UA115226U - СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl10Hg3Cl16 - Google Patents

СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl10Hg3Cl16

Info

Publication number
UA115226U
UA115226U UAU201610320U UAU201610320U UA115226U UA 115226 U UA115226 U UA 115226U UA U201610320 U UAU201610320 U UA U201610320U UA U201610320 U UAU201610320 U UA U201610320U UA 115226 U UA115226 U UA 115226U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
ampoule
growth
crystallization
mol
synthesis
Prior art date
Application number
UAU201610320U
Other languages
English (en)
Inventor
Олег Васильович Парасюк
Оксана Миколаївна Юрченко
Сергій Іванович Левковець
Петро Михайлович Фочук
Original Assignee
Східноєвропейський Національний Університет Ім. Лесі Українки
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Східноєвропейський Національний Університет Ім. Лесі Українки filed Critical Східноєвропейський Національний Університет Ім. Лесі Українки
Priority to UAU201610320U priority Critical patent/UA115226U/uk
Publication of UA115226U publication Critical patent/UA115226U/uk

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Спосіб отримання галогеновмісних монокристалів Tl10Hg3Cl16 включає складання шихти із розрахованих кількостей очищених бінарних сполук, взятих у потрібних співвідношеннях, синтез речовини потрібного складу у вакуумованій і запаяній кварцовій ампулі з конусним дном в печі шахтного типу, кристалізацію, відпал та охолодження до кімнатної температури за методом Бріджмена-Стокбаргера. При цьому шихту складають із сполук, взятих у нестехіометричному складі, синтез і ріст суміщають в одній ампулі, при цьому, враховуючи інконгруентний характер плавлення Tl10Hg3Cl16, вибирають вихідний склад із області первинної кристалізації сполуки (70 мол. % ТlСl і 30 мол. % HgCl2), проводять синтез Tl10Hg3Cl16 при нагріванні із швидкістю 20-25 K/год. до 720-740 K, витримці протягом 6-7 год., ампулу витягують із печі і перевертають конусом донизу, охолоджують до кімнатної температури, осаджують, перепаюють ампулу для зменшення вільного об'єму і переносять у ростову піч; ріст проводять при температурі верхньої зони - 573-593 K, нижньої - 483-4503 K; градієнті температури в області кристалізації - 2-4 K/см; швидкості росту - 6-7 мм/доба; витримці у зоні відпалу протягом 80-120 год., швидкості охолодження до кімнатної температури близько 4-5 K/год.
UAU201610320U 2016-10-10 2016-10-10 СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl10Hg3Cl16 UA115226U (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201610320U UA115226U (uk) 2016-10-10 2016-10-10 СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl10Hg3Cl16

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201610320U UA115226U (uk) 2016-10-10 2016-10-10 СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl10Hg3Cl16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA115226U true UA115226U (uk) 2017-04-10

Family

ID=58531048

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAU201610320U UA115226U (uk) 2016-10-10 2016-10-10 СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl10Hg3Cl16

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA115226U (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
UA115226U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl10Hg3Cl16
CN101824646A (zh) 真空封闭式坩埚下降法生长掺铊碘化钠单晶体
CN105369361B (zh) 一种温场移动制备蓝宝石单晶体的方法及装置
UA115208U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ РbВr1,2І0,8
UA115210U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl3PbBr2,5I2,5
UA115209U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Tl4HgBr6 З РОЗЧИНУ-РОЗПЛАВУ
UA131035U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ (Cu1-XAgX)7SiS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ
UA153137U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АРГЕНТУМ(І) БІСМУТ(ІІІ) ГЕКСАСЕЛЕНОГІПОДИФОСФАТУ AgBiP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ
UA116899U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ AgxGaxGe1-xSe2 (X=0,333; 0,250; 0,200; 0,167)
RU2011143444A (ru) Способ выращивания кристаллов галогенидов серебра и таллия
UA131037U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Ag7SiS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ
UA115207U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ TlPb2BrI4
UA95506U (uk) Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів
UA105367U (uk) ПРОЦЕС ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ In2Hg3Te6
UA130702U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Cu7SiS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ
UA152265U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ СКЛАДУ Ag<sub>7.75</sub>P<sub>0.25</sub>Ge<sub>0.75</sub>S<sub>6</sub> МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ-РОЗЧИНУ
UA128639U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ CdTe, CdхZn1-хTe, CdхMn1-хTe ВЕРТИКАЛЬНИМ МЕТОДОМ БРІДЖМЕНА
UA111911U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag0,5Pb1,75GeS4
JP6037871B2 (ja) 希土類セスキ硫化物の結晶成長方法
UA95507U (uk) СПОСІБ ОДЕРЖАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ (Ga55, In45)2S300
UA150873U (uk) Спосіб одержання люмінофора ортофосфату калію-європію(ііі)
UA114854U (xx) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ Ag7GeS5I МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ - РОЗЧИНУ
RU2014108691A (ru) Способ получения термоэлектрических материалов
PL433156A1 (pl) Sposób wytwarzania kryształów na bazie CdTe o dużej średnicy
UA134908U (uk) СПОСІБ ОДЕРЖАННЯ МОНОКРИСТАЛА (Ga<sub>70</sub>La<sub>30</sub>)<sub>2</sub>S<sub>300</sub>