Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk, Topgan Spółka Z Ograniczoną OdpowiedzialnościąfiledCriticalInstytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Priority to PL407357ApriorityCriticalpatent/PL407357A1/pl
Publication of PL407357A1publicationCriticalpatent/PL407357A1/pl
Proces wzrostu kryształów azotku galu metodą HVPE charakteryzuje się tym, że proces dogrzewania zarodzi do warunków wzrostu jest prowadzony do temperatury 950°C z dowolną prędkością, dalsze grzanie do temperatury 1020°C jest prowadzone z prędkością nie większą niż dwa stopnie na minutę (120°C/h), następnie podgrzewa się do temperatury wzrostu z prędkością nie większą niż jeden stopień na minutę (60°C/h) i w ciągu dwudziestu minut utrzymuje się wygrzewanie zarodzi w temperaturze wzrostu.
PL407357A2014-02-282014-02-28Proces wzrostu kryształów azotku galu metodą HVPE
PL407357A1
(pl)