UA95506U - METHOD OF PREPARATION OF SEMICONDUCTOR CHALKOGINID MONOCRYSTALS - Google Patents
METHOD OF PREPARATION OF SEMICONDUCTOR CHALKOGINID MONOCRYSTALSInfo
- Publication number
- UA95506U UA95506U UAU201407820U UAU201407820U UA95506U UA 95506 U UA95506 U UA 95506U UA U201407820 U UAU201407820 U UA U201407820U UA U201407820 U UAU201407820 U UA U201407820U UA 95506 U UA95506 U UA 95506U
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- carried out
- annealing
- hours
- synthesis
- chalkoginid
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Спосіб одержання напівпровідникових халькогенідних монокристалів включає складання шихти з елементарних компонентів, синтез сплаву, відпал, кристалізацію та охолодження до кімнатної температури. Синтез сплаву проводять з нагрівом до температури 1320 К із здійсненням в процесі синтезу гомогенізуючих відпалів при 1110 К протягом 240 год. та при 820 К протягом 300 год., а процес вирощування монокристала здійснюють методом збірної рекристалізації у попередньо нагрітій двозонній печі при температурному градієнті вздовж кристала 2-3 К/мм з використанням в цьому процесі двох операцій відпалу, першу з яких здійснюють при 1110 К протягом 48 год. та другу при 820 К протягом 100 год., при цьому у проміжку між останніми відпалами охолодження монокристала здійснюють зі швидкістю 0,1-0,15 мм/год.A method of obtaining semiconductor chalcogenide single crystals involves the assembly of a mixture of elemental components, alloy synthesis, annealing, crystallization and cooling to room temperature. Synthesis of the alloy is carried out with heating to a temperature of 1320 K with the implementation in the process of synthesis of homogenizing annealing at 1110 K for 240 hours. and at 820 K for 300 hours, and the process of growing a single crystal is carried out by the method of pre-heated recrystallization in a preheated two-zone furnace at a temperature gradient along the crystal 2-3 K / mm using two annealing operations in the process, the first of which is carried out at 1110 K for 48 years and the second at 820 K for 100 hours, while in the interval between the last annealing, the cooling of the single crystal is carried out at a rate of 0.1-0.15 mm / h.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UAU201407820U UA95506U (en) | 2014-07-11 | 2014-07-11 | METHOD OF PREPARATION OF SEMICONDUCTOR CHALKOGINID MONOCRYSTALS |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UAU201407820U UA95506U (en) | 2014-07-11 | 2014-07-11 | METHOD OF PREPARATION OF SEMICONDUCTOR CHALKOGINID MONOCRYSTALS |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
UA95506U true UA95506U (en) | 2014-12-25 |
Family
ID=52680711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
UAU201407820U UA95506U (en) | 2014-07-11 | 2014-07-11 | METHOD OF PREPARATION OF SEMICONDUCTOR CHALKOGINID MONOCRYSTALS |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
UA (1) | UA95506U (en) |
-
2014
- 2014-07-11 UA UAU201407820U patent/UA95506U/en unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2010130676A (en) | METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL | |
MX2018008999A (en) | Method for obtaining crystals from a mother solution, and crystallization device suitable for this purpose. | |
UA95506U (en) | METHOD OF PREPARATION OF SEMICONDUCTOR CHALKOGINID MONOCRYSTALS | |
PL411695A1 (en) | Method for producing a long silicon carbide crystals from gaseous phase | |
JP2019019200A5 (en) | ||
UA95507U (en) | METHOD OF OBTAINING MONO CRYSTALS (Ga55, In45) 2S300 | |
UA115208U (en) | METHOD OF OBTAINING MONO CRYSTALS PbBr1,2I0,8 | |
UA115210U (en) | METHOD OF OBTAINING Tl3PbBr2.5I2.5 MONOCrystals | |
UA116899U (en) | METHOD OF OBTAINING AgxGaxGe1-xSe2 Single Crystals (X = 0.333; 0.250; 0.200; 0.167) | |
UA111911U (en) | METHOD OF OBTAINING MONO CRYSTALS Ag0,5Pb1,75GeS4 | |
UA115209U (en) | METHOD OF OBTAINING Tl4HgBr6 MONO CRYSTALS FROM SOLUTION-MELT | |
UA115207U (en) | METHOD OF OBTAINING TlPb2BrI4 MONO CRYSTALS | |
UA115555U (en) | METHOD OF OBTAINING A MONOCRYSTAL Ga5,94ln3,96Er0,1Se15 | |
RU2014108691A (en) | METHOD FOR PRODUCING THERMOELECTRIC MATERIALS | |
UA115554U (en) | METHOD OF OBTAINING A MONO CRYSTAL Ga5,46ln4,47Er0,07S15 | |
MD4266B1 (en) | Method for producing the ZnSe single crystal | |
MD402Y (en) | Process for rapid growth of bismuth monocrystal | |
UA113185C2 (en) | THE METHOD OF GROWING CdTe MONO CRYSTALS AND ITS SOLID SOLUTIONS CdXZn1-XTe, CdXMn1-XTe | |
EA201891470A1 (en) | CRYSTALLIZATION METHOD FOR OBTAINING CANAGLIFLOSINE HEMIHYDRATE CRYSTALS | |
UA115226U (en) | METHOD OF OBTAINING Tl10Hg3Cl16 MONO CRYSTALS | |
UA115603U (en) | METHOD OF OBTAINING TlHgBr3 MONO CRYSTALS | |
UA105367U (en) | process for producing single crystals of In2Hg3Te6 | |
UA152375U (en) | METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF 2-ANILINO-6,6-DIMETHYL-3-PHENYL-5,6-DIHYDRO-[1,3]THIAZOLO[3,2-b][1,2,4]TRIAZOLE-7-IU WITH SOLUTION | |
UA99181U (en) | METHOD OF REMOVING THE INCLUSIONS OF THE SECOND PHASE FROM INLETS ON THE BASIS OF THE TELURIDES II-IN SUB-SUB-periodic system | |
RU2017131286A (en) | NEW POLYMORPHIC FORMS OF MINOCYCLINE BASIS AND METHODS FOR PRODUCING THEM |