Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by СхідноєвропейсfiledCriticalСхідноєвропейс
Priority to UAU201407820UpriorityCriticalpatent/UA95506U/uk
Publication of UA95506UpublicationCriticalpatent/UA95506U/uk
Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури. Синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала здійснюють методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті вздовж кристала 2-3 К/мм з використанням в цьому процесі двох операцій відпалу, першу з яких здійснюють при 1110 К протягом 48 год. та другу при 820 К протягом 100 год., при цьому у проміжку між останніми відпалами охолодження монокристала здійснюють зі швидкістю 0,1-0,15 мм/год.
UAU201407820U2014-07-112014-07-11Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів
UA95506U
(uk)