PL433156A1 - Sposób wytwarzania kryształów na bazie CdTe o dużej średnicy - Google Patents

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania kryształów na bazie CdTe o dużej średnicy, to znaczy o średnicy równej 3 całe lub większej i o wadze ponad 2,5 kg metodą Bridgman'a. Według sposobu, dobrze wymieszane, pierwiastki materiału wsadowego (Cd, Zn i Mg, Te, Mn) materiału wsadowego umieszcza się w ampule kwarcowej znajdującej się w poziomym piecu i prowadzi się proces termiczny. W pierwszej fazie procesu, do temperatury 350 – 380°C wzrost temperatury prowadzi się z szybkością 70 - 90°C/h, następnie zwalnia się szybkość grzania do 2 – 3°C/h. Po osiągnięciu przez ampułę temperatury 430 – 450°C, zatrzymuje się grzanie i temperaturę utrzymuje na tym poziomie przez co najmniej kilka godzin. Po tym czasie podnosi się temperaturę z szybkością ~10°C/h do temperatury 1090 - 1100°C, pionizuje się piec i prowadzi się w znany sposób dalszy proces krystalizacji.