Державний Вищий Навчальний Заклад "Ужгородський Національний Університет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Державний Вищий Навчальний Заклад "Ужгородський Національний Університет"filedCriticalДержавний Вищий Навчальний Заклад "Ужгородський Національний Університет"
Priority to UAU201805674UpriorityCriticalpatent/UA130702U/uk
Publication of UA130702UpublicationCriticalpatent/UA130702U/uk
Спосіб вирощування Cu7SiS5I методом спрямованої кристалізації з розплаву включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти: мідь, силіцій, сірку та попередньо синтезований і очищений Cul у стехіометричному співвідношенні, причому нагрівання проводять до максимальної температури 1470 K і шихту витримують при цій температурі протягом 24 год. та здійснюють подальше вирощування монокристалів методом спрямованої кристалізації з розплаву з швидкістю 0.4-0.5 мм/год. у вакуумованих кварцових контейнерах.
UAU201805674U2018-05-222018-05-22СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Cu7SiS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ
UA130702U
(uk)
СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АРГЕНТУМ(І) БІСМУТ(ІІІ) ГЕКСАСЕЛЕНОГІПОДИФОСФАТУ AgBiP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ