JP2021502943A5 - - Google Patents
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- 炭化ケイ素単結晶基板表層と炭化ケイ素単結晶基板メイン層を少なくとも含む高純度炭化ケイ素単結晶基板であって、
前記炭化ケイ素単結晶基板表層の真性点欠陥の室温濃度は、１×１０ １３ ｃｍ −３ 以下であり、前記炭化ケイ素単結晶基板メイン層の真性点欠陥の濃度は、１×１０ １４ 〜１×１０ １６ ｃｍ −３ であり、
前記炭化ケイ素単結晶基板表層は、室温では、殆ど真性点欠陥を含まず、前記炭化ケイ素単結晶基板メイン層の真性点欠陥の濃度により、前記高純度炭化ケイ素単結晶基板が半絶縁性を有することを特徴とする高純度炭化ケイ素単結晶基板。 - 前記炭化ケイ素単結晶基板表層と炭化ケイ素単結晶基板メイン層は、厚さの比が１：４〜２５であることを特徴とする請求項１に記載の高純度炭化ケイ素単結晶基板。
- 前記炭化ケイ素単結晶基板表層の厚さは、１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の高純度炭化ケイ素単結晶基板。
- 高純度炭化ケイ素ウェハに対して高温迅速熱処理及び表面アニール処理を行う製造方法によって製造されることを特徴とする、請求項１〜３の何れか１つに記載の高純度炭化ケイ素単結晶基板。
- 前記高温迅速熱処理は、迅速温度上昇加熱段階及び迅速温度降下段階を含み、
前記迅速温度上昇加熱段階では、３０〜１００℃／ｓの速度で温度を１８００〜２３００℃に上昇させ、６０〜６００ｓ維持するステップを含み、前記迅速温度降下段階では、５０〜１５０℃／ｓの速度で迅速で室温に冷却するステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の高純度炭化ケイ素単結晶基板。 - 前記表面アニール処理で制御された炭化ケイ素ウェハは、表面温度が１２００〜１８００℃であり、アニール処理の時間が３０〜９０ｍｉｎであることを特徴とする請求項４に記載の高純度炭化ケイ素単結晶基板。
- 前記表面アニール処理は、表面へのレーザを用いて高温迅速熱処理が行われた炭化ケイ素ウェハの表面を加熱することであり、
前記レーザで加熱するステップは、レーザを用いて高温迅速熱処理が行われた炭化ケイ素ウェハに対して往復の面スキャンを行うことによって、表面アニール処理を行うことを含み、前記レーザの移動速度は、０．５〜３０００ｍｍ／ｓであることを特徴とする請求項６に記載の高純度炭化ケイ素単結晶基板。 - 請求項１〜７の何れか１つに記載の高純度炭化ケイ素単結晶基板を含む半導体デバイス。
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