JP2016152370A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- 被処理シリコンウェーハに熱処理を施すことにより、表層に無欠陥領域を有するシリコンウェーハを製造する方法であって、
前記被処理シリコンウェーハを上方から加熱する第１の熱源により、前記被処理シリコンウェーハの上側の表層のみに１３００℃以上、シリコン融点以下の温度で、０．０１ｍｓｅｃ以上、１００ｍｓｅｃ以下の第１の急速熱処理を行う工程Ａと、前記被処理シリコンウェーハを加熱する第２の熱源による第２の急速熱処理により、前記被処理シリコンウェーハを１１００℃以上、１３００℃未満の温度で１秒以上、１００秒以下保持し、３０℃／ｓｅｃ以上、１５０℃／ｓｅｃ以下の降温速度で降温する工程Ｂとを有し、
前記工程Ｂの最中に前記工程Ａを行い、かつ、前記工程Ｂにおいては前記第２の熱源により前記被処理シリコンウェーハを下方から加熱することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 前記第１の熱源としてキセノンランプを用いることを特徴とする請求項１に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記第２の熱源としてハロゲンランプを用いることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記被処理シリコンウェーハを、チョクラルスキー法により育成された酸素濃度が７ｐｐｍａ以上２０ｐｐｍａ以下のシリコン単結晶インゴットから切り出したものとすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記被処理シリコンウェーハを、チョクラルスキー法により育成された窒素濃度が１×１０１１〜１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のシリコン単結晶インゴットから切り出したものとすることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記被処理シリコンウェーハを、チョクラルスキー法により育成された炭素濃度が１×１０１６〜１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のシリコン単結晶インゴットから切り出したものとすることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記被処理シリコンウェーハを、チョクラルスキー法により育成された半径方向全面がＮ領域のシリコン単結晶インゴットから切り出したものとすることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
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