JP2022188285A - 半導体装置および製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1 特開平08-255902号公報
Claims (2)
- 第1導電型の半導体基板のおもて面側に形成された第2導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域よりもおもて面側の一部に選択的に形成された第1導電型の第2半導体領域と、を備える半導体装置において、
前記半導体基板のおもて面側において予め定められた延伸方向に延び、且つ、前記第1半導体領域の下方まで至る複数のトレンチと、
複数の前記トレンチの内部に充填された導電部と、
前記半導体基板のおもて面を所定のパターンで覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の上側に設けられた第1電極と、を更に備え、
前記延伸方向と垂直な断面において、
前記半導体基板の表面から前記導電部の上端までが所定距離である第1トレンチ部と、
前記半導体基板の表面から前記導電部の上端までが前記所定距離よりも長い第2トレンチ部と、を含み、
前記第1トレンチ部および前記第2トレンチ部は、側壁の傾斜よりも、前記第1トレンチ部および前記第2トレンチ部に挟まれるメサ領域の中央側に傾斜した肩部を前記上端に有する
半導体装置。 - 前記第2トレンチ部は、前記第1トレンチ部よりも深い
請求項1に記載の半導体装置。
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