UA115209U - СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl4HgBr6 З РОЗЧИНУ-РОЗПЛАВУ - Google Patents

СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl4HgBr6 З РОЗЧИНУ-РОЗПЛАВУ

Info

Publication number
UA115209U
UA115209U UAU201610096U UAU201610096U UA115209U UA 115209 U UA115209 U UA 115209U UA U201610096 U UAU201610096 U UA U201610096U UA U201610096 U UAU201610096 U UA U201610096U UA 115209 U UA115209 U UA 115209U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
tl4hgbr6
melt
solution
temperature
obtaining
Prior art date
Application number
UAU201610096U
Other languages
English (en)
Inventor
Олег Васильович Парасюк
Оксана Миколаївна Юрченко
Сергій Іванович Левковець
Петро Михайлович Фочук
Original Assignee
Східноєвропейський Національний Університет Ім. Лесі Українки
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Східноєвропейський Національний Університет Ім. Лесі Українки filed Critical Східноєвропейський Національний Університет Ім. Лесі Українки
Priority to UAU201610096U priority Critical patent/UA115209U/uk
Publication of UA115209U publication Critical patent/UA115209U/uk

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl4HgBr6 з розчину-розплаву, що включає складання шихти з розрахованих кількостей очищених багатократним зонним плавленням та направленою кристалізацією на установці, призначеній для реалізації методу Бріджмена-Стокбаргера, бінарних галогенідів, синтез сполуки потрібного складу сплавленням бінарних сполук у вакуумованій і запаяній в кварцовій ампулі в печі шахтного типу, проведенням кристалізації та відпалу з наступним охолодженням до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера, причому при складанні шихти беруть надлишок HgBr2 як розчинник, що становить близько 70 мол. % ТІВr та 30 мол. % HgBr2, синтез і ріст суміщають в одній кварцовій ампулі з конічним дном, при цьому синтез проводять безпосереднім сплавленням бромідів при температурі 770-790 Κ із швидкістю 60 Κ/год., витримці 12 год., поступовому зниженні температури до кімнатної в режимі вимкненої печі.
UAU201610096U 2016-10-04 2016-10-04 СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl4HgBr6 З РОЗЧИНУ-РОЗПЛАВУ UA115209U (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201610096U UA115209U (uk) 2016-10-04 2016-10-04 СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl4HgBr6 З РОЗЧИНУ-РОЗПЛАВУ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201610096U UA115209U (uk) 2016-10-04 2016-10-04 СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl4HgBr6 З РОЗЧИНУ-РОЗПЛАВУ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA115209U true UA115209U (uk) 2017-04-10

Family

ID=58530868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAU201610096U UA115209U (uk) 2016-10-04 2016-10-04 СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl4HgBr6 З РОЗЧИНУ-РОЗПЛАВУ

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA115209U (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AR081267A1 (es) Procedimiento de obtencion de la forma cristalina a del febuxostat
UA115209U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl4HgBr6 З РОЗЧИНУ-РОЗПЛАВУ
UA115208U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ РbВr1,2І0,8
UA115207U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ TlPb2BrI4
UA115226U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl10Hg3Cl16
UA115603U (xx) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ TlHgBr3
UA95506U (uk) Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів
UA116748C2 (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ (Cu1-xAgx)GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ
UA116899U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ AgxGaxGe1-xSe2 (X=0,333; 0,250; 0,200; 0,167)
UA111911U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag0,5Pb1,75GeS4
UA114854U (xx) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Ag7GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ - РОЗЧИНУ
RU2011143444A (ru) Способ выращивания кристаллов галогенидов серебра и таллия
MD402Z (ro) Procedeu de creştere rapidă a monocristalului de bismut
UA130702U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Cu7SiS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ
UA131035U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ (Cu1-XAgX)7SiS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ
UA113185C2 (xx) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ CdTe ТА ЙОГО ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ CdXZn1-XTe, CdXMn1-XTe
UA153137U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АРГЕНТУМ(І) БІСМУТ(ІІІ) ГЕКСАСЕЛЕНОГІПОДИФОСФАТУ AgBiP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ
UA128639U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ CdTe, CdхZn1-хTe, CdхMn1-хTe ВЕРТИКАЛЬНИМ МЕТОДОМ БРІДЖМЕНА
UA131037U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Ag7SiS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ
UA105367U (uk) ПРОЦЕС ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ In2Hg3Te6
RU2017131286A (ru) Новые полиморфные формы миноциклинового основания и способы их получения
RU2014108691A (ru) Способ получения термоэлектрических материалов
UA92883U (uk) Спосіб одержання подвійного діортооксофосфату калію-титану (iv)
UA56653U (uk) ПРОЦЕС ОТРИМАННЯ ОПТИЧНОГО МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ ZnSb
UA81127U (uk) Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву