RU2011143444A - METHOD FOR GROWING SILVER AND THALLIUM HALOGENID CRYSTALS - Google Patents

METHOD FOR GROWING SILVER AND THALLIUM HALOGENID CRYSTALS Download PDF

Info

Publication number
RU2011143444A
RU2011143444A RU2011143444/05A RU2011143444A RU2011143444A RU 2011143444 A RU2011143444 A RU 2011143444A RU 2011143444/05 A RU2011143444/05 A RU 2011143444/05A RU 2011143444 A RU2011143444 A RU 2011143444A RU 2011143444 A RU2011143444 A RU 2011143444A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
melt
solid solution
thallium
silver
filtration
Prior art date
Application number
RU2011143444/05A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2487202C1 (en
Inventor
Валерий Филиппович Голованов
Михаил Сергеевич Кузнецов
Игорь Серафимович Лисицкий
Галина Васильевна Полякова
Original Assignee
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" filed Critical Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
Priority to RU2011143444/05A priority Critical patent/RU2487202C1/en
Publication of RU2011143444A publication Critical patent/RU2011143444A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2487202C1 publication Critical patent/RU2487202C1/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

Способ выращивания кристаллов галогенидов серебра и таллия, включающий загрузку материала на основе твердого раствора галогенидов серебра или таллия в контейнер из термостойкого стекла, расплавление, фильтрацию расплава через отверстие в контейнере в приемную ампулу и направленную кристаллизацию расплава перемещением в температурном градиенте, отличающийся тем, что перед фильтрацией расплав охлаждают до температуры на 1-2° ниже температуры плавления соответствующего твердого раствора галогенидов, выдерживают 1,5-2,0 ч, затем расплав перегревают на 40-50° выше температуры плавления твердого раствора, а фильтрацию проводят со скоростью 0,1-2,0 л в мин.A method of growing silver and thallium halide crystals, comprising loading material based on a solid solution of silver or thallium halides into a container made of heat-resistant glass, melting, filtering the melt through an opening in the container into a receiving ampoule and directional crystallization of the melt by moving in a temperature gradient, characterized in that before by filtration, the melt is cooled to a temperature of 1-2 ° below the melting point of the corresponding solid solution of halides, incubated for 1.5-2.0 hours, then the melt about overheating at 40-50 ° above the melting point of the solid solution, and filtration is carried out at a rate of 0.1-2.0 liters per minute.

Claims (1)

Способ выращивания кристаллов галогенидов серебра и таллия, включающий загрузку материала на основе твердого раствора галогенидов серебра или таллия в контейнер из термостойкого стекла, расплавление, фильтрацию расплава через отверстие в контейнере в приемную ампулу и направленную кристаллизацию расплава перемещением в температурном градиенте, отличающийся тем, что перед фильтрацией расплав охлаждают до температуры на 1-2° ниже температуры плавления соответствующего твердого раствора галогенидов, выдерживают 1,5-2,0 ч, затем расплав перегревают на 40-50° выше температуры плавления твердого раствора, а фильтрацию проводят со скоростью 0,1-2,0 л в мин. A method of growing silver and thallium halide crystals, comprising loading material based on a solid solution of silver or thallium halides into a container made of heat-resistant glass, melting, filtering the melt through an opening in the container into a receiving ampoule and directional crystallization of the melt by moving in a temperature gradient, characterized in that before by filtration, the melt is cooled to a temperature of 1-2 ° below the melting point of the corresponding solid solution of halides, incubated for 1.5-2.0 hours, then the melt about overheating at 40-50 ° above the melting point of the solid solution, and filtration is carried out at a rate of 0.1-2.0 liters per minute.
RU2011143444/05A 2011-10-28 2011-10-28 Method of growing crystals of silver and thallium halides RU2487202C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011143444/05A RU2487202C1 (en) 2011-10-28 2011-10-28 Method of growing crystals of silver and thallium halides

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011143444/05A RU2487202C1 (en) 2011-10-28 2011-10-28 Method of growing crystals of silver and thallium halides

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011143444A true RU2011143444A (en) 2013-05-10
RU2487202C1 RU2487202C1 (en) 2013-07-10

Family

ID=48788260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011143444/05A RU2487202C1 (en) 2011-10-28 2011-10-28 Method of growing crystals of silver and thallium halides

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2487202C1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2539348C1 (en) * 2013-12-19 2015-01-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорапция по атомной энергии "РОСАТОМ" Method of obtaining crystalline workpieces from silver halides and their solid solutions for infrared fibrous lightguides
RU2610501C1 (en) * 2015-09-18 2017-02-13 Акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" Method of producing crystals of thallium halide

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6485562B1 (en) * 2001-08-16 2002-11-26 Ceramoptec Industries, Inc. Production of material with improved infrared transmission

Also Published As

Publication number Publication date
RU2487202C1 (en) 2013-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015077527A3 (en) Alloy melting and holding furnace
RU2011143444A (en) METHOD FOR GROWING SILVER AND THALLIUM HALOGENID CRYSTALS
AR081659A1 (en) PROCEDURE FOR OBTAINING THE CRYSTAL FORM II OF FEBUXOSTAT
RU2014103710A (en) CATRIDGE REACTOR FOR PRODUCTION OF MATERIALS BY THE CHEMICAL VAPORATION PROCESS OF VAPOR
UA111911U (en) METHOD OF OBTAINING MONO CRYSTALS Ag0,5Pb1,75GeS4
MD402Z (en) Process for rapid growth of bismuth monocrystal
RU2012149926A (en) METHOD FOR PRODUCING THALLIUM HALOGENIDE CRYSTALS
RU2015101318A (en) Device and ceramic shell for castings with a single crystal and directional structure
UA116748C2 (en) METHOD OF GROWING SOLID SOLUTIONS OF THE COMPOSITION (Cu1-xAgx) GeS5I BY THE METHOD OF DIRECTED CRYSTALIZATION
RU2008132276A (en) METHOD FOR GROWING REFINING MONOCRYSTALS
RU2013143060A (en) METHOD FOR GROWING MIXED COBALT-NICKEL-POTASSIUM SULPHATE CRYSTALS FOR OPTICAL FILTERS OF THE UV RANGE
UA115226U (en) METHOD OF OBTAINING Tl10Hg3Cl16 MONO CRYSTALS
MD532Y (en) Method for rapid growth of monocrystals Sb
UA116899U (en) METHOD OF OBTAINING AgxGaxGe1-xSe2 Single Crystals (X = 0.333; 0.250; 0.200; 0.167)
RU2014108691A (en) METHOD FOR PRODUCING THERMOELECTRIC MATERIALS
UA113185C2 (en) THE METHOD OF GROWING CdTe MONO CRYSTALS AND ITS SOLID SOLUTIONS CdXZn1-XTe, CdXMn1-XTe
UA128639U (en) METHOD OF OBTAINING CdTe, CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe CRISTAL MONO CRYSTALS BY VERTICAL BRIDGE METHOD
CN103243388A (en) Method for heating and melting precast shaped filler in sapphire crystal growth
UA106139U (en) METHOD for SYNTHESIS of ferroelectric materialS of composition of (TlGaSe2) X (TlGaSE2) 1-X
UA115209U (en) METHOD OF OBTAINING Tl4HgBr6 MONO CRYSTALS FROM SOLUTION-MELT
JP2017065951A5 (en)
RU2013148852A (en) METHOD FOR SYNTHESIS IN GLASSES OF VOLUME CRYSTALLINE COMPOUNDS
CN204111912U (en) A kind of crystal raw material sintering oven
CN105793475B (en) Monocrystalline manufacturing method
RU2012154875A (en) METHOD FOR DOUBLE GROWTH OF SINGLE CRYSTALS USING TWO OPPOSITE OPERATING SHARING CRYSTALS