JP2014099484A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
本発明が解決しようとする課題は、破壊耐量を維持しながら、素子の微細化を可能にする半導体装置を提供することである。
【解決手段】
実施形態の半導体装置は、第2面を有し、第1導電型の第1半導体層が設けられた半導体基板と、前記第2面に接続された第2電極と、前記第2面から前記前記第1半導体層まで達するように設けられた複数のトレンチと、前記トレンチ内に設けられた制御電極と、前記トレンチ内に設けられた第3電極と、前記第2電極と前記第3電極との間に位置し、前記トレンチ内に収納するように設けられた第2絶縁膜と、前記制御電極と前記第2電極との間に位置し、前記トレンチから突出するように設けられた第3絶縁膜とを有する。
【選択図】図1
Description
一実施形態に係る半導体装置1aの構造について、図1を参照しながら説明する。図1は一実施形態に係る半導体装置1aの断面構造を示す断面図を示している。
次に半導体装置1aの動作について説明する。
本実施形態の半導体装置1aの効果について説明する。
Claims (2)
- 第1面及び前記第1面に対向する第2面を有し、第1導電型の第1半導体層が設けられた半導体基板と、
前記第1面に設けられた第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層に接続された第1電極と、
前記第2面に設けられた第2導電型の第3半導体層と、
前記第3半導体層上に設けられた第2導電型の第4半導体層と、
前記第2面に選択的に設けられた第1導電型の第5半導体層と、
前記第2面に接続された第2電極と、
前記第2面から前記前記第1半導体層まで達するように設けられた複数のトレンチと、
前記トレンチ内に第1絶縁膜を介して設けられた制御電極と、
前記第2電極と電気的に接続され、前記トレンチ内に第1絶縁膜を介して設けられた第3電極と、
前記第2電極と前記第3電極との間に位置し、前記トレンチ内に収納するように設けられた第2絶縁膜と、
前記制御電極と前記第2電極との間に位置し、前記トレンチから突出するように設けられた第3絶縁膜と、
を有する半導体装置。 - 前記制御電極が設けられた前記トレンチと、前記第3電極が設けられた前記トレンチとが隣接した請求項1に記載の半導体装置。
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JP2012249776A JP2014099484A (ja) | 2012-11-13 | 2012-11-13 | 半導体装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2021082838A (ja) * | 2015-09-16 | 2021-05-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008227514A (ja) * | 2003-12-30 | 2008-09-25 | Fairchild Semiconductor Corp | パワー半導体デバイスおよびその製造方法 |
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JP2021082838A (ja) * | 2015-09-16 | 2021-05-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および製造方法 |
JP7284202B2 (ja) | 2015-09-16 | 2023-05-30 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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