Ужгородський Науково-Технологічний Центр Матеріалів Оптичних Носіїв Інформації Інституту Проблем Реєстрації Інформації Національної Академії Наук України
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ужгородський Науково-Технологічний Центр Матеріалів Оптичних Носіїв Інформації Інституту Проблем Реєстрації Інформації Національної Академії Наук УкраїниfiledCriticalУжгородський Науково-Технологічний Центр Матеріалів Оптичних Носіїв Інформації Інституту Проблем Реєстрації Інформації Національної Академії Наук України
Priority to UAA201214924UpriorityCriticalpatent/UA106139U/en
Publication of UA106139UpublicationCriticalpatent/UA106139U/en
A method for synthesis of ferroelectric material of composition of (TlGaSe2) X (TlGaSE2) 1-X includes the synthesis of tiogallate and seleniumgallate of thallium, alloying mixtures thereof in a sealed quartz ampoule and subsequent melt crystallization. Melt crystallization is carried out by cooling at a rate of 40-50 K/hour to a temperature of 400-420 °C, holding at this temperature for 3-5 hours and subsequent cooling in the furnace off mode.
UAA201214924U2012-12-262012-12-26METHOD for SYNTHESIS of ferroelectric materialS of composition of (TlGaSe2) X (TlGaSE2) 1-X
UA106139U
(en)
Sapphire single crystal for producing sapphire single crystal substrate for LED, sapphire single crystal substrate for LED, light-eliciting element, and method for preparing the same