび構造体１３１ｂの形状は、円形、楕円形、矩形、または多
角形などであってもよい。また、曲線と直線が組み合わされた形状であってもよい。

図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、線状の構造体１３１ｃを筐体１００表面側の外縁
部に沿って設けても良い。同様に、線状の構造体１３１ｃを筐体２００表面側の外縁部に
沿って設けても良い。なお、図示していないが、筐体１００および筐体２００の裏面側に
構造体１３１ｃを設けてもよい。構造体１３１ｃの設置面積を増やすことで、電子デバイ
ス１０Ａを折りたたんだ時の衝撃緩和効果を高めることができる。また、磁性材料を含む
構造体１３１ｃの設置面積を増やすことで、折りたたんだ電子デバイス１０Ａの意図しな
い展開を防ぐ効果を高めることができる。なお、構造体１３１ｃは、構造体１３１ａおよ
び構造体１３１ｂと同様の材料を用いて形成することができる。

〔変形例３：電子デバイス１０Ｃ〕
図１６（Ａ）は、電子デバイス１０Ｃを一方の側（表面側）から見た斜視図である。図
１６（Ｂ）および（Ｃ）は、電子デバイス１０Ｃを変形させた際の一例を示す斜視図であ
る。

筐体１００および筐体２００それぞれに独立して表示装置を設ける方式では、電子デバ
イスを開いた状態で画像を表示すると、画像が表示される表示領域に切れ目が生じる。そ
こで、電子デバイス１０Ｃでは、表示装置１０１および表示装置２０１に換えて、筐体１
００と筐体２００に掛かる表示装置２５１を設ける。よって、表示装置２５１は、筐体１
００と重なる領域と、筐体２００と重なる領域と、を有する。

表示装置２５１は、可撓性を有する表示装置である。可撓性を有する表示装置２５１を
用いることで、筐体１００と筐体２００が隣接する領域を越えて表示装置を設けることが
できる。表示装置２５１は可撓性を有するため、電子デバイス１０Ｃを折りたたんでも表
示装置が破損しにくい。また、電子デバイス１０Ｃを開いた状態で画像を表示しても、表
示領域に切れ目がないため、表示品位を高めることができる。

〔変形例４：電子デバイス１０Ｄ〕
図１７（Ａ）および（Ｂ）は、電子デバイス１０Ｄの斜視図である。また、図１７（Ａ
）および（Ｂ）は、電子デバイス１０Ｄを変形させた際の一例を示す斜視図である。

電子デバイス１０Ｄは、筐体１００の裏面側に表示装置１０５を有し、筐体１００の一
方の側面に表示装置１０６Ｌを有し、筐体１００の他方の側面に表示装置１０６Ｒを有す
る。また、筐体２００の一方の側面に表示装置２０６Ｌを有し、筐体２００の他方の側面
に表示装置２０６Ｒを有する。また、図示していないが、筐体２００の裏面側に表示装置
を設けてもよい。

使用する表示装置を増やすことで、電子デバイスの視認性、操作性を高めることができ
る。

＜表示装置の構成例＞
表示装置は、様々な形態を用いること、または様々な表示素子を有することが出来る。
また、１つの表示装置に用いる表示素子は１種類とは限らない。１つの表示装置に、複数
種類の表示素子を組み合わせて用いてもよい。表示素子の一例としては、エレクトロルミ
ネッセンス（ＥＬ）素子（有機物および無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ
素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、電流に応じ
て発光するトランジスタ、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレー
ティングライトバルブ（ＧＬＶ）、マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム（ＭＥ
ＭＳ）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、デジタル・マイ
クロ・シャッター（ＤＭＳ）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、インターフェロメトリック
・モジュレーション（ＩＭＯＤ）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式
のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カ
ーボンナノチューブを用いた表示素子、など、電気的または磁気的作用により、コントラ
スト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体がある。また、表示素子として量子
ドットを用いてもよい。表示素子としてマイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ、ｍＬＥＤ
）を用いてもよい。

ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素
子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）ま
たは表面伝導型電子放出素子ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ－ｃｏｎｄｕｃｔｉ
ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。量子ドットを
用いた表示装置の一例としては、量子ドットディスプレイなどがある。液晶素子を用いた
表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶デ
ィスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレ
イ）などがある。電子インク、電子粉流体（登録商標）、または電気泳動素子を用いた表
示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。また、表示装置はプラズマディスプレ
イパネル（ＰＤＰ）であってもよい。

なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素
電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば
、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい
。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能であ
る。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。

なお、ＬＥＤを用いる場合、ＬＥＤの電極や窒化物半導体の下に、グラフェンやグラフ
ァイトを配置してもよい。グラフェンやグラファイトは、複数の層を重ねて、多層膜とし
てもよい。このように、グラフェンやグラファイトを設けることにより、その上に、窒化
物半導体、例えば、結晶を有するｎ型ＧａＮ半導体層などを容易に成膜することができる
。さらに、その上に、結晶を有するｐ型ＧａＮ半導体層などを設けて、ＬＥＤを構成する
ことができる。なお、グラフェンやグラファイトと、結晶を有するｎ型ＧａＮ半導体層と
の間に、ＡｌＮ層を設けてもよい。なお、ＬＥＤが有するＧａＮ半導体層は、ＭＯＣＶＤ
（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）で成膜してもよい。ただし、グラフェンを設けることにより、ＬＥＤが有するＧａＮ半
導体層は、スパッタ法で成膜することも可能である。

表示装置の構成例について、図１８から図２２までを参照して説明する。

図１８（Ａ）は、表示装置の画素部および周辺回路のブロック図の一例である。図１８
（Ａ）では、画素部６０１、ゲート線駆動回路６０２、ゲート線駆動回路６０３、信号線
駆動回路６０４を図示している。

画素部６０１は、複数の画素、例えばｍ行ｎ列（ｍ、ｎは共に自然数）の画素を有する
。図１８（Ａ）では、任意の行、列にある画素として、ｊ行ｋ列（（ｊはｍ以下の自然数
、ｋはｎ以下の自然数）の画素を画素１１２として図示している。

画素１１２は、モノクロ表示の表示装置の画素を駆動するのに適用するだけでなく、カ
ラー表示の表示装置の画素に適用することができる。カラー表示する際には、画素１１２
は、色要素をＲＧＢ（Ｒは赤、Ｇは緑、Ｂは青を表す）の三色とするときのサブ画素に相
当する。一つの画素を構成するサブ画素の数は、３つに限らない。例えば、Ｒのサブ画素
とＧのサブ画素とＢのサブ画素とＷ（白）のサブ画素の４つのサブ画素から１つの画素が
構成されてもよい。または、ペンタイル配列のように、ＲＧＢのうちの２色分で一つの色
要素を構成し、色要素によって、異なる２色を選択して構成してもよい。

ゲート線駆動回路６０２は、ゲート線ＧＬ_ＬＣ［ｊ］に走査信号を伝える機能を有する
。ゲート線ＧＬ_ＬＣ［ｊ］は、ゲート線駆動回路６０２が出力する走査信号を画素１１２
に伝える。ゲート線ＧＬ_ＬＣ［ｊ］に与える走査信号は、信号線ＳＬ_ＬＣ［ｋ］に与えた
階調電圧を画素に書き込むための信号である。

ゲート線駆動回路６０３は、ゲート線ＧＬ_ＥＬ［ｊ］に走査信号を伝える機能を有する
。ゲート線ＧＬ_ＥＬ［ｊ］は、ゲート線駆動回路６０３が出力する走査信号を画素１１２
に伝える。ゲート線ＧＬ_ＥＬ［ｊ］に与える走査信号は、信号線ＳＬ_ＥＬ［ｋ］に与えた
階調電圧を画素１１２に書き込むための信号である。

信号線駆動回路６０４は、信号線ＳＬ_ＬＣ［ｋ］に画素１１２が有する液晶素子を駆動
するための階調電圧を伝える機能を有する。また信号線駆動回路６０４は、信号線ＳＬ_Ｅ
Ｌ［ｋ］に画素１１２が有する発光素子を駆動するための階調電圧を伝える機能を有する
。信号線ＳＬ_ＬＣ［ｋ］は、ゲート線駆動回路６０３が出力する走査信号を画素１１２に
伝える。ゲート線ＧＬ_ＥＬ［ｊ］に与える走査信号は、信号線ＳＬ_ＥＬ［ｋ］に与えた階
調電圧を画素１１２に書き込むための信号である。

ゲート線駆動回路６０２、ゲート線駆動回路６０３、および信号線駆動回路６０４には
、駆動するのに必要な各種信号（クロック信号、スタートパルス、階調電圧）が入力され
る。

画素１１２について説明する。図１８（Ｂ）は、画素１１２の回路図の一例である。画
素１１２は、図２で説明したように画素回路１１、画素回路１２、液晶素子１３および発
光素子１４を有する。

図１８（Ｂ）において、画素回路１１は、トランジスタＭ１および容量素子Ｃｓ_ＬＣを
有する。液晶素子１３は、液晶素子ＬＣを有する。画素回路１２は、トランジスタＭ２、
Ｍ３および容量素子Ｃｓ_ＥＬを有する。発光素子１４は、発光素子ＥＬを有する。画素１
１２が有する各素子は、図１８（Ｂ）に示すように、ゲート線ＧＬ_ＬＣ［ｊ］、ゲート線
ＧＬ_ＥＬ［ｊ］、信号線ＳＬ_ＬＣ［ｋ］、信号線ＳＬ_ＥＬ［ｋ］、容量線Ｌ_ＣＳ、電流供
給線Ｌ_ａｎｏ、および共通電位線Ｌ_ｃａｓに接続される。

なお容量素子Ｃｓ_ＥＬは、発光素子ＥＬを駆動するための階調電圧をトランジスタＭ３
のゲートに保持するために設けている。このような構成とすることで、発光素子ＥＬを駆
動するための階調電圧の保持をより確実に行うことができる。

なおトランジスタＭ３は、バックゲートを有するトランジスタとしている。このような
構成とすることで、トランジスタを流れる電流量を大きくすることができる。なおバック
ゲートに与える電圧は、別の配線から与える構成としてもよい。このような構成とするこ
とで、トランジスタの閾値電圧のコントロールすることができる。

トランジスタＭ１は、導通状態を制御することで、液晶素子ＬＣを駆動するための階調
電圧を容量素子Ｃｓ_ＬＣに与える。トランジスタＭ２は、導通状態を制御することで、発
光素子ＥＬを駆動するための階調電圧をトランジスタＭ３のゲートに与える。トランジス
タＭ３は、ゲートの電圧に応じて電流供給線Ｌ_ａｎｏと共通電位線Ｌ_ｃａｓとの間に電流
を流して発光素子ＥＬを駆動する。

トランジスタＭ１乃至Ｍ３は、ｎチャネル型トランジスタを用いることができる。ｎチ
ャネル型トランジスタは、各配線の電圧の大小関係を変えることで、ｐチャネル型トラン
ジスタに置き換えることもできる。トランジスタＭ１乃至Ｍ３の半導体材料は、シリコン
を用いることができる。シリコンは、単結晶シリコン、ポリシリコン、微結晶シリコンま
たはアモルファスシリコンなどを適宜選択して用いることができる。

あるいはトランジスタＭ１乃至Ｍ３の半導体材料は、酸化物半導体を用いることができ
る。酸化物半導体は、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛
を含む酸化物半導体などを用いることができる。

また画素１１２が有するトランジスタＭ１乃至Ｍ３は、ボトムゲート型のトランジスタ
や、トップゲート型トランジスタなどの様々な形態のトランジスタを用いて作製すること
ができる。

また画素１１２が有するトランジスタＭ１乃至Ｍ３を、バックゲートを有するトランジ
スタとしてもよい。バックゲートに与える電圧は、ゲート線ＧＬ_ＬＣ［ｊ］やゲート線Ｇ
Ｌ_ＥＬ［ｊ］とは異なる、別の配線から与える構成としてもよい。また、バックゲートを
有するトランジスタは、トランジスタＭ３だけというように限定してもよい。このような
構成とすることで、トランジスタの閾値電圧のコントロール、あるいはトランジスタを流
れる電流量を大きくすることができる。

液晶素子ＬＣは、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔ
ｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔ
ｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ
Ｍｉｃｒｏ－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ
Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌ
ｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる。ま
たは、垂直配向（ＶＡ）モード、具体的には、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅ
ｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉ
ｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒ
ｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＣＰＡ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｐ
ｉｎｗｈｅｅｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ
－Ｖｉｅｗ）モードなどの駆動方法を用いて駆動することができる。

液晶素子ＬＣが有する液晶材料には、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶
、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。または、
コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等
を示す液晶材料を用いることができる。または、ブルー相を示す液晶材料を用いることが
できる。

なお発光素子ＥＬとしては、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミ
ネッセンス素子等のＥＬ素子の他、または発光ダイオードなどを用いることができる。

ＥＬ素子は、白色の光を射出するように積層された積層体を用いることができる。具体
的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の有機化合物を含む層と、緑色および
赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外
の材料を含む層と、を積層した積層体を、用いることができる。

次いで画素１１２に適用可能な画素のレイアウト図について説明する。図１９（Ａ）の
回路図は、図１８（Ｂ）で示す回路図と等価である。

図１９（Ｂ）のレイアウト図は、図１９（Ａ）の回路図における各素子の配置に対応し
ている。図１９（Ｂ）では、発光素子ＥＬが有する電極ＰＥ_ＥＬ、発光素子ＥＬ、トラン
ジスタＭ１乃至Ｍ３の配置、ゲート線ＧＬ_ＬＣ［ｊ］、ゲート線ＧＬ_ＥＬ［ｊ］、信号線
ＳＬ_ＬＣ［ｋ］、信号線ＳＬ_ＥＬ［ｋ］、容量線Ｌ_ＣＳ、電流供給線Ｌ_ａｎｏ、および共
通電位線Ｌ_ｃｓを図示している。

図１９（Ｃ）のレイアウト図は、図１９（Ａ）の回路図における各素子の配置に対応し
ている。図１９（Ｃ）では、液晶素子ＬＣが有する反射電極ＰＥ_ＬＣ、発光素子ＥＬに重
畳する位置に配置された開口１５、トランジスタＭ１乃至Ｍ３の配置、ゲート線ＧＬ_ＬＣ
［ｊ］、ゲート線ＧＬ_ＥＬ［ｊ］、信号線ＳＬ_ＬＣ［ｋ］、信号線ＳＬ_ＥＬ［ｋ］、容量
線Ｌ_ＣＳ、電流供給線Ｌ_ａｎｏ、および共通電位線Ｌ_ｃｓを図示している。

なお図１９（Ｂ）、（Ｃ）では別々にレイアウト図を示したが、液晶素子ＬＣおよび発
光素子ＥＬは重ねて設ける。

図２０（Ａ）は、液晶素子ＬＣおよび発光素子ＥＬの積層構造の概略を説明するための
断面概略図である。図２０（Ａ）では、発光素子ＥＬを有する層６２１、トランジスタを
有する層６２２、および液晶素子ＬＣを有する層６２３を図示している。層６２１乃至６
２３は、基板６３１と基板６３２との間に設けられる。なお図示していないが、その他に
偏光板等の光学部材を有していてもよい。

層６２１は発光素子ＥＬを有する。発光素子ＥＬは、図１９（Ｂ）で図示した電極ＰＥ
_ＥＬ、発光層６３３、および電極６３４を有する。電極ＰＥ_ＥＬと電極６３４との間に挟
まれた発光層６３３に電流が流れることで光１７（点線矢印で図示）を射出する。光１７
の強度は、層６２２にあるトランジスタＭ３によって制御される。

層６２２は、トランジスタＭ１、トランジスタＭ３およびカラーフィルター６３６を有
する。また層６２２は、トランジスタＭ１と反射電極ＰＥ_ＬＣとを接続するための電極と
して機能する導電層６３７、トランジスタＭ３と電極ＰＥ_ＥＬとを接続するための電極と
して機能する導電層６３５を有する。カラーフィルター６３６は、光１７が白色の場合に
設けられ、特定の波長の光を視認側に射出することができる。カラーフィルター６３６は
、開口１５に重なる位置に設ける。トランジスタＭ１乃至Ｍ３（トランジスタＭ２は図示
せず）は、反射電極ＰＥ_ＬＣに重なる位置に設ける。

層６２３は開口１５、反射電極ＰＥ_ＬＣおよび導電層６３８、液晶６３９、導電層６４
０、およびカラーフィルター６４１を有する。導電層６３８は、対となる導電層６４０と
の間に設けられる液晶６３９の配向状態を制御する。反射電極ＰＥ_ＬＣは、外光を反射し
て反射光１６（点線矢印で図示）を射出する。反射光１６の強度は、トランジスタＭ１に
よる液晶６３９の配向状態の調整によって制御される。開口１５は、層６２１の発光素子
ＥＬが射出する光１７が透過する位置に設ける。

なお層６２１が有する発光素子ＥＬは、図２（Ａ）、（Ｂ）等で説明した発光素子１４
に相当する。層６２２が有するトランジスタＭ３は、図２（Ａ）、（Ｂ）等で説明した画
素回路１２が有するトランジスタに相当する。層６２２が有するトランジスタＭ１は、図
２（Ａ）、（Ｂ）等で説明した画素回路１１が有するトランジスタに相当する。層６２３
が有する液晶素子ＬＣは、図２（Ａ）、（Ｂ）等で説明した液晶素子１３に相当する。

反射電極ＰＥ_ＬＣは、例えば、可視光を反射する材料を用いることができる。具体的に
は、銀を含む材料を反射膜に用いることができる。例えば、銀およびパラジウム等を含む
材料または銀および銅等を含む材料を反射膜に用いることができる。また、例えば、表面
に凹凸を備える材料を、反射膜に用いることができる。これにより、入射する光をさまざ
まな方向に反射して、白色の表示をすることができる。

導電層６３８および導電層６４０は、例えば、可視光を透過する材料を用いることがで
きる。具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化
亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることが
できる。

基板６３１および６３２には、例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を用
いることができる。あるいは基板６３１、６３２には、可撓性を有する材料、例えば樹脂
フィルムまたはプラスチック等の有機材料を用いることができる。なお基板６３１および
６３２には、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を適宜積層して用いることも
できる。

表示装置が有する絶縁層は、例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機
材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を用いることができる。例えば絶縁層には、酸化
シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれら
から選ばれた複数を積層した積層材料、あるいはポリエステル、ポリオレフィン、ポリア
ミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこ
れらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料、を含む膜を用いることがで
きる。

表示装置が有する導電層６３５、６３７等の導電層は、導電性を備える材料を用いるこ
とができ、それらを配線等に用いることができる。例えば導電層は、アルミニウム、金、
白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、
コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを用いることができる。
または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。

表示装置が有する発光層６３３は、ＥＬ層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み
合わせて形成すれば良い。例えば、低分子系有機ＥＬ材料や高分子系有機ＥＬ材料を用い
ればよい。また、ＥＬ層として一重項励起により発光（蛍光）する発光材料（シングレッ
ト化合物）からなる薄膜、または三重項励起により発光（リン光）する発光材料（トリプ
レット化合物）からなる薄膜を用いることができる。また、電荷輸送層や電荷注入層とし
て炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機ＥＬ材料や無機材料は
公知の材料を用いることができる。

表示装置が有する電極ＰＥ_ＥＬは、発光素子ＥＬの陽極として機能する。陽極を形成す
る材料としては、陰極を形成する材料よりも仕事関数の大きい材料を用い、ＩＴＯ（酸化
インジウム酸化スズ）、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）等、さらにＩＴＯよりもシート抵抗の低い材料、具体的には白金（Ｐｔ）、クロム
（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、もしくはニッケル（Ｎｉ）といった材料を用いることが
できる。

表示装置が有する電極６３４は、仕事関数の小さい金属（代表的には周期表の１族もし
くは２族に属する金属元素）や、これらを含む合金を用いることができる。仕事関数が小
さければ小さいほど発光効率が向上するため、中でも、陰極に用いる材料としては、アル
カリ金属の一つであるＬｉ（リチウム）を含む合金材料が望ましい。

図２０（Ｂ）は、液晶素子ＬＣおよび発光素子ＥＬの積層構造を説明するために、図１
９（Ｂ）、（Ｃ）で示したレイアウト図を重ねて示した斜視図である。図２０（Ｂ）に示
すように、液晶素子ＬＣおよび発光素子ＥＬを重ねて設ける。そして、開口１５は、発光
素子ＥＬが射出する光１７が透過する位置に設ける。このような構成とすることで、周辺
環境に応じた表示素子の切り替えを画素が占める面積を大きくすることなく実現できる。
その結果、視認性が向上した表示装置とすることができる。

図２１には、図２０（Ａ）で示した画素の断面概略図の詳細な断面模式図を示す。図２
１において、図２０（Ａ）で示す構成と重複する構成は同じ符号を付し、繰り返しの説明
を省略する。

図２１に示す表示装置の画素の断面模式図では、基板６３１と基板６３２の間に、図２
０（Ａ）で示した各構成の他、接着層６５１、絶縁層６５２、絶縁層６５３、絶縁層６５
４、絶縁層６５５、絶縁層６５６、絶縁層６５７、絶縁層６５８、絶縁層６５９、配向膜
６６０、配向膜６６１、遮光膜６６２、導電層６６３、導電層６６４および絶縁層６６５
を有する。

絶縁層６５２、絶縁層６５３、絶縁層６５４、絶縁層６５５、絶縁層６５６、絶縁層６
５７、絶縁層６５８、絶縁層６５９および絶縁層６６５は、例えば、絶縁性の無機材料、
絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を用いることができ
る。例えば絶縁層には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化ア
ルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料、あるいはポリエステ
ル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若し
くはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料
、を含む膜を用いることができる。

導電層６６３および導電層６６４は、導電性を備える材料を用いることができ、それら
を配線等に用いることができる。例えば導電層は、アルミニウム、金、白金、銀、銅、ク
ロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジ
ウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを用いることができる。または、上述した
金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。

接着層６５１は、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着
剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としては
エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミ
ド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、Ｅ
ＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性
が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を
用いてもよい。

配向膜６６０および配向膜６６１は、ポリイミド等の有機樹脂を用いることができる。
なお液晶６３９が所定の方向に配向するように光配向技術を用いる場合には、配向膜６６
０および配向膜６６１を省略してもよい。また、配向処理が不要な液晶を用いる場合も、
配向膜６６０および配向膜６６１を省略してもよい。

遮光膜６６２は、クロムや酸化クロム、あるいは黒色樹脂等の光を吸収する遮光材料を
用いて形成することができる。

また図２２（Ａ）乃至（Ｃ）では、図２１に示す表示装置の画素の断面模式図に対応す
る、端子部、駆動回路部およびコモンコンタクト部における断面模式図である。図２２（
Ａ）乃至（Ｃ）において、図２０（Ａ）、図２１で示す構成と重複する構成は同じ符号を
付し、繰り返しの説明を省略する。

また図２２（Ａ）では、表示装置の端子部の断面模式図である。端子部における外部の
回路との接続部６７０には、導電層６３７、導電層６６４、反射電極ＰＥ_ＬＣ、導電層６
３８が積層して設けられる。接続部６７０は、接続層６７１を介してＦＰＣ６７２（Ｆｌ
ｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）と接続されている。また基板６３２の
端部では、接着層６７３が設けられ、基板６３２と基板６３１とを貼りあわせている。

また図２２（Ｂ）は、表示装置の駆動回路部の断面模式図である。駆動回路部における
トランジスタ６８０は、トランジスタＭ３と同じ構成とすることができる。

また図２２（Ｃ）は、表示装置のコモンコンタクト部の断面模式図である。コモンコン
タクト部における接続部６９０では、基板６３２側の導電層６４０と、基板６３１側の導
電層６３８および反射電極ＰＥ_ＬＣとが、接着層６７３に設けられた接続体６９１を介し
て接続される。

以上が表示装置の各構成の説明である。

＜本明細書等の記載に関する付記＞
本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同
を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また
、構成要素の順序を限定するものではない。

本明細書等において、ブロック図では、構成要素を機能毎に分類し、互いに独立したブ
ロックとして示している。しかしながら実際の回路等においては、構成要素を機能毎に切
り分けることが難しく、一つの回路に複数の機能が係わる場合や、複数の回路にわたって
一つの機能が関わる場合があり得る。そのため、ブロック図のブロックは、明細書で説明
した構成要素に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。

なお図面において、同一の要素または同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、あ
るいは同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は
省略する場合がある。

本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一
方を、「ソース又はドレインの一方」（又は第１電極、又は第１端子）と表記し、ソース
とドレインとの他方を「ソース又はドレインの他方」（又は第２電極、又は第２端子）と
表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動
作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称につい
ては、ソース（ドレイン）端子や、ソース（ドレイン）電極等、状況に応じて適切に言い
換えることができる。

また、本明細書等において、電圧と電位は、適宜言い換えることができる。電圧は、基
準となる電位からの電位差のことであり、例えば基準となる電位をグラウンド電位（接地
電位）とすると、電圧を電位に言い換えることができる。グラウンド電位は必ずしも０Ｖ
を意味するとは限らない。なお電位は相対的なものであり、基準となる電位によっては、
配線等に与える電位を変化させる場合がある。

本明細書等において、スイッチとは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オ
フ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。または、
スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。

一例としては、電気的スイッチ又は機械的なスイッチなどを用いることができる。つま
り、スイッチは、電流を制御できるものであればよく、特定のものに限定されない。

なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、トランジスタの「導通状態」とは、
トランジスタのソースとドレインが電気的に短絡されているとみなせる状態をいう。また
、トランジスタの「非導通状態」とは、トランジスタのソースとドレインが電気的に遮断
されているとみなせる状態をいう。なおトランジスタを単なるスイッチとして動作させる
場合には、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。

本明細書等において、ＡとＢとが接続されている、とは、ＡとＢとが直接接続されてい
るものの他、電気的に接続されているものを含むものとする。ここで、ＡとＢとが電気的
に接続されているとは、ＡとＢとの間で、何らかの電気的作用を有する対象物が存在する
とき、ＡとＢとの電気信号の授受を可能とするものをいう。

１０ 電子デバイス
１０Ｂ 電子デバイス
１０Ｄ 電子デバイス
１００ 筐体
２００ 筐体
３００ ヒンジ部
１０１ 表示装置
１０２ 太陽電池
２０１ 表示装置
２０２ コイル
２０３ 充放電制御回路
２０４ 電気二重層キャパシタ
２０５ 信号処理回路
２２２ 逆電流防止回路
２２３ 整流平滑化回路
２２４ 安定化回路
２２４Ａ スイッチングレギュレータ
２２５ モニター回路
１１１ 表示コントローラ
１２２ 逆電流防止回路
１２１ 電気二重層キャパシタ
１１ 画素回路
１２ 画素回路
１３ 液晶素子
１４ 発光素子
１１２ 画素
２１１ 表示コントローラ
２１２ 画素
１１３ タッチセンサコントローラ
１１４ タッチセンサ
２１３ タッチセンサコントローラ
２１４ タッチセンサ
２３１ 演算装置
２３２ インターフェース回路
２３３ インターフェース回路
２３４ センサー
２３５ システムバス
１０１Ａ 表示装置
２０１Ａ 表示装置
１５ 開口
１６ 反射光
１７ 光
３１０ 外光
４０１ 交流電源
４０２ コイル
４３４ センサー
２４１ インダクタ
２４２ トランジスタ
２４３ ダイオード
２４４ コンデンサ
２４５ 抵抗素子
Ｓ１１ ステップ
Ｓ１２ ステップ
Ｓ１３ ステップ
Ｓ１４ ステップ
３２０ 検出物
３３０ マーカー
６０１ 画素部
６０２ ゲート線駆動回路
６０３ ゲート線駆動回路
６０４ 信号線駆動回路
６２１ 層
６２２ 層
６２３ 層
６３１ 基板
６３２ 基板
６３３ 発光層
６３４ 電極
６３５ 電極
６３６ カラーフィルター
６３７ 導電層
６３８ 導電層
６３９ 液晶
６４０ 導電層
６４１ カラーフィルター
６５１ 接着層
６５２ 絶縁層
６５３ 絶縁層
６５４ 絶縁層
６５５ 絶縁層
６５６ 絶縁層
６５７ 絶縁層
６５８ 絶縁層
６５９ 絶縁層
６６０ 配向膜
６６１ 配向膜
６６２ 遮光膜
６６３ 導電層
６６４ 導電層
６６５ 絶縁層
６７０ 接続部
６７１ 接続層
６７２ ＦＰＣ
６７３ 接着層
６８０ トランジスタ
６９０ 接続部
６９１ 接続体

Claims (4)

1. 第１の表示装置および太陽電池を有する第１の筐体と、
   第２の表示装置、コイル、電気二重層キャパシタ、信号処理回路および充放電制御回路を有する第２の筐体と、
   前記第１の表示装置の表示面と前記第２の表示装置の表示面とが向き合うように折り畳み可能なヒンジ部と、を有し、
   前記第１の筐体は、一方の面に前記第１の表示装置の表示面を有し、他方の面に前記太陽電池を有し、
   前記第１の表示装置および前記第２の表示装置は、それぞれ、液晶素子および発光素子を有し、
   前記液晶素子は開口を有する反射電極を有し、外光を反射して階調表示することができる機能を有し、
   前記発光素子は、前記開口を介して発光することで階調表示することができる機能を有し、
   前記充放電制御回路は、安定化回路及びモニター回路を有し、
   前記安定化回路は、前記電気二重層キャパシタの出力電圧を昇圧させる機能を有し、
   前記モニター回路は、前記電気二重層キャパシタの残容量を監視する機能を有し、
   前記電気二重層キャパシタの残容量がある値以上の場合は、第１のフレーム周波数で動作する第１の動作モードとし、
   前記電気二重層キャパシタの残容量がある値未満の場合は、前記第１のフレーム周波数よりも低速の第２のフレーム周波数で動作する第２の動作モードとする、電子デバイス。
2. 第１の表示装置および太陽電池を有する第１の筐体と、
   第２の表示装置、コイル、電気二重層キャパシタ、信号処理回路および充放電制御回路を有する第２の筐体と、
   前記第１の表示装置の表示面と前記第２の表示装置の表示面とが向き合うように折り畳み可能なヒンジ部と、
   照度を検出する機能を有するセンサーと、を有し
   前記第１の筐体は、一方の面に前記第１の表示装置の表示面を有し、他方の面に前記太陽電池を有し、
   前記第１の表示装置および前記第２の表示装置は、それぞれ、液晶素子および発光素子を有し、
   前記液晶素子は開口を有する反射電極を有し、外光を反射して階調表示することができる機能を有し、
   前記発光素子は、前記開口を介して発光することで階調表示することができる機能を有し、
   前記充放電制御回路は、安定化回路及びモニター回路を有し、
   前記安定化回路は、前記電気二重層キャパシタの出力電圧を昇圧させる機能を有し、
   前記モニター回路は、前記電気二重層キャパシタの残容量を監視する機能を有し、
   前記電気二重層キャパシタの残容量がある値以上の場合は、第１のフレーム周波数で動作する第１の動作モードとし、
   前記電気二重層キャパシタの残容量がある値未満の場合は、前記第１のフレーム周波数よりも低速の第２のフレーム周波数で動作する第２の動作モードとし、
   前記センサーにより検出した照度に応じて、前記液晶素子で表示を行う第１のモードと、前記液晶素子および前記発光素子で階調表示を行う第２のモードと、前記発光素子で階調表示を行う第３のモードと、を切り替える機能を有する、電子デバイス。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記信号処理回路は演算装置を有し、
   前記演算装置は、不揮発性のレジスタを有する、電子デバイス。
4. 請求項３において、
   前記不揮発性のレジスタは、トランジスタを有し、
   前記トランジスタは、チャネルが形成される半導体層として酸化物半導体を有する、電子デバイス。

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