JP2023130445A - Ｅｌ表示装置、電子機器 - Google Patents

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Hideaki Shishido
博之 三宅
Hiroyuki Miyake
耕平 豊高
Kohei Toyotaka
誠 兼安
Makoto Kaneyasu
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Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Abstract

【課題】精細度を極めて高くできる表示装置を提供する。または、表示品位が高められた表示装置を提供する。または、開口率が高められた表示装置を提供する。【解決手段】画素は３つの副画素を有し、２本のゲート線が画素と電気的に接続される。一方のゲート線は、２つの副画素が有するそれぞれのトランジスタのゲートと電気的に接続し、他方のゲート線が、残りの副画素が有するトランジスタのゲートと電気的に接続する構成とする。一方、３つの副画素のそれぞれの表示素子は、一方向に並べて配置される構成とする。３つの副画素が備える３つの画素電極は、一方向に並べて配置される構成とする。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示装置に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発
明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション
・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置
、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることが
できる。
近年、高解像度の表示装置が求められている。例えば家庭用のテレビジョン装置（テレ
ビ、またはテレビジョン受信機ともいう）では、解像度がフルハイビジョン（画素数１９
２０×１０８０）であるものが主流となっているが、今後４Ｋ（画素数３８４０×２１６
０）や８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）のように、テレビジョン装置の高解像度化が進
むと予想される。
一方、携帯電話、スマートフォン、タブレット端末等の携帯型情報端末機器においても
、機器の表示部に用いられる表示パネルの高解像度化が進んでいる。
表示装置としては、代表的には液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎ
ｅｓｃｅｎｃｅ）素子や発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉ
ｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパ
などが挙げられる。
例えば、有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層
を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から
発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、液晶表示装
置等で必要であったバックライトが不要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消
費電力な表示装置を実現できる。例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許
文献１に記載されている。
特開２００２－３２４６７３号公報
例えば携帯情報端末機器に搭載される表示パネルは、テレビジョン装置等に比べて表示
領域の面積が小さいため、解像度を高めるためには精細度をより高める必要がある。
本発明の一態様は、精細度が極めて高い表示装置を提供することを課題の一とする。ま
たは、表示品位が高められた表示装置を提供することを課題の一とする。または、開口率
が高められた表示装置を提供することを課題の一とする。または、信頼性の高い表示装置
を提供することを課題の一とする。または、新規な構成を有する表示装置を提供すること
を課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様
は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明
細書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を
抽出することが可能である。
本発明の一態様は、画素、第１の配線、及び第２の配線を有する表示装置である。画素
は、第１の副画素、第２の副画素、及び第３の副画素を有する。第１の副画素は、第１の
トランジスタ及び第１の表示素子を有する。第２の副画素は、第２のトランジスタ及び第
２の表示素子を有する。第３の副画素は、第３のトランジスタ及び第３の表示素子を有す
る。第１の配線は、第１のトランジスタのゲート、及び第２のトランジスタのゲートと電
気的に接続する。第２の配線は、第３のトランジスタのゲートと電気的に接続する。
また、上記において、第１の表示素子は、第１の電極を有し、第２の表示素子は、第２
の電極を有し、第３の表示素子は、第３の電極を有する。平面視において、第３の電極は
、第１の電極と第２の電極との間に位置する領域を有することが好ましい。
また、上記において、平面視において、第１の電極の重心と第２の電極の重心とを通る
直線と、第３の電極の重心とが重ならないことが好ましい。
また、上記において、第１の電極と第２の配線とは、互いに重ならないように配置され
、第２の電極と第２の配線とは、互いに重ならないように配置され、第３の電極と第１の
配線とは、互いに重なる領域を有することが好ましい。
また、本発明の他の一態様は、第１の画素、第２の画素、第１の配線、及び第２の配線
を有する表示装置である。第１の画素は、第１の副画素、第２の副画素、及び第３の副画
素を有し、第２の画素は、第４の副画素、第５の副画素、及び第６の副画素を有する。第
１の副画素は、第１のトランジスタ及び第１の表示素子を有する。第２の副画素は、第２
のトランジスタ及び第２の表示素子を有する。第３の副画素は、第３のトランジスタ及び
第３の表示素子を有する。第４の副画素は、第４のトランジスタ及び第４の表示素子を有
する。第５の副画素は、第５のトランジスタ及び第５の表示素子を有する。第６の副画素
は、第６のトランジスタ及び第６の表示素子を有する。第１の配線は、第１のトランジス
タのゲート、第２のトランジスタのゲート、及び第４のトランジスタのゲートと電気的に
接続する。第２の配線は、第３のトランジスタのゲート、第５のトランジスタのゲート、
及び第６のトランジスタのゲートと電気的に接続する。
また、上記において、第１の表示素子は、第１の電極を有し、第２の表示素子は、第２
の電極を有し、第３の表示素子は、第３の電極を有し、第４の表示素子は、第４の電極を
有し、第５の表示素子は、第５の電極を有し、第６の表示素子は、第６の電極を有するこ
とが好ましい。また平面視において、第３の電極は、第１の電極と第２の電極との間に位
置する領域を有し、第４の電極は、第５の電極と第６の電極との間に位置する領域を有し
、第２の電極と第５の電極とは、隣接して配置されていることが好ましい。
また、上記において、平面視において、第１の電極の重心と、第２の電極の重心と、第
４の電極の重心とは、第１の直線上に位置し、第３の電極の重心と、第５の電極の重心と
、第６の電極の重心とは、第２の直線上に位置し、第１の直線と第２の直線とは平行で且
つ一致しないことを特徴とすることが好ましい。
また、上記において、第１の電極と第２の配線とは、互いに重ならないように配置され
、第２の電極と第２の配線とは、互いに重ならないように配置され、第３の電極と第１の
配線とは、互いに重なる領域を有し、第４の電極と第２の配線とは、互いに重ならないよ
うに配置され、第５の電極と第１の配線とは、互いに重なる領域を有し、第６の電極と第
１の配線とは、互いに重なる領域を有することが好ましい。
また、上記において、第３の配線、第４の配線、及び第５の配線を有し、第１のトラン
ジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続し、第２のトランジス
タのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続し、第３のトランジスタの
ソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続し、第４のトランジスタのソー
ス又はドレインの一方は、第５の配線と電気的に接続し、第５のトランジスタのソース又
はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続し、第６のトランジスタのソース又はド
レインの一方は、第５の配線と電気的に接続することが好ましい。
または、第３の配線、第４の配線、第５の配線、及び第６の配線を有し、第１のトラン
ジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続し、第２のトランジス
タのソース又はドレインの一方は、第５の配線と電気的に接続し、第３のトランジスタの
ソース又はドレインの一方は、第３の配線と電気的に接続し、第４のトランジスタのソー
ス又はドレインの一方は、第６の配線と電気的に接続し、第５のトランジスタのソース又
はドレインの一方は、第４の配線と電気的に接続し、第６のトランジスタのソース又はド
レインの一方は、第５の配線と電気的に接続することが好ましい。
また、このとき、平面視において、第４の配線は、第２の電極と第３の電極との間に配
置され、第５の配線は、第４の電極と第５の電極との間に配置されていることが好ましい
。
また、上記において、第１の表示素子と第５の表示素子とは、第１の色を呈する機能を
有し、第２の表示素子と第６の表示素子とは、第２の色を呈する機能を有し、第３の表示
素子と第４の表示素子とは、第３の色を呈する機能を有することが好ましい。
また、上記において、精細度が４００ｐｐｉ以上２０００ｐｐｉ以下であることが好ま
しい。
また、上記において、第１乃至第３の表示素子のそれぞれに流れる電流を選択的に出力
する機能と、第１乃至第３の表示素子のそれぞれに所定の電位を供給する機能と、を有す
る回路を有することが好ましい。
本発明の一態様によれば、精細度が極めて高い表示装置を提供できる。または、表示品
位が高められた表示装置を提供できる。または、開口率が高められた表示装置を提供でき
る。または、信頼性の高い表示装置を提供できる。または、新規な構成を有する表示装置
を提供できる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の回路図。 実施の形態に係る、表示装置の回路図。 実施の形態に係る、表示装置の回路図。 実施の形態に係る、表示装置の回路図。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、表示装置の構成例。 実施の形態に係る、タッチパネルの構成例。 実施の形態に係る、タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート図。 実施の形態に係る、タッチセンサの回路図。 実施の形態に係る、電子機器及び照明装置の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器の一例を示す図。 実施例１に係る、トランジスタの電気特性。 実施例１に係る、表示パネルの写真。 実施例２に係る、発光素子の構成。 実施例２に係る、色度図。 実施例２に係る、ＮＴＳＣ比の輝度依存性。 実施例３に係る、トランジスタの電気特性。 実施例３に係る、ＮＴＳＣ比の輝度依存性及び色度図。 実施例３に係る、色度の視野角依存性。 実施例３に係る、色度の視野角依存性。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には
同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様
の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制
御するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは
、ＩＧＦＥＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ
）を含む。
また、「ソース」や「ドレイン」の機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合
や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このた
め、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」の用語は、入れ替えて用いることが
できるものとする。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。
本発明の一態様の表示装置は複数の画素を有するものである。各画素は複数の副画素を
備える。各副画素は表示素子と、画素回路を有する。それぞれの副画素の表示素子は、そ
れぞれ異なる色を呈する。画素回路は少なくとも一のトランジスタを有する。各表示素子
は少なくとも一つの電極（画素電極ともいう）を有し、当該電極は画素回路と電気的に接
続される。各画素回路が有するトランジスタは、当該副画素を選択するためのスイッチと
しての機能を有し、選択トランジスタともいうことができる。画素回路は当該選択トラン
ジスタ以外に、他のトランジスタや容量素子、ダイオード素子などの素子、及びこれら素
子間を接続するための配線等を有していてもよい。
また、本発明の一態様の表示装置は、画素回路が備える選択トランジスタのゲートに電
気的に接続する配線（ゲート線ともいう）を複数有する。当該配線に与えられる電位によ
り、選択トランジスタのオン・オフ状態が制御され、副画素の選択状態を制御することが
できる。
本発明の一態様では、画素は２以上の副画素を有し、また画素に２本以上、１つの画素
あたりの副画素の数以下のゲート線が電気的に接続される構成とする。また複数のゲート
線の各々には、画素が有する副画素の少なくとも一つが電気的に接続される構成とする。
一例として、画素は３つの副画素を有し、２本のゲート線が画素と電気的に接続される
構成について説明する。より具体的には、一方のゲート線は、２つの副画素が有するそれ
ぞれの選択トランジスタのゲートと電気的に接続し、他方のゲート線が、残りの副画素が
有する選択トランジスタのゲートと電気的に接続する構成とする。
一方、３つの副画素のそれぞれの表示素子は、一方向に並べて配置される構成とする。
すなわち、３つの副画素が備える３つの画素電極は、一方向に並べて配置される構成とす
る。
本発明の一態様の表示装置の画素を、上記のような構成とすることにより、画素の占有
面積を縮小することが容易となる。その結果、表示装置の精細度を高めることができる。
以下では上記画素構成にすることで、画素の占有面積を縮小できる理由のひとつについて
説明する。
表示装置の精細度を高める場合、１つの画素の占有面積を縮小する必要がある。例えば
画素の占有面積を縮小する方法の一つとして、最少加工寸法や、異なるレイヤー間の位置
合わせ精度などのデザインルールを縮小する方法が挙げられる。しかしながら、デザイン
ルールの大幅な縮小は製造装置の性能の向上に依存する点が多く、極めて困難性が高い。
例えば露光機などの製造装置の技術開発のコストは極めて膨大である。またたとえ新規な
製造装置が開発されたとしても、既存の装置と置き換えるための設備投資等が膨大になっ
てしまう。
ここで比較として１本のゲート線に３つの副画素の各々の選択トランジスタが接続され
た場合を考える。また１つの画素は平面視において正方形かそれに近い形とすることが好
ましい。このとき、ゲート線の延伸方向には、各副画素の画素回路が、１画素につき３つ
並んで設けられることとなる。例えば正方形形状の画素としたとき、画素回路は、ゲート
線の延伸方向の長さと、これに直交する方向の長さの比が略１：３である長方形の中に少
なくとも納まる必要がある。また、平面視において、画素の形状を正方形とした場合、画
素の占有面積を縮小するためには、ゲート線の延伸方向の長さと、当該方向とは直交する
方向の長さの一方のみを縮小するのではなく、その両方を同程度に縮小する必要がある。
画素回路を作製する際、プロセス上のデザインルールが存在するため、画素回路が有す
る素子、電極、及びコンタクトホールの大きさ、素子間をつなぐ配線の幅、並びに素子の
間隔、または素子と配線の間隔などは、ある値より小さくすることができない。したがっ
て画素回路を上記長方形の中に収めつつ、その占有面積を縮小するために素子や配線等の
配置方法をいくら工夫したとしても、上記長方形の短辺方向の長さ、すなわちゲート線の
延伸方向の長さを、長辺方向の長さと同程度に小さくすることは困難である。さらに、１
つの画素回路につき、ゲート線と直交する１以上の配線を設ける必要がある。したがって
画素のゲート線の延伸方向にはこれと直交する方向に比べて配線等の構成が密集して設け
られることとなり、画素回路のゲート線の延伸方向の長さを縮小することはより困難とい
える。
本発明の一態様の画素は、ゲート線の延伸方向に配置する画素回路の数を減らすことが
できるため、上述の構成に比べてゲート線の延伸方向の画素の長さをより小さくすること
が容易となる。さらに、ゲート線と直交する配線を、１つの画素内の画素回路のうち、異
なるゲート線に接続する２つの画素回路で共有することが可能となるため、１つの画素に
対応する、ゲート線と直交する配線の数を減らすことができ、画素のゲート線の延伸方向
の長さをより小さくすることが容易となる。
また、本発明の一態様は、一対の画素を組み合わせた画素ユニットを有する構成とする
ことが好ましい。より具体的には、第１のゲート線に２つの画素回路が接続され、第２の
ゲート線に１つの画素回路が接続される第１の画素と、第１のゲート線に１つの画素回路
が接続され、第２のゲート線に２つの画素回路が接続される第２の画素と、からなる画素
ユニットを有する構成とすることができる。画素ユニットが有する６つの画素回路は、例
えばゲート線の延伸方向の長さとゲート線と直交する方向の長さの比が略２：１である長
方形内に収まるように設けることが好ましい。このような構成とすることで、画素回路を
より効率的に密集して配置することができるため、画素の占有面積をより縮小することが
容易となる。また、上記で示した比較の構成に比べて、一対の画素と接続するゲート線と
直交する配線の数を、少なくとも２つ以上削減することが可能となる。
本発明の一態様の表示装置は、画素の占有面積を極めて小さくすることができる。した
がって極めて高精細な画素部を有する表示装置を実現できる。例えば、画素部の精細度は
、例えば４００ｐｐｉ以上２０００ｐｐｉ以下、または５００ｐｐｉ以上２０００ｐｐｉ
以下、好ましくは６００ｐｐｉ以上２０００ｐｐｉ以下、より好ましくは８００ｐｐｉ以
上２０００ｐｐｉ以下、さらに好ましくは１０００ｐｐｉ以上２０００ｐｐｉ以下とする
ことが可能となる。例えば１０５８ｐｐｉの精細度を有する表示装置を実現できる。
このような高精細な表示装置は、例えば携帯電話、スマートフォン、タブレット端末な
どの携帯型情報端末機器、スマートウォッチ等のウェアラブル機器などの比較的小型の電
子機器に好適に用いることができる。また、カメラ等のファインダーにも好適に用いるこ
とができる。また、医療用途などに用いられるディスプレイ機器などにも好適に用いるこ
とができる。
本発明の一態様は、より具体的には、例えば以下のような構成とすることができる。
［構成例］
以下では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。
〔表示装置の構成例〕
図１（Ａ）に、以下で説明する表示装置１０の上面概略図を示す。表示装置１０は、画
素部１１、回路１２、回路１３、回路１４、端子部１５ａ、端子部１５ｂ、複数の配線１
６ａ、複数の配線１６ｂ、及び複数の配線１６ｃ等を有する。
画素部１１は、複数の画素を有し、画像を表示する機能を有する。
回路１２、回路１３は、画素部１１内の各画素に、画素を駆動するための信号を出力す
る機能を有する。例えば回路１２は、ゲート駆動回路としての機能を有する回路であり、
回路１３は、ソース駆動回路としての機能を有する回路とすることができる。
なお、画素部１１に設けられる画素数が極めて多い場合などでは、ソース駆動回路とし
て機能するＩＣを端子部１５ａ上に実装してもよいし、ＩＣを実装したＦＰＣ（Ｆｌｅｘ
ｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を端子部１５ａに接続し、回路１３を設けない
構成としてもよい。また、ＩＣを用いる場合であっても、回路１３に１つの信号を２以上
の配線に分配する機能を有する回路（例えばデマルチプレクサ回路）を適用すると、ＩＣ
やＦＰＣの端子の数を低減することができるため、より高解像度の表示装置１０とすると
きは好適である。
回路１４は、画素が有する表示素子に流れる電流を選択的に出力する機能を有する回路
（モニタ回路ともいう）である。また、回路１４は、画素が有する表示素子に所定の電位
を供給する機能を有していてもよい。画素毎に回路１４を介して出力された電流に応じて
、画素に供給する信号の電位を調整することにより、画素部１１内の各画素の輝度のばら
つきを補正することができる。特に、高精細の画素部１１とする場合には、画素の占有面
積を縮小するために１つの画素が有する画素回路を簡略化し、表示装置１０の外部に設け
られる装置または回路で補正を行う（外部補正ともいう）方式を取ることが好ましい。な
お、画素回路が上記補正の機能を有し、画素回路内部で補正を行う（内部補正ともいう）
方式とする場合には、回路１４を設けなくてもよい。また回路１４が当該補正の機能を有
していてもよい。
端子部１５ａ及び端子部１５ｂには、複数の端子が設けられ、ＦＰＣやＩＣを接続する
ことができる。端子部１５ａの各端子は、配線１６ａを介して回路１３と電気的に接続さ
れる。端子部１５ｂの一部の端子は、配線１６ｂを介して回路１２と電気的に接続される
。端子部１５ｂの他の一部の端子は、配線１６ｃを介して回路１４と電気的に接続される
。なおＦＰＣやＩＣが実装された表示装置１０を表示モジュールと呼ぶこともできる。ま
た、ＦＰＣやＩＣが実装されていない状態の表示装置１０を、表示パネルとよぶこともで
きる。
図１（Ｂ）は、画素部１１における画素電極の配列方法の例を示す上面概略図である。
画素部１１は、複数の画素ユニット２０を有する。図１（Ｂ）には４つの画素ユニット２
０を示している。画素ユニット２０は、画素２１ａと、画素２１ｂを含んで構成されてい
る。画素２１ａは、画素電極３１ａ、画素電極３２ａ、及び画素電極３３ａを有する。画
素２１ｂは、画素電極３１ｂ、画素電極３２ｂ、及び画素電極３３ｂを有する。各画素電
極は、後述する表示素子の電極として機能する。また１つの副画素の表示領域２２は、そ
の副画素が有する画素電極の内側に位置する。
画素ユニット２０が有する６つの画素電極は、等間隔に並べて配置されている。ここで
、画素電極３１ａ、画素電極３２ａ、及び画素電極３３ａはそれぞれ異なる色を呈する表
示素子の電極とすることができる。また画素電極３１ｂは画素電極３１ａと、画素電極３
２ｂは画素電極３２ａと、画素電極３３ｂは画素電極３３ａと、それぞれ同じ色を呈する
表示素子の電極とすることができる。なお、ここでは３種類の画素電極の大きさを同じと
して明示しているが、それぞれ異なる大きさとしてもよい。または各画素電極上の表示領
域２２の大きさを異ならせてもよい。
なお、ここでは説明を容易にするため画素電極３１ａは赤色（Ｒ）を呈する表示素子の
電極としＲの符号を付している。同様に画素電極３２ａは緑色（Ｇ）を呈する表示素子の
電極としＧの符号を付し、画素電極３３ａは青色（Ｂ）を呈する表示素子の電極としＢの
符号を付している。なお図１（Ｂ）等に示す画素配列は一例であり、これに限られない。
図１（Ｃ）は、画素部１１における画素回路の配列方法の例を示す回路図である。図１
（Ｃ）には４つの画素ユニット２０を示している。画素２１ａは、画素回路４１ａ、画素
回路４２ａ、及び画素回路４３ａを有する。画素２１ｂは、画素回路４１ｂ、画素回路４
２ｂ、及び画素回路４３ｂを有する。また、画素部１１には、配線５１ａ、配線５１ｂ、
配線５２ａ、配線５２ｂ、配線５２ｃ、配線５３ａ、配線５３ｂ、配線５３ｃ等が配置さ
れている。
配線５１ａ及び配線５１ｂは、それぞれ回路１２と電気的に接続され、ゲート線として
の機能を有する。配線５２ａ、配線５２ｂ、及び配線５２ｃは、それぞれ回路１３と電気
的に接続され、信号線（データ線ともいう）としての機能を有する。また配線５３ａ、配
線５３ｂ、及び配線５３ｃは、表示素子に電位を供給する機能を有する。また表示装置１
０が回路１４を有しているとき、配線５３ａ、配線５３ｂ、及び配線５３ｃは、それぞれ
回路１４と電気的に接続されている。
画素回路４１ａは、配線５１ａ、配線５２ａ、及び配線５３ａと電気的に接続されてい
る。画素回路４２ａは、配線５１ａ、配線５２ｂ、及び配線５３ｂと電気的に接続されて
いる。画素回路４３ａは、配線５１ｂ、配線５２ａ、及び配線５３ａと電気的に接続され
ている。画素回路４１ｂは、配線５１ａ、配線５２ｃ、及び配線５３ｃと電気的に接続さ
れている。画素回路４２ｂは、配線５１ｂ、配線５２ｂ、及び配線５３ｂと電気的に接続
されている。画素回路４３ｂは、配線５１ｂ、配線５２ｃ、及び配線５３ｃと電気的に接
続されている。
画素回路４１ａは、画素電極３１ａと電気的に接続されている。画素回路４２ａは、画
素電極３２ａと電気的に接続されている。画素回路４３ａは、画素電極３３ａと電気的に
接続されている。画素回路４１ｂは、画素電極３１ｂと電気的に接続されている。画素回
路４２ｂは、画素電極３２ｂと電気的に接続されている。画素回路４３ｂは、画素電極３
３ｂと電気的に接続されている。図１（Ｃ）では、図１（Ｂ）に示す各画素電極と、画素
回路との対応を分かりやすくするため、各画素回路にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。
なお、図１（Ｃ）では、１つの画素ユニット２０に信号線として機能する配線（配線５
２ａ乃至ｃ）が３本電気的に接続された構成を示すが、図２に示すように４本の配線が画
素ユニット２０に電気的に接続する構成としてもよい。
図２において、配線５２ｄは画素回路４３ａと電気的に接続している。また配線５２ａ
は、画素回路４１ａ及び画素回路４２ｂと電気的に接続している。配線５２ｂは、画素回
路４２ａ及び画素回路４３ｂと電気的に接続している。配線５２ｃは、画素回路４１ｂと
電気的に接続している。なお、隣接する画素ユニットにおいて、配線５２ｃは共有されて
いるため、画素ユニット２０での配線５２ｃは、隣の画素ユニットでは配線５２ｄに相当
する。
このように、信号線として機能する１本の配線には、同じ色に対応した画素回路を接続
する構成とすることが好ましい。例えば上述したように、画素間の輝度のばらつきを補正
するために電位が調整された信号を当該配線に供給する場合、補正値は色ごとに大きく異
なる場合がある。そのため、１本の信号線に接続される画素回路を、全て同じ色に対応し
た画素回路とすることで、補正を容易にすることができる。
ここで、図２に示す構成では、行方向（配線５１ａ及び配線５１ｂの延伸方向）に配置
される画素回路の数をｎとしたときに、信号線として機能する配線（配線５２ａ等）の数
がｎ＋１本となる。また画素部１１に設けられる複数の信号線として機能する配線のうち
、両端に位置する２本の配線（１本目とｎ＋１本目）のそれぞれには、同じ色に対応した
画素回路が接続されることになる。そこで、図２に示すように、画素部１１の両端に位置
するこれら２本の配線（図２では配線５２ｄと、右側に位置する配線５２ｃ）を、例えば
画素部１１よりも外側に位置する配線５４により電気的に接続する構成とすると、信号線
駆動回路として機能する回路の出力信号の数を増やすことがないため好ましい。
〔画素回路の構成例〕
以下では、画素ユニット２０が有する画素回路のより具体的な例について説明する。図
３に、画素ユニット２０の回路図の例を示す。図３では、図２で例示したように、１つの
画素ユニット２０につき信号線として機能する配線（配線５２ａ等）が４本接続された場
合の例を示している。
画素２１ａは、副画素７１ａ、副画素７２ａ、及び副画素７３ａを有する。画素２１ｂ
は、副画素７１ｂ、副画素７２ｂ、及び副画素７３ｂを有する。各々の副画素は、画素回
路と表示素子６０を有する。例えば副画素７１ａは、画素回路４１ａと表示素子６０を有
する。ここでは、表示素子６０として、有機ＥＬ素子等の発光素子を用いた場合を示す。
また各々の画素回路は、トランジスタ６１と、トランジスタ６２と、容量素子６３と、
を有している。例えば画素回路４１ａにおいて、トランジスタ６１は、ゲートが配線５１
ａと電気的に接続し、ソース又はドレインの一方が配線５２ａと電気的に接続し、ソース
又はドレインの他方がトランジスタ６２のゲート、及び容量素子６３の一方の電極と電気
的に接続している。トランジスタ６２は、ソース又はドレインの一方が表示素子６０の一
方の電極と電気的に接続し、ソース又はドレインの他方が容量素子６３の他方の電極、及
び配線５３ａと電気的に接続している。表示素子６０の他方の電極は、電位Ｖ１が与えら
れる配線と電気的に接続している。なお、他の画素回路については、図３に示すようにト
ランジスタ６１のソース又はドレインの一方が接続する配線、及び容量素子６３の他方の
電極が接続する配線が異なる以外は、画素回路４１ａと同様の構成を有する。
図３において、トランジスタ６１は選択トランジスタとしての機能を有する。またトラ
ンジスタ６２は、表示素子６０と直列接続され、表示素子６０に流れる電流を制御する機
能を有する。容量素子６３は、トランジスタ６２のゲートが接続されるノードの電位を保
持する機能を有する。なお、トランジスタ６１のオフ状態におけるリーク電流や、トラン
ジスタ６２のゲートを介したリーク電流等が極めて小さい場合には、容量素子６３を意図
的に設けなくてもよい。
ここで、図３に示すように、トランジスタ６２はそれぞれ電気的に接続された第１のゲ
ートと第２のゲートを有する構成とすることが好ましい。このように２つのゲートを有す
る構成とすることで、トランジスタ６２の流すことのできる電流を増大させることができ
る。特に高精細の表示装置においては、トランジスタ６２のサイズ、特にチャネル幅を大
きくすることなく当該電流を増大させることができるため好ましい。
なお、図４（Ａ）に示すように、トランジスタ６２が１つのゲートを有する構成として
もよい。このような構成とすることで、第２のゲートを形成する工程が不要となるため、
上記に比べて工程を簡略化できる。また、図４（Ｂ）に示すように、トランジスタ６１が
２つのゲートを有する構成としてもよい。このような構成とすることで、いずれのトラン
ジスタもサイズを小さくすることができる。また、ここでは各トランジスタの第１のゲー
トと第２のゲートがそれぞれ電気的に接続する構成を示しているが、一方のゲートが異な
る配線と電気的に接続する構成としてもよい。その場合、当該配線に与える電位を異なら
せることにより、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。
また、表示素子６０の一対の電極のうち、トランジスタ６２と電気的に接続する電極が
、上記画素電極（例えば画素電極３１ａ等）に相当する。ここで、図３及び図４（Ａ）（
Ｂ）では、表示素子６０のトランジスタ６２と電気的に接続する電極を陰極、反対側の電
極を陽極とした構成を示している。このような構成は、トランジスタ６２がｎチャネル型
のトランジスタの場合に特に有効である。すなわち、トランジスタ６２がオン状態のとき
、配線５３ａにより与えられる電位がソース電位となるため、表示素子６０の抵抗のばら
つきや変動によらず、トランジスタ６２に流れる電流を一定とすることができる。
なお、図５（Ａ）に示すように、表示素子６０のトランジスタ６２側の電極を陽極とし
、反対側の電極を陰極とした構成としてもよい。このような構成とすることにより、表示
素子６０の他方の電極に与える電位Ｖ１に配線５３ａ等に与えられる電位よりも低い固定
電位を用いることができる。また当該電位Ｖ１に共通電位や接地電位など、他の回路に用
いる電位と共通の電位を用いると、回路構成を簡略化できるため好ましい。
また、上記では図２に示したように１つの画素ユニットに信号線として機能する配線が
４本接続された構成を示したが、図１（Ｃ）に示すように当該配線を３本接続した構成と
することもできる。その場合の画素ユニット２０の構成の一例を図５（Ｂ）に示す。
また、画素回路が有するトランジスタとして、ｐチャネル型のトランジスタを用いても
よい。例えば、図６（Ａ）（Ｂ）には、それぞれ、図５（Ａ）（Ｂ）に示した構成のうち
、トランジスタ６２をｐチャネル型のトランジスタとした場合の例を示している。
〔モニタ回路〕
続いて、図１（Ａ）で示した回路１４の構成例について説明する。図７（Ａ）に、回路
１４の構成の一例の回路図を示す。回路１４は、ｍ個（ｍは１以上の整数）の回路８０（
回路８０＿１乃至８０＿ｍ）を有する。また回路１４には配線８３、配線８４、複数の配
線群５３Ｓが電気的に接続されている。ここで、配線群５３Ｓは、配線５３ａ、配線５３
ｂ、及び配線５３ｃをそれぞれ１本以上含む。また、回路１４はｍ個の出力端子８６（出
力端子８６＿１乃至８６＿ｍ）が電気的に接続されている。各々の出力端子８６は、回路
１４内の一つの回路８０と電気的に接続する。
図７（Ｂ）に、回路８０の構成例を示す。回路８０は、複数のトランジスタ８１と、複
数のトランジスタ８２を有する。トランジスタ８１は、ゲートが配線８３と電気的に接続
し、ソース又はドレインの一方が配線群５３Ｓのうちの１本の配線と電気的に接続し、ソ
ース又はドレインの他方が配線８４と電気的に接続している。トランジスタ８２は、ゲー
トが端子８５と電気的に接続し、ソース又はドレインの一方がトランジスタ８１のソース
又はドレインの一方と電気的に接続し、ソース又はドレインの他方が出力端子８６と電気
的に接続している。
配線８４には固定電位を与えることができる。例えば、上記電位Ｖ１よりも高い電位、
または電位Ｖ１よりも低い電位を与えることができる。配線８３には、トランジスタ８１
のオン／オフを制御するための信号を与えることができる。画素部１１に画像を表示する
期間（表示期間ともいう）には、トランジスタ８１をオン状態とすることで、配線８４に
与えられた電位がトランジスタ８１を介して配線群５３Ｓのそれぞれに供給される。
端子８５には、トランジスタ８２のオン／オフを制御するための信号を与えることがで
きる。ここで、画素部１１に画像を表示しない期間に、後述する動作を行うことで各副画
素に流れる電流を外部に出力する期間（モニタ期間ともいう）を設けることができる。具
体的には、複数のトランジスタ８１をオフ状態とし、複数のトランジスタ８２のうちの１
つをオン状態とすることで、配線群５３Ｓのうちの１つの配線と出力端子８６とがトラン
ジスタ８２を介して導通する。したがって複数のトランジスタ８２を順番に選択すること
で、配線群５３Ｓのそれぞれの配線に流れる電流を、出力端子８６に時分割で出力するこ
とができる。
図７（Ｂ）では、１本の配線（配線５３ａ等）に対してトランジスタ８２が接続される
構成としたが、図７（Ｃ）に示すように、配線群５３Ｓのうち隣接する複数の配線をまと
め、ひとつのトランジスタ８２と接続する構成とすることが好ましい。こうすることで、
出力端子８６に出力される電流は、複数の画素から出力される電流の足し合わせとなるた
め、感度を向上させることができる。特に、高精細の表示装置においては１つの副画素に
設けられる表示素子６０の大きさが小さく、表示素子６０が流す電流の値も小さいため、
このような構成とすることで補正を容易に行うことができる。また、このように複数の配
線をまとめることで、出力端子８６の数を減らすことができるため、回路構成を簡略化で
きる。
例えば、図３、図４（Ａ）（Ｂ）、図５（Ａ）（Ｂ）で例示した回路構成では、配線５
３ａ、配線５３ｂ、及び配線５３ｃはそれぞれ、表示素子６０及びトランジスタ６２に流
れる電流を、出力端子８６に出力することができる。
モニタ期間における動作について、図３を用いて説明する。一例として副画素７１ａに
流れる電流を出力する場合を考える。まず配線５１ａにトランジスタ６１をオン状態とす
る電位を与え、配線５２ａからトランジスタ６１を介してトランジスタ６２のゲートに所
定の電位を与える。さらに、ゲート線として機能する他の配線（例えば配線５１ｂ等）に
は、トランジスタ６１をオフ状態とする電位を与える。また、信号線として機能する他の
配線（例えば配線５２ｂ等）には、トランジスタ６２をオフ状態とする電位を与える。こ
うすることで、副画素７１ａの表示素子６０及びトランジスタ６２に流れる電流を配線５
３ａに出力することができる。
なお、図７（Ｃ）に示すように、配線群５３Ｓのうち隣接する複数の配線をまとめる場
合には、モニタ期間において複数の副画素の表示素子６０に同時に電流が流れるように駆
動すればよい。またこの時、ひとつの期間では同じ色の副画素のみからの電流が同時に出
力されるように、駆動することが好ましい。
また、図７（Ｃ）では、トランジスタ８１及びトランジスタ８２が、それぞれ電気的に
接続された２つのゲートを有する構成を示している。特に、トランジスタ８１及びトラン
ジスタ８２に複数の配線（配線５３ａ等）が接続される場合には、大きな電流を流す必要
があるため、このような構成とすることが好ましい。
ここで、モニタ回路として機能する回路１４を設ける場合に用いることのできる、上記
とは異なる画素の構成例について説明する。
図８（Ａ）に示す副画素は、トランジスタ６１、トランジスタ６２、容量素子６３に加
え、トランジスタ６４を備える。また副画素には、配線５１、配線５２、配線５３、及び
配線５５が電気的に接続している。配線５１は、ゲート線として機能する配線であり、配
線５２は信号線として機能する配線であり、配線５３は回路１４に電気的に接続する配線
である。また配線５５には、所定の電位または信号を供給することができる。
図８（Ａ）において、トランジスタ６１は、ゲートが配線５１と電気的に接続され、ソ
ース又はドレインの一方が配線５２と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が容
量素子６３の一方の電極、及びトランジスタ６２のゲートと電気的に接続されている。ト
ランジスタ６２は、ソース又はドレインの一方が電位Ｖ２を供給する機能を有する配線と
電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が表示素子６０の一方の電極、及びトラン
ジスタ６４のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。容量素子６３は、他
方の電極が配線５５と電気的に接続されている。トランジスタ６４は、ゲートが配線５１
と電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が配線５３と電気的に接続されている。
表示素子６０は、他方の電極が電位Ｖ１を供給する機能を有する配線と電気的に接続され
ている。
図８（Ａ）に示す構成において、電位Ｖ１は、電位Ｖ２よりも低い電位とすることがで
きる。なお、表示素子６０の陽極と陰極を入れ替えた場合には、これら電位を入れ替えれ
ばよい。
図８（Ａ）に示す構成では、トランジスタ６２のゲートに所定の電位を与えたときに、
トランジスタ６２に流れる電流を、トランジスタ６４を介して配線５３に出力することが
できる。例えばモニタ期間において、配線５１の電位をトランジスタ６１及びトランジス
タ６４をオン状態とする電位とし、配線５２の電位をトランジスタ６２のゲートに供給す
る電位とすればよい。
図８（Ａ）では、トランジスタ６１とトランジスタ６４のそれぞれのゲートが一つの配
線５１と電気的に接続する構成としたが、これらを別の配線と電気的に接続する構成とし
てもよい。図８（Ｂ）では、トランジスタ６４のゲートに電気的に接続する配線５７を設
ける構成を示している。このような構成とすることで、例えば表示期間中にはトランジス
タ６４を常にオフ状態とすることができ、当該期間中に配線５３に意図しない電流が流れ
ないため好ましい。
図８（Ｃ）に示す構成は、主に配線５５を有さない点で上記と相違している。図８（Ｃ
）において、容量素子６３の他方の電極が、トランジスタ６２のソース又はドレインの他
方、表示素子６０の一方の電極、及びトランジスタ６４のソース又はドレインの一方と電
気的に接続している。このような構成とすることで、配線の数を減らすことができ、より
高精細な表示装置を実現できる。
また、図８（Ｄ）には、図８（Ｂ）と同様に、トランジスタ６１とトランジスタ６４の
それぞれのゲートが異なる配線と電気的に接続する構成を示している。
なお、図８（Ａ）～（Ｄ）では、それぞれのトランジスタが１つのゲートを有する構成
を示したが、上記と同様に各トランジスタの少なくとも一つ、または全部が、電気的に接
続する２つのゲートを有する構成としてもよい。また２つのゲートのうちの一方を所定の
電位を供給する配線と電気的に接続させ、トランジスタのしきい値電圧を制御できる構成
としてもよい。
また、画素回路に、トランジスタのしきい値電圧等の変動の影響を補正する機能を持た
せてもよい。図９（Ａ）に副画素の一例を示す。図９（Ａ）に示す副画素は、６つのトラ
ンジスタ（トランジスタ９３＿１乃至９３＿６）、容量素子９４、及び表示素子９５を有
する。また当該副画素には、配線９１＿１乃至９１＿５、並びに配線９２＿１及び配線９
２＿２が電気的に接続されている。
図９（Ｂ）に示す構成は、図９（Ａ）に示した構成に、トランジスタ９３＿７を追加し
た例である。また図９（Ｂ）に示す副画素には、配線９１＿６及び配線９１＿７が電気的
に接続されている。ここで、配線９１＿５と配線９１＿６は電気的に接続されていてもよ
い。
図１０に示す副画素は、６つのトランジスタ（トランジスタ９８＿１乃至９８＿６）、
容量素子９４、及び表示素子９５を有する。また当該副画素には、配線９６＿１乃至９６
＿３、並びに配線９７＿１乃至９７＿３が電気的に接続されている。ここで配線９６＿１
と配線９６＿３はそれぞれ電気的に接続されていてもよい。
〔画素電極の配置方法例〕
続いて、画素電極と各種配線との相対的な位置関係について説明する。
図１１（Ａ）は、画素部１１における画素電極と、配線の配置方法の例を示す上面概略
図である。配線５１ａと配線５１ｂとは交互に配列している。また配線５１ａ及び配線５
１ｂと交差する配線５２ａ、配線５２ｂ、及び配線５２ｃが、この順で配列している。ま
た、各画素電極は、配線５１ａ及び配線５１ｂの延伸方向に沿って配列している。
画素ユニット２０において、画素電極３１ａと画素電極３２ａは、配線５２ｃと配線５
２ａの間に配置されている。また画素電極３３ａと画素電極３１ｂは、配線５２ａと配線
５２ｂの間に配置されている。また画素電極３２ｂと画素電極３３ｂは、配線５２ｂと配
線５２ｃの間に配置されている。なお、図１１（Ａ）では各画素電極と、これと隣接する
配線とが重畳しないように示しているが、画素電極の一部が配線と重畳していてもよい。
また、画素ユニット２０において、各画素電極は配線５１ａと配線５１ｂの両方と重畳
するように設けられている。このように、２つのゲート線として機能する配線と重ねて画
素電極を設けることで、画素電極の面積を大きくでき、画素部の開口率を高めることがで
きる。
また、図１１（Ｂ）に示すように、２本の信号線として機能する配線の間（例えば配線
５２ａと配線５２ｂの間）に位置する２つの画素電極を、当該配線の延伸方向に相対的に
ずらして配置することが好ましい。言い換えると、１つの画素ユニット２０が有する６つ
の画素電極が、ゲート線として機能する配線の延伸方向に沿って、ジグザグに配置してい
ることが好ましい。
図１２（Ａ）を用いて、１つの画素ユニット２０が有する６つの画素電極の位置関係を
説明する。図１２（Ａ）において、各画素電極の平面視における重心に印を付している。
ここで、平面視における電極の重心とは、電極を平面視で見たときの輪郭が成す図形（２
次元図形）の、幾何学的な重心のことをいう。
図１２（Ａ）に示すように、ゲート線として機能する配線の延伸方向に隣接する３つの
画素電極のうち、両端に位置する２つの画素電極のそれぞれの重心を結ぶ線と、間に位置
する画素電極の重心が一致しないような配列とすることが好ましい。例えば、画素電極３
１ａの重心と画素電極３３ａの重心を結ぶ直線３０ａと、これらの間に位置する画素電極
３２ａの重心とが重ならないような配列とする。
また、１つの画素ユニット２０が有する６つの画素電極のうち、３つの画素電極の各々
の重心が第１の直線上に位置し、他の３つの画素電極の重心が第２の直線上に位置し、第
１の直線と第２の直線とは、平行で且つ一致しないことが好ましい。例えば、画素電極３
１ａ、画素電極３３ａ、及び画素電極３２ｂのそれぞれの重心を通る直線３０ａと、画素
電極３２ａ、画素電極３１ｂ、及び画素電極３３ｂのそれぞれの重心を通る直線３０ｂと
が、互いに平行で且つ一致しないような配列とする。
なお、実際は画素電極の形状にばらつきが生じる場合や、画素電極の形状を画素が呈す
る色に応じて異ならせる場合などでは、３以上の画素電極の重心を結ぶ線が直線とはなら
ない場合がある。このような場合は直線ではなく、ゲート線として機能する配線の延伸方
向に長い帯状の長方形の範囲内に、３以上の画素電極の重心が位置していれば、これら画
素電極の重心が直線上に位置するとみなすことができる。図１２（Ｂ）には、各画素電極
の重心位置が帯状の長方形３０ｃまたは長方形３０ｄの範囲内に位置している場合を示し
ている。このとき、帯状の長方形の短辺方向の幅Ｗとしては、例えば画素ピッチの１／１
０以下、好ましくは画素ピッチの１／２０以下とすることができる。
ここで、図１１（Ｂ）に示すように、１つの画素電極は、ゲート線として機能する配線
の２以上と重ならないように配置することが好ましい。ゲート線として機能する配線の電
位が変化したとき、これと重畳する画素電極の電位が変化し、表示素子にかかる電圧が変
化してしまう場合がある。また、１つの画素電極を、ゲート線として機能する配線のいず
れにも重ならないように配置すると、画素の開口率が低下してしまう場合がある。したが
って、１つの画素電極に１つのゲート線として機能する配線が重なる構成とすることで、
画素電極の電位の変化の影響を抑えつつ、高い開口率を維持することができる。
特に、本発明の一態様では１つの画素につき２つのゲート線として機能する配線を有す
るため、図１１（Ｂ）に示すように隣接する画素電極の位置をずらし、１つの画素電極が
画素に接続されるゲート線として機能する配線、または隣接する画素に接続されるゲート
線として機能する配線のうちの１つに重なるように配置するとよい。また、１つの副画素
が有する画素電極が重なるゲート線として機能する配線は、ゲート線を走査する向きに対
して１つ前の行に対応するゲート線であることが好ましい。このとき、１つ前の行のゲー
ト線に与えられる信号により当該画素電極の電位が変化して表示素子にかかる電圧に変化
が生じたとしても、その直後にデータの書き換えが行われるため、表示への影響を軽減す
ることができる。
なお、画素電極が２つのゲート線と重なるように配置する必要がある場合、画素電極と
一方のゲート線とが重なる部分の面積よりも、画素電極と他方のゲート線とが重なる部分
の面積のほうが小さくなるようにすればよい。特に、画素電極の面積に対して、いずれか
のゲート線と重なる部分の面積の比が３％未満の場合には、ゲート線の電位の変化が画素
電極の電位に与える影響がほとんどないため、実質的に重なっていないとみなすこともで
きる場合がある。
図１３（Ａ）には、図１１とは異なる画素電極の配置方法を示している。画素２１ａは
、画素電極３２ａと画素電極３３ａとが、ゲート線として機能する配線（配線５１ａ等）
の延伸方向に交互に配列している。またこの２つの画素電極の両方に隣接して、画素電極
３１ａが配置されている。
図１３（Ｂ）に示す例では、信号線として機能する配線（配線５２ａ等）の延伸方向に
隣接する２列の画素において、画素電極３２ａと画素電極３３ａとが互いに入れ替わって
配置されている。すなわち、隣接する２つの画素において、画素電極３２ａ同士、及び画
素電極３３ａ同士が隣接して設けられている。
なお、上記では、理解を容易にするため各画素電極や画素回路に、Ｒ、Ｇ、Ｂ等の符号
を付しているがこれに限定されず、これらを互いに入れ替えることができる。
〔画素レイアウトの例〕
以下では、画素ユニット２０のレイアウト例について説明する。
図１４（Ａ）（Ｂ）に、図４（Ａ）で例示した画素ユニット２０に対応するレイアウト
の一例を示す。図１４（Ａ）には、画素電極３１ａ等よりも下層の構成を示し、図１４（
Ｂ）には、図１４（Ａ）の構成に加えて画素電極３１ａ等を設けた場合の構成を示してい
る。なお図１４（Ｂ）では、明瞭化のため隣接する画素ユニットの画素電極等を明示して
いない。
図１４（Ａ）において、第１の導電膜により配線５１ａ、配線５１ｂ等が構成されてい
る。また、これよりも上層に位置する第２の導電膜により、配線５２ａ等が構成されてい
る。
副画素７１ａにおいて、トランジスタ６１は、配線５１ａ上に設けられた半導体層と、
配線５２ａの一部等を含んで構成されている。トランジスタ６２は、第１の導電膜からな
る導電層と、当該導電層上の半導体層と、配線５３ａ等を含んで構成されている。容量素
子６３は、配線５３ａの一部と、第１の導電膜からなる導電層とを含んで構成されている
。
図１４（Ｂ）において、各画素電極は、配線５２ａ等の延伸方向に隣接する副画素の一
部と重なるように配置されている。例えば、画素電極３２ａは、副画素７１ａ内のトラン
ジスタ６１、容量素子６３、及び副画素７１ａを構成する配線や電極等の一部と重ねて設
けられている。このような構成は、特に上面発光型（トップエミッション型）の発光素子
を用いた場合に有効である。このように画素電極よりも下側に回路を配置することで、画
素の占有面積を縮小したとしても、大きな開口率を実現できる。
また、図１４（Ｂ）に示すように、各画素電極は配線５２ａ等の信号線として機能する
配線と重ならないように配置することが好ましい。こうすることで、信号線の電位の変化
が画素電極の電位に影響を及ぼすことを抑制することができる。なお、画素電極を信号線
と重ねて配置する必要がある場合には、画素電極の面積に対して、これらが重なる面積の
割合が１０％以下、好ましくは５％以下とすればよい。
また、画素電極が隣接する副画素内のトランジスタの半導体層と重なる場合、画素電極
の電位が変化することによりトランジスタのしきい値電圧に変化が生じる場合がある。例
えば、図１４（Ｂ）では、画素電極３２ａは副画素７１ａの選択トランジスタとして機能
するトランジスタ６１の半導体層と重ねて設けられている。このとき、画素電極は走査方
向に対して１つ前の行に対応する副画素の選択トランジスタと重なるように設けることが
好ましい。こうすることで、目的の副画素が選択され、画素電極の電位が変化したとして
も、これと重なる隣接する副画素は非選択状態であり、当該隣接する副画素の選択トラン
ジスタはオフ状態が維持される。隣接する副画素のゲート線には、当該副画素の選択トラ
ンジスタを確実にオフ状態とする電位を与えることができるため、しきい値電圧に多少の
変化が生じても問題が生じないように駆動することが可能となる。
図１５（Ａ）（Ｂ）は、画素ユニットの各々の副画素の表示領域２２が、一対のゲート
線として機能する配線（配線５１ａ及び配線５１ｂ）の間に収まるように配置した例であ
る。このような配置方法を用いると、隣接する２つの表示領域２２における、信号線とし
て機能する配線（配線５２ａ等）の延伸方向の位置のずれを小さくすることができる。こ
のとき、配線５１ａと配線５２ｂは、等間隔に配置されない構成とすることができる。
以上が表示装置の構成例についての説明である。
［断面構成例］
以下では、表示装置１０の断面構成例について説明する。
〔断面構成例１〕
図１６は、表示装置１０の断面概略図である。図１６は、図１（Ａ）中の切断線Ａ１－
Ａ２に沿った断面を示している。また、画素部１１においては、図１４（Ｂ）中の切断線
Ｂ１－Ｂ２に対応した断面を示している。
表示装置１０は、第１の基板１０１と、第２の基板１０２とが接着層２２０によって貼
り合わされた構成を有する。
第１の基板１０１上には、端子部１５ａ、端子部１５ｂ、配線１６ａ、配線１６ｂ、回
路１３を構成するトランジスタ２５１、回路１２を構成するトランジスタ２５２、画素部
１１を構成するトランジスタ６１、トランジスタ６２、容量素子６３、表示素子６０ａ等
が設けられている。また第１の基板１０１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１２、絶縁層
２１３、絶縁層２１４、スペーサ２１５等が設けられている。
第２の基板１０２上には、絶縁層２２１、遮光層２３１、着色層２３２ａ、着色層２３
２ｂ、構造物２３０ａ、構造物２３０ｂ等が設けられている。
絶縁層２１３上に、表示素子６０ａが設けられている。表示素子６０ａは、第１の電極
として機能する画素電極３１、ＥＬ層２２２、第２の電極２２３を有する。また画素電極
３１とＥＬ層２２２との間には光学調整層２２４ａが設けられている。絶縁層２１４は、
画素電極３１及び光学調整層２２４ａの端部を覆って設けられている。
また、図１６には、隣接する副画素が有する表示素子６０ｂが、トランジスタ６１等と
重ねて設けられている例を示している。表示素子６０ｂは、光学調整層２２４ｂを有する
。ここで、表示素子６０ａと表示素子６０ｂとから着色層２３２ａまたは着色層２３２ｂ
を介して異なる色を射出させる場合には、図１６に示すように、光学調整層２２４ａと光
学調整層２２４ｂの厚さを異ならせることが好ましい。または、いずれか一方を設けない
構成としてもよい。
図１６では、回路１２及び回路１３にそれぞれトランジスタ２５２、トランジスタ２５
１が設けられている構成を示している。
回路１２、回路１３、及び画素部１１が有するトランジスタは、それぞれ同じ構造であ
ってもよい。回路１２、回路１３、及び画素部１１の各々に含まれるトランジスタは、そ
の回路内で全て同じ構造であってもよいし、異なる構造のトランジスタを組み合わせて用
いてもよい。
図１６では、表示素子６０ａ及び表示素子６０ｂがトップエミッション構造の発光素子
である例を示している。表示素子６０ａ及び表示素子６０ｂからの発光は、第２の基板１
０２側に射出される。このような構成とすることで、表示素子６０ａまたは表示素子６０
ｂの下側（第１の基板１０１側）にトランジスタ、容量素子、回路等を配置することがで
きるため、画素部１１の開口率を高めることができる。
第２の基板１０２の第１の基板１０１側の面には、表示素子６０ａと重なる着色層２３
２ａと、表示素子６０ｂと重なる着色層２３２ｂが設けられている。また、着色層２３２
ａと着色層２３２ｂが設けられていない部分には、遮光層２３１が設けられていてもよい
。遮光層２３１は、図１６に示すように、回路１２及び回路１３と重なる位置に設けられ
ていてもよい。また、着色層２３２ａ、着色層２３２ｂ、及び遮光層２３１を覆って、透
光性のオーバーコート層が設けられていてもよい。
また、第２の基板１０２上には接着層２２０よりも内側の領域に構造物２３０ａが設け
られ、接着層２２０よりも外側の領域に構造物２３０ｂが設けられている。構造物２３０
ａ及び構造物２３０ｂは、第２の基板１０２の端部において絶縁層２２１や第２の基板１
０２等にクラックが生じた場合に、これが進行することを抑制する機能を有する。図１６
では、構造物２３０ａ及び構造物２３０ｂとして、遮光層２３１と同一の膜からなる層と
、着色層２３２ａと同一の膜からなる層の積層構造とした場合を示している。このように
２層以上の積層構造とすることで、よりクラックの進行を抑制する効果を高めることがで
きる。なお、ここでは接着層２２０を挟んで両側に構造物２３０ａ及び構造物２３０ｂを
配置する構成を示したが、いずれか一方であってもよい。またクラックが生じる恐れがな
い場合（例えば第２の基板１０２等の剛性が高い場合）には、構造物２３０ａ及び構造物
２３０ｂを設けない構成としてもよい。
スペーサ２１５は、絶縁層２１４上に設けられている。スペーサ２１５は、第１の基板
１０１と第２の基板１０２の距離が必要以上に縮まらないように制御する、ギャップスペ
ーサとしての機能を有する。また、スペーサ２１５はその形成面と側面の少なくとも一部
との角度が９０度に近いことが好ましい。例えばスペーサ２１５は、その側面の一部と、
形成面との角度が、好ましくは４５度以上、１２０度以下、より好ましくは６０度以上１
００度以下、さらに好ましくは７５度以上９０度以下である部分を有することが好ましい
。こうすることで、スペーサ２１５の側面においてＥＬ層２２２の厚さが薄い領域が形成
されやすくなる。そのため、隣接する表示素子間において、ＥＬ層２２２を介して電流が
流れることで発光してしまう現象を抑制することができる。特に、画素部１１が高精細で
ある場合には、隣接する表示素子間の距離が小さくなるため、このような形状のスペーサ
２１５を表示素子間に設けることは特に有効である。
また、スペーサ２１５は、ゲート線と交差する配線（例えば配線５２、配線５３）と重
ねて設けられていることが好ましい。
本発明の一態様の表示装置１０は、カラーフィルタ方式を用いている。例えば着色層２
３２ａまたは着色層２３２ｂとして、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）のうちいずれ
かが適用された３色の画素により、１つの色を表現する構成としてもよい。また、これに
加えてＷ（白色）やＹ（黄色）の画素を適用すると、消費電力を低減することができるた
め好ましい。
表示素子６０ａにおいて、着色層２３２ａと光学調整層２２４ａによるマイクロキャビ
ティ構造の組み合わせにより、本発明の一態様の表示装置１０からは色純度の高い光を取
り出すことができる。光学調整層２２４ａの厚さは、各副画素の色に応じて異なる厚さと
すればよい。また副画素によっては、光学調整層を有さない構成としてもよい。
また、表示素子６０ａが備えるＥＬ層２２２として、白色を発光するＥＬ層を適用する
ことが好ましい。このような表示素子６０ａを適用することで、各副画素にＥＬ層２２２
を塗り分ける必要がないためコストの削減、歩留りの向上を図れるほか、画素部１１の高
精細化が容易となる。また各副画素に厚さの違う光学調整層を設けることにより、各々の
副画素に適した波長の発光を取り出すことができ、色純度を高めることができる。なお、
各副画素に対して、ＥＬ層２２２を塗り分ける構成としてもよく、その場合には光学調整
層または着色層のいずれか一方、または両方を設けない構成としてもよい。またこのとき
、各副画素においてＥＬ層２２２の少なくとも発光層のみを塗り分けて形成し、他の層は
塗り分けずに形成してもよい。
図１６では、端子部１５ａと電気的に接続するＦＰＣ２４１と、端子部１５ｂに電気的
に接続するＦＰＣ２４２が設けられている例を示している。したがって、図１６に示す表
示装置１０は、表示モジュールと呼ぶこともできる。また、ＦＰＣ等が設けられていない
状態の表示装置を、表示パネルと呼ぶこともできる。
端子部１５ａは、接続層２４３を介してＦＰＣ２４１と電気的に接続している。端子部
１５ｂも同様に接続層２４３を介してＦＰＣ２４２と電気的に接続している。
図１６では、端子部１５ａは、配線１６ａと、画素電極３１と同一の導電膜からなる導
電層の積層構造を有する構成を示している。また端子部１５ｂも同様に、配線１６ｂと導
電層の積層構造を有する構成を示している。このように、端子部１５ａ及び端子部１５ｂ
を複数の導電層を積層した構成とすることで、電気抵抗を低減するだけでなく、機械的強
度を高めることができるため好ましい。
接続層２４３としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉ
ｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
ここで、図１６では、ＦＰＣ２４１上にＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式によ
りＩＣ２４４が実装された例を示している。ＩＣ２４４としては、例えばソース駆動回路
として機能するＩＣを用いることができる。
絶縁層２１１及び絶縁層２２１は、水や水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いる
ことが好ましい。すなわち、絶縁層２１１及び絶縁層２２１はバリア膜として機能させる
ことができる。このような構成とすることで、第１の基板１０１や第２の基板１０２とし
て透湿性を有する材料を用いたとしても、表示素子６０ａ等やトランジスタ等に対して外
部から不純物が侵入することを効果的に抑制することが可能となり、信頼性の高い表示装
置を実現できる。
図１６では、第１の基板１０１と第２の基板１０２の間に空間２５０を有する中空封止
構造を有する場合を示している。例えば、空間２５０は、窒素やアルゴンなどの不活性な
気体で充填されていてもよい。なお、封止方法はこれに限られず、固体封止であってもよ
い。
〔変形例１〕
図１７には、トランジスタの構成が異なる例を示している。
トランジスタ６２、トランジスタ２５１、及びトランジスタ２５２には、第２のゲート
電極として機能する導電層２５３が設けられている。すなわち、チャネルが形成される半
導体層を２つのゲート電極で挟持する構成を適用した例を示している。このようなトラン
ジスタは他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることが可能であり、オン電
流を増大させることができる。その結果、高速動作が可能な回路を作製することができる
。さらには回路部の占有面積を縮小することが可能となる。オン電流の大きなトランジス
タを適用することで、表示装置を大型化、または高精細化したときに配線数が増大したと
しても、各配線における信号遅延を低減することが可能であり、表示ムラを抑制すること
が可能である。
〔断面構成例２〕
図１８では、画素部１１を折り曲げて使用する場合に適した表示装置の構成例を示す。
図１８に示す表示装置１０は、第１の基板１０１と第２の基板１０２が封止材２６０に
よって貼り合わされた固体封止構造を有する場合の例を示している。封止材２６０として
は、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹
脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセ
テート）樹脂等の樹脂等を用いることができる。また、樹脂内に乾燥剤が含まれていても
よい。
また第１の基板１０１上に接着層２６１と、接着層２６１上に絶縁層２１６を有し、絶
縁層２１６上にトランジスタや表示素子等が設けられている。絶縁層２１６は絶縁層２１
１及び絶縁層２２１と同様に、水や水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが
できる。
また、第２の基板１０２と絶縁層２２１との間に、接着層２６２を有する。
また、図１８に示すように、絶縁層２１３は画素部１１、回路１２及び回路１３よりも
第１の基板１０１の外周側において、開口部が設けられている。例えば絶縁層２１３とし
て樹脂材料を用いた場合には、画素部１１、回路１２及び回路１３等を囲う開口部を設け
ることが好ましい。このような構成とすることで、絶縁層２１３の外部と接する側面近傍
と、画素部１１、回路１２及び回路１３等と重なる部分とが連続しないため、外部から絶
縁層２１３を介して水、水素などの不純物が拡散することを抑制できる。
図１８に示すように固体封止構造とすることで、第１の基板１０１と第２の基板１０２
の距離を均一に保つことが容易となる。したがって、第１の基板１０１及び第２の基板１
０２として、可撓性を有する基板を好適に用いることができる。したがって、画素部１１
の一部、または全部を曲げて使用することができる。例えば表示装置１０を曲面に貼り付
ける、または表示装置１０の画素部を折り畳むなどすることで、様々な形態の電子機器を
実現することができる。
以上が変形例についての説明である。
〔各構成要素について〕
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
表示装置が有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。発光素子から
の光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セ
ラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
厚さの薄い基板を用いることで、表示装置の軽量化、薄型化を図ることができる。さら
に、可撓性を有する程度の厚さの基板を用いることで、可撓性を有する表示装置を実現で
きる。
ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホ
ウケイ酸ガラス等を用いることができる。
可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度
の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げら
れる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド
樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、ガラス繊維に有機
樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用
することもできる。このような材料を用いた基板は、重量が軽いため、該基板を用いた表
示装置も軽量にすることができる。
また、発光を取り出さない側の基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記に挙
げた基板の他に、金属材料や合金材料を用いた金属基板等を用いることもできる。金属材
料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置の局所
的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。可撓性や曲げ性を得るためには、金属基
板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下である
ことがより好ましい。
金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニ
ッケル、又はアルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いるこ
とができる。
また、導電性の基板の表面を酸化する、又は表面に絶縁膜を形成するなどにより、絶縁
処理が施された基板を用いてもよい。例えば、スピンコート法やディップ法などの塗布法
、電着法、蒸着法、又はスパッタリング法などを用いて絶縁膜を形成してもよいし、酸素
雰囲気で放置する又は加熱するほか、陽極酸化法などによって、基板の表面に酸化膜を形
成してもよい。
可撓性の基板としては、上記材料を用いた層が、表示装置の表面を傷などから保護する
ハードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば
、アラミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による発光
素子の寿命の低下等を抑制するために、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜等の窒素と
珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等の透水性の低い
絶縁膜を有していてもよい。
基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成とする
と、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い表示装置とすることができる。
例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した基板を用
いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好ましく
は２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対する
高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、１０μｍ
以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有機樹脂
層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、機械
的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基板に
適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな表示装置とすることができる。
表示装置１０が有するトランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層
と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート
絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。図１６には、ボトムゲート構造のトランジス
タを適用した場合を示している。
なお、本発明の一態様の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例
えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい
。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。
トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、酸化物半導体、シリコン、
ゲルマニウム等が挙げられる。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
また、トランジスタに用いる半導体材料としては、例えば、１４族の元素、化合物半導
体又は酸化物半導体を半導体層に用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導
体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。
特に、トランジスタのチャネルが形成される半導体に、酸化物半導体を適用することが
好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好
ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を
用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
例えば、上記酸化物半導体として、少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは亜鉛（Ｚｎ
）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、
Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含
む。
特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面
、または半導体層の上面に対し概略垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さ
ない酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルやタッチパネルなどに、このような酸化物半
導体を好適に用いることができる。
また、このような構造を有する酸化物半導体は、エッチング耐性が高いため、例えば導
電膜等に対してエッチング速度の選択比を高くとることができる利点がある。したがって
、このような構造を有する酸化物半導体を用いることで、チャネルエッチ型のトランジス
タを形成することが容易となる。チャネルエッチ型のトランジスタは、チャネル保護型の
トランジスタに比べて、作製工程を減らせるほか、その占有面積を低減することができる
ため、高精細化により適していると言える。
また半導体層としてこのような酸化物半導体を用いることで、電気特性の変動が抑制さ
れ、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
また、その低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に
亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各
表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。そ
の結果、極めて消費電力の低減された表示装置を実現できる。
トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては
、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無
機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法
、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ
（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形
成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。
または、トランジスタのチャネルが形成される半導体に、シリコンを用いることが好ま
しい。シリコンとしてアモルファスシリコンを用いてもよいが、特に結晶性を有するシリ
コンを用いることが好ましい。例えば、微結晶シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコ
ンなどを用いることが好ましい。特に、多結晶シリコンは、単結晶シリコンに比べて低温
で形成でき、且つアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備え
る。このような多結晶半導体を画素に適用することで画素の開口率を向上させることがで
きる。また極めて高精細に画素を有する場合であっても、ゲート駆動回路とソース駆動回
路を画素と同一基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成する部品数を低減す
ることができる。
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、タッチパネルを構成する各種配
線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、
クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、また
はタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造と
して用いる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニ
ウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅
－マグネシウム－アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を
積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チ
タン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層
し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜また
は窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウ
ム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成す
る三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料
を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が
高まるため好ましい。
また、透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、イ
ンジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物または
グラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タ
ングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの
金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒
化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそ
れらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材
料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とイン
ジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
各絶縁層、スペーサ２１５等に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリ
ル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シ
リコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用い
ることもできる。
また上述のように、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられていること
が好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置
の信頼性の低下を抑制できる。
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を
含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、
酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０－５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）
］以下、好ましくは１×１０－６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１
０－７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０－８［ｇ／（ｍ２・ｄ
ａｙ）］以下とする。
接着層や封止層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬
化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤
としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹
脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）
樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等
の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シ
ート等を用いてもよい。
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸
化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を
吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に
侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子
からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、
ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機
ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型
のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる
。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好まし
い。
ＥＬ層２２２は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層２２２は、発光層以外の層として、
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い
物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
ＥＬ層２２２には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無
機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層２２２を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸
着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：
Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添
加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム
、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もし
くはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例
えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる
。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウ
ムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
また、グラフェン等を用いてもよい。
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タング
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又
はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ラン
タン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチ
タンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミ
ニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、
銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む
合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金
属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金
属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記
可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯ
の積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イ
ンクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形
成することができる。
陰極と陽極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極側か
ら正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層におい
て再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
発光素子として、白色発光の発光素子を適用する場合には、ＥＬ層に２種類以上の発光
物質を含む構成とすることが好ましい。例えば２以上の発光物質の各々の発光が補色の関
係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、
それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質、
またはＲ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質のうち、
２以上を含むことが好ましい。また、発光素子からの発光のスペクトルが、可視光領域の
波長（例えば３５０ｎｍ～７５０ｎｍ）の範囲内に２以上のピークを有する発光素子を適
用することが好ましい。また、黄色の波長領域にピークを有する材料の発光スペクトルは
、緑色及び赤色の波長領域にもスペクトル成分を有する材料であることが好ましい。
より好ましくは、ＥＬ層は、一の色を発光する発光材料を含む発光層と、他の色を発光
する発光材料を含む発光層とが積層された構成とすることが好ましい。例えば、ＥＬ層に
おける複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、分離層を介して積層され
ていてもよい。例えば、蛍光発光層と燐光発光層との間に分離層を設ける構成としてもよ
い。
分離層は、例えば燐光発光層中で生成する燐光材料等の励起状態から蛍光発光層中の蛍
光材料等へのデクスター機構によるエネルギー移動（特に三重項エネルギー移動）を防ぐ
ために設けることができる。分離層は数ｎｍ程度の厚さがあればよい。具体的には、０．
１ｎｍ以上２０ｎｍ以下、あるいは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、あるいは１ｎｍ以上５ｎｍ
以下である。分離層は、単一の材料（好ましくはバイポーラ性の物質）、又は複数の材料
（好ましくは正孔輸送性材料及び電子輸送性材料）を含む。
分離層は、該分離層と接する発光層に含まれる材料を用いて形成してもよい。これによ
り、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。例えば、燐光発光層が
、ホスト材料、アシスト材料、及び燐光材料（ゲスト材料）からなる場合、分離層を、該
ホスト材料及びアシスト材料で形成してもよい。上記構成を別言すると、分離層は、燐光
材料を含まない領域を有し、燐光発光層は、燐光材料を含む領域を有する。これにより、
分離層と燐光発光層とを燐光材料の有無で蒸着することが可能となる。また、このような
構成とすることで、分離層と燐光発光層を同じチャンバーで成膜することが可能となる。
これにより、製造コストを削減することができる。
また、発光素子は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、複数のＥＬ層
が電荷発生層を介して積層されたタンデム素子であってもよい。
遮光層２３１に用いることのできる材料としては、カーボンブラック、金属酸化物、複
数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。
着色層２３２ａ等に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は
染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
〔作製方法例〕
ここで、可撓性を有する表示装置を作製する方法について説明する。
ここでは便宜上、画素や回路を含む構成、カラーフィルタ等の光学部材を含む構成を素
子層と呼ぶこととする。素子層は例えば表示素子を含み、表示素子の他に表示素子と電気
的に接続する配線、画素や回路に用いるトランジスタなどの素子を備えていてもよい。
またここでは、素子層が形成される絶縁表面を備える支持体（例えば第１の基板１０１
または第２の基板１０２）のことを、基板と呼ぶこととする。
可撓性を有する絶縁表面を備える基板上に素子層を形成する方法としては、基板上に直
接素子層を形成する方法と、剛性を有する支持基材上に素子層を形成した後、素子層と支
持基材とを剥離して素子層を基板に転置する方法と、がある。
基板を構成する材料が、素子層の形成工程にかかる熱に対して耐熱性を有する場合には
、基板上に直接素子層を形成すると、工程が簡略化されるため好ましい。このとき、基板
を支持基材に固定した状態で素子層を形成すると、装置内、及び装置間における搬送が容
易になるため好ましい。
また、素子層を支持基材上に形成した後に、基板に転置する方法を用いる場合、まず支
持基材上に剥離層と絶縁層を積層し、当該絶縁層上に素子層を形成する。続いて、支持基
材と素子層を剥離し、基板に転置する。このとき、支持基材と剥離層の界面、剥離層と絶
縁層の界面、または剥離層中で剥離が生じるような材料を選択すればよい。
例えば剥離層としてタングステンなどの高融点金属材料を含む層と当該金属材料の酸化
物を含む層を積層して用い、剥離層上の絶縁層として、窒化シリコンや酸窒化シリコンを
複数積層した層を用いることが好ましい。高融点金属材料を用いると、素子層の形成工程
の自由度が高まるため好ましい。
剥離は、機械的な力を加えることや、剥離層をエッチングすること、または剥離界面の
一部に液体を滴下して剥離界面全体に浸透させることなどにより剥離を行ってもよい。ま
たは、熱膨張の違いを利用して剥離界面に熱を加えることにより剥離を行ってもよい。
また、支持基材と絶縁層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
例えば、支持基材としてガラスを用い、絶縁層としてポリイミドなどの有機樹脂を用いて
、有機樹脂の一部をレーザ光等を用いて局所的に加熱することにより剥離の起点を形成し
、ガラスと絶縁層の界面で剥離を行ってもよい。または、支持基材と有機樹脂からなる絶
縁層の間に金属層を設け、当該金属層に電流を流すことにより当該金属層を加熱すること
により、当該金属層と絶縁層の界面で剥離を行ってもよい。または、支持基材と有機樹脂
からなる絶縁層の間に、光を吸収する材料（金属、半導体、絶縁体等）の層を設け、当該
層にレーザ光等の光を照射して局所的に加熱することにより剥離の起点を形成してもよい
。ここで示した方法において、有機樹脂からなる絶縁層は基板として用いることができる
。
可撓性を有する基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリ
エチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエ
ーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン
樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の
低い材料を用いることが好ましく、例えば、熱膨張係数が３０×１０－６／Ｋ以下である
ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、
繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプレグとも記す）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜ
て熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
上記材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物または無機化合物の高強
度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のこ
とを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリア
ミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキ
サゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラ
ス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布
または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を可撓
性を有する基板として用いても良い。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる
構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好まし
い。
または、可撓性を有する程度に薄いガラス、金属などを基板に用いることもできる。ま
たは、ガラスと樹脂材料とが貼り合わされた複合材料を用いてもよい。
例えば、図１８に示す構成の場合、第１の支持基材上に第１の剥離層、絶縁層２１６を
順に形成した後に、それよりも上層の構造物を形成する。またこれとは別に、第２の支持
基材上に第２の剥離層、絶縁層２２１を順に形成した後に、それよりも上層の構造物を形
成する。続いて、第１の支持基材と第２の支持基材を封止材２６０により貼り合せる。そ
の後、第２の剥離層と絶縁層２２１との界面で剥離することで第２の支持基材及び第２の
剥離層を除去し、絶縁層２２１と第２の基板１０２とを接着層２６２により貼り合せる。
また、第１の剥離層と絶縁層２１６との界面で剥離することで第１の支持基材及び第１の
剥離層を除去し、絶縁層２１６と第１の基板１０１とを接着層２６１により貼り合せる。
なお、剥離及び貼り合せはどちら側を先に行ってもよい。
以上が可撓性を有する表示装置を作製する方法についての説明である。
以上が各構成要素についての説明である。
なお、ここでは、表示素子として、発光素子を用いた場合の例を示したが、本発明の一
態様は、これに限定されない。
例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置または
表示パネル、発光素子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用い
ること、又は様々な素子を有することができる。表示素子、表示装置、表示パネル、発光
素子又は発光装置は、例えばＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物及び無機物
を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑
色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトランジスタ）、電
子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬ
Ｖ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル
・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（
デジタル・マイクロ・シャッター）、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インター
フェアレンス・モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方
式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、
カーボンナノチューブを用いた表示装置などの少なくとも一を有している。これらの他に
も、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化す
る表示媒体を有していてもよい。ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディス
プレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッシ
ョンディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃ
ｅ－ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）など
がある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディ
スプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレ
イ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インク、電子粉流体（登録商標）、又は
電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパなどがある。なお、半透過型
液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、また
は、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部
、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場
合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、
さらに、消費電力を低減することができる。なお、ＬＥＤを用いる場合、ＬＥＤの電極や
窒化物半導体の下に、グラフェンやグラファイトを配置してもよい。グラフェンやグラフ
ァイトは、複数の層を重ねて、多層膜としてもよい。このように、グラフェンやグラファ
イトを設けることにより、その上に、窒化物半導体、例えば、結晶を有するｎ型ＧａＮ半
導体層などを容易に成膜することができる。さらに、その上に、結晶を有するｐ型ＧａＮ
半導体層などを設けて、ＬＥＤを構成することができる。なお、グラフェンやグラファイ
トと、結晶を有するｎ型ＧａＮ半導体層との間に、ＡｌＮ層を設けてもよい。なお、ＬＥ
Ｄが有するＧａＮ半導体層は、ＭＯＣＶＤで成膜してもよい。ただし、グラフェンを設け
ることにより、ＬＥＤが有するＧａＮ半導体層は、スパッタ法で成膜することも可能であ
る。
本発明の一態様は上記に限定されない。例えば、本発明の一態様として、画素は２以上
の副画素を有し、画素に２本以上のゲート線が電気的に接続される構成や、１つの画素が
有する複数の副画素のそれぞれに、異なるゲート線が接続される場合の例を示したが、本
発明の一態様は、これらに限定されない。例えば、画素が有する複数の副画素の全てに、
同一のゲート線が接続されていてもよい。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチパネルについて説明する。
［構成例］
図１９（Ａ）は、タッチパネル５０５の斜視図である。また図１９（Ｂ）は、図１９（
Ａ）を展開した斜視概略図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素のみを示してい
る。
タッチパネル５０５は、表示装置１０と、タッチセンサ５９５が設けられた基板５９０
を有する。
表示装置１０の構成は、実施の形態１を援用できる。ここでは表示装置１０の構成要素
として、ＦＰＣ５０９（１）、端子部５１９、配線５１１、回路５０３ｓ等を有する例を
示している。
基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数
の配線５９８を備える。複数の配線５９８は、基板５９０の外周部に引き回され、その一
部は端子として機能する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される
。なお、図１９（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（基板１０１側）に設けら
れるタッチセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。
タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると、同時多点検出が可能となるため好ましい。
以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について説明する。
なお、指やスタイラス等の検知対象の近接または接触を検知することができる様々なセ
ンサを適用することができる。
投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、電極５９１と電極５９２を有する。電極
５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、電極５９２は複数の配線５９８
の他のいずれかと電気的に接続する。
電極５９２は、図１９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数
の四辺形が角部で接続された形状を有する。
電極５９１は四辺形であり、電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置
されている。
配線５９４は、電極５９２を挟む二つの電極５９１を電気的に接続する。このとき、電
極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これによ
り、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結
果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
なお、電極５９１、電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例え
ば、複数の電極５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極５
９２を、電極５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよ
い。このとき、隣接する２つの電極５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー
電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
タッチセンサ５９５は、基板５９０、基板５９０上に千鳥状に配置された電極５９１及
び電極５９２、電極５９１及び電極５９２を覆う絶縁層、並びに隣り合う電極５９１を電
気的に接続する配線５９４を備える。
接着層５９７は、タッチセンサ５９５が表示部５０１に重なるように、基板５９０を基
板５７０に貼り合わせている。
電極５９１及び電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有
する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物
、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。な
お、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形
成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法として
は、熱を加える方法等を挙げることができる。
また、電極５９１及び電極５９２をそれぞれメッシュ状の形状とし、メッシュの開口と
発光素子とが互いに重なるように配置してもよい。このとき、電極５９１及び電極５９２
に導電性の低い金属や合金などの材料を用いることができる。
なお、電極５９１及び電極５９２などの導電膜、つまり、タッチパネルを構成する配線
や電極に用いることのできる材料として、例えば、抵抗値が低いものが望ましい。一例と
して、銀、銅、アルミニウム、カーボンナノチューブ、グラフェン、ハロゲン化金属（ハ
ロゲン化銀など）などを用いてもよい。さらに、非常に細くした（例えば、直径が数ナノ
メール）多数の導電体を用いて構成されるような金属ナノワイヤを用いてもよい。または
、導電体を網目状にした金属メッシュを用いてもよい。一例としては、Ａｇナノワイヤや
、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ、Ａｇメッシュや、Ｃｕメッシュ、Ａｌメッシュなど
を用いてもよい。Ａｇナノワイヤの場合、光透過率は８９％以上、シート抵抗値は４０以
上１００以下Ω／□を実現することができる。なお、透過率が高いため、表示素子に用い
る電極、例えば、画素電極や共通電極に、金属ナノワイヤ、金属メッシュ、カーボンナノ
チューブ、グラフェンなどを用いてもよい。
一の電極５９２は一方向に延在し、複数の電極５９２がストライプ状に設けられている
。
配線５９４は電極５９２と交差して設けられている。
一対の電極５９１が一の電極５９２を挟んで設けられ、配線５９４は一対の電極５９１
を電気的に接続している。
なお、複数の電極５９１は、一の電極５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要
はなく、９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
一の配線５９８は、電極５９１又は電極５９２と電気的に接続される。配線５９８の一
部は、端子として機能する。配線５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀
、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラ
ジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
また、接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。接続層
５９９としては、様々な異方性導電フィルムや、異方性導電ペーストなどを用いることが
できる。
なお、ここでは、タッチセンサ５９５を備える基板５９０を、表示装置１０に重ねる構
成を示したが、これに限られない。例えば、第２の基板１０２の第１の基板１０１とは反
対側の面に、タッチセンサ５９５を形成する構成としてもよい。または、第１の基板１０
１と第２の基板１０２の間に、タッチセンサ５９５を設ける構成としてもよい。このとき
、例えば着色層と第２の基板１０２の間にタッチセンサ５９５を設ける構成とすることが
好ましい。
また、第１の基板１０１、第２の基板１０２、基板５９０に可撓性を有する材料を用い
ると、画素部を曲げて用いることのできるタッチパネルを実現できる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチパネルの駆動方法の例について、図面を参
照して説明する。
［センサの検知方法の例］
図２０（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図２０
（Ａ）では、パルス電圧出力回路６０１、電流検出回路６０２を示している。なお図２０
（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極６２１、電流の変化を検知する電極６２２をそ
れぞれ、Ｘ１－Ｘ６、Ｙ１－Ｙ６のそれぞれ６本の配線として示している。また図２０（
Ａ）は、電極６２１および電極６２２の間に形成される容量６０３を図示している。なお
、電極６２１と電極６２２とはその機能を互いに置き換えてもよい。
パルス電圧出力回路６０１は、Ｘ１－Ｘ６の配線に順にパルスを印加するための回路で
ある。Ｘ１－Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量６０３を形成する電極６
２１および電極６２２は電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等により容量６０
３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出す
ることができる。
電流検出回路６０２は、容量６０３での相互容量の変化による、Ｙ１～Ｙ６の配線での
電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１－Ｙ６の配線では、被検知体の近接、また
は接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触
により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は
、積分回路等を用いて行えばよい。
次いで図２０（Ｂ）には、図２０（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入
出力波形のタイミングチャートを示す。図２０（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行うものとする。また図２０（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（
非タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。な
おＹ１－Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示して
いる。
Ｘ１－Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１－
Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１－Ｘ６
の配線の電圧の変化に応じてＹ１－Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。
このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知
することができる。
また、図２０（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量６０３のみを設けるパ
ッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブ型
のタッチセンサとしてもよい。図２１にアクティブ型のタッチセンサに含まれる一つのセ
ンサ回路の例を示している。
センサ回路は容量６０３と、トランジスタ６１１と、トランジスタ６１２と、トランジ
スタ６１３とを有する。トランジスタ６１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソース又は
ドレインの一方に電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量６０３の一方の電極およびトラン
ジスタ６１１のゲートと電気的に接続する。トランジスタ６１１はソース又はドレインの
一方がトランジスタ６１２のソース又はドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧Ｖ
ＳＳが与えられる。トランジスタ６１２はゲートに信号Ｇ１が与えられ、ソース又はドレ
インの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量６０３の他方の電極には電圧ＶＳＳが与
えられる。
続いて、センサ回路の動作について説明する。まず信号Ｇ２としてトランジスタ６１３
をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ６１１のゲートが接続されるノ
ードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次いで信号Ｇ２としてトランジスタ
６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が保持される。
続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量６０３の相互容量が変化するこ
とに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ６１２をオン状態とする電位を与える。ノー
ドｎの電位に応じてトランジスタ６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電流が
変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出することが
できる。
トランジスタ６１１、トランジスタ６１２、トランジスタ６１３としては、チャネルが
形成される半導体層に酸化物半導体を適用したトランジスタを用いることが好ましい。特
にトランジスタ６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位
を長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（
リフレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説明
する。
本発明の一態様の表示装置を用いて、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。
本発明の一態様の表示装置を用いて、曲面を有し、信頼性の高い電子機器や照明装置を作
製できる。また、本発明の一態様の表示装置を用いて、可撓性を有し、信頼性の高い電子
機器や照明装置を作製できる。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機とも
いう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタ
ルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、
携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
また、本発明の一態様の電子機器又は照明装置は可撓性を有する場合、家屋やビルの内
壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能で
ある。
また、本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を
用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイ
オンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機
ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられ
る。
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信す
ることで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器が二次電池
を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
図２２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に、湾曲した表示部７０
００を有する電子機器の一例を示す。表示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、
湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。なお、表示部７０００は可撓性を有し
ていてもよい。
表示部７０００は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。本発明の一態様
により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
図２２（Ａ）に携帯電話機の一例を示す。携帯電話機７１００は、筐体７１０１、表示
部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ７１０５、マイク
７１０６等を有する。
図２２（Ａ）に示す携帯電話機７１００は、表示部７０００にタッチセンサを備える。
電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示
部７０００に触れることで行うことができる。
また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７０００
に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイ
ンメニュー画面に切り替えることができる。
図２２（Ｂ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７２００は、筐体７
２０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７２０３により筐体７
２０１を支持した構成を示している。
図２２（Ｂ）に示すテレビジョン装置７２００の操作は、筐体７２０１が備える操作ス
イッチや、別体のリモコン操作機７２１１により行うことができる。または、表示部７０
００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作して
もよい。リモコン操作機７２１１は、当該リモコン操作機７２１１から出力する情報を表
示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７２１１が備える操作キー又はタッチ
パネルにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される
映像を操作することができる。
なお、テレビジョン装置７２００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機
により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線
による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向
（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
図２２（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に携帯情報端末の一例を示す。各携帯情報
端末は、筐体７３０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポー
ト、スピーカ、マイク、アンテナ、又はバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００
にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部７００
０に触れることで行うことができる。
図２２（Ｃ１）は、携帯情報端末７３００の斜視図であり、図２２（Ｃ２）は携帯情報
端末７３００の上面図である。図２２（Ｄ）は、携帯情報端末７３１０の斜視図である。
図２２（Ｅ）は、携帯情報端末７３２０の斜視図である。
本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳又は情報閲覧装置等か
ら選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用
いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メ
ール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種
々のアプリケーションを実行することができる。
携帯情報端末７３００、携帯情報端末７３１０及び携帯情報端末７３２０は、文字や画
像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、図２２（Ｃ１）、（Ｄ）に示す
ように、３つの操作ボタン７３０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７３０３を他の面
に表示することができる。図２２（Ｃ１）、（Ｃ２）では、携帯情報端末の上側に情報が
表示される例を示し、図２２（Ｄ）では、携帯情報端末の横側に情報が表示される例を示
す。また、携帯情報端末の３面以上に情報を表示してもよく、図２２（Ｅ）では、情報７
３０４、情報７３０５、情報７３０６がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。
なお、情報の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知
、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名
、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報が表示さ
れている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。
例えば、携帯情報端末７３００の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末７３００
を収納した状態で、その表示（ここでは情報７３０３）を確認することができる。
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末７３００の
上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７３００をポケットから取
り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
図２２（Ｆ）～（Ｈ）に、湾曲した発光部を有する照明装置の一例を示している。
図２２（Ｆ）～（Ｈ）に示す各照明装置が有する発光部は、本発明の一態様の表示装置
等を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高
い照明装置を提供できる。
図２２（Ｆ）に示す照明装置７４００は、波状の発光面を有する発光部７４０２を備え
る。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
図２２（Ｇ）に示す照明装置７４１０の備える発光部７４１２は、凸状に湾曲した２つ
の発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７４１０を中心に
全方位を照らすことができる。
図２２（Ｈ）に示す照明装置７４２０は、凹状に湾曲した発光部７４２２を備える。し
たがって、発光部７４２２からの発光を、照明装置７４２０の前面に集光するため、特定
の範囲を明るく照らす場合に適している。また、このような形態とすることで、影ができ
にくいという効果を奏する。
また、照明装置７４００、照明装置７４１０及び照明装置７４２０の備える各々の発光
部は可撓性を有していてもよい。発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材で固
定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
照明装置７４００、照明装置７４１０及び照明装置７４２０は、それぞれ、操作スイッ
チ７４０３を備える台部７４０１と、台部７４０１に支持される発光部を有する。
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部
を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発
光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明る
く照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
図２３（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）～（Ｉ）に、可撓性を有する表示部７００１を有す
る携帯情報端末の一例を示す。
表示部７００１は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。例えば、曲率半
径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置等を適用できる。また
、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れるこ
とで携帯情報端末を操作することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する表示
部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
図２３（Ａ１）は、携帯情報端末の一例を示す斜視図であり、図２３（Ａ２）は、携帯
情報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末７５００は、筐体７５０１、表示部７
００１、引き出し部材７５０２、操作ボタン７５０３等を有する。
携帯情報端末７５００は、筐体７５０１内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部
７００１を有する。
また、携帯情報端末７５００は内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受信
した映像を表示部７００１に表示することができる。また、携帯情報端末７５００にはバ
ッテリが内蔵されている。また、筐体７５０１にコネクターを接続する端子部を備え、映
像信号や電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
また、操作ボタン７５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替
え等を行うことができる。なお、図２３（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）では、携帯情報端末
７５００の側面に操作ボタン７５０３を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報
端末７５００の表示面と同じ面（おもて面）や、裏面に配置してもよい。
図２３（Ｂ）には、表示部７００１を引き出し部材７５０２により引き出した状態の携
帯情報端末７５００を示す。この状態で表示部７００１に映像を表示することができる。
また、表示部７００１の一部がロール状に巻かれた図２３（Ａ１）の状態と表示部７００
１を引き出し部材７５０２により引き出した図２３（Ｂ）の状態とで、携帯情報端末７５
００が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図２３（Ａ１）の状態のときに、表
示部７００１のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末７５００の
消費電力を下げることができる。
なお、表示部７００１を引き出した際に表示部７００１の表示面が平面状となるように
固定するため、表示部７００１の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によ
って音声を出力する構成としてもよい。
図２３（Ｃ）～（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図２３（Ｃ）
では、展開した状態、図２３（Ｄ）では、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から
他方に変化する途中の状態、図２３（Ｅ）では、折りたたんだ状態の携帯情報端末７６０
０を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態
では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。
表示部７００１はヒンジ７６０２によって連結された３つの筐体７６０１に支持されて
いる。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情報
端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。
図２３（Ｆ）、（Ｇ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図２３（Ｆ）
では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図２３（Ｇ）では、表示部
７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報
端末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を
使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１
の汚れや傷つきを抑制できる。
図２３（Ｈ）に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７７００は
、筐体７７０１及び表示部７００１を有する。さらに、入力手段であるボタン７７０３ａ
、７７０３ｂ、音声出力手段であるスピーカ７７０４ａ、７７０４ｂ、外部接続ポート７
７０５、マイク７７０６等を有していてもよい。また、携帯情報端末７７００は、可撓性
を有するバッテリ７７０９を搭載することができる。バッテリ７７０９は例えば表示部７
００１と重ねて配置してもよい。
筐体７７０１、表示部７００１、及びバッテリ７７０９は可撓性を有する。そのため、
携帯情報端末７７００を所望の形状に湾曲させることや、携帯情報端末７７００に捻りを
加えることが容易である。例えば、携帯情報端末７７００は、表示部７００１が内側又は
外側になるように折り曲げて使用することができる。または、携帯情報端末７７００をロ
ール状に巻いた状態で使用することもできる。このように筐体７７０１及び表示部７００
１を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末７７００は、落下した場合、又
は意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。
また、携帯情報端末７７００は軽量であるため、筐体７７０１の上部をクリップ等で把
持してぶら下げて使用する、又は、筐体７７０１を磁石等で壁面に固定して使用するなど
、様々な状況において利便性良く使用することができる。
図２３（Ｉ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バン
ド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バ
ンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を
有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７０
０１やバンド７８０１と重ねて配置してもよい。
バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため
、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。
操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オ
フ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を
持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティング
システムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。
また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケ
ーションを起動することができる。
また、携帯情報端末７８００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能
である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリー
で通話することもできる。
また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７
８０２を有する場合、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うこ
とができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の
形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により
行ってもよい。
図２４（Ａ）に自動車９７００の外観を示す。図２４（Ｂ）に自動車９７００の運転席
を示す。自動車９７００は、車体９７０１、車輪９７０２、ダッシュボード９７０３、ラ
イト９７０４等を有する。本発明の一態様の表示装置は、自動車９７００の表示部などに
用いることができる。例えば、図２４（Ｂ）に示す表示部９７１０乃至表示部９７１５に
本発明の一態様の表示装置を設けることができる。
表示部９７１０と表示部９７１１は、自動車のフロントガラスに設けられた表示装置で
ある。本発明の一態様の表示装置は、表示装置が有する電極を、透光性を有する導電性材
料で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置
とすることができる。シースルー状態の表示装置であれば、自動車９７００の運転時にも
視界の妨げになることがない。よって、本発明の一態様の表示装置を自動車９７００のフ
ロントガラスに設置することができる。なお、表示装置に、表示装置を駆動するためのト
ランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料を用いた有機トランジスタや、酸化物
半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いるとよい。
表示部９７１２はピラー部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた
撮像手段からの映像を表示部９７１２に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を
補完することができる。表示部９７１３はダッシュボード部分に設けられた表示装置であ
る。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１３に映し出すことによ
って、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側
に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高める
ことができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和
感なく安全確認を行うことができる。
また、図２４（Ｃ）は、運転席と助手席にベンチシートを採用した自動車の室内を示し
ている。表示部９７２１は、ドア部に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けら
れた撮像手段からの映像を表示部９７２１に映し出すことによって、ドアで遮られた視界
を補完することができる。また、表示部９７２２は、ハンドルに設けられた表示装置であ
る。表示部９７２３は、ベンチシートの座面の中央部に設けられた表示装置である。なお
、表示装置を座面や背もたれ部分などに設置して、当該表示装置を、当該表示装置の発熱
を熱源としたシートヒーターとして利用することもできる。
表示部９７１４、表示部９７１５、または表示部９７２２はナビゲーション情報、スピ
ードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その
他様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目やレイアウト
などは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部
９７１０乃至表示部９７１３、表示部９７２１、表示部９７２３にも表示することができ
る。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は照
明装置として用いることも可能である。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示
部９７２１乃至表示部９７２３は加熱装置として用いることも可能である。
本発明の一態様の表示装置が適用される表示部は平面であってもよい。この場合、本発
明の一態様の表示装置は、曲面や可撓性を有さない構成であってもよい。
図２４（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、筐体９０１、筐体９０２、表示部９０３、表示
部９０４、マイクロフォン９０５、スピーカ９０６、操作キー９０７、スタイラス９０８
等を有する。
図２４（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、２つの表示部（表示部９０３と表示部９０４）
を有する。なお、本発明の一態様の電子機器が有する表示部の数は、２つに限定されず１
つであっても３つ以上であってもよい。電子機器が複数の表示部を有する場合、少なくと
も１つの表示部が本発明の一態様の表示装置を有していればよい。
図２４（Ｅ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体９２１、表示部９２２、
キーボード９２３、ポインティングデバイス９２４等を有する。
表示部９２２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
図２５（Ａ）に、カメラ８０００の外観を示す。カメラ８０００は、筐体８００１、表
示部８００２、操作ボタン８００３、シャッターボタン８００４、結合部８００５等を有
する。またカメラ８０００には、レンズ８００６を取り付けることができる。
結合部８００５は、電極を有し、後述するファインダー８１００のほか、ストロボ装置
等を接続することができる。
ここではカメラ８０００として、レンズ８００６を筐体８００１から取り外して交換す
ることが可能な構成としたが、レンズ８００６と筐体８００１が一体となっていてもよい
。
シャッターボタン８００４を押すことにより、撮像することができる。また、表示部８
００２はタッチパネルとしての機能を有し、表示部８００２をタッチすることにより撮像
することも可能である。
表示部８００２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
図２５（Ｂ）には、カメラ８０００にファインダー８１００を取り付けた場合の例を示
している。
ファインダー８１００は、筐体８１０１、表示部８１０２、ボタン８１０３等を有する
。
筐体８１０１には、カメラ８０００の結合部８００５と係合する結合部を有しており、
ファインダー８１００をカメラ８０００に取り付けることができる。また当該結合部には
電極を有し、当該電極を介してカメラ８０００から受信した映像等を表示部８１０２に表
示させることができる。
ボタン８１０３は、電源ボタンとしての機能を有する。ボタン８１０３により、表示部
８１０２の表示のオン・オフを切り替えることができる。
表示部８１０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
なお、図２５（Ａ）（Ｂ）では、カメラ８０００とファインダー８１００とを別の電子
機器とし、これらを脱着可能な構成としたが、カメラ８０００の筐体８００１に、本発明
の一態様の表示装置を備えるファインダーが内蔵されていてもよい。
図２５（Ｃ）には、ヘッドマウントディスプレイ８２００の外観を示している。
ヘッドマウントディスプレイ８２００は、装着部８２０１、レンズ８２０２、本体８２
０３、表示部８２０４、ケーブル８２０５等を有している。また装着部８２０１には、バ
ッテリ８２０６が内蔵されている。
ケーブル８２０５は、バッテリ８２０６から本体８２０３に電力を供給する。本体８２
０３は無線受信機等を備え、受信した画像データ等の映像情報を表示部８２０４に表示さ
せることができる。また、本体８２０３に設けられたカメラで使用者の眼球やまぶたの動
きを捉え、その情報をもとに使用者の視点の座標を算出することにより、使用者の視点を
入力手段として用いることができる。
また、装着部８２０１には、使用者に触れる位置に複数の電極が設けられていてもよい
。本体８２０３は使用者の眼球の動きに伴って電極に流れる電流を検知することにより、
使用者の視点を認識する機能を有していてもよい。また、当該電極に流れる電流を検知す
ることにより、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。また、装着部８２０
１には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有していてもよく、使
用者の生体情報を表示部８２０４に表示する機能を有していてもよい。また、使用者の頭
部の動きなどを検出し、表示部８２０４に表示する映像をその動きに合わせて変化させて
もよい。
表示部８２０４に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
以下では、本発明の一態様の表示パネル（表示装置）を作製した。
本実施例で作製した表示パネルは、ガラス基板上にトランジスタと、発光素子を形成し
、着色層を形成した他のガラス基板を貼り合せることにより作製した。
トランジスタには、ＣＡＡＣ－ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌ
ｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いたトランジスタを適用した
。ＣＡＡＣ－ＯＳは非晶質とは異なり、欠陥準位が少なく、トランジスタの信頼性を高め
ることができる。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは結晶粒界が確認されないという特徴を有するた
め、大面積に安定で均一な膜を形成することが可能で、また可撓性を有する発光装置を湾
曲させたときの応力によってＣＡＡＣ－ＯＳ膜にクラックが生じにくい。
ＣＡＡＣ－ＯＳは、膜面に対して、結晶のｃ軸が概略垂直配向した結晶性酸化物半導体
のことである。酸化物半導体の結晶構造としては他にナノスケールの微結晶集合体である
ｎａｎｏ－ｃｒｙｓｔａｌ（ｎｃ）など、単結晶とは異なる多彩な構造が存在することが
確認されている。ＣＡＡＣ－ＯＳは、単結晶よりも結晶性が低く、ｎｃに比べて結晶性が
高い。
本実施例では、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物を用いたチャネルエッチ型のトランジスタを
用いた。該トランジスタは、ガラス基板上で５００℃未満のプロセスで作製した。
プラスチック基板等の有機樹脂上に直接トランジスタ等の素子を作製する方法では、素
子の作製工程の温度を、有機樹脂の耐熱温度よりも低くしなくてはならない。本実施例で
は、作製基板がガラス基板であり、また、無機膜である剥離層の耐熱性が高いため、ガラ
ス基板上にトランジスタを作製する場合と同じ温度でトランジスタを作製することができ
、トランジスタの性能、信頼性を容易に確保できる。
図２６に、作製したトランジスタのＩｄ－Ｖｇ特性を示す。トランジスタは、１．５μ
ｍのデザインルールを採用し、チャネル幅が約２μｍ、チャネル長が約３．２５μｍであ
る。また測定はソース－ドレイン間の電圧を０．１Ｖと１０Ｖの２条件で行った。図２６
に示すように、本実施例で作製したトランジスタは、チャネル長及びチャネル幅が微細で
あるにも関わらず、ノーマリーオフの特性が得られ、且つ均一性も高いことが確認できた
。また、ゲート電圧が０Ｖ以下の範囲のドレイン電流が極めて小さいことも確認できた。
発光素子には、白色の光を呈するタンデム（積層）型の有機ＥＬ素子を用いた。発光素
子はトップエミッション構造であり、発光素子の光は、カラーフィルタを通して発光パネ
ルの外部に取り出される。画素の構成は図５（Ａ）で例示した構成を適用した。また画素
のレイアウトは図１４（Ａ）（Ｂ）で例示した構成を適用した。
作製した表示パネルは、表示部のサイズが対角２．７８ｉｎｃｈ、画素数が２５６０×
１４４０、精細度（画素密度）が１０５８ｐｐｉ、画素のサイズが２４μｍ×２４μｍ（
８μｍ×ＲＧＢ×２４μｍ）、開口率が３０．４％である。またフレーム周波数は６０Ｈ
ｚであり、スキャンドライバを内蔵し、ソースドライバはＣＯＦ方式により実装した。
図２７（Ａ）に、作製した表示パネルの写真を示す。ガラス基板上の薄膜トランジスタ
を用いたディスプレイとしては、極めて高精細である１０５８ｐｐｉの精細度を有する。
また図２７（Ｂ）には、レンズ越しに表示パネルを見たときの写真を示す。極めて高精
細であるため、拡大しても画素が視認されず、画面細部まで緻密な表現が可能となる。例
えばビューファインダ等の用途に用いることができる。
以上が実施例１についての説明である。
以下では、表示パネルの色再現性について検討した。
発光素子として、２以上の発光ユニットを積層したタンデム構造を用いた場合、２つの
発光ユニット間に導電性の高い中間層を適用すると、駆動電圧を低減することができる。
しかし、画素の精細度が高まると、隣接画素間において当該中間層を介して電流が回り込
んでしまうといった影響がある。その結果、本来発光しない隣接の画素が発光することに
より、色再現性が低下してしまうといった問題がある。このような現象をクロストークと
も呼ぶことができる。
図２８に、発光素子の積層構造の概略図を示す。発光素子は、２つの発光ユニットが積
層されたタンデム構造を有している。発光素子は、青色の蛍光材料を含む発光層を有する
発光ユニットと、緑色の燐光材料を含む発光層と、赤色の燐光材料を含む発光層と、を有
する発光ユニットとを有する。発光素子は、青色の蛍光材料を含む発光層と、緑色の燐光
材料を含む発光層と、の間に、中間層を有する。
本実施例で用いた発光素子は、中間層に、導電性の高い酸化リチウムを含む層と、電子
輸送性の材料を含む層（電子輸送層ともいう）の積層構造を有する構成とした。電子輸送
層は酸化リチウムを含む層と陽極の間に位置するように形成した。
本実施例では以下の２つの対策により、クロストークの影響の抑制を試みた。
一つは、隣接画素間にギャップスペーサ（図１６におけるスペーサ２１５に相当）を配
置する対策である。ギャップスペーサの側面において、中間層の厚さが薄くなることによ
り抵抗が増大し、隣接画素間で中間層を介して電流が流れることを抑制できることが期待
される。
もう一つは、中間層の構成を変更する対策である。クロストークの影響を抑制するため
に、導電性の高い酸化リチウムを含む層の厚さを薄くし、中間層の導電性を低下させるこ
とが考えられたが、導電性の高い酸化リチウムを含む層の厚さは極めて薄く（約０．１ｎ
ｍ）形成されているため、この厚さをさらに薄くして発光素子を作製することは膜厚制御
の観点から困難であった。また酸化リチウムを含む層をこれ以上薄膜化すると、発光素子
の駆動電圧の上昇を招く恐れがあった。そこで検討した結果、酸化リチウムを含む層に含
まれるリチウムは、電子輸送層に拡散する傾向があることが確認された。したがって、導
電性の高い酸化リチウムを含む層の厚さを薄くするのではなく、これと接する電子輸送層
の厚さを約１５ｎｍから約１０ｎｍに薄く形成することを試みた。
本実施例では、上記実施例１と同様の方法により、以下の３種類の試料（表示パネル）
を作製した。比較試料１（Ｒｅｆ．１）は、ギャップスペーサを設けない表示パネルであ
り、試料１（ｓａｍｐｌｅ１）は、ギャップスペーサを設けた表示パネルであり、試料２
（Ｓａｍｐｌｅ２）は、ギャップスペーサを設けずに発光素子の中間層の構造の最適化を
行った表示パネルである。
図２９（Ａ）に、比較試料１と試料１についての色度図を示す。また図２９（Ｂ）に、
試料２についての色度図を示す。
図２９（Ａ）に示すように、ギャップスペーサを設けた試料１では、これを設けない比
較試料１に対して色再現性が向上していることが確認できた。同様に、図２９（Ｂ）で示
すように、中間層の構成を変更したものについても、色再現性が向上していることが確認
できた。
図３０に、各試料のＮＴＳＣ比の輝度依存性を示す。図３０に示すように、クロストー
クの影響は高輝度側よりも低輝度側で顕著になる傾向があることが分かった。また、比較
試料１に対して、試料１及び試料２では、いずれも輝度に対するＮＴＳＣ比の変化量が抑
えられていることが分かった。したがって、試料１及び試料２は、いずれも色再現性に優
れた表示パネルであることが確認できた。
以上のように、ギャップスペーサを設けることでクロストークの影響を抑制することが
可能である。また、基板間のギャップを小さくし、視野角依存性が抑えられた表示パネル
を作製する場合には、ギャップスペーサを設けることなく、試料２のように中間層の構成
を変更する対策を適用することが効果的である。本実施例で作製した表示パネルにおいて
、ギャップスペーサを設けない試料２のＮＴＳＣ比は、輝度が１００ｃｄ／ｍ２以上の範
囲で約８８％と高い値であった。
以上が実施例２についての説明である。
本実施例では、本発明の一態様の表示パネルを作製し、色再現性及び視野角依存につい
て調べた。
本実施例では、上記実施例１と同様の方法により以下の３種類の試料（表示パネル）を
作製した。比較試料２（Ｒｅｆ．２）は、ギャップスペーサを設けない表示パネルであり
、試料３（Ｓａｍｐｌｅ３）は、ギャップスペーサを設けた表示パネルであり、試料４（
Ｓａｍｐｌｅ４）は、ギャップスペーサを設けずに、発光素子の電子輸送層の導電性を低
下させる対策を行った表示パネルである。
さらに、本実施例では、上記試料３、試料４及び比較試料２よりも精細度の低い比較試
料３（Ｒｅｆ．３）を作製した。比較試料３として用いた表示パネルは、表示部のサイズ
が対角９．２ｉｎｃｈ、画素数が１０８０×１９２０、精細度（画素密度）が２３８ｐｐ
ｉ、画素のサイズが１０６．５μｍ×１０６．５μｍ（３５．５μｍ×ＲＧＢ×１０６．
５μｍ）、開口率が５６．０％である。また、比較試料３は、試料３と同様にギャップス
ペーサを設けた表示パネルである。また、比較試料３は、Ｒ、Ｇ、Ｂの副画素の画素電極
がそれぞれずれることなく一方向に配列する、ストライプ配置を有する。比較試料３は、
フォトマスクが異なる以外は上記実施例１と同様の方法により作製した。
図３１に、作製したトランジスタのＩｄ－Ｖｇ特性の例を示す。図３１に特性を示すト
ランジスタは、チャネルが形成される半導体にＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物を適用した、チ
ャネルエッチ構造のトランジスタである。またトランジスタは、半導体を挟んで電気的に
接続された第１のゲートと第２のゲートを有する構造とした。トランジスタは、チャネル
幅が約３μｍ、チャネル長が約３μｍである。測定は、ソース－ドレイン間の電圧を０．
１Ｖと２０Ｖの２条件とし、ソース－ゲート間の電圧を－１５Ｖから２０Ｖまで掃引させ
た。また図３１には、ソース－ドレイン間の電圧が２０Ｖであるときのデータから算出し
た電界効果移動度を合わせて示している。図３１に示すように、トランジスタのばらつき
は極めて小さいノーマリーオフの特性を示すことが確認できた。また電界効果移動度は、
最大約３０ｃｍ２／Ｖｓと高い値であった。
図３２（Ａ）に各試料のＮＴＳＣ比の輝度依存性を示す。図３２（Ａ）に示すように、
比較試料２に対して、試料３及び試料４では、いずれも輝度に対するＮＴＳＣ比の変動量
が抑えられていることが分かった。
図３２（Ｂ）に、各試料の色度図を示す。図３２（Ｂ）に示すように、比較試料２に対
して、試料３及び試料４では、いずれも色再現性が向上していることが確認できた。
以上のことから、ギャップスペーサを設けること、及び発光素子の電子輸送層の導電性
を低下させること、の両方で色再現性の向上が見られることが確認できた。
続いて、試料３及び試料４について、色度の視野角依存性を測定した。色度の視野角依
存性は、まず表示パネルの表面に垂直な方向を０度としたときに、－６０度、－３０度、
０度、３０度、６０度の５点について輝度のスペクトルを測定した。その後当該スペクト
ルからそれぞれの角度に対して色度を算出した。輝度のスペクトルは、表示パネルに赤色
、緑色、青色、及び白色の４通りの表示をさせたときについて測定を行った。また色度の
視野角依存性は、表示パネルの同色画素が配列している方向に平行な方向と、これに垂直
な方向の２通りについて測定した。
また、比較試料３についても、色度の視野角依存性を測定した。比較試料３では、－６
０度、－４５度、－３０度、０度、３０度、４５度、６０度の７点について測定した。
図３３（Ａ）に比較試料３の色度の視野角依存性を示す。また図３３（Ｂ）に試料３の
色度の視野角依存性を示す。図３３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、同色画素の配列方向に対
して垂直な方向の測定結果である。図３３（Ａ）、（Ｂ）において、横軸は角度であり、
縦軸は０度のデータを基準としたときの色度の変化の割合である。
図３３（Ｂ）に示すように、試料３では、視野角が大きくなるにつれて色度が変化する
現象が確認された。一方、図３３（Ａ）に示すように、比較試料３では、試料３よりも変
化が小さい傾向が確認できた。また特に、異なる色の画素の配列方向に平行な方向の色度
の視野角依存性が顕著である。この現象は、ギャップスペーサを設けることにより発光素
子とカラーフィルタとの距離が大きくなることで、発光素子からの光が隣接画素のカラー
フィルタを介して射出されやすくなっていることに起因すると考えらえる。また特に、図
３３（Ａ）、（Ｂ）より極めて高い精細度の表示パネルでは、ギャップスペーサの視野角
依存性への影響が顕著であり、精細度の比較的低い表示パネルでは、ギャップスペーサの
視野角依存性への影響はほとんどないことが確認できた。
図３４（Ａ）、（Ｂ）には、試料４の色度の視野角依存性の測定結果を示す。図３４（
Ａ）は同色画素の配列方向に平行な方向の測定結果であり、図３４（Ｂ）は、これに垂直
な方向の測定結果である。
図３４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ギャップスペーサを設けずに発光素子の電子輸送
層の導電性を低下させる対策によりクロストークの低減を図った試料４では、色度の視野
角依存性が試料３と比較して格段に低減されていることが確認できた。
以上のことから、発光素子の電子輸送層の導電性を低下させる対策を行うことにより、
高い色再現性と、低い色度の視野角依存性を両立した、極めて高精細な表示パネルを作製
することができた。
以上が実施例３についての説明である。
１０ 表示装置
１１ 画素部
１２ 回路
１３ 回路
１４ 回路
１５ａ 端子部
１５ｂ 端子部
１６ａ 配線
１６ｂ 配線
１６ｃ 配線
２０ 画素ユニット
２１ａ 画素
２１ｂ 画素
２２ 表示領域
３０ａ 直線
３０ｂ 直線
３０ｃ 長方形
３０ｄ 長方形
３１ 画素電極
３１ａ 画素電極
３１ｂ 画素電極
３２ａ 画素電極
３２ｂ 画素電極
３３ａ 画素電極
３３ｂ 画素電極
４１ａ 画素回路
４１ｂ 画素回路
４２ａ 画素回路
４２ｂ 画素回路
４３ａ 画素回路
４３ｂ 画素回路
５１ 配線
５１ａ 配線
５１ｂ 配線
５２ 配線
５２ａ 配線
５２ｂ 配線
５２ｃ 配線
５２ｄ 配線
５３Ｓ 配線群
５３ 配線
５３ａ 配線
５３ｂ 配線
５３ｃ 配線
５４ 配線
５５ 配線
５７ 配線
６０ 表示素子
６０ａ 表示素子
６０ｂ 表示素子
６１ トランジスタ
６２ トランジスタ
６３ 容量素子
６４ トランジスタ
７１ａ 副画素
７１ｂ 副画素
７２ａ 副画素
７２ｂ 副画素
７３ａ 副画素
７３ｂ 副画素
８０ 回路
８１ トランジスタ
８２ トランジスタ
８３ 配線
８４ 配線
８５ 端子
８６ 出力端子
９１＿１～５ 配線
９２＿１～２ 配線
９３＿１～６ トランジスタ
９４ 容量素子
９５ 表示素子
９６＿１～３ 配線
９７＿１～３ 配線
９８＿１～６ トランジスタ
１０１ 基板
１０２ 基板
２１１ 絶縁層
２１２ 絶縁層
２１３ 絶縁層
２１４ 絶縁層
２１５ スペーサ
２１６ 絶縁層
２２０ 接着層
２２１ 絶縁層
２２２ ＥＬ層
２２３ 電極
２２４ａ 光学調整層
２２４ｂ 光学調整層
２３０ａ 構造物
２３０ｂ 構造物
２３１ 遮光層
２３２ａ 着色層
２３２ｂ 着色層
２４１ ＦＰＣ
２４２ ＦＰＣ
２４３ 接続層
２４４ ＩＣ
２５０ 空間
２５１ トランジスタ
２５２ トランジスタ
２５３ 導電層
２６０ 封止材
２６１ 接着層
２６２ 接着層
５０１ 表示部
５０３ｓ 回路
５０５ タッチパネル
５０９ ＦＰＣ
５１１ 配線
５１９ 端子部
５７０ 基板
５９０ 基板
５９１ 電極
５９２ 電極
５９４ 配線
５９５ タッチセンサ
５９７ 接着層
５９８ 配線
５９９ 接続層
６０１ パルス電圧出力回路
６０２ 電流検出回路
６０３ 容量
６１１ トランジスタ
６１２ トランジスタ
６１３ トランジスタ
６２１ 電極
６２２ 電極
９０１ 筐体
９０２ 筐体
９０３ 表示部
９０４ 表示部
９０５ マイクロフォン
９０６ スピーカ
９０７ 操作キー
９０８ スタイラス
９２１ 筐体
９２２ 表示部
９２３ キーボード
９２４ ポインティングデバイス
７０００ 表示部
７００１ 表示部
７１００ 携帯電話機
７１０１ 筐体
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 外部接続ポート
７１０５ スピーカ
７１０６ マイク
７２００ テレビジョン装置
７２０１ 筐体
７２０３ スタンド
７２１１ リモコン操作機
７３００ 携帯情報端末
７３０１ 筐体
７３０２ 操作ボタン
７３０３ 情報
７３０４ 情報
７３０５ 情報
７３０６ 情報
７３１０ 携帯情報端末
７３２０ 携帯情報端末
７４００ 照明装置
７４０１ 台部
７４０２ 発光部
７４０３ 操作スイッチ
７４１０ 照明装置
７４１２ 発光部
７４２０ 照明装置
７４２２ 発光部
７５００ 携帯情報端末
７５０１ 筐体
７５０２ 部材
７５０３ 操作ボタン
７６００ 携帯情報端末
７６０１ 筐体
７６０２ ヒンジ
７６５０ 携帯情報端末
７６５１ 非表示部
７７００ 携帯情報端末
７７０１ 筐体
７７０３ａ ボタン
７７０３ｂ ボタン
７７０４ａ スピーカ
７７０４ｂ スピーカ
７７０５ 外部接続ポート
７７０６ マイク
７７０９ バッテリ
７８００ 携帯情報端末
７８０１ バンド
７８０２ 入出力端子
７８０３ 操作ボタン
７８０４ アイコン
７８０５ バッテリ
８０００ カメラ
８００１ 筐体
８００２ 表示部
８００３ 操作ボタン
８００４ シャッターボタン
８００５ 結合部
８００６ レンズ
８１００ ファインダー
８１０１ 筐体
８１０２ 表示部
８１０３ ボタン
８２００ ヘッドマウントディスプレイ
８２０１ 装着部
８２０２ レンズ
８２０３ 本体
８２０４ 表示部
８２０５ ケーブル
８２０６ バッテリ
９７００ 自動車
９７０１ 車体
９７０２ 車輪
９７０３ ダッシュボード
９７０４ ライト
９７１０ 表示部
９７１１ 表示部
９７１２ 表示部
９７１３ 表示部
９７１４ 表示部
９７１５ 表示部
９７２１ 表示部
９７２２ 表示部
９７２３ 表示部

Claims (3)

  1. 第１のＥＬ表示素子と、第２のＥＬ表示素子と、第１の画素回路と、第２の画素回路と、を有し、
    前記第１のＥＬ表示素子は、第１の画素電極を有し、
    前記第２のＥＬ表示素子は、第２の画素電極を有し、
    前記第１のＥＬ表示素子と前記第２のＥＬ表示素子とは、赤または緑に対応する表示素子であり、
    前記第１の画素回路は、前記第２の画素回路の隣に設けられ、
    前記第１の画素回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、を有し、
    前記第２の画素回路は、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第２の容量素子と、を有し、
    前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と導通し、
    前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の容量素子の一方の電極と導通し、
    前記第１の容量素子の他方の電極は、第１の配線と導通し、
    前記第２のトランジスタのゲートは、第１のゲート線により制御され、
    前記第１のトランジスタがオン状態となり、かつ前記第１の配線が、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方を介して、前記第１の画素電極と導通状態となると、前記第１の配線と前記第１の画素電極との間に、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方を介して、第１の電流が流れ、
    前記第２のトランジスタがオン状態のとき、第２の配線の電位が、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方を介して、前記第１のトランジスタのゲートに与えられ、
    前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方と導通し、
    前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の容量素子の一方の電極と導通し、
    前記第２の容量素子の他方の電極は、前記第１の配線と導通し、
    前記第４のトランジスタのゲートは、第２のゲート線により制御され、
    前記第３のトランジスタがオン状態となり、かつ前記第１の配線が、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方、前記第３のトランジスタのチャネル形成領域、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方を介して、前記第２の画素電極と導通状態となると、前記第１の配線と前記第２の画素電極との間に、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方、前記第３のトランジスタのチャネル形成領域、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方を介して、第２の電流が流れ、
    前記第４のトランジスタがオン状態のとき、第３の配線の電位が、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方、前記第４のトランジスタのチャネル形成領域、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方を介して、前記第３のトランジスタのゲートに与えられ、
    前記第１の画素電極は、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記第２の画素電極は、前記第３のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記第１の画素電極は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域と重ならず、
    前記第１の画素電極は、前記第３のトランジスタのチャネル形成領域と重ならず、
    前記第１の画素電極は、前記第４のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域を有する、ＥＬ表示装置。
  2. 第１のＥＬ表示素子と、第２のＥＬ表示素子と、第１の画素回路と、第２の画素回路と、を有し、
    前記第１のＥＬ表示素子は、第１の画素電極を有し、
    前記第２のＥＬ表示素子は、第２の画素電極を有し、
    前記第１のＥＬ表示素子と前記第２のＥＬ表示素子とは、赤または緑に対応する表示素子であり、
    前記第１の画素回路は、前記第２の画素回路の隣に設けられ、
    前記第１の画素回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、を有し、
    前記第２の画素回路は、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第２の容量素子と、を有し、
    前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と導通し、
    前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１の容量素子の一方の電極と導通し、
    前記第１の容量素子の他方の電極は、第１の配線と導通し、
    前記第２のトランジスタのゲートは、第１のゲート線により制御され、
    前記第１のトランジスタがオン状態となり、かつ前記第１の配線が、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方を介して、前記第１の画素電極と導通状態となると、前記第１の配線と前記第１の画素電極との間に、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方を介して、第１の電流が流れ、
    前記第２のトランジスタがオン状態のとき、第２の配線の電位が、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方を介して、前記第１のトランジスタのゲートに与えられ、
    前記第３のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方と導通し、
    前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２の容量素子の一方の電極と導通し、
    前記第２の容量素子の他方の電極は、前記第１の配線と導通し、
    前記第４のトランジスタのゲートは、第２のゲート線により制御され、
    前記第３のトランジスタがオン状態となり、かつ前記第１の配線が、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方、前記第３のトランジスタのチャネル形成領域、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方を介して、前記第２の画素電極と導通状態となると、前記第１の配線と前記第２の画素電極との間に、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方、前記第３のトランジスタのチャネル形成領域、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方を介して、第２の電流が流れ、
    前記第４のトランジスタがオン状態のとき、第３の配線の電位が、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方、前記第４のトランジスタのチャネル形成領域、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方を介して、前記第３のトランジスタのゲートに与えられ、
    前記第１の画素電極は、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記第２の画素電極は、前記第３のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記第１の画素電極は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域と重ならず、
    前記第１の画素電極は、前記第３のトランジスタのチャネル形成領域と重ならず、
    前記第１の画素電極は、前記第４のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域を有し、
    前記第１の画素電極は、前記第１の容量素子の一方の電極と重なる領域を有し、
    前記第１の画素電極は、前記第１の容量素子の他方の電極と重なる領域を有し、
    前記第２の画素電極は、前記第２の容量素子の一方の電極と重なる領域を有し、
    前記第２の画素電極は、前記第２の容量素子の他方の電極と重なる領域を有する、ＥＬ表示装置。
  3. 請求項１または２に記載のＥＬ表示装置を有する電子機器。


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Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230044334A (ko) * 2014-09-12 2023-04-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP6566289B2 (ja) * 2014-11-26 2019-08-28 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示デバイス及び電気光学装置並びに電気機器並びにメタルマスク並びに画素アレイ
KR102465382B1 (ko) * 2015-08-31 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
KR102381647B1 (ko) * 2015-10-29 2022-04-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20180093001A (ko) 2015-12-11 2018-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102570950B1 (ko) * 2015-12-28 2023-08-25 엘지디스플레이 주식회사 개인 몰입형 장치의 표시장치
KR102375685B1 (ko) 2016-02-02 2022-03-18 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
CN107614302B (zh) * 2016-03-17 2021-06-04 法国圣戈班玻璃厂 具有可电动调节的遮阳板的挡风玻璃
KR102473101B1 (ko) * 2016-04-04 2022-12-01 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 표시 장치
CN107275359B (zh) * 2016-04-08 2021-08-13 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
US9966033B2 (en) * 2016-04-13 2018-05-08 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Detection device for display panel
CN107367877B (zh) * 2016-05-13 2020-12-11 上海新昇半导体科技有限公司 液晶显示器面板及其像素单元的制备方法
KR102646280B1 (ko) * 2016-05-27 2024-03-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN106024584A (zh) * 2016-05-27 2016-10-12 清华大学 半导体结构以及制备半导体结构的方法
KR20170143082A (ko) * 2016-06-17 2017-12-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
TWI726006B (zh) * 2016-07-15 2021-05-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置、輸入輸出裝置、資料處理裝置
KR20180025431A (ko) * 2016-08-30 2018-03-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180030365A (ko) * 2016-09-13 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7186620B2 (ja) 2017-01-20 2022-12-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法
CN112133709B (zh) * 2017-02-15 2023-05-19 朱夏青 显示装置
CN110446974B (zh) * 2017-03-29 2023-09-12 东丽株式会社 感光性组合物、固化膜和有机el显示装置
KR102357392B1 (ko) 2017-04-26 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP6892576B2 (ja) * 2017-04-28 2021-06-23 天馬微電子有限公司 表示装置
KR102479020B1 (ko) * 2017-11-28 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20190083027A (ko) * 2018-01-02 2019-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 그 제조방법
CN108807485B (zh) * 2018-06-25 2020-12-29 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
TWI677864B (zh) * 2018-06-28 2019-11-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN109188816B (zh) * 2018-10-26 2021-06-22 昆山龙腾光电股份有限公司 阵列基板及其驱动方法和液晶显示装置及其驱动方法
JP7149164B2 (ja) * 2018-11-02 2022-10-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11009756B2 (en) * 2018-11-05 2021-05-18 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
CN109638035B (zh) * 2018-11-13 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素排列结构及有机发光二极管显示装置
KR20200062863A (ko) 2018-11-27 2020-06-04 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 제조 방법
KR20200066500A (ko) * 2018-11-30 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN109742252B (zh) * 2019-01-08 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20200102607A (ko) * 2019-02-21 2020-09-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200110489A (ko) * 2019-03-13 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치와 그를 포함한 증강 현실 제공 장치
CN111863832B (zh) * 2019-04-30 2024-04-09 成都辰显光电有限公司 显示面板及其制造方法、电子设备
KR20210008232A (ko) * 2019-07-11 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN210429261U (zh) * 2019-09-12 2020-04-28 昆山国显光电有限公司 显示面板及显示装置
JP7474040B2 (ja) 2019-10-07 2024-04-24 ＪＤＩ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ 合同会社 自発光型表示パネル
KR20210084733A (ko) * 2019-12-27 2021-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
TWI779445B (zh) * 2020-01-22 2022-10-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 顯示模組及其影像顯示器
KR20220086743A (ko) * 2020-12-16 2022-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20230369344A1 (en) 2022-05-13 2023-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US20240038777A1 (en) 2022-07-29 2024-02-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3373483B2 (ja) * 1992-04-17 2003-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP3436248B2 (ja) * 2000-11-09 2003-08-11 日本電気株式会社 液晶表示装置及びその製造方法並びにｃｆ基板
SG118118A1 (en) 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
JP4226867B2 (ja) * 2002-09-25 2009-02-18 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
JP2005352444A (ja) * 2004-05-12 2005-12-22 Sharp Corp 液晶表示装置、カラーマネージメント回路、及び表示制御方法
US8355015B2 (en) * 2004-05-21 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic device including a diode electrically connected to a signal line
CN101040440B (zh) * 2004-10-14 2012-06-13 夏普株式会社 电平移位器电路、驱动电路及显示装置
JP2006235332A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Sanyo Electric Co Ltd 立体視用画像表示パネル及び立体画像表示装置
US7898623B2 (en) 2005-07-04 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device and method of driving display device
JP5613360B2 (ja) * 2005-07-04 2014-10-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール及び電子機器
EP1917656B1 (en) * 2005-07-29 2016-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP2007102005A (ja) * 2005-10-06 2007-04-19 Funai Electric Co Ltd 表示装置
US8149346B2 (en) * 2005-10-14 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN2852196Y (zh) * 2005-12-06 2006-12-27 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示器及其基板
US20080001525A1 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Au Optronics Corporation Arrangements of color pixels for full color OLED
EP1895545B1 (en) * 2006-08-31 2014-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101393638B1 (ko) * 2006-10-24 2014-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 구동 방법
JP5116359B2 (ja) * 2007-05-17 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR101450124B1 (ko) * 2007-12-03 2014-10-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치
JP2009169071A (ja) * 2008-01-16 2009-07-30 Sony Corp 表示装置
EP2249200A4 (en) * 2008-02-27 2011-11-30 Sharp Kk ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT AND TELEVISION
KR101354406B1 (ko) * 2008-05-23 2014-01-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP2010008523A (ja) * 2008-06-25 2010-01-14 Sony Corp 表示装置
KR101499234B1 (ko) * 2008-06-27 2015-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 그 제조 방법 및 이에 사용되는섀도우 마스크
US20120001839A1 (en) * 2009-03-05 2012-01-05 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, liquid crystal panel, liquid crystal display device, liquid crystal display unit, and television receiver
JP5126168B2 (ja) * 2009-06-19 2013-01-23 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置および電子機器
JP2011009093A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置及び電子機器
TWI642043B (zh) * 2009-09-10 2018-11-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和顯示裝置
JP5619787B2 (ja) * 2010-02-15 2014-11-05 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、テレビジョン受像機
KR20110129531A (ko) * 2010-05-26 2011-12-02 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치의 화소배열구조
US8767136B2 (en) * 2010-10-26 2014-07-01 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
JP2012242497A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Japan Display East Co Ltd 液晶表示装置
JP2013025141A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Seiko Epson Corp 画像処理装置、表示装置及び画像処理方法
JP5548173B2 (ja) * 2011-08-31 2014-07-16 株式会社東芝 半導体基板及びその製造方法
KR101910340B1 (ko) * 2011-10-12 2018-10-23 삼성디스플레이 주식회사 내로우 베젤을 갖는 액정표시장치
JP6076038B2 (ja) * 2011-11-11 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
KR20130055997A (ko) * 2011-11-21 2013-05-29 삼성디스플레이 주식회사 입체 영상 표시 장치
TWI597552B (zh) * 2012-01-20 2017-09-01 群康科技(深圳)有限公司 畫素結構
JP6214077B2 (ja) * 2012-07-31 2017-10-18 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置、表示装置の製造方法、電子機器および表示装置の駆動方法
JP2014095897A (ja) 2012-10-12 2014-05-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
CN108550608B (zh) 2012-10-30 2024-01-23 株式会社半导体能源研究所 发光面板、显示装置以及发光面板的制造方法
TWI662698B (zh) * 2012-11-28 2019-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
TWI627483B (zh) * 2012-11-28 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電視接收機
CN103123927B (zh) * 2013-01-24 2015-05-06 昆山维信诺显示技术有限公司 用于oled显示屏的像素结构及其金属掩膜板
JP6486660B2 (ja) 2013-11-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR20230044334A (ko) * 2014-09-12 2023-04-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
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US9525017B2 (en) 2016-12-20
US20180308866A1 (en) 2018-10-25
JP2020098791A (ja) 2020-06-25
TW201941422A (zh) 2019-10-16
WO2016038508A1 (en) 2016-03-17
KR20230044334A (ko) 2023-04-03
DE112015004166T5 (de) 2017-05-24

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