UA116748C2 - СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ (Cu1-xAgx)GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ - Google Patents

СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ (Cu1-xAgx)GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ

Info

Publication number
UA116748C2
UA116748C2 UAA201705616A UAA201705616A UA116748C2 UA 116748 C2 UA116748 C2 UA 116748C2 UA A201705616 A UAA201705616 A UA A201705616A UA A201705616 A UAA201705616 A UA A201705616A UA 116748 C2 UA116748 C2 UA 116748C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
ges5i
xagx
composition
solid solutions
crystalization
Prior art date
Application number
UAA201705616A
Other languages
English (en)
Inventor
Артем Ігорович Погодін
Олександр Павлович Кохан
Андрій Михайлович Соломон
Віталій Юрійович Ізай
Ігор Петрович Студеняк
Original Assignee
Державний Вищий Навчальний Заклад "Ужгородський Національний Університет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Державний Вищий Навчальний Заклад "Ужгородський Національний Університет" filed Critical Державний Вищий Навчальний Заклад "Ужгородський Національний Університет"
Priority to UAA201705616A priority Critical patent/UA116748C2/uk
Publication of UA116748C2 publication Critical patent/UA116748C2/uk

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Винахід належить до галузі неорганічної хімії. Спосіб вирощування твердих розчинів складу (Cu1-xAgx)GeS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву-розчину, який включає ступінчастий нагрів вакуумованих кварцових ампул, з попередньо синтезованих тетрарних галогенхалькогенідів Cu7GeS5I та Ag7GeS5I, взятих у необхідних стехіометричних співвідношеннях, нагрівання проводять до максимальної температури, яка на 50 К вище температури плавлення і шихту витримують при цій температурі протягом 72 год. та здійснюють подальше вирощування монокристалів зі швидкістю 0,4-0,5 мм/год. у вакуумованих кварцових контейнерах спеціальної форми. Пропонований спосіб є зручним, швидким і може бути виконаним на стандартному устаткуванні.
UAA201705616A 2017-06-06 2017-06-06 СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ (Cu1-xAgx)GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ UA116748C2 (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAA201705616A UA116748C2 (uk) 2017-06-06 2017-06-06 СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ (Cu1-xAgx)GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAA201705616A UA116748C2 (uk) 2017-06-06 2017-06-06 СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ (Cu1-xAgx)GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA116748C2 true UA116748C2 (uk) 2018-04-25

Family

ID=62027317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAA201705616A UA116748C2 (uk) 2017-06-06 2017-06-06 СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ (Cu1-xAgx)GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA116748C2 (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018501184A5 (uk)
MX2009010361A (es) Anticuerpos il-12 anti-humanos cristalinos.
MX2010001488A (es) Composiciones y metodos para cristalizar anticuerpos.
WO2008095111A3 (en) Method and system for forming a higher purity semiconductor ingot using low purity semiconductor feedstock
PH12020500586A1 (en) Process for preapring large size isoxazoline particles
UA116748C2 (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ (Cu1-xAgx)GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ
CN102363897A (zh) 一种pbn坩埚及利用其进行砷化镓晶体生长的方法
UA131037U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Ag7SiS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ
UA130702U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Cu7SiS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ
UA114854U (xx) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Ag7GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ - РОЗЧИНУ
UA115210U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl3PbBr2,5I2,5
UA131035U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ (Cu1-XAgX)7SiS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ
EP4386117A3 (en) Systems and methods for production of silicon using a horizontal magnetic field
MY183217A (en) Method for producing multicrystalline silicon
UA115207U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ TlPb2BrI4
RU2011143444A (ru) Способ выращивания кристаллов галогенидов серебра и таллия
MD532Z (ro) Procedeu de creştere rapidă a monocristalelor de Sb
UA115209U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl4HgBr6 З РОЗЧИНУ-РОЗПЛАВУ
UA116899U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ AgxGaxGe1-xSe2 (X=0,333; 0,250; 0,200; 0,167)
UA115208U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ РbВr1,2І0,8
RU2014112902A (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ β-Ga2O3 И ЕГО ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ИЗ РАСПЛАВА В НЕМЕТАЛЛИЧЕСКОМ ТИГЛЕ
UA115226U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl10Hg3Cl16
UA81126U (uk) Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву
UA81127U (uk) Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву
UA93505U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ САПФІРА (α-Al2O3) ВЕРТИКАЛЬНОЮ НАПРЯМЛЕНОЮ КРИСТАЛІЗАЦІЄЮ РОЗПЛАВУ