JP2022535372A - メモリデバイスをプログラムする方法および関連するメモリデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
ステップ510:第1の期間の間、選択されたビット線、上部ダミー記憶域DMX1、基板のチャネル領域および基板のソース領域をプリチャージする。
ステップ520:第1の期間の間、非選択のNANDストリングのチャネルが浮遊しているのを可能にするために非選択のビット線を禁止する。
ステップ530:第1の期間の間、基板のチャネル領域およびソース領域のプリチャージを増強する。
ステップ540:第1の期間に続く第2の期間の間、選択されたワード線をプログラムする。
20 制御回路網
22 状態機械
24 オンチップアドレスデコーダ
26 電力制御モジュール
30A、30B 読み書き回路
40A、40B 行デコーダ
50A、50B 列デコーダ
60 コントローラ
70 メモリチップ
82、84 信号線
100 メモリデバイス
100_DB、100_DT ダミートランジスタ
101~104 トランジスタ
126 ビット線コンタクト
BL1~BLM ビット線
BLOCK1~BLOCKI ブロック
CG1~CG4 制御ゲート
CGD_B、CGD_T 制御ゲート
DMX1~DMX2、DMY1~DMY2 ダミー記憶域
DWL_B、DWL_T ダミーワード線
FG1~FG4 浮遊ゲート
FGD_B、FGD_T 浮遊ゲート
SB センスブロック
SGBL、SGTL 選択ゲート線
SG_B 下部選択ゲート
SG_T 上部選択ゲート
WL1~WLN ワード線
Claims (15)
- 基板に形成される複数のメモリセル、上部ダミー記憶領域、下部ダミー記憶領域、複数のワード線および複数のビット線を含むメモリデバイスをプログラムする方法であって、
第1の期間の間、前記複数のビット線のうちの選択されたビット線、前記基板におけるチャネル領域および前記基板におけるソース領域をプリチャージするステップと、
前記第1の期間の間、前記下部ダミー記憶領域に負のプレパルス電圧を印加するステップと、
前記第1の期間に続く第2の期間の間、前記複数のメモリセルのうちの選択されたメモリセルをプログラムするステップであって、前記選択されたメモリセルが、前記選択されたビット線および前記複数のワード線のうちの選択されたワード線に結合されている、ステップとを含む、方法。 - 前記第1の期間の間、前記選択されたビット線に第1のプレパルス電圧を印加することによって前記選択されたビット線をプリチャージするステップと、
前記第1の期間の間、前記上部ダミー記憶領域に第2のプレパルス電圧を印加するステップと、
前記第1の期間の間、前記基板における前記チャネル領域に第3のプレパルス電圧を印加することによって前記基板における前記チャネル領域をプリチャージするステップと、
前記第1の期間の間、前記基板における前記ソース領域に第4のプレパルス電圧を印加することによって前記基板における前記ソース領域をプリチャージするステップと
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1から前記第4までのプレパルス電圧が正の電圧である、請求項2に記載の方法。
- 前記第2の期間の間、前記選択されたワード線をパス電圧に、次いでプログラム電圧に上昇させることによって前記選択されたメモリセルをプログラムするステップであって、前記プログラム電圧が前記パス電圧より大きい、ステップ
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第2の期間の間、前記選択されたメモリセルをプログラムするときに、前記複数のワード線のうちの非選択のワード線を前記パス電圧にバイアスし、前記選択されたビット線をグランドレベルにバイアスし、非選択のビット線を禁止電圧にバイアスし、前記上部ダミー記憶領域および前記下部ダミー記憶領域をバッファ電圧に上昇させ、前記基板における前記チャネル領域および前記ソース領域を前記グランドレベルにバイアスするステップ
を更に含む、請求項4に記載の方法。 - 前記プログラム電圧、前記パス電圧、前記禁止電圧および前記バッファ電圧が正の電圧である、請求項5に記載の方法。
- 前記第1の期間の間、非選択のビット線に禁止電圧を印加するステップ
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 基板に形成される複数のワード線と、
前記基板に形成される複数のビット線と、
前記基板における第1のメモリストリングであって、
第1の上部ダミーセルと、
第1の下部ダミーセルと、
前記第1の上部ダミーセルと前記第1の下部ダミーセルとの間に直列に結合され、
前記複数のワード線のうちの第1のワード線によって制御される選択された第1のメモリセルと、
前記複数のワード線のうちの第2のワード線によって制御される非選択の第1のメモリセルとを備える、複数の第1のメモリセルと、
前記第1の上部ダミーセルを前記複数のビット線のうちの第1のビット線に選択的に結合するように構成される第1の上部選択ゲートと、
前記第1の下部ダミーセルを第1のソース線に選択的に結合するように構成される第1の下部選択ゲートとを備える、第1のメモリストリングと、
第2のメモリストリングであって、
第2の上部ダミーセルと、
第2の下部ダミーセルと、
前記第2の上部ダミーセルと前記第2の下部ダミーセルとの間に直列に結合され、かつ前記複数のワード線によって制御される複数の非選択の第2のメモリセルと、
前記第2の上部ダミーセルを前記複数のビット線のうちの第2のビット線に選択的に結合するように構成される第2の上部選択ゲートと、
前記第2の下部ダミーセルを第2のソース線に選択的に結合するように構成される第2の下部選択ゲートとを備える、第2のメモリストリングと、
制御ユニットであって、
第1の期間の間、前記第1のビット線、前記基板におけるチャネル領域および前記基板におけるソース領域をプリチャージし、
前記第1の期間の間、前記第1の下部ダミーセルに負のプレパルス電圧を印加し、
前記第1の期間に続く第2の期間の間、前記選択された第1のメモリセルをプログラムするように構成される、制御ユニットと
を備える、メモリデバイス。 - 前記制御ユニットが、
前記第1の期間の間、前記第1のビット線に第1のプレパルス電圧を印加することによって前記第1のビット線をプリチャージし、
前記第1の期間の間、前記第1の上部ダミーセルに第2のプレパルス電圧を印加し、
前記第1の期間の間、前記基板における前記チャネル領域に第3のプレパルス電圧を印加することによって前記基板における前記チャネル領域をプリチャージし、
前記第1の期間の間、前記基板における前記ソース領域に第4のプレパルス電圧を印加することによって前記基板における前記ソース領域をプリチャージするように更に構成される、請求項8に記載のメモリデバイス。 - 前記第1から前記第4までのプレパルス電圧が正の電圧である、請求項9に記載のメモリデバイス。
- 前記制御ユニットが、
前記第2の期間の間、前記第1のワード線をパス電圧に、次いでプログラム電圧に上昇させることによって前記選択された第1のメモリセルをプログラムするように更に構成され、前記プログラム電圧が前記パス電圧より大きい、請求項8に記載のメモリデバイス。 - 前記制御ユニットが、
前記第2の期間の間、前記第2のワード線を前記パス電圧にバイアスし、
前記第2の期間の間、前記第1のビット線をグランドレベルにバイアスし、
前記第2の期間の間、前記第2のビット線を禁止電圧にバイアスし、
前記第2の期間の間、前記第1の上部ダミーセルおよび前記第1の下部ダミーセルをバッファ電圧に上昇させ、
前記第2の期間の間、前記基板における前記チャネル領域および前記ソース領域を前記グランドレベルにバイアスするように更に構成される、請求項11に記載のメモリデバイス。 - 前記プログラム電圧、前記パス電圧、前記禁止電圧および前記バッファ電圧が正の電圧である、請求項12に記載のメモリデバイス。
- 前記制御ユニットが、前記第1の期間の間、前記第2のビット線に禁止電圧を印加するように更に構成される、請求項8に記載のメモリデバイス。
- 前記複数の第1および第2のメモリセルが3次元クアッドレベルセル(3D QLC)構造に設置される、請求項8に記載のメモリデバイス。
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