UA106139U - СПОСІБ СИНТЕЗУ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ СКЛАДУ (TlGаSе2)X(TlGаS2)1-X - Google Patents

СПОСІБ СИНТЕЗУ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ СКЛАДУ (TlGаSе2)X(TlGаS2)1-X

Info

Publication number
UA106139U
UA106139U UAA201214924U UAA201214924U UA106139U UA 106139 U UA106139 U UA 106139U UA A201214924 U UAA201214924 U UA A201214924U UA A201214924 U UAA201214924 U UA A201214924U UA 106139 U UA106139 U UA 106139U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
tlgase2
synthesis
composition
ferroelectric materials
temperature
Prior art date
Application number
UAA201214924U
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Михайло Юрійович Риган
Василь Михайлович Рубіш
Павло Павлович Гуранич
Роман Петрович Пісак
Оксана Григорівна Гуранич
Original Assignee
Ужгородський Науково-Технологічний Центр Матеріалів Оптичних Носіїв Інформації Інституту Проблем Реєстрації Інформації Національної Академії Наук України
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ужгородський Науково-Технологічний Центр Матеріалів Оптичних Носіїв Інформації Інституту Проблем Реєстрації Інформації Національної Академії Наук України filed Critical Ужгородський Науково-Технологічний Центр Матеріалів Оптичних Носіїв Інформації Інституту Проблем Реєстрації Інформації Національної Академії Наук України
Priority to UAA201214924U priority Critical patent/UA106139U/uk
Publication of UA106139U publication Critical patent/UA106139U/uk

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву. Кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 K/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної печі.
UAA201214924U 2012-12-26 2012-12-26 СПОСІБ СИНТЕЗУ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ СКЛАДУ (TlGаSе2)X(TlGаS2)1-X UA106139U (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAA201214924U UA106139U (uk) 2012-12-26 2012-12-26 СПОСІБ СИНТЕЗУ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ СКЛАДУ (TlGаSе2)X(TlGаS2)1-X

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAA201214924U UA106139U (uk) 2012-12-26 2012-12-26 СПОСІБ СИНТЕЗУ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ СКЛАДУ (TlGаSе2)X(TlGаS2)1-X

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA106139U true UA106139U (uk) 2016-04-25

Family

ID=55861421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAA201214924U UA106139U (uk) 2012-12-26 2012-12-26 СПОСІБ СИНТЕЗУ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ СКЛАДУ (TlGаSе2)X(TlGаS2)1-X

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA106139U (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MX2009010361A (es) Anticuerpos il-12 anti-humanos cristalinos.
MX2010001488A (es) Composiciones y metodos para cristalizar anticuerpos.
TW201612179A (en) A process for preparing a crystalline organic semiconductor material
MX2009004351A (es) Anticuerpos anti-htnfalfa cristalinos.
IN2014DN07102A (uk)
MX353635B (es) Cristal monohidratado de sal de potasio con fimasartan, método para preparar el mismo, y composición farmacéuticas que comprende el mismo.
UY33511A (es) Procedimiento de obtención de la forma cristalina ii del febuxostat
UA106139U (uk) СПОСІБ СИНТЕЗУ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ СКЛАДУ (TlGаSе2)X(TlGаS2)1-X
UY33510A (es) Procedimiento de obtencion de la forma cristalina a del febuxostat
UA80203U (uk) СПОСІБ ОДЕРЖАННЯ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ СКЛАДУ (TlInS2)X(TlInSe2)1-X
MD402Y (en) Process for rapid growth of bismuth monocrystal
MD20110026A2 (en) Method for removing the deformation of ZnSe single crystals in the cooling process after growth
UA111911U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag0,5Pb1,75GeS4
RU2014112902A (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ β-Ga2O3 И ЕГО ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ИЗ РАСПЛАВА В НЕМЕТАЛЛИЧЕСКОМ ТИГЛЕ
PL394818A1 (pl) Wsad surowcowy do wytwarzania krysztalów tlenkowych z masy stopionej i sposób jego otrzymywania
UA63456U (uk) Спосіб одержання подвійного дифосфату літію-хрому (ііі)
UA81126U (uk) Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) йодиду cu6ps5i методом спрямованої кристалізації з розплаву
UA81118U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ КУПРУМ(І) ГЕКСАТІОФОСФАТУ Cu7PS6 МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ
UA62480U (uk) Спосіб одержання подвійного дифосфату калію-феруму (ііі)
MD532Z (ro) Procedeu de creştere rapidă a monocristalelor de Sb
UA29879U (uk) СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ САПФІРА (α-AL2O3) ЗАДАНОЇ ФОРМИ НАПРАВЛЕНОЮ КРИСТАЛІЗАЦІЄЮ РОЗПЛАВУ
UA81127U (uk) Спосіб вирощування монокристалів купрум(і) пентатіофосфату(v) броміду cu6ps5br методом спрямованої кристалізації з розплаву
UA72370U (uk) Спосіб одержання подвійного ортофосфату рубідію-феруму (іі)
UA64050U (uk) Спосіб одержання подвійного триортофосфату калію-феруму (ііі)
UA78486U (uk) Спосіб очистки оптичного матеріалу цинку сульфіду від оксидних домішок