UA99181U -
METHOD OF REMOVING THE INCLUSIONS OF THE SECOND PHASE FROM INLETS ON THE BASIS OF THE TELURIDES II-IN SUB-SUB-periodic system
- Google Patents
METHOD OF REMOVING THE INCLUSIONS OF THE SECOND PHASE FROM INLETS ON THE BASIS OF THE TELURIDES II-IN SUB-SUB-periodic system
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filedfiledCritical
Priority to UAU201412235UpriorityCriticalpatent/UA99181U/en
Publication of UA99181UpublicationCriticalpatent/UA99181U/en
Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів ІІ-В підгрупи Періодичної системи включає відпал вирощеного злитка в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі. Термообробку проводять для усього злитка шляхом повільного проходження вузької гарячої зони вздовж нього при температурі зони, вищій за температуру топлення телуру, із швидкістю, меншою ніж 10 мм/год., після чого піч програмовано охолоджують.A method of eliminating second phase inclusions from ingots based on the telluride II-B subgroups of the Periodic Table involves annealing the grown ingot in a vacuum sealed quartz ampoule. Heat treatment is carried out for the entire ingot by slowly passing a narrow hot zone along it at a zone temperature higher than the tellurium heating temperature at a rate of less than 10 mm / h, after which the furnace is programmed to cool.
UAU201412235U2014-11-132014-11-13
METHOD OF REMOVING THE INCLUSIONS OF THE SECOND PHASE FROM INLETS ON THE BASIS OF THE TELURIDES II-IN SUB-SUB-periodic system
UA99181U
(en)
Reaction furnace for producing polycrystalline silicon, apparatus for producing polycrystalline silicon, method for producing polycrystalline silicon, and, polycrystalline silicon rod or polycrystalline silicon ingot