Ужгородський Науково-Технологічний Центр Матеріалів Оптичних Носіїв Інформації Інституту Проблем Реєстрації Інформації Національної Академії Наук України
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ужгородський Науково-Технологічний Центр Матеріалів Оптичних Носіїв Інформації Інституту Проблем Реєстрації Інформації Національної Академії Наук УкраїниfiledCriticalУжгородський Науково-Технологічний Центр Матеріалів Оптичних Носіїв Інформації Інституту Проблем Реєстрації Інформації Національної Академії Наук України
Priority to UAA201214924UpriorityCriticalpatent/UA106139U/uk
Publication of UA106139UpublicationCriticalpatent/UA106139U/uk
Спосіб синтезу сегнетоелектричного матеріалу складу (TlGaSe2)x(TlGaS2)1-x включає синтез тіогалату та селеногалату талію, сплавлення їх суміші в герметизованій кварцовій ампулі та наступну кристалізацію розплаву. Кристалізацію розплаву здійснюють шляхом охолодження з швидкістю 40-50 K/год. до температури 400-420 °С, витримки при цій температурі протягом 3-5 годин та подальшого охолодження в режимі виключеної печі.
UAA201214924U2012-12-262012-12-26СПОСІБ СИНТЕЗУ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ СКЛАДУ (TlGаSе2)X(TlGаS2)1-X
UA106139U
(uk)
Sapphire single crystal for producing sapphire single crystal substrate for LED, sapphire single crystal substrate for LED, light-eliciting element, and method for preparing the same