UA113185C2

UA113185C2 - THE METHOD OF GROWING CdTe MONO CRYSTALS AND ITS SOLID SOLUTIONS CdXZn1-XTe, CdXMn1-XTe

Info

Publication number: UA113185C2
Application number: UAA201403604A
Authority: UA
Priority date: 2014-04-07
Filing date: 2014-04-07
Publication date: 2016-12-26

Abstract

Винахід належить до методів вирощування напівпровідникових монокристалів. Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdZnTe, CdMnTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdZnTe, CdMnTe в телурі постійно знаходиться в безпосередньому контакті з фронтом кристалізації кристалу, який росте, та з нижньою половиною кристала-заготовки, що поступово розчиняється в цьому розчині-розплаві під час руху ампули. На графітовій вкладниці розміщують монокристалічну затравку відповідної сполуки заданого діаметра та заданої кристалографічної орієнтації, а кварцову ампулу розташовують під кутом 45°±10° до вертикалі і обертають навколо її осі зі швидкістю 5-6 хв. Спосіб забезпечує вирощування більш структурно досконалих і композиційно однорідних за хімічним складом монокристалів.The invention relates to methods of growing semiconductor single crystals. Method of growing CdTe single crystals and its solid CdZnTe, CdMnTe solutions through a solution-melt in tellurium by the method of band melting of the charge of a suitable compound from a crystal-seed of the corresponding compound in a quartz ampoule, which is moved through a zone heater with a predetermined gradient temperature have a graphite insert, and the CdTe melt solution or solid CdZnTe, CdMnTe solution in tellurium is in direct contact with the crystallization front of the growing crystal and with the lower half of the cryst a workpiece that gradually dissolves in this melt solution as the ampoule moves. On the graphite insert place a single crystal seed of the corresponding compound of a given diameter and a given crystallographic orientation, and the quartz ampoule is placed at an angle of 45 ° ± 10 ° to the vertical and rotate about its axis at a speed of 5-6 minutes. EFFECT: method enables the cultivation of more structurally advanced and compositionally homogeneous single crystals.