JP2022537508A - 航空宇宙用部品上へ犠牲コーティングを堆積させるための方法 - Google Patents

航空宇宙用部品上へ犠牲コーティングを堆積させるための方法 Download PDF

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Abstract

本開示の実施態様は、概して、航空宇宙用部品上の保護コーティング及びその保護コーティングを堆積するための方法に関する。一又は複数の実施態様では、航空宇宙用部品上に保護コーティングを生成するための方法は、ニッケルとアルミニウムとを含む(例えば、ニッケルアルミニウム超合金)航空宇宙用部品上に金属酸化物テンプレート層を堆積することと、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に金属酸化物テンプレート層を含む航空宇宙用部品を加熱することとを含む。熱的プロセス及び/又は酸化プロセスは、航空宇宙用部品内に含まれるアルミニウムを、金属酸化物テンプレート層を含有する航空宇宙用部品に向かって拡散することと、拡散されたアルミニウムを酸化させて、航空宇宙用部品と金属酸化物テンプレート層との間に配置される酸化アルミニウム層を生成することと、酸化アルミニウム層を残しながら、金属酸化物テンプレート層の少なくとも一部を除去することとを含む。【選択図】図1C

Description

[0001]本開示の実施態様は、概して、堆積プロセス、特に、航空宇宙用部品上へ膜を堆積させるための蒸着プロセスに関する。
[0002]タービンエンジンは通常、高温ガス及び/又は反応性化学物質(酸、塩基、塩など)に曝露されるために時間の経過とともに腐食又は劣化する部品を有する。このようなタービン部品は、多くの場合、遮熱及び/又は化学的バリアコーティングによって保護されている。環境保護と遮熱コーティング(TBC)システムのボンドコートとしての両方のガスタービンエンジンの高温燃焼ガスに曝露されるエアフォイルに現在使用されているコーティングには、拡散アルミナイドとさまざまな金属合金コーティングの両方が含まれる。これらのコーティングは、酸化及び腐食による攻撃から保護するために、基板材料、通常はニッケル基超合金に塗布される。これらのコーティングは、さまざまな方法で基板上に形成される。例えば、ニッケルアルミナイド層は、基板を高温でアルミニウムに富む環境に単に曝露することによって、ニッケル基超合金上の外側のコーティングとして成長させることができる。アルミニウムは基板に拡散し、ニッケルと結合してニッケル-アルミニウム合金の外面を形成する。
[0003]しかし、エンジン性能に対する要求の高まりによって、エンジンの動作温度及び/又はエンジン寿命の要件が高まるため、環境コーティング又はボンドコーティングとして使用する場合のコーティングの性能を、これらの既存のコーティングの能力に加えて改善する必要がある。これらの要求のために、環境保護のため、又はより高い動作温度に耐えることができるか若しくは修理のために除去を必要とする前に長期間動作することができるボンドコートとして、又はその両方として使用できるコーティングが望まれる。これらの既知のコーティング材料及び堆積技法には、いくつかの欠点がある。低圧プラズマスプレー、プラズマ蒸着(PVD)、電子ビームPVD(EBPVD)、カソードアーク、又は同様のスパッタリング技法によって堆積されたほとんどの金属合金コーティングは、見通し線コーティングである。つまり、部品の内部をコーティングすることはできない。外部のプラチナ電気めっきは通常、適度に均一なコーティングを形成するが、部品の内部の電気めっきは困難であることが証明されている。結果として得られる電気めっきコーティングは、多くの場合、薄すぎて保護できないか、又は、厚すぎて、高い重量増加や疲労寿命の借方など、他の機械的な悪影響がある。同様に、アルミナイドコーティングは、部品の内部通路の不均一性に悩まされている。アルミナイドコーティングは脆く、疲労に曝露されると寿命が短くなる可能性がある。
[0004]さらに、これらのコーティングのほとんどは厚さがおよそ10マイクロメートルを超えるため、部品重量が増加し、ディスク及びその他のサポート構造の設計がより困難になる可能性がある。これらのコーティングの多くは、接着を達成するために、合金へのコーティングの十分な相互拡散を堆積又は促進させるために、高温(例えば、500℃以上)の工程も必要とする。多くの人が、(1)金属を酸化及び腐食から保護する、(2)金属への接着力が高い、及び/又は(3)重量を大幅に増加させたり電流以外の疲労寿命を低下させたりしないように十分に薄い、コーティングを有することを望んでいる。
[0005]したがって、改善された保護コーティング及び保護コーティングを堆積するための方法が必要である。
[0006]本開示の実施態様は、概して、航空宇宙用部品上の保護コーティング及びその保護コーティングを堆積するための方法に関する。一又は複数の実施態様では、航空宇宙用部品上に保護コーティングを生成するための方法は、ニッケルとアルミニウムとを含む(例えば、ニッケルアルミニウム超合金)航空宇宙用部品上に金属酸化物テンプレート層を堆積することと、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に金属酸化物テンプレート層を含む航空宇宙用部品を加熱することとを含む。熱的プロセス及び/又は酸化プロセスは、航空宇宙用部品内に含まれるアルミニウムを、金属酸化物テンプレート層を含有する航空宇宙用部品に向かって拡散することと、拡散されたアルミニウムを酸化させて、航空宇宙用部品と金属酸化物テンプレート層との間に配置される酸化アルミニウム層を生成することと、酸化アルミニウム層を残しながら、金属酸化物テンプレート層の全部又は一部を除去することとを含む。金属酸化物テンプレート層は、酸化アルミニウム層とテンプレート要素の固溶体を部分的に形成し得る。
[0007]いくつかの実施態様では、航空宇宙用部品上に保護コーティングを生成するための方法は、ニッケルとアルミニウムとを含む航空宇宙用部品上に金属酸化物テンプレート層を堆積することであって、金属酸化物テンプレート層が、酸化クロム、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化バナジウム、又はそれらの任意の組み合わせを含む、金属酸化物テンプレート層を堆積することを含む。この方法は、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に金属酸化物テンプレート層を含む航空宇宙用部品を約900℃から約1,200℃の温度に加熱することも含む。熱的プロセス及び/又は酸化プロセスは、航空宇宙用部品内に含まれるアルミニウムを、金属酸化物テンプレート層を含有する航空宇宙用部品に向かって拡散することと、拡散されたアルミニウムを酸化させて、航空宇宙用部品と金属酸化物テンプレート層との間に配置される酸化アルミニウム層を生成することと、酸化アルミニウム層を残しながら、金属酸化物テンプレート層の全部又は一部を除去することとを含む。金属酸化物テンプレート層は、酸化アルミニウム層とテンプレート要素の固溶体を部分的に形成し得る。
[0008]他の実施態様では、航空宇宙用部品は、ニッケル超合金を含む本体と、本体上に配置された金属酸化物テンプレート層と、航空宇宙用部品の本体と金属酸化物テンプレート層との間に配置された酸化アルミニウム層を含む。本体内の超合金は、ニッケルと、アルミニウムと、クロム、コバルト、チタン、モリブデン、タングステン、又はそれらの合金から選択される一又は複数の金属とを含む。金属酸化物テンプレート層は、クロム、タングステン、モリブデン、バナジウム、又はそれらの任意の組み合わせを含む。いくつかの例では、酸化アルミニウム層はα-Alを含む。金属酸化物テンプレート層及び酸化アルミニウム層は、コランダム結晶構造などの同じ結晶構造を有する。金属酸化物テンプレート層及び酸化アルミニウム層は、約0.1%から約10%の格子不整合がある結晶構造を有し得る。金属酸化物テンプレート層は、酸化アルミニウム層とテンプレート要素の固溶体を部分的に形成し得る。混合金属酸化物の固溶体ゾーンは、テンプレート酸化物及び酸化アルミニウムのものよりも低い格子不整合を有する。
[0009]上述した本開示の特徴を詳細に理解し得るように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施態様を参照することによって得られ、一部の実施態様は付随する図面に示されている。しかし、添付図面は例示的な実施態様のみを示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではなく、その他の等しく有効な実施態様も許容し得ることに留意されたい。
[0010]本明細書で記載及び検討される一又は複数の実施態様による、異なる時間間隔で航空宇宙用部品上に形成されている保護コーティングの概略断面図である。
[0011]理解しやすくするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照符号が使用されている。一又は複数の実施態様の構成要素及び特徴は、他の実施態様に有益に組み込まれ得ると想定される。
[0012]本開示の実施態様は、概して、航空宇宙用部品上に配置された保護コーティング、及びその保護コーティングを堆積するかそうでなければ形成するための方法に関する。本明細書で記載及び検討される航空宇宙用部品は、一又は複数のタービンブレード、タービン翼、リブ、フィン、ピンフィン、燃焼器燃料ノズル、燃焼器シールド、又は上に堆積された保護コーティング有することにより恩恵を受けることができるその他の航空宇宙用部品若しくは部分であり得るか、又はそれらを含み得る。保護コーティングは、航空宇宙用部品の内面及び/又は外面上に堆積され得るかそうでなければ形成され得る。
[0013]一又は複数の実施態様では、航空宇宙用部品上に保護コーティングを生成するための方法は、ニッケルとアルミニウムとを含む(例えば、ニッケルアルミニウム超合金)航空宇宙用部品上に金属酸化物テンプレート層を堆積することと、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に金属酸化物テンプレート層を含む航空宇宙用部品を加熱することとを含む。熱的プロセス及び/又は酸化プロセスは、航空宇宙用部品内に含まれるアルミニウムを、金属酸化物テンプレート層を含有する航空宇宙用部品に向かって拡散することと、拡散されたアルミニウムを酸化させて、航空宇宙用部品と金属酸化物テンプレート層との間に配置される酸化アルミニウム層を生成することと、酸化アルミニウム層を残しながら、金属酸化物テンプレート層の少なくとも一部を除去することとを含む。
[0014]図1A-1Dは、本明細書で記載及び検討される一又は複数の実施態様による、異なる時間間隔で航空宇宙用部品102上に配置された保護コーティングの概略断面図である。図1Aは、表面104を有する航空宇宙用部品102を示す。表面104は、航空宇宙用部品102の一又は複数の内面及び/又は一又は複数の外面であり得る。航空宇宙用部品102は、タービンブレード、タービン翼、支持部材、フレーム、リブ、フィン、ピンフィン、燃焼器燃料ノズル、燃焼器シールド、内部冷却チャネル、又はそれらの任意の組み合わせであり得るか、又はそれらを含み得る。航空宇宙用部品102は、一又は複数のニッケル超合金を含む。ニッケル超合金は、ニッケル-アルミニウム超合金であり得るかそれを含み得、ニッケルと、アルミニウムと、クロム、コバルト、チタン、モリブデン、タングステン、他の元素、それらのドーパント、又はそれらの合金から選択される一又は複数の金属とを含み得る。
[0015]ニッケル超合金は、約20重量パーセント(wt%)、約30wt%、約40wt%、約45wt%、約48wt%、約50wt%、約55wt%、約58wt%、又は約60wt%から約62wt%、約65wt%、約68wt%、約70wt%、約75wt%、約80wt%、約85wt%、又は約90wt%のニッケルを含む。例えば、ニッケル超合金は、約20wt%から約90wt%、約30wt%から約80wt%、約40wt%から約90wt%、約40wt%から約80wt%、約40wt%から約75wt%、約20wt%から約70wt%、約40wt%から約65wt%、約40wt%から約62wt%、約40wt%から約60wt%、約40wt%から約58wt%、約40wt%から約55wt%、約40wt%から約50wt%、約50wt%から約90wt%、約50wt%から約80wt%、約50wt%から約75wt%、約20wt%から約70wt%、約50wt%から約65wt%、約50wt%から約62wt%、約50wt%から約60wt%、約50wt%から約58wt%、約50wt%から約55wt%、約58wt%から約90wt%、約58wt%から約80wt%、約58wt%から約75wt%、約20wt%から約70wt%、約58wt%から約65wt%、約58wt%から約62wt%、又は約58wt%から約60wt%のニッケルを含む。
[0016]ニッケル超合金は、約0.2wt%、約0.5wt%、約0.8wt%、約1wt%、約1.5wt%、約2wt%、約2.5wt%、約3wt%、約3.5wt%、約4wt%、又は約4.5wt%から約5wt%、約6wt%、約7wt%、約8wt%、約9wt%、約10wt%、約12wt%、約15wt%、約18wt%、又は約20wt%のアルミニウムを含む。例えば、ニッケル超合金は、約0.2wt%から約20wt%、約0.5wt%から約20wt%、約0.5wt%から約18wt%、約0.5wt%から約15wt%、約0.5wt%から約12wt%、約0.5wt%から約10wt%、約0.5wt%から約8wt%、約0.5wt%から約6wt%、約0.5wt%から約5wt%、約0.5wt%から約4wt%、約0.5wt%から約3wt%、約0.5wt%から約2wt%、約0.5wt%から約1wt%、約1wt%から約20wt%、約1wt%から約18wt%、約1wt%から約15wt%、約1wt%から約12wt%、約1wt%から約10wt%、約1wt%から約8wt%、約1wt%から約6wt%、約1wt%から約5wt%、約1wt%から約4wt%、約1wt%から約3wt%、約1wt%から約2wt%、約1wt%から約1wt%、約3wt%から約20wt%、約3wt%から約18wt%、約3wt%から約15wt%、約3wt%から約12wt%、約3wt%から約10wt%、約3wt%から約8wt%、約3wt%から約6wt%、約3wt%から約5wt%、又は約3wt%から約4wt%のアルミニウムを含む。
[0017]一又は複数の例では、ニッケル超合金は、約40wt%以上のニッケルと、約0.5wt%から約15wt%のアルミニウムとを含む。いくつかの例では、ニッケル超合金は、約50wt%以上のニッケルと、約1wt%から約10wt%のアルミニウムとを含む。他の例では、ニッケル超合金は、約58wt%以上のニッケルと、約2wt%から約8wt%のアルミニウムとを含む。
[0018]いくつかの例では、ニッケル超合金は、CMSX-4超合金、CMSX-4 Plus超合金、PWA合金、Rene合金、一又は複数のInconel合金、一又は複数のHaynes合金、例えば、Haynes 214、Haynes 233、アルミナ形成オーステナイト鋼合金、又はそれらの任意の組み合わせであり得るか、又はそれらを含み得る。表1は、本明細書で記載及び検討される実施態様において有用ないくつかの例示的な超合金の元素組成を示す。表1では、合金(1)はCMSX-4超合金であり、合金(2)はCMSX-4 Plus超合金であり、別途記載のない限り、すべての重量は重量パーセント(wt%)の単位である。
Figure 2022537508000002
[0019]図1Bは、本明細書の一又は複数の実施態様で記載及び検討される航空宇宙用部品102の表面104上に配置される金属酸化物テンプレート層110を示す。金属酸化物テンプレート層110は、一又は複数の金属酸化物、例えば、酸化クロム(例えば、CrO、CrO、又はCr)、酸化タングステン(例えばWO)、酸化モリブデン(例えば、MoO又はMoO)、酸化バナジウム(例えば、VO、VO、又はV)、それらのドーパント、又はそれらの任意の組み合わせを含む。いくつかの例では、金属酸化物テンプレート層110は、テンプレート層として酸化アルミニウムを含まない。金属酸化物テンプレート層110に含まれる金属酸化物は、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中の酸化アルミニウムの成長又はそうでなければ形成を促進する結晶格子を有する。金属酸化物テンプレート層110に含有される金属酸化物は、後に、昇華され得るか、蒸発され得るか、酸化し得るか、又は航空宇宙用部品102から除去され得る。このように、酸化アルミニウムの形成中及び/又はその後の熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に、金属酸化物テンプレート層は、昇華又は蒸発又は酸化によって除去される。一又は複数の例では、金属酸化物テンプレート層110は酸化クロムを含み、該方法は、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に酸化クロムをクロムオキシドヒドロキシド(CrO(OH))に変換することをさらに含む。
[0020]金属酸化物テンプレート層110は、約10nm、約20nm、約30nm、約50nm、約80nm、約100nm、約150nm、又は約200nmから約250nm、約300nm、約350nm、約400nm、約500nm、約600nm、約700nm、約800nm、約900nm、約1,000nm、約1,200nm、約1,500nm、約1,800nm、約2,000nm、約3,500nm、約5,000nm、約7,500nm、約10,000nm、又はそれ以上の厚さを有する。例えば、金属酸化物テンプレート層110は、約1,000nmから約2,000nm、約1,000nmから約5,000nm、約2,000nmから約10,000nm、約10nmから約10,000nm、約10nmから約5,000nm、約10nmから約3,500nm、約10nmから約2,000nm、約10nmから約1,500nm、約10nmから約1,000nm、約10nmから約800nm、約10nmから約600nm、約10nmから約500nm、約10nmから約400nm、約10nmから約300nm、約10nmから約200nm、約10nmから約100nm、約10nmから約80nm、約10nmから約50nm、約10nmから約30nm、約100nmから約2,000nm、約100nmから約1,500nm、約100nmから約1,000nm、約100nmから約800nm、約100nmから約600nm、約100nmから約500nm、約100nmから約400nm、約100nmから約300nm、又は約100nmから約200nmの厚さを有する。
[0021]金属酸化物テンプレート層110は、原子層堆積(ALD)プロセス、プラズマALD(PE-ALD)プロセス、熱的化学気相堆積(CVD)プロセス、プラズマCVD(PE-CVD)プロセスなどの一又は複数の蒸着プロセス、及び他の堆積プロセスによって、航空宇宙用部品102上に堆積され得る。
[0022]図1Cは、本明細書の一又は複数の実施態様で記載および検討される、航空宇宙用部品102と金属酸化物テンプレート層110との間に配置される酸化アルミニウム層120を示す。金属酸化物テンプレート層110を含む航空宇宙用部品102は、一又は複数の熱的プロセス及び/又は一又は複数の酸化プロセスに曝露されて、酸化アルミニウム層120を形成する。熱的プロセス及び/又は酸化プロセスが進むにつれて、酸化アルミニウム層120は継続して形成され、金属酸化物テンプレート層110は徐々に除去される。最終的に、金属酸化物テンプレート層110は、完全に消費されるか又は除去され、酸化アルミニウム層120は、図1Dに示すように、航空宇宙用部品102の残りの部分の保護コーティングである。
[0023]一又は複数の実施態様では、熱的プロセス及び/又は酸化プロセスは、航空宇宙用部品102内に含まれるアルミニウムを、金属酸化物テンプレート層110を含有する表面104に向かって拡散することと、拡散されたアルミニウムを酸化させて、航空宇宙用部品102と金属酸化物テンプレート層110との間に配置される酸化アルミニウム層120を生成することと、酸化アルミニウム層120を残しながら、金属酸化物テンプレート層110の少なくとも一部を除去することとを含む。いくつかの例では、金属酸化物テンプレート層110は、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に実質的に除去されるか又は完全に除去される。
[0024]いくつかの実施態様では、金属酸化物テンプレート層110と酸化アルミニウム層120とは、同じ結晶構造又は実質的に同じ結晶構造を有する。一又は複数の例では、金属酸化物テンプレート層110及び酸化アルミニウム層120は、コランダム結晶構造を有する。金属酸化物テンプレート層110は、テンプレートとして機能し、核形成し、拡散したアルミニウムから酸化アルミニウム層120を成長させるのを助け、したがって、それらは両方とも共通の格子結晶又は構造を共有する。いくつかの例では、酸化アルミニウム層120は、α-Alを含む。金属酸化物テンプレート層110及び酸化アルミニウム層120は、約0.1%、約0.5%、約1%、約2%、約3%、又は約4%から約5%、約6%、約8%、又は約10%の格子不整合がある結晶構造を有する。例えば、金属酸化物テンプレート層110及び酸化アルミニウム層120は、約0.1%から約10%、約0.5%から約8%、又は約1%から約5%の格子不整合がある結晶構造を有する。
[0025]酸化アルミニウム層120は、約10nm、約20nm、約30nm、約50nm、約80nm、約100nm、約150nm、又は約200nmから約250nm、約300nm、約350nm、約400nm、約500nm、約600nm、約700nm、約800nm、約900nm、約1,000nm、約1,200nm、約1,500nm、約2,000nm、約2,500nm、約3,000nm、約5,000nm、約6,000nm、約10,000nm、又はそれ以上の厚さを有する。例えば、酸化アルミニウム層120は、約1,000nmから約2,000nm、約1,000nmから約5,000nm、又は約2,000nmから約10,000nm、約10nmから約10,000nm、約10nmから約8,000nm、約10nmから約5,000nm、約10nmから約3,500nm、約10nmから約2,000nm、約10nmから約1,500nm、約10nmから約1,200nm、約10nmから約1,000nm、約10nmから約800nm、約10nmから約600nm、約10nmから約500nm、約10nmから約400nm、約10nmから約300nm、約10nmから約200nm、約10nmから約100nm、約10nmから約80nm、約10nmから約50nm、約10nmから約30nm、約20nmから約1,000nm、約20nmから約800nm、約20nmから約600nm、約20nmから約500nm、約20nmから約400nm、約20nmから約300nm、約20nmから約200nm、約20nmから約100nm、約20nmから約80nm、約20nmから約50nm、約100nmから約1,200nm、約100nmから約1,000nm、約100nmから約800nm、約100nmから約600nm、約100nmから約500nm、約100nmから約400nm、約100nmから約300nm、又は約100nmから約200nmの厚さを有する。
[0026]一又は複数の実施態様では、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に、航空宇宙用部品は、約800℃、約850℃、約900℃、約950℃、約980℃、又は約1,000℃から約1,050℃、約1,100℃、約1,150℃、約1,200℃、約1,300℃、約1,400℃、又は約1,500℃の温度に加熱される。例えば、航空宇宙用部品は、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に、約800℃から約1,500℃、約800℃から約1,300℃、約800℃から約1,150℃、約800℃から約1,100℃、約800℃から約1,050℃、約800℃から約1,000℃、約800℃から約950℃、約800℃から約900℃、約850℃から約1,500℃、約850℃から約1,300℃、約850℃から約1,150℃、約850℃から約1,100℃、約850℃から約1,050℃、約850℃から約1,000℃、約850℃から約950℃、約850℃から約900℃、約950℃から約1,500℃、約950℃から約1,300℃、約950℃から約1,150℃、約950℃から約1,100℃、約950℃から約1,050℃、又は約950℃から約1,000℃の温度に加熱される。
[0027]いくつかの実施態様では、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に、航空宇宙用部品は、約20分間、約30分間、約40分間、約50分間、約1時間、約1.5時間、又は約2時間から約3時間、約5時間、約8時間、約10時間、約20時間、約24時間、約30時間、約50時間、約80時間、約100時間、約1,000時間、約10,000時間、約25,000時間、約35,000時間、約50,000時間、約100,000時間、約200,000時間又はそれ以上加熱される。例えば、航空宇宙用部品は、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に、約20分間から約100時間、約20分間から約50時間、約20分間から約24時間、約20分間から約10時間、約20分間から約5時間、約20分間から約2時間、約20分間から約1時間、約20分間から約45分間、約20分間から約40分間、又は約20分間から約30分間加熱される。
[0028]いくつかの実施態様では、航空宇宙用部品は、タービン、エンジン、ポンプ、又はその他の機械で航空宇宙用部品の動作中又は使用中に熱サイクルされる。例えば、航空宇宙用部品は、航空宇宙用部品を含むジェット又はポンプの動作時に加熱され、使用が停止されると冷却される。この加熱及び冷却は、単一の熱サイクルであり、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス時に何度も繰り返され得る。このように、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に、航空宇宙用部品は、約-50℃から約35℃の周囲温度から熱サイクルされ、その後約35℃から約100℃のより温かい温度に加熱され、その後約100℃から約1,200℃のプロセス温度に加熱され得る。その後、航空宇宙用部品は、一つの熱サイクルを完了するために、温かい温度及び/又は周囲温度に冷却され得る。これらの加熱及び冷却サブサイクルは、単一の熱サイクルを形成し、これは、2回、3回、約50回、約100回、約500回、又は約1,000回から約2,000回、約4,000回、約10,000回、約15,000回、約25,000回、又はそれ以上繰り返され得る。
[0029]一又は複数の例では、航空宇宙用部品は、熱的プロセス中に、約800℃から約1,500℃の温度に約20分間から約100時間加熱される。他の例では、航空宇宙用部品は、熱的プロセス中に、約900℃から約1,200℃の温度に加熱される。いくつかの例では、航空宇宙用部品は、熱的プロセス中に、約1,000℃から約1,100℃の温度に加熱される。
[0030]一又は複数の実施態様では、酸素は、アルミニウムと反応する前に金属酸化物テンプレート層を通って拡散され、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に酸化アルミニウム層を生成する。酸素は、一又は複数の酸素源に由来し得る。例示的な酸素源又は酸化剤は、酸素ガス(O)、周囲空気(O含有)、水又は蒸気、オゾン、原子酸素、亜酸化窒素、過酸化水素、一又は複数の有機過酸化物、又はそれらの任意の組み合わせであり得るか又はそれらを含み得る。一又は複数の例では、航空宇宙用部品及び金属酸化物テンプレート層は、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に、酸素を含有する空気に曝露される。この周囲酸素(O)は、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中、酸化剤である。
[0031]一又は複数の実施態様では、この方法は、熱的プロセス及び/又は酸化プロセスを実施しながら、航空宇宙用部品を含むジェットエンジン又はタービンに動力を供給することを含む。例えば、ジェットエンジン又はタービンの燃料の燃焼に由来する熱エネルギーは、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に、航空宇宙用部品及び金属酸化物テンプレート層を加熱するのに使用される。いくつかの例では、航空宇宙用部品を含むジェットエンジンは、目的地間を飛行する航空機に接着される。他の例では、タービンは、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に動作される航空宇宙用部品を含む陸上タービン(例えばポンプ)である。
[0032]他の実施態様では、航空宇宙用部品及び金属酸化物テンプレート層は、熱的プロセス及び/又は酸化プロセス中に、一又は複数の酸素源又は酸化剤を含む処理チャンバ又は炉内で加熱される。例示的な酸素源又は酸化剤は、酸素ガス(O)、周囲空気(O含有)、水又は蒸気、オゾン、原子酸素、亜酸化窒素、過酸化水素、一又は複数の有機過酸化物、又はそれらの任意の組み合わせであり得るか又はそれらを含み得る。
[0033]一又は複数の実施態様では、航空宇宙用部品及び金属酸化物テンプレート層は、熱的プロセスの1つの熱サイクル中に、第1の期間予熱され、第2の期間所定の温度で維持され、第3の期間冷却される。所定の温度は、約900℃から約1,200℃、又は約1,000℃から約1,100℃である。熱サイクルは、2、3、5、8、10、12、15、又は20回から約30、約40、約50、約80、約100、約120、約150、約200、約250、約300、約1,000、約2,000、約3,500、約5,000、約10,000、約20,000、約30,000、又はそれ以上繰り返され得る。いくつかの例では、熱サイクルは、2回から約300回、10回から約150回、20回から約100回、又は2,000回から約10,000回繰り返され得る。
[0034]一又は複数の例では、第1の期間は約1分間から約30分間であり、第2の期間は約15分間から約120分間であり、第3の期間は約0.5分間から約15分間である。いくつかの例では、第1の期間は約5分間から約25分間であり、第2の期間は約20分間から約90分間であり、第3の期間は約1分間から約10分間である。他の例では、第1の期間は約10分間から約20分間であり、第2の期間は約30分間から約60分間であり、第3の期間は約3分間から約8分間である。
[0035]一又は複数の実施態様では、航空宇宙用部品は、ニッケル超合金を含む本体と、本体上に配置された金属酸化物テンプレート層と、航空宇宙用部品の本体と金属酸化物テンプレート層との間に配置された酸化アルミニウム層を含む。本体内の超合金は、ニッケルと、アルミニウムと、クロム、コバルト、チタン、モリブデン、タングステン、又はそれらの合金から選択される一又は複数の金属とを含む。金属酸化物テンプレート層は、クロム、タングステン、モリブデン、バナジウム、又はそれらの任意の組み合わせを含む。いくつかの例では、酸化アルミニウム層はα-Alを含む。金属酸化物テンプレート層及び酸化アルミニウム層は、コランダム結晶構造などの同じ結晶構造を有する。金属酸化物テンプレート層及び酸化アルミニウム層は、約0.1%、約0.5%、約1%、約2%、約3%、又は約4%から約5%、約6%、約7%、約8%、約9%、又は約10%の格子不整合がある結晶構造を有し得る。例えば、金属酸化物テンプレート層及び酸化アルミニウム層は、約0.1%から約10%、約2%から約6%、約3%から約5%、又は約3.5%から約4.5%の格子不整合がある結晶構造を有し得る。
航空宇宙用部品の任意選択的な予洗浄
[0036]航空宇宙用部品上への金属酸化物テンプレート層の堆積又は形成の前に、航空宇宙用部品は、場合によっては、一又は複数の予洗浄プロセスに曝露され得る。航空宇宙用部品の表面は、酸化物、有機物、油、土壌、微粒子、破片を含むことがあり、かつ/又は他の汚染物質は、航空宇宙用部品上への金属酸化物テンプレート層(例えば保護コーティング)の生成前に除去される。予洗浄プロセスは、一又は複数のベースティング又はテクスチャリングプロセス、真空パージ、溶媒洗浄、酸洗浄、ウェット洗浄、プラズマ洗浄、超音波処理、又はそれらの任意の組み合わせであり得るか、又はそれらを含み得る。続いて堆積される金属酸化物テンプレート層は、一旦洗浄及び/又はテクスチャリングされると、予洗浄プロセスに曝露されていない場合よりも、航空宇宙用部品の表面への接着が強くなる。
[0037]一又は複数の例では、航空宇宙用部品の表面は、ビーズ、砂、炭酸塩、又は他の微粒子でブラスト処理され得るか又はそうでなければそれらに曝露されて、酸化物又は他の汚染物質を除去し、かつ/又は、航空宇宙用部品の表面にテクスチャリングを提供し得る。いくつかの例では、航空宇宙用部品は、パルスプッシュプルシステム内のチャンバ内に置くことができ、パージガス(例えば、N、Ar、He、又はそれらの任意の組み合わせ)と真空パージのサイクルに曝露されて、航空宇宙用部品上の小さな孔から破片を除去し得る。他の例では、航空宇宙用部品の表面は、プラズマチャンバ内で又は遠隔プラズマシステムによって生成され得る、水素プラズマ、酸素若しくはオゾンプラズマ、及び/又は窒素プラズマに曝露され得る。
[0038]有機物の除去又は酸化物の除去などの一又は複数の例では、航空宇宙用部品の表面は、水素プラズマに曝露され、その後脱気され、その後オゾン処理に曝露され得る。有機物の除去などの他の例では、航空宇宙用部品の表面は、ウェット洗浄に曝露され得る。ウェット洗浄には、アルカリ性脱脂溶液に浸漬し、すすぎ、表面を酸洗浄剤(硫酸、リン酸、塩酸など)に曝露し、すすぎ、表面を脱イオン水超音波浴に曝露することが含まれる。酸化物の除去などのいくつかの例では、航空宇宙用部品の表面は、ウェット洗浄に曝露され得る。ウェット洗浄には、表面を希酸溶液(例えば、酢酸又は塩酸)に曝露し、すすぎ、表面を脱イオン水超音波浴に曝露することが含まれる。微粒子の除去などの一又は複数の例では、航空宇宙用部品の表面は、超音波処理(例えばメガソニック)及び/又は超臨界二酸化炭素洗浄に曝露され得、続いて、パージガス(例えば、N、Ar、He、それらの任意の組み合わせ)と真空パージのサイクルに曝露されて、粒子を表面から除去し、表面を乾燥させ得る。いくつかの例では、航空宇宙用部品は、航空宇宙用部品を約50℃、約65℃、又は約80℃から約100℃、約120℃、又は約150℃の温度に加熱すること及び表面をパージガスに曝露することなどの、加熱又は乾燥プロセスに曝露され得る。航空宇宙用部品は、オーブン内で加熱され得るか、又は加熱若しくは乾燥プロセス用のランプに曝露され得る。
金属酸化物テンプレート層の蒸着
[0039]航空宇宙用部品は、第1の前駆体及び第1の反応物質に曝露されて、蒸着プロセスによって、堆積酸化物層を航空宇宙用部品上に形成し得る。蒸着プロセスは、ALDプロセス、プラズマALD(PE-ALD)プロセス、熱的化学気相堆積(CVD)プロセス、プラズマCVD(PE-CVD)プロセス、又はそれらの任意の組み合わせであり得る。
[0040]一又は複数の実施態様では、蒸着プロセスはALDプロセスであり、該方法は、航空宇宙用部品の表面を第1の前駆体及び第1の反応物質に逐次的に曝露して、堆積酸化物層を形成することを含む。ALDプロセスの各サイクルは、航空宇宙用部品の表面を第1の前駆体に曝露することと、ポンプパージを実施することと、航空宇宙用部品を第1の反応物質に曝露することと、ポンプパージを実施して堆積酸化物層を形成することとを含む。ALDサイクルが、航空宇宙用部品の表面を第1の反応物質に曝露することと、ポンプパージを実施することと、航空宇宙用部品を第1の前駆体に曝露することと、ポンプパージを実施して堆積酸化物層を形成することとを含むように、第1の前駆体と第1の反応物質の順序を逆にすることができる。
[0041]いくつかの例では、各ALDサイクル中、航空宇宙用部品は、約0.1秒間から約10秒間、第1の前駆体に曝露され、約0.1秒間から約10秒間、第1の反応物質に曝露され、約0.5秒間から約30秒間ポンプパージに曝露される。他の例では、ALDサイクル中、航空宇宙用部品は、約0.5秒間から約3秒間、第1の前駆体に曝露され、約0.5秒間から約3秒間、第1の反応物質に曝露され、約1秒間から約10秒間、ポンプパージに曝露される。
[0042]各ALDサイクルは、2、3、4、5、6、8、約10、約12、又は約15回から約18、約20、約25、約30、約40、約50、約65、約80、約100、約120、約150、約200、約250、約300、約350、約400、約500、約800、約1,000回、又はそれ以上繰り返されて、第1の堆積層を形成する。例えば、各ALDサイクルは、2回から約1,000回、2回から約800回、2回から約500回、2回から約300回、2回から約250回、2回から約200回、2回から約150回、2回から約120回、2回から約100回、2回から約80回、2回から約50回、2回から約30回、2回から約20回、2回から約15回、2回から約10回、2回から5回、約8回から約1,000回、約8回から約800回、約8回から約500回、約8回から約300回、約8回から約250回、約8回から約200回、約8回から約150回、約8回から約120回、約8回から約100回、約8回から約80回、約8回から約50回、約8回から約30回、約8回から約20回、約8回から約15回、約8回から約10回、約20回から約1,000回、約20回から約800回、約20回から約500回、約20回から約300回、約20回から約250回、約20回から約200回、約20回から約150回、約20回から約120回、約20回から約100回、約20回から約80回、約20回から約50回、約20回から約30回、約50回から約1,000回、約50回から約500回、約50回から約350回、約50回から約300回、約50回から約250回、約50回から約150回、又は約50回から約100回繰り返されて、堆積酸化物層を形成する。
[0043]他の実施態様では、蒸着プロセスはCVDプロセスであり、該方法は、航空宇宙用部品を第1の前駆体及び第1の反応物質に同時に曝露して、堆積酸化物層を形成することを含む。ALDプロセス又はCVDプロセス中、第1の前駆体及び第1の反応物質のそれぞれは、独立して、一又は複数のキャリアガスを含み得る。一又は複数のパージガスは、第1の前駆体と第1の反応物質の曝露の間に、航空宇宙用部品を横切って、及び/又は処理チャンバ全体に流れることができる。いくつかの例では、キャリアガス及びパージガスとして同じ気体が使用され得る。例示的なキャリアガス及びパージガスは、独立して、窒素(N)、アルゴン、ヘリウム、ネオン、水素(H)、又はそれらの任意の組み合わせのうちの一又は複数であり得るか、又はそれらを含み得る。
[0044]堆積酸化物層は、約0.1nm、約0.2nm、約0.3nm、約0.4nm、約0.5nm、約0.8nm、約1nm、約2nm、約3nm、約5nm、約8nm、約10nm、約12nm、又は約15nmから約18nm、約20nm、約25nm、約30nm、約40nm、約50nm、約60nm、約80nm、約100nm、約120nm、又は約150nmの厚さを有し得る。例えば、堆積酸化物層は、約0.1nmから約150nm、約0.2nmから約150nm、約0.2nmから約120nm、約0.2nmから約100nm、約0.2nmから約80nm、約0.2nmから約50nm、約0.2nmから約40nm、約0.2nmから約30nm、約0.2nmから約20nm、約0.2nmから約10nm、約0.2nmから約5nm、約0.2nmから約1nm、約0.2nmから約0.5nm、約0.5nmから約150nm、約0.5nmから約120nm、約0.5nmから約100nm、約0.5nmから約80nm、約0.5nmから約50nm、約0.5nmから約40nm、約0.5nmから約30nm、約0.5nmから約20nm、約0.5nmから約10nm、約0.5nmから約5nm、約0.5nmから約1nm、約2nmから約150nm、約2nmから約120nm、約2nmから約100nm、約2nmから約80nm、約2nmから約50nm、約2nmから約40nm、約2nmから約30nm、約2nmから約20nm、約2nmから約10nm、約2nmから約5nm、約2nmから約3nm、約10nmから約150nm、約10nmから約120nm、約10nmから約100nm、約10nmから約80nm、約10nmから約50nm、約10nmから約40nm、約10nmから約30nm、約10nmから約20nm、又は約10nmから約15nmの厚さを有し得る。
[0045]一又は複数の実施態様では、第1の前駆体は、一又は複数のクロム前駆体、一又は複数のタングステン前駆体、又は一又は複数のモリブデン前駆体、一又は複数のバナジウム前駆体を含む。第1の反応物質は、一又は複数の酸化剤を含む。いくつかの例では、堆積酸化物層は、酸化クロム(例えば、CrO、CrO、又はCr)、酸化タングステン(例えば、WO)、酸化モリブデン(例えば、MoO又はMoO)、酸化バナジウム(例えば、VO、VO、又はV)、それらのドーパント、又はそれらの任意の組み合わせである。
[0046]クロム前駆体は、クロムシクロペンタジエン化合物、クロムカルボニル化合物、クロムアセチルアセトネート化合物、クロムジアザジエニル化合物、それらの代用物、それらの複合体、それらのアブダクト(abduct)、それらの塩、又はそれらの任意の組み合わせのうちの一又は複数であり得るか、又はそれらを含み得る。例示的なクロム前駆体は、ビス(シクロペンタジエン)クロム(CpCr)、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエン)クロム((MeCp)Cr)、ビス(イソプロピルシクロペンタジエン(isoproplycyclopentadiene))クロム((iPrCp)Cr)、ビス(エチルベンゼン)クロム((EtBz)Cr)、クロムヘキサカルボニル(Cr(CO))、クロムアセチルアセトネート(Cr(acac)、トリス(2,4-ペンタンジオノ)クロム)としても知られる)、クロムヘキサフルオロアセチルアセトネート(Cr(hfac))、クロム(III)トリス(2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオネート){Cr(tmhd)}、クロム(II)ビス(1,4-ジtertブチルジアザジエニル)、それらの異性体、それらの複合体、それらのアブダクト(abduct)、それらの塩、又はそれらの任意の組み合わせであり得るか、又はそれらを含み得る。例示的なクロムジアザジエニル化合物は、下記の化学式を有し得る:
Figure 2022537508000003
[0047]ここで、各R及びR’は、H、C1-C6アルキル、アリール、アシル、アルキルアミド、ヒドラジド、シリル、アルデヒド、ケト、C2-C4アルケニル、アルキニル、又はそれらの代用物から独立して選択される。いくつかの例では、各Rは、独立してC1-C6アルキルであり、C1-C6アルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、又はそれらの異性体から選択され、R’はHである。例えば、Rはメチルであり、R’はHであるか、又はRはエチルであり、R’はHであるか、又はRはイソ-プロピルであり、R’はHであるか、又はRはtert-ブチルであり、R’はHである。
[0048]例示的な酸化剤は、水(例えば、蒸気)、酸素(O)、原子酸素、オゾン、亜酸化窒素、一又は複数の過酸化物、一又は複数のアルコール、それらのプラズマ、又はそれらの任意の組み合わせであり得るか、又はそれらを含み得る。
[0049]本開示の実施態様はさらに、以下の条項1から35のうちのいずれか一つ又は複数に関する。
[0050]1.航空宇宙用部品上に保護コーティングを生成するための方法であって、ニッケルとアルミニウムとを含む航空宇宙用部品上に金属酸化物テンプレート層を堆積することと;熱的プロセス中に金属酸化物テンプレート層を含む航空宇宙用部品を加熱することであって、熱的プロセスが、航空宇宙用部品内に含まれるアルミニウムを、金属酸化物テンプレート層を含む航空宇宙用部品の表面に向かって拡散することと、拡散されたアルミニウムを酸化させて、航空宇宙用部品と金属酸化物テンプレート層との間に配置される酸化アルミニウム層を生成することと、酸化アルミニウム層を残しながら、金属酸化物テンプレート層の少なくとも一部を除去することとを含む、航空宇宙用部品を加熱することと;を含む、方法。
[0051]2.航空宇宙用部品上に保護コーティングを生成するための方法であって、ニッケルとアルミニウムとを含む航空宇宙用部品上に金属酸化物テンプレート層を堆積することであって、金属酸化物テンプレート層が、酸化クロム、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化バナジウム、又はそれらの任意の組み合わせを含む、金属酸化物テンプレート層を堆積することと;熱的プロセス中に金属酸化物テンプレート層を含む航空宇宙用部品を約900℃から約1,200℃の温度に加熱することであって、熱的プロセスが、航空宇宙用部品内に含まれるアルミニウムを、金属酸化物テンプレート層を含む航空宇宙用部品の表面に向かって拡散することと、拡散されたアルミニウムを酸化させて、航空宇宙用部品と金属酸化物テンプレート層との間に配置される酸化アルミニウム層を生成することと、酸化アルミニウム層を残しながら、金属酸化物テンプレート層の少なくとも一部を除去することとを含む、航空宇宙用部品を加熱することと;を含む、方法。
[0052]3.航空宇宙用部品であって、ニッケル超合金を含む本体であって、超合金が、ニッケルと、アルミニウムと、クロム、コバルト、チタン、モリブデン、タングステン、又はそれらの合金から選択される一又は複数の金属とを含む、本体と;本体上に配置される金属酸化物テンプレート層であって、金属酸化物テンプレート層が、クロム、タングステン、モリブデン、バナジウム、又はそれらの任意の組み合わせを含む、金属酸化物テンプレート層と;航空宇宙用部品の本体と金属酸化物テンプレート層との間に配置される酸化アルミニウム層とを含む、航空宇宙用部品。
[0053]4.金属酸化物テンプレート層が、酸化クロム、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化バナジウム、又はそれらの任意の組み合わせを含む、条項1から3のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0054]5.金属酸化物テンプレート層が酸化クロムを含み、方法が、熱的プロセス中に酸化クロムをクロムオキシドヒドロキシドに変換することを含む、条項1から4のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0055]6.金属酸化物テンプレート層が約10nmから約2,000nmの厚さを有する、条項1から5のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0056]7.金属酸化物テンプレート層が約100nmから約1,000nmの厚さを有する、条項1から6のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0057]8.酸化アルミニウム層が約10nmから約1,000nmの厚さを有する、条項1から7のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0058]9.酸化アルミニウム層が約20nmから約500nmの厚さを有する、条項1から8のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0059]10.酸化アルミニウム層がα-Alを含む、条項1から9のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0060]11.金属酸化物テンプレート層及び酸化アルミニウム層が、コランダム結晶構造を有する、条項10に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0061]12.金属酸化物テンプレート層及び酸化アルミニウム層が、約0.1%から約10%の格子不整合がある結晶構造を有する、条項10に記載の方法及び航空宇宙用部品。
[0062]13.金属酸化物テンプレート層が、熱的プロセス中に、昇華、蒸発、又は酸化によって除去される、条項1から12のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0063]14.航空宇宙用部品が、熱的プロセス中に、約800℃から約1,500℃の温度に約20分間から約100時間加熱される、条項1から13のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0064]15.航空宇宙用部品が、熱的プロセス中に、約900℃から約1,200℃の温度に加熱される、条項14に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0065]16.航空宇宙用部品が、熱的プロセス中に、約1,000℃から約1,100℃の温度に加熱される、条項15に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0066]17.酸素が、アルミニウムと反応する前に、金属酸化物テンプレート層を通じて拡散されて、酸化アルミニウム層を生成する、条項1から16のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0067]18.航空宇宙用部品及び金属酸化物テンプレート層が、熱的プロセス中に、酸素を含有する空気に曝露される、条項17に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0068]19.熱的プロセスを実施しながら、航空宇宙用部品を含むジェットエンジン又はタービンに動力を供給することをさらに含む、条項1から18のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0069]20.ジェットエンジン又はタービンからの熱エネルギーが、熱的プロセス中に航空宇宙用部品及び金属酸化物テンプレート層を加熱するのに使用される、条項19に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0070]21.航空宇宙用部品及び金属酸化物テンプレート層が、熱的プロセス中に処理チャンバ又は炉内で加熱される、条項1から20のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0071]22.航空宇宙用部品及び金属酸化物テンプレート層が、熱的プロセスの1つの熱サイクル中に、第1の期間予熱され、第2の期間所定の温度で維持され、第3の期間冷却される、条項21に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0072]23.第1の期間が約1分間から約30分間であり、第2の期間が約15分間から約120分間であり、第3の期間が約0.5分間から約15分間である、条項22に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0073]24.第1の期間が約5分間から約25分間であり、第2の期間が約20分間から約90分間であり、第3の期間が約1分間から約10分間である、条項22に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0074]25.第1の期間が約10分間から約20分間であり、第2の期間が約30分間から約60分間であり、第3の期間が約3分間から約8分間である、条項22に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0075]26.熱サイクルが、2回から約300回繰り返される、条項22に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0076]27.熱サイクルが、10回から約150回繰り返される、条項22に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0077]28.所定の温度が約900℃から約1,200℃である、条項22に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0078]29.所定の温度が約1,000℃から約1,100℃である、条項22に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0079]30.金属酸化物テンプレート層が、ALDプロセス又はCVDプロセスによって航空宇宙用部品上に堆積される、条項1から29のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0080]31.航空宇宙用部品が、タービンブレード、タービン翼、支持部材、フレーム、リブ、フィン、ピンフィン、燃焼器燃料ノズル、燃焼器シールド、内部冷却チャネル、又はそれらの任意の組み合わせである、条項1から30のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0081]32.航空宇宙用部品がニッケル超合金を含み、ニッケル超合金が、ニッケルと、アルミニウムと、クロム、コバルト、チタン、モリブデン、タングステン、又はそれらの合金から選択される一又は複数の金属とを含む、条項1から31のいずれか一項に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0082]33.ニッケル超合金が、約40wt%以上のニッケルと、約0.5wt%から約15wt%のアルミニウムとを含む、条項32に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0083]34.ニッケル超合金が、約50wt%以上のニッケルと、約1wt%から約10wt%のアルミニウムとを含む、条項32に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0084]35.ニッケル超合金が、約58wt%以上のニッケルと、約2wt%から約8wt%のアルミニウムとを含む、条項32に記載の方法又は航空宇宙用部品。
[0085]以上の記述は本開示の実施態様を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱せずに本開示の他の実施態様及び更なる実施態様が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。本書に記載の全ての文書は、この本文と矛盾しない限りにおいて、あらゆる優先文書及び/又は試験手順を含め、参照により本書に援用される。上述した概要及び具体的な実施態様から自明であるように、本開示の形態が図示され、説明されているが、本開示の本質及び範囲から逸脱することなく、様々な改変が行われ得る。したがって、図示され、説明されている本開示の形態によって本開示を限定することは意図されていない。同様に、「備える/含む(comprising)」という語は、米国法の解釈での「含む(including)」という語の同義語であると見なされる。同様に、組成物、要素、又は要素の群に「備える/含む(comprising)」という移行表現(transitional phrase)が先行する場合は常に、かかる組成物又は一又は複数の要素の列挙に先だって「実質的に~からなる(consisting essentially of)」、「~からなる(consisting of)」、「~からなる群より選択される(selected from the group of consisting of)」、又は「~である(is)」という移行表現を有する同じ組成物又は要素の群も想定され、その逆もまた同様であると、理解される。
[0086]ある種の実施態様及び特徴は、数値の上限のセット及び数値の下限のセットを使用して説明されている。別途指示されない限り、任意の2つの値の組み合わせ(例えば、任意の下方値と任意の上方値との組み合わせ、任意の2つの下方値の組み合わせ、及び/又は任意の2つの上方値の組み合わせ)を含む範囲が想定されると、認識すべきである。以下の一又は複数の請求項には、ある種の下限、上限、及び範囲が記載されている。

Claims (15)

  1. 航空宇宙用部品上に保護コーティングを生成するための方法であって、
    ニッケルとアルミニウムとを含む前記航空宇宙用部品上に金属酸化物テンプレート層を堆積することと;
    熱的プロセス中に前記金属酸化物テンプレート層を含む前記航空宇宙用部品を加熱することであって、前記熱的プロセスが、
    前記航空宇宙用部品内に含まれるアルミニウムを、前記金属酸化物テンプレート層を含む前記航空宇宙用部品の表面に向かって拡散することと、
    拡散されたアルミニウムを酸化させて、前記航空宇宙用部品と前記金属酸化物テンプレート層との間に配置される酸化アルミニウム層を生成することと、
    前記酸化アルミニウム層を残しながら、前記金属酸化物テンプレート層の少なくとも一部を除去することと
    を含む、前記航空宇宙用部品を加熱することと
    を含む、方法。
  2. 前記金属酸化物テンプレート層が、酸化クロム、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化バナジウム、又はそれらの任意の組み合わせを含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記金属酸化物テンプレート層が酸化クロムを含み、前記熱的プロセス中に前記酸化クロムをクロムオキシドヒドロキシドに変換することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  4. 前記金属酸化物テンプレート層が約10nmから約2,000nmの厚さを有し、前記酸化アルミニウム層が約10nmから約1,000nmの厚さを有する、請求項1に記載の方法。
  5. 前記酸化アルミニウム層がα-Alを含み、前記金属酸化物テンプレート層及び前記酸化アルミニウム層がコランダム結晶構造を有する、請求項1に記載の方法。
  6. 前記金属酸化物テンプレート層及び前記酸化アルミニウム層が、約0.1%から約10%の格子不整合がある結晶構造を有する、請求項5に記載の方法。
  7. 前記金属酸化物テンプレート層が、前記熱的プロセス中に昇華又は蒸発又は酸化によって除去され、前記航空宇宙用部品が、前記熱的プロセス中に、約800℃から約1,500℃の温度に約20分間から約100時間加熱される、請求項1に記載の方法。
  8. 酸素が、アルミニウムと反応する前に、前記金属酸化物テンプレート層を通じて拡散されて、前記酸化アルミニウム層を生成し、前記航空宇宙用部品及び前記金属酸化物テンプレート層が、前記熱的プロセス中に酸素を含む空気に曝露される、請求項1に記載の方法。
  9. 前記熱的プロセスを実施しながら、前記航空宇宙用部品を含むジェットエンジン又はタービンに動力を供給することであって、前記ジェットエンジン又は前記タービンからの熱エネルギーが、前記熱的プロセス中に前記航空宇宙用部品及び前記金属酸化物テンプレート層を加熱するのに使用される、ジェットエンジン又はタービンに動力を供給することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  10. 前記航空宇宙用部品及び前記金属酸化物テンプレート層が、前記熱的プロセス中に処理チャンバ又は炉内で加熱され、前記航空宇宙用部品及び前記金属酸化物テンプレート層が、前記熱的プロセスの1つの熱サイクル中に、第1の期間予熱され、第2の期間所定の温度で維持され、第3の期間冷却される、請求項1に記載の方法。
  11. 前記第1の期間が約1分間から約30分間であり、前記第2の期間が約15分間から約120分間であり、前記第3の期間が約0.5分間から約15分間であり、前記熱サイクルが2回から約300回繰り返され、前記所定の温度が約900℃から約1,200℃である、請求項10に記載の方法。
  12. 前記航空宇宙用部品が、タービンブレード、タービン翼、支持部材、フレーム、リブ、フィン、ピンフィン、燃焼器燃料ノズル、燃焼器シールド、内部冷却チャネル、又はそれらの任意の組み合わせであり、前記航空宇宙用部品がニッケル超合金を含み、前記ニッケル超合金が、ニッケルと、アルミニウムと、クロム、コバルト、チタン、モリブデン、タングステン、又はそれらの合金から選択される一又は複数の金属とを含む、請求項1に記載の方法。
  13. 前記ニッケル超合金が、約40wt%以上のニッケルと、約0.5wt%から約15wt%のアルミニウムとを含む、請求項12に記載の方法。
  14. 航空宇宙用部品上に保護コーティングを生成するための方法であって、
    ニッケルとアルミニウムとを含む前記航空宇宙用部品上に金属酸化物テンプレート層を堆積することであって、前記金属酸化物テンプレート層が、酸化クロム、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化バナジウム、又はそれらの任意の組み合わせを含み、前記金属酸化物テンプレート層が、原子層堆積(ALD)プロセス又は化学気相堆積(CVD)プロセスによって前記航空宇宙用部品上に堆積される、金属酸化物テンプレート層を堆積することと;
    熱的プロセス中に、前記金属酸化物テンプレート層を含む前記航空宇宙用部品を約900℃から約1,200℃の温度に加熱することであって、前記熱的プロセスが、
    前記航空宇宙用部品内に含まれるアルミニウムを、前記金属酸化物テンプレート層を含む前記航空宇宙用部品の表面に向かって拡散することと、
    拡散されたアルミニウムを酸化させて、前記航空宇宙用部品と前記金属酸化物テンプレート層との間に配置される酸化アルミニウム層を生成することと、
    前記酸化アルミニウム層を残しながら、前記金属酸化物テンプレート層の少なくとも一部を除去することと
    を含む、前記航空宇宙用部品を加熱することと
    を含む、方法。
  15. 航空宇宙用部品であって、
    ニッケル超合金を含む本体であって、前記超合金が、ニッケルと、アルミニウムと、クロム、コバルト、チタン、モリブデン、タングステン、又はそれらの合金から選択される一又は複数の金属とを含む、本体と;
    前記本体上に配置される金属酸化物テンプレート層であって、クロム、タングステン、モリブデン、バナジウム、又はそれらの任意の組み合わせを含む、金属酸化物テンプレート層と;
    前記航空宇宙用部品の前記本体と前記金属酸化物テンプレート層との間に配置される酸化アルミニウム層とを含む、
    航空宇宙用部品。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
SG11202008268RA (en) 2018-03-19 2020-10-29 Applied Materials Inc Methods for depositing coatings on aerospace components
WO2019209401A1 (en) 2018-04-27 2019-10-31 Applied Materials, Inc. Protection of components from corrosion
US11009339B2 (en) 2018-08-23 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Measurement of thickness of thermal barrier coatings using 3D imaging and surface subtraction methods for objects with complex geometries
EP3959356A4 (en) 2019-04-26 2023-01-18 Applied Materials, Inc. METHODS FOR PROTECTING AEROSPACE ELEMENTS AGAINST CORROSION AND OXIDATION
US11794382B2 (en) 2019-05-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Methods for depositing anti-coking protective coatings on aerospace components
US11697879B2 (en) 2019-06-14 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Methods for depositing sacrificial coatings on aerospace components
US11466364B2 (en) 2019-09-06 2022-10-11 Applied Materials, Inc. Methods for forming protective coatings containing crystallized aluminum oxide
US11519066B2 (en) 2020-05-21 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Nitride protective coatings on aerospace components and methods for making the same
WO2022005696A1 (en) 2020-07-03 2022-01-06 Applied Materials, Inc. Methods for refurbishing aerospace components
EP4200089A4 (en) * 2020-08-18 2024-10-16 Applied Mat Inc METHODS FOR CLEANING AEROSPACE COMPONENTS

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004285423A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Tocalo Co Ltd 耐食性および耐熱性に優れる熱遮蔽皮膜被覆材並びにその製造方法
JP2007518881A (ja) * 2004-01-21 2007-07-12 フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング 高温で使用するためのアルミニウム含有合金のための保護層並びにかゝる保護層を製造するための方法
US20160298222A1 (en) * 2015-04-10 2016-10-13 United Technologies Corporation Laser assisted oxide removal

Family Cites Families (284)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0209307B1 (en) 1985-07-15 1988-09-07 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Cleaning of metal articles
EP0236309A1 (de) * 1985-09-14 1987-09-16 BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. Keramische schutzschicht
US5217757A (en) 1986-11-03 1993-06-08 United Technologies Corporation Method for applying aluminide coatings to superalloys
GB2216902A (en) * 1988-04-05 1989-10-18 Atomic Energy Authority Uk Protective coatings for alloys
FR2643087B1 (fr) 1989-02-16 1991-06-07 Unirec Procede de depot d'un revetement de type ceramique sur un substrat metallique et element comportant un revetement obtenu par ce procede
JP2823086B2 (ja) 1990-05-21 1998-11-11 日本碍子株式会社 連結部材およびその連結方法
US5362228A (en) 1991-11-04 1994-11-08 Societe Europeenne De Propulsion Apparatus for preheating a flow of gas in an installation for chemical vapor infiltration, and a densification method using the apparatus
US6379466B1 (en) 1992-01-17 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Temperature controlled gas distribution plate
US6495271B1 (en) 1993-03-01 2002-12-17 General Electric Company Spallation-resistant protective layer on high performance alloys
WO1996031687A1 (en) 1995-04-06 1996-10-10 General Electric Company Method and composite for protection of thermal barrier coating with an impermeable barrier coating
US5503874A (en) 1994-09-30 1996-04-02 General Electric Company Method for low temperature chemical vapor deposition of aluminides containing easily oxidized metals
US5950925A (en) 1996-10-11 1999-09-14 Ebara Corporation Reactant gas ejector head
JP3943139B2 (ja) 1996-12-10 2007-07-11 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 高温ガスに曝される製品ならびにその製造方法
US5759640A (en) * 1996-12-27 1998-06-02 General Electric Company Method for forming a thermal barrier coating system having enhanced spallation resistance
JP2981184B2 (ja) 1997-02-21 1999-11-22 トーカロ株式会社 ボイラ伝熱管および管内面デポジット付着抑制効果に優れるボイラ伝熱管の製造方法
US5916378A (en) * 1997-03-11 1999-06-29 Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. Method of reducing metal contamination during semiconductor processing in a reactor having metal components
JP2991990B2 (ja) 1997-03-24 1999-12-20 トーカロ株式会社 耐高温環境用溶射被覆部材およびその製造方法
US5975852A (en) * 1997-03-31 1999-11-02 General Electric Company Thermal barrier coating system and method therefor
TW417249B (en) 1997-05-14 2001-01-01 Applied Materials Inc Reliability barrier integration for cu application
US6156382A (en) 1997-05-16 2000-12-05 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition process for depositing tungsten
US6309713B1 (en) 1997-06-30 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten nitride by plasma enhanced chemical vapor deposition
US6872429B1 (en) 1997-06-30 2005-03-29 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten nitride using plasma pretreatment in a chemical vapor deposition chamber
US6162715A (en) 1997-06-30 2000-12-19 Applied Materials, Inc. Method of forming gate electrode connection structure by in situ chemical vapor deposition of tungsten and tungsten nitride
US6805750B1 (en) 1998-06-12 2004-10-19 United Technologies Corporation Surface preparation process for deposition of ceramic coating
US6106959A (en) 1998-08-11 2000-08-22 Siemens Westinghouse Power Corporation Multilayer thermal barrier coating systems
US6042898A (en) 1998-12-15 2000-03-28 United Technologies Corporation Method for applying improved durability thermal barrier coatings
US6514629B1 (en) 1998-12-15 2003-02-04 General Electric Company Article with hafnium-silicon-modified platinum-aluminum bond or environmental coating
US6245192B1 (en) 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6455167B1 (en) * 1999-07-02 2002-09-24 General Electric Company Coating system utilizing an oxide diffusion barrier for improved performance and repair capability
US6207295B1 (en) 1999-07-13 2001-03-27 General Electric Company Article with tailorable high temperature coating
US6402898B1 (en) 1999-07-28 2002-06-11 Yeda Research And Development Co., Ltd. Coherently controlled laser distillation of chiral enantiomers
US6332926B1 (en) 1999-08-11 2001-12-25 General Electric Company Apparatus and method for selectively coating internal and external surfaces of an airfoil
US6359089B2 (en) 2000-04-19 2002-03-19 Dupont Dow Elastomers, L.L.C. Fluorovinyl ether cure site monomers and fluoroelastomer copolymer compositions thereof
US6630244B1 (en) 2001-03-23 2003-10-07 Delavan Inc. Carbon resistant surface coating
JP3603112B2 (ja) 2000-05-31 2004-12-22 独立行政法人産業技術総合研究所 アルミナ結晶質薄膜の低温製法
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7101795B1 (en) 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US6936538B2 (en) 2001-07-16 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing tungsten after surface treatment to improve film characteristics
US20020127336A1 (en) 2001-01-16 2002-09-12 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
US6811814B2 (en) 2001-01-16 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
US6544665B2 (en) 2001-01-18 2003-04-08 General Electric Company Thermally-stabilized thermal barrier coating
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6465040B2 (en) 2001-02-06 2002-10-15 General Electric Company Method for refurbishing a coating including a thermally grown oxide
US20020117399A1 (en) 2001-02-23 2002-08-29 Applied Materials, Inc. Atomically thin highly resistive barrier layer in a copper via
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
EP1247941A1 (de) 2001-04-03 2002-10-09 Siemens Aktiengesellschaft Gasturbinenschaufel
US7211144B2 (en) 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US20070009658A1 (en) 2001-07-13 2007-01-11 Yoo Jong H Pulse nucleation enhanced nucleation technique for improved step coverage and better gap fill for WCVD process
TW581822B (en) 2001-07-16 2004-04-01 Applied Materials Inc Formation of composite tungsten films
US20030198754A1 (en) 2001-07-16 2003-10-23 Ming Xi Aluminum oxide chamber and process
AU2002354941A1 (en) 2001-07-17 2003-03-03 Dana-Farber Cancer Institute, Inc. Mll translocations specify a distinct gene expression profile, distinguishing a unique leukemia
US20080268635A1 (en) 2001-07-25 2008-10-30 Sang-Ho Yu Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in copper contact applications
WO2003030224A2 (en) 2001-07-25 2003-04-10 Applied Materials, Inc. Barrier formation using novel sputter-deposition method
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US8110489B2 (en) 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US20030059535A1 (en) 2001-09-25 2003-03-27 Lee Luo Cycling deposition of low temperature films in a cold wall single wafer process chamber
US6607976B2 (en) 2001-09-25 2003-08-19 Applied Materials, Inc. Copper interconnect barrier layer structure and formation method
US20030059538A1 (en) 2001-09-26 2003-03-27 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US20030057526A1 (en) 2001-09-26 2003-03-27 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US7049226B2 (en) 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
TW589684B (en) 2001-10-10 2004-06-01 Applied Materials Inc Method for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques
US20030072884A1 (en) 2001-10-15 2003-04-17 Applied Materials, Inc. Method of titanium and titanium nitride layer deposition
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US6821891B2 (en) 2001-11-16 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of copper using a reducing gas and non-fluorinated copper precursors
US6620956B2 (en) 2001-11-16 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Nitrogen analogs of copper II β-diketonates as source reagents for semiconductor processing
JP2003164819A (ja) 2001-11-30 2003-06-10 Fujikura Ltd 押出機またはその部品の清掃方法
US7081271B2 (en) 2001-12-07 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
US6949342B2 (en) 2001-12-21 2005-09-27 Whitehead Institute For Biomedical Research Prostate cancer diagnosis and outcome prediction by expression analysis
US6939801B2 (en) 2001-12-21 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material
US6809026B2 (en) 2001-12-21 2004-10-26 Applied Materials, Inc. Selective deposition of a barrier layer on a metal film
US20030123216A1 (en) 2001-12-27 2003-07-03 Yoon Hyungsuk A. Deposition of tungsten for the formation of conformal tungsten silicide
US6677247B2 (en) 2002-01-07 2004-01-13 Applied Materials Inc. Method of increasing the etch selectivity of a contact sidewall to a preclean etchant
US6942929B2 (en) 2002-01-08 2005-09-13 Nianci Han Process chamber having component with yttrium-aluminum coating
US7371467B2 (en) 2002-01-08 2008-05-13 Applied Materials, Inc. Process chamber component having electroplated yttrium containing coating
US6827815B2 (en) 2002-01-15 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Showerhead assembly for a processing chamber
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
US6730175B2 (en) 2002-01-22 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
AU2003238853A1 (en) 2002-01-25 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
KR100442869B1 (ko) 2002-02-02 2004-08-02 삼성전자주식회사 반도체 기판 세정공정용 반도체 제조장치 및 그를 이용한반도체 기판 세정공정
US6827978B2 (en) 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US20030157760A1 (en) 2002-02-20 2003-08-21 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films for dynamic random access memory (DRAM) applications
US6833161B2 (en) 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6905939B2 (en) 2002-02-27 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Process for forming silicon oxide material
US6972267B2 (en) 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
US6825134B2 (en) 2002-03-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Deposition of film layers by alternately pulsing a precursor and high frequency power in a continuous gas flow
US7439191B2 (en) 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6846516B2 (en) 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
US6869838B2 (en) 2002-04-09 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US20030235961A1 (en) 2002-04-17 2003-12-25 Applied Materials, Inc. Cyclical sequential deposition of multicomponent films
US20030203616A1 (en) 2002-04-24 2003-10-30 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten barrier layers using tungsten carbonyls and boranes for copper metallization
US7094445B2 (en) 2002-05-07 2006-08-22 General Electric Company Dimensionally controlled pack aluminiding of internal surfaces of a hollow article
US6616978B1 (en) * 2002-05-09 2003-09-09 General Electric Company Protecting a substrate with a multilayer oxide/phosphate coating having a temperature-stepped cure
US20030215570A1 (en) 2002-05-16 2003-11-20 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon nitride
US7264846B2 (en) 2002-06-04 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Ruthenium layer formation for copper film deposition
US7404985B2 (en) 2002-06-04 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Noble metal layer formation for copper film deposition
US7910165B2 (en) 2002-06-04 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Ruthenium layer formation for copper film deposition
US20040009665A1 (en) 2002-06-04 2004-01-15 Applied Materials, Inc. Deposition of copper films
US7041335B2 (en) 2002-06-04 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Titanium tantalum nitride silicide layer
WO2003107382A2 (en) 2002-06-12 2003-12-24 Applied Materials, Inc. Plasma method and apparatus for processing a substrate
US20080090425A9 (en) 2002-06-12 2008-04-17 Christopher Olsen Two-step post nitridation annealing for lower EOT plasma nitrided gate dielectrics
US6858547B2 (en) 2002-06-14 2005-02-22 Applied Materials, Inc. System and method for forming a gate dielectric
US7067439B2 (en) 2002-06-14 2006-06-27 Applied Materials, Inc. ALD metal oxide deposition process using direct oxidation
US20030232501A1 (en) 2002-06-14 2003-12-18 Kher Shreyas S. Surface pre-treatment for enhancement of nucleation of high dielectric constant materials
US6924191B2 (en) 2002-06-20 2005-08-02 Applied Materials, Inc. Method for fabricating a gate structure of a field effect transistor
US6838125B2 (en) 2002-07-10 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method of film deposition using activated precursor gases
US20040013803A1 (en) 2002-07-16 2004-01-22 Applied Materials, Inc. Formation of titanium nitride films using a cyclical deposition process
US20040018738A1 (en) 2002-07-22 2004-01-29 Wei Liu Method for fabricating a notch gate structure of a field effect transistor
US6784096B2 (en) 2002-09-11 2004-08-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for forming barrier layers in high aspect ratio vias
US6808816B2 (en) 2002-09-13 2004-10-26 General Electric Company Method and coating system for reducing carbonaceous deposits on surfaces exposed to hydrocarbon fuels at elevated temperatures
EP1411210A1 (en) 2002-10-15 2004-04-21 ALSTOM Technology Ltd Method of depositing an oxidation and fatigue resistant MCrAIY-coating
US8257450B2 (en) 2002-12-18 2012-09-04 Afton Chemical Intangibles Llc Manganese compounds to inhibit both low-and high-temperature corrosion in utility and industrial furnace systems
US20070023142A1 (en) 2002-12-19 2007-02-01 Lagraff John R Airfoil refurbishment method
US7262133B2 (en) 2003-01-07 2007-08-28 Applied Materials, Inc. Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line
US7244683B2 (en) 2003-01-07 2007-07-17 Applied Materials, Inc. Integration of ALD/CVD barriers with porous low k materials
US7060366B2 (en) 2003-02-19 2006-06-13 General Electric Company Article including a substrate with a metallic coating and a chromium-aluminide protective coating thereon, and its preparation and use in component restoration
US6930059B2 (en) 2003-02-27 2005-08-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition
US7429540B2 (en) 2003-03-07 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Silicon oxynitride gate dielectric formation using multiple annealing steps
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
US6887589B2 (en) 2003-04-18 2005-05-03 General Electric Company Nickel aluminide coating and coating systems formed therewith
JP2007523994A (ja) 2003-06-18 2007-08-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド バリヤ物質の原子層堆積
KR100630677B1 (ko) 2003-07-02 2006-10-02 삼성전자주식회사 포토레지스트 패턴에의 불소를 포함하지 않는 탄소 함유폴리머 생성을 위한 플라즈마 전처리를 포함하는 식각 방법
US6905730B2 (en) 2003-07-08 2005-06-14 General Electric Company Aluminide coating of turbine engine component
GB0319349D0 (en) 2003-08-18 2003-09-17 Southside Thermal Sciences Sts Coatings and an optical method for detecting corrosion processes in coatings
US6921251B2 (en) 2003-09-05 2005-07-26 General Electric Company Aluminide or chromide coating of turbine engine rotor component
US20050085031A1 (en) 2003-10-15 2005-04-21 Applied Materials, Inc. Heterogeneous activation layers formed by ionic and electroless reactions used for IC interconnect capping layers
US20050109276A1 (en) 2003-11-25 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber
US6979498B2 (en) 2003-11-25 2005-12-27 General Electric Company Strengthened bond coats for thermal barrier coatings
US7361233B2 (en) 2003-12-10 2008-04-22 General Electric Company Methods of hydrogen cleaning of metallic surfaces
US7285312B2 (en) 2004-01-16 2007-10-23 Honeywell International, Inc. Atomic layer deposition for turbine components
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US20050255329A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 General Electric Company Superalloy article having corrosion resistant coating thereon
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
US20060153995A1 (en) 2004-05-21 2006-07-13 Applied Materials, Inc. Method for fabricating a dielectric stack
US20060019033A1 (en) 2004-05-21 2006-01-26 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of hafnium-containing materials
US20060062917A1 (en) 2004-05-21 2006-03-23 Shankar Muthukrishnan Vapor deposition of hafnium silicate materials with tris(dimethylamino)silane
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
JP2006010403A (ja) 2004-06-23 2006-01-12 Seiko Epson Corp 時計用外装部品の補修方法
US8202575B2 (en) 2004-06-28 2012-06-19 Cambridge Nanotech, Inc. Vapor deposition systems and methods
US7241686B2 (en) 2004-07-20 2007-07-10 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tantalum-containing materials using the tantalum precursor TAIMATA
US20060019032A1 (en) 2004-07-23 2006-01-26 Yaxin Wang Low thermal budget silicon nitride formation for advance transistor fabrication
US20060021633A1 (en) 2004-07-27 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Closed loop clean gas control
US7875119B2 (en) 2004-10-01 2011-01-25 United Technologies Corporation Apparatus and method for coating an article
US20060084283A1 (en) 2004-10-20 2006-04-20 Paranjpe Ajit P Low temperature sin deposition methods
US7374825B2 (en) 2004-12-01 2008-05-20 General Electric Company Protection of thermal barrier coating by an impermeable barrier coating
US7429402B2 (en) 2004-12-10 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition
US7560395B2 (en) 2005-01-05 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics
JP3757418B1 (ja) 2005-01-19 2006-03-22 石川島播磨重工業株式会社 拡散アルミナイドコーティングの局部施工方法
US7508648B2 (en) 2005-02-08 2009-03-24 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of Dy doped HfO2 films as gate dielectrics
US7265048B2 (en) 2005-03-01 2007-09-04 Applied Materials, Inc. Reduction of copper dewetting by transition metal deposition
KR100674967B1 (ko) 2005-04-06 2007-01-26 삼성전자주식회사 더블 패터닝 방식을 이용한 미세 피치를 갖는 포토레지스트패턴 형성방법
WO2006116841A1 (en) 2005-04-29 2006-11-09 National Research Council Of Canada Method of on-line thickness measurement of applied coatings
US7473655B2 (en) 2005-06-17 2009-01-06 Applied Materials, Inc. Method for silicon based dielectric chemical vapor deposition
US7651955B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process
US7601652B2 (en) 2005-06-21 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method for treating substrates and films with photoexcitation
US20060286819A1 (en) 2005-06-21 2006-12-21 Applied Materials, Inc. Method for silicon based dielectric deposition and clean with photoexcitation
US7317229B2 (en) 2005-07-20 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Gate electrode structures and methods of manufacture
US20070049043A1 (en) 2005-08-23 2007-03-01 Applied Materials, Inc. Nitrogen profile engineering in HI-K nitridation for device performance enhancement and reliability improvement
US7740960B1 (en) 2005-08-26 2010-06-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Multifunctionally graded environmental barrier coatings for silicon-base ceramic components
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US20070054487A1 (en) 2005-09-06 2007-03-08 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for ruthenium materials
US20070065578A1 (en) 2005-09-21 2007-03-22 Applied Materials, Inc. Treatment processes for a batch ALD reactor
US7807231B2 (en) 2005-11-30 2010-10-05 General Electric Company Process for forming thermal barrier coating resistant to infiltration
KR101192248B1 (ko) 2005-12-21 2012-10-17 에스케이케미칼주식회사 금속 표면에 형성된 산화막 및 탄화막 제거제
US20070160859A1 (en) 2006-01-06 2007-07-12 General Electric Company Layered thermal barrier coatings containing lanthanide series oxides for improved resistance to CMAS degradation
FI121341B (fi) 2006-02-02 2010-10-15 Beneq Oy Hopean suojapinnoitus
US7833358B2 (en) 2006-04-07 2010-11-16 Applied Materials, Inc. Method of recovering valuable material from exhaust gas stream of a reaction chamber
US20070259111A1 (en) 2006-05-05 2007-11-08 Singh Kaushal K Method and apparatus for photo-excitation of chemicals for atomic layer deposition of dielectric film
US20070274837A1 (en) 2006-05-26 2007-11-29 Thomas Alan Taylor Blade tip coatings
WO2008005892A2 (en) 2006-06-30 2008-01-10 Applied Materials, Inc. Nanocrystal formation
US20080032510A1 (en) 2006-08-04 2008-02-07 Christopher Olsen Cmos sion gate dielectric performance with double plasma nitridation containing noble gas
US7700167B2 (en) 2006-08-31 2010-04-20 Honeywell International Inc. Erosion-protective coatings on polymer-matrix composites and components incorporating such coated composites
US20090239061A1 (en) 2006-11-08 2009-09-24 General Electric Corporation Ceramic corrosion resistant coating for oxidation resistance
WO2008057123A1 (en) 2006-11-09 2008-05-15 Massachusetts Institute Of Technology Preparation and properties of cr-c-p hard coatings annealed at high temperature for high temperature applications
US7776395B2 (en) 2006-11-14 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method of depositing catalyst assisted silicates of high-k materials
US20080268154A1 (en) 2007-04-30 2008-10-30 Shreyas Kher Methods for depositing a high-k dielectric material using chemical vapor deposition process
US8056652B2 (en) 2007-06-25 2011-11-15 Smith International, Inc. Barrier coated granules for improved hardfacing material using atomic layer deposition
US7910446B2 (en) 2007-07-16 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Integrated scheme for forming inter-poly dielectrics for non-volatile memory devices
US20090134035A1 (en) 2007-08-02 2009-05-28 United Technologies Corporation Method for forming platinum aluminide diffusion coatings
KR101281682B1 (ko) 2007-08-29 2013-07-03 삼성전자주식회사 알루미늄 산화물층 형성방법 및 이를 이용한 전하 트랩형메모리 소자의 제조 방법
US7585762B2 (en) 2007-09-25 2009-09-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition processes for tantalum carbide nitride materials
US7867900B2 (en) 2007-09-28 2011-01-11 Applied Materials, Inc. Aluminum contact integration on cobalt silicide junction
US7737028B2 (en) 2007-09-28 2010-06-15 Applied Materials, Inc. Selective ruthenium deposition on copper materials
US7824743B2 (en) 2007-09-28 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Deposition processes for titanium nitride barrier and aluminum
US20090098289A1 (en) 2007-10-12 2009-04-16 Deininger Mark A Pig and Method for Applying Prophylactic Surface Treatments
EP2240606B1 (en) 2008-01-14 2016-10-12 Applied Biosystems, LLC Compositions, methods, and kits for detecting ribonucleic acid
US8114852B2 (en) 2008-01-15 2012-02-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Agriculture N-linked glycosylation alteration in E1 glycoprotein of classical swine fever virus and novel classical swine fever virus vaccine
US20090186237A1 (en) 2008-01-18 2009-07-23 Rolls-Royce Corp. CMAS-Resistant Thermal Barrier Coatings
US20110175038A1 (en) 2008-01-28 2011-07-21 College Of William & Mary Coated carbon nanoflakes
US8227078B2 (en) 2008-02-11 2012-07-24 General Electric Company Anti-fouling coatings for combustion system components exposed to slag, ash and/or char
GB0805224D0 (en) 2008-03-20 2008-04-30 Minebea Co Ltd An aerospace bearing component
US7659158B2 (en) 2008-03-31 2010-02-09 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition processes for non-volatile memory devices
US7816200B2 (en) 2008-04-22 2010-10-19 Applied Materials, Inc. Hardware set for growth of high k and capping material films
US20090269507A1 (en) 2008-04-29 2009-10-29 Sang-Ho Yu Selective cobalt deposition on copper surfaces
US8277670B2 (en) 2008-05-13 2012-10-02 Lam Research Corporation Plasma process with photoresist mask pretreatment
US7573586B1 (en) 2008-06-02 2009-08-11 United Technologies Corporation Method and system for measuring a coating thickness
US20100062149A1 (en) 2008-09-08 2010-03-11 Applied Materials, Inc. Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process
US8491967B2 (en) 2008-09-08 2013-07-23 Applied Materials, Inc. In-situ chamber treatment and deposition process
US20100075499A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Olsen Christopher S Method and apparatus for metal silicide formation
US8031346B2 (en) 2008-10-31 2011-10-04 Siemens Energy, Inc. Coating evaluation process
US20100120245A1 (en) 2008-11-07 2010-05-13 Agus Sofian Tjandra Plasma and thermal anneal treatment to improve oxidation resistance of metal-containing films
US8470460B2 (en) 2008-11-25 2013-06-25 Rolls-Royce Corporation Multilayer thermal barrier coatings
US8658255B2 (en) 2008-12-19 2014-02-25 General Electric Company Methods for making environmental barrier coatings and ceramic components having CMAS mitigation capability
KR101263856B1 (ko) 2008-12-31 2013-05-13 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 비저항이 감소되고 표면 형태가 개선된 텅스텐 필름을 증착하는 방법
GB0902633D0 (en) 2009-02-18 2009-04-01 Rolls Royce Plc A method and an arrangement for vapour phase coating of an internal surface of at least one hollow article
US8721812B2 (en) 2009-04-07 2014-05-13 Rolls-Royce Corporation Techniques for controlling precipitate phase domain size in an alloy
US8198671B2 (en) 2009-04-22 2012-06-12 Applied Materials, Inc. Modification of charge trap silicon nitride with oxygen plasma
PL2427590T3 (pl) 2009-05-08 2018-11-30 Mt Coatings, Llc Urządzenie i sposoby tworzenia modyfikowanych powłok metalowych
JP5581805B2 (ja) 2010-05-24 2014-09-03 トヨタ自動車株式会社 ステンレス鋼材へのめっき方法及びそのめっき材
EP2392895B1 (en) 2010-06-01 2013-03-06 Tenaris Connections Ltd. Method for measurement of geometrical parameters of coated threaded joints
US20120024403A1 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Hamilton Sundstrand Corporation Inorganic coke resistant coatings to prevent aircraft fuel system fouling
WO2012027357A2 (en) 2010-08-24 2012-03-01 Wayne State University Thermally stable volatile precursors
DE102010040839B4 (de) 2010-09-15 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektronsichen Bauelements und elektronisches Bauelement
US8871297B2 (en) 2010-09-30 2014-10-28 Barry Barnett Method of applying a nanocrystalline coating to a gas turbine engine component
US8673397B2 (en) 2010-11-10 2014-03-18 General Electric Company Methods of fabricating and coating a component
KR101679721B1 (ko) 2010-12-13 2016-11-28 삼성전자주식회사 포토마스크 및 그 제조 방법
US8592005B2 (en) 2011-04-26 2013-11-26 Asm Japan K.K. Atomic layer deposition for controlling vertical film growth
TW201308021A (zh) 2011-06-15 2013-02-16 Applied Materials Inc 調控增強的電子自旋以控制光阻線寬粗糙度之方法與設備
TWI492298B (zh) 2011-08-26 2015-07-11 Applied Materials Inc 雙重圖案化蝕刻製程
US8779407B2 (en) 2012-02-07 2014-07-15 Intermolecular, Inc. Multifunctional electrode
JP6126852B2 (ja) 2012-02-21 2017-05-10 ハウメット コーポレイションHowmet Corporation ガスタービン部品のコーティング及びコーティング方法
FR3000601B1 (fr) 2012-12-28 2016-12-09 Commissariat Energie Atomique Procede de formation des espaceurs d'une grille d'un transistor
GB2511768A (en) 2013-03-12 2014-09-17 Rolls Royce Plc Erosion Resistant Coating
CN105027316B (zh) 2013-03-14 2018-07-17 应用材料公司 薄膜封装-用于oled应用的薄超高阻挡层
RU2630733C2 (ru) 2013-04-10 2017-09-12 Пикосан Ой Способ и устройство для защиты внутренних поверхностей насоса посредством атомно-слоевого покрытия
EP2986752B1 (de) 2013-04-16 2021-04-07 Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon Oxidationsschutzschicht auf chrombasis
EP3049547B1 (en) 2013-09-24 2019-01-16 United Technologies Corporation Method of simultaneously applying three different diffusion aluminide coatings to a single part
WO2015061060A1 (en) 2013-10-21 2015-04-30 United Technologies Corporation Ceramic attachment configuration and method for manufacturing same
CN104647828B (zh) 2013-11-21 2017-06-16 北京有色金属研究总院 一种Cr2O3和Al2O3复合梯度阻氢涂层及其制备方法和应用
CN106995911B (zh) 2013-12-10 2020-07-31 应用材料公司 蒸发源、沉积设备以及用于蒸发有机材料的方法
US9873940B2 (en) 2013-12-31 2018-01-23 Lam Research Corporation Coating system and method for coating interior fluid wetted surfaces of a component of a semiconductor substrate processing apparatus
US9634335B2 (en) * 2014-01-09 2017-04-25 Bloom Energy Corporation Duplex coating for SOFC interconnect
US10443142B2 (en) 2014-01-15 2019-10-15 Savroc Ltd Method for producing chromium-containing multilayer coating and a coated object
EA031842B1 (ru) 2014-01-15 2019-02-28 Саврок Лтд Способ получения хромового покрытия и подложка с нанесенным покрытием
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US10153191B2 (en) 2014-05-09 2018-12-11 Applied Materials, Inc. Substrate carrier system and method for using the same
WO2015191543A1 (en) 2014-06-10 2015-12-17 Applied Materials Israel, Ltd. Scanning an object using multiple mechanical stages
WO2016005651A1 (en) 2014-07-11 2016-01-14 Savroc Ltd A chromium-containing coating, a method for its production and a coated object
US9612522B2 (en) 2014-07-11 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor
US10072335B2 (en) 2014-08-29 2018-09-11 University Of Maryland, College Park Method of coating of object
EP3198052A1 (en) 2014-09-22 2017-08-02 3M Innovative Properties Company Internal combustion engine components with anti-fouling properties and methods of making same
US9620150B2 (en) 2014-11-11 2017-04-11 Seagate Technology Llc Devices including an amorphous gas barrier layer
CN104401089B (zh) * 2014-11-28 2017-01-25 中国科学院金属研究所 一种包含镍‑铬‑氧活性扩散障层的高温涂层及制备方法
US10141582B2 (en) * 2014-12-22 2018-11-27 Sonata Scientific LLC SOFC interconnect barriers and methods of making same
US9828672B2 (en) 2015-03-26 2017-11-28 Lam Research Corporation Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma
US10282647B2 (en) 2015-05-05 2019-05-07 Massachusetts Institute Of Technology Substrate pre-scanning for high throughput microscopy
WO2016185234A1 (en) 2015-05-15 2016-11-24 Applied Materials, Inc. Masking device for use in a lithium deposition process in the manufacturing of thin film batteries, apparatus configured for a lithium deposition process, method for manufacturing electrodes of thin film batteries, and thin film battery
DE102015209824A1 (de) 2015-05-28 2016-12-01 BSH Hausgeräte GmbH Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Schmutzfracht in einer Spül- oder Waschflotte
KR20170063149A (ko) 2015-11-30 2017-06-08 재단법인 포항산업과학연구원 소재 표면 세정 장치 및 세정 방법
FR3044684B1 (fr) 2015-12-03 2017-12-08 Ge Energy Products France Snc Inhibiteurs de la corrosion vanadique a base d'yttrium et de magnesium
EP3205765A1 (en) 2016-02-11 2017-08-16 The Procter and Gamble Company Method of washing
KR101761736B1 (ko) 2016-02-29 2017-07-26 주식회사 성진케미칼 저농도 킬레이트제를 이용하는 친환경성 산화막 제거제 및 그 사용방법
US11326253B2 (en) 2016-04-27 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components
KR102511828B1 (ko) 2016-06-29 2023-03-21 삼성전자주식회사 자기 메모리 소자의 제조 방법
US10081036B2 (en) 2016-09-19 2018-09-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems for liquid particle prequalification
US20180261686A1 (en) 2017-03-13 2018-09-13 Applied Materials, Inc. Transistor sidewall formation process
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
KR102140569B1 (ko) 2017-03-17 2020-08-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 캐리어, 진공 시스템 및 진공 시스템을 동작시키는 방법
US10422984B2 (en) 2017-05-12 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Flexible mode scanning optical microscopy and inspection system
US20180340445A1 (en) * 2017-05-25 2018-11-29 United Technologies Corporation Aluminum-chromium oxide coating and method therefor
US10745282B2 (en) 2017-06-08 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Diamond-like carbon film
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
TWI782077B (zh) 2017-09-11 2022-11-01 美商應用材料股份有限公司 光罩清潔製程
TWI796358B (zh) 2017-09-18 2023-03-21 美商應用材料股份有限公司 選擇性蝕刻的自對準通孔製程
US11229442B2 (en) 2018-03-09 2022-01-25 Merit Medical Systems, Inc. Ultrasound compatible inflatable vascular compression and related systems and methods
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US11473197B2 (en) * 2018-03-16 2022-10-18 Raytheon Technologies Corporation HPC and HPT disks coated by atomic layer deposition
SG11202007946TA (en) 2018-03-19 2020-10-29 Applied Materials Inc Reactor for applying a coating on internal surfaces of components
SG11202008268RA (en) 2018-03-19 2020-10-29 Applied Materials Inc Methods for depositing coatings on aerospace components
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
WO2019209401A1 (en) 2018-04-27 2019-10-31 Applied Materials, Inc. Protection of components from corrosion
TWI821300B (zh) 2018-06-19 2023-11-11 美商應用材料股份有限公司 具有護罩座的沉積系統
US20200043722A1 (en) 2018-07-31 2020-02-06 Applied Materials, Inc. Cvd based spacer deposition with zero loading
EP3959356A4 (en) 2019-04-26 2023-01-18 Applied Materials, Inc. METHODS FOR PROTECTING AEROSPACE ELEMENTS AGAINST CORROSION AND OXIDATION
US11794382B2 (en) 2019-05-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Methods for depositing anti-coking protective coatings on aerospace components
US11697879B2 (en) 2019-06-14 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Methods for depositing sacrificial coatings on aerospace components

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004285423A (ja) * 2003-03-24 2004-10-14 Tocalo Co Ltd 耐食性および耐熱性に優れる熱遮蔽皮膜被覆材並びにその製造方法
JP2007518881A (ja) * 2004-01-21 2007-07-12 フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング 高温で使用するためのアルミニウム含有合金のための保護層並びにかゝる保護層を製造するための方法
US20160298222A1 (en) * 2015-04-10 2016-10-13 United Technologies Corporation Laser assisted oxide removal

Also Published As

Publication number Publication date
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US11697879B2 (en) 2023-07-11
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WO2020251654A1 (en) 2020-12-17

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