UA99181U - Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи - Google Patents

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи

Info

Publication number
UA99181U
UA99181U UAU201412235U UAU201412235U UA99181U UA 99181 U UA99181 U UA 99181U UA U201412235 U UAU201412235 U UA U201412235U UA U201412235 U UAU201412235 U UA U201412235U UA 99181 U UA99181 U UA 99181U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
sub
inclusions
phase
telurides
inlets
Prior art date
Application number
UAU201412235U
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to UAU201412235U priority Critical patent/UA99181U/uk
Publication of UA99181U publication Critical patent/UA99181U/uk

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів ІІ-В підгрупи Періодичної системи включає відпал вирощеного злитка в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі. Термообробку проводять для усього злитка шляхом повільного проходження вузької гарячої зони вздовж нього при температурі зони, вищій за температуру топлення телуру, із швидкістю, меншою ніж 10 мм/год., після чого піч програмовано охолоджують.
UAU201412235U 2014-11-13 2014-11-13 Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи UA99181U (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201412235U UA99181U (uk) 2014-11-13 2014-11-13 Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201412235U UA99181U (uk) 2014-11-13 2014-11-13 Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA99181U true UA99181U (uk) 2015-05-25

Family

ID=53675121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAU201412235U UA99181U (uk) 2014-11-13 2014-11-13 Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA99181U (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MX2021015169A (es) Metodos de preparacion de un catalizador.
MX2016011768A (es) Un metodo para formar partes a partir de aleacion de metal en lamina.
MY161961A (en) Semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon and method for producing it
JP2016152370A5 (uk)
MX2017008717A (es) Metodos para el tratamiento termico de articulos de vidrio.
WO2012099343A3 (en) Resistance heated sapphire single crystal ingot grower, method of manufacturing resistance heated sapphire sngle crystal ingot, sapphire sngle crystal ingot, and sapphire wafer
EP3190086A4 (en) Reaction furnace for producing polycrystalline silicon, apparatus for producing polycrystalline silicon, method for producing polycrystalline silicon, and, polycrystalline silicon rod or polycrystalline silicon ingot
MX2018008999A (es) Metodo para obtener cristales de una solucion madre, y dispositivo de cristalizacion adecuado para este proposito.
MX359531B (es) Recuperación de calor de un proceso de reenfriamiento de túnel.
UA99181U (uk) Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи
PL411695A1 (pl) Sposób wytwarzania długich kryształów węglika krzemu z fazy gazowej
MX2017001321A (es) Sistema y metodo roboticos de tratamiento termico por calentamiento por induccion.
EA201891470A1 (ru) Способ кристаллизации для получения кристаллов гемигидрата канаглифлозина
MD402Y (en) Process for rapid growth of bismuth monocrystal
MD4266C1 (ro) Procedeu de obţinere a monocristalului de ZnSe
RU2014114789A (ru) Способ изготовления изделия из композиционного материала
UA94990U (uk) Спосіб термічної обробки інтерметаліду системи титан-алюміній
PL407357A1 (pl) Proces wzrostu kryształów azotku galu metodą HVPE
UA95506U (uk) Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів
UA79780U (uk) СПОСІБ УСУНЕННЯ ВКЛЮЧЕНЬ ДРУГОЇ ФАЗИ З КРИСТАЛІВ НА ОСНОВІ CdTe
UA118170C2 (uk) Пристрій для утилізації відпрацьованих хімічних джерел струму та спосіб утилізації відпрацьованих хімічних джерел струму
ZA202110781B (en) Method for preparing monatomic silicon by utilizing joule heat
MX2016011288A (es) Crisol hibrido para cristalizar materiales.
Teng et al. Numerical analysis of the effect of heat shield structure on growth of large diameter monocrystalline silicon
PL415567A1 (pl) Sposób obróbki cieplnomagnetycznej i cieplnej odlewów ze stopu AlNiCo