UA106139U - СПОСОБ СИНТЕЗА сегнетоэлектрических материалов состава (TlGaSe2)X(TlGaS2)1-X - Google Patents

СПОСОБ СИНТЕЗА сегнетоэлектрических материалов состава (TlGaSe2)X(TlGaS2)1-X

Info

Publication number
UA106139U
UA106139U UAA201214924U UAA201214924U UA106139U UA 106139 U UA106139 U UA 106139U UA A201214924 U UAA201214924 U UA A201214924U UA A201214924 U UAA201214924 U UA A201214924U UA 106139 U UA106139 U UA 106139U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
tlgase2
synthesis
composition
ferroelectric materials
temperature
Prior art date
Application number
UAA201214924U
Other languages
English (en)
Ukrainian (uk)
Inventor
Михайло Юрійович Риган
Василь Михайлович Рубіш
Павло Павлович Гуранич
Роман Петрович Пісак
Оксана Григорівна Гуранич
Original Assignee
Ужгородський Науково-Технологічний Центр Матеріалів Оптичних Носіїв Інформації Інституту Проблем Реєстрації Інформації Національної Академії Наук України
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ужгородський Науково-Технологічний Центр Матеріалів Оптичних Носіїв Інформації Інституту Проблем Реєстрації Інформації Національної Академії Наук України filed Critical Ужгородський Науково-Технологічний Центр Матеріалів Оптичних Носіїв Інформації Інституту Проблем Реєстрації Інформації Національної Академії Наук України
Priority to UAA201214924U priority Critical patent/UA106139U/ru
Publication of UA106139U publication Critical patent/UA106139U/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

Способ синтеза сегнетоэлектрического материала состава (TlGaSe2) X (TlGaSE2) 1-X включает синтез тиогаллата и селеногаллата таллия, сплавление их смеси в герметизированной кварцевой ампуле и последующую кристаллизацию расплава. Кристаллизацию расплава осуществляют путем охлаждения со скоростью 40-50 K/ч. до температуры 400-420 °C, выдержки при этой температуре в течение 3-5 часов и последующего охлаждения в режиме выключенной печи.
UAA201214924U 2012-12-26 2012-12-26 СПОСОБ СИНТЕЗА сегнетоэлектрических материалов состава (TlGaSe2)X(TlGaS2)1-X UA106139U (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAA201214924U UA106139U (ru) 2012-12-26 2012-12-26 СПОСОБ СИНТЕЗА сегнетоэлектрических материалов состава (TlGaSe2)X(TlGaS2)1-X

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAA201214924U UA106139U (ru) 2012-12-26 2012-12-26 СПОСОБ СИНТЕЗА сегнетоэлектрических материалов состава (TlGaSe2)X(TlGaS2)1-X

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA106139U true UA106139U (ru) 2016-04-25

Family

ID=55861421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAA201214924U UA106139U (ru) 2012-12-26 2012-12-26 СПОСОБ СИНТЕЗА сегнетоэлектрических материалов состава (TlGaSe2)X(TlGaS2)1-X

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA106139U (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MX2009010361A (es) Anticuerpos il-12 anti-humanos cristalinos.
TW201612179A (en) A process for preparing a crystalline organic semiconductor material
MX2009004351A (es) Anticuerpos anti-htnfalfa cristalinos.
PH12015500794A1 (en) Monohydrate crystal of fimasartan potassium salt, method for preparing same, and pharmacological composition comprising same
NZ733225A (en) Crystalline forms of grapiprant
UA106139U (ru) СПОСОБ СИНТЕЗА сегнетоэлектрических материалов состава (TlGaSe2)X(TlGaS2)1-X
UA80203U (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА СОСТАВА (TlInS2)X(TlInSe2)1-X
IN2013MU03508A (ru)
MD402Y (en) Process for rapid growth of bismuth monocrystal
MD20110026A2 (en) Method for removing the deformation of ZnSe single crystals in the cooling process after growth
UA111911U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag0,5Pb1,75GeS4
RU2014112902A (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ β-Ga2O3 И ЕГО ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ИЗ РАСПЛАВА В НЕМЕТАЛЛИЧЕСКОМ ТИГЛЕ
UA116899U (uk) СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ AgxGaxGe1-xSe2 (X=0,333; 0,250; 0,200; 0,167)
PL394818A1 (pl) Wsad surowcowy do wytwarzania krysztalów tlenkowych z masy stopionej i sposób jego otrzymywania
UA63456U (ru) Способ получения двойного дифосфата лития-хрома (iii)
UA81126U (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КУПРУМ (I) ПЕНТАТИОФОСФАТА (V) йодида Cu6PS5I МЕТОДОМ направленной кристаллизации из расплава
UA81118U (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕДИ (I) ГЕКСАТИОФОСФАТА Cu7PS6 МЕТОДОМ направленной кристаллизации из расплава
UA62480U (ru) Способ получения двойного дифосфата калия-железа (iii)
MD532Z (ru) Способ быстрого выращивания монокристаллов Sb
UA29879U (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛОВ САПФИРА (б-AL2O3) ЗАДАНОЙ ФОРМЫ НАПРАВЛЕНОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИЕЙ РАСПЛАВА
UA81127U (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕДИ (I) ПЕНТАТИОФОСФАТА (V) бромидА Cu6PS5Br МЕТОДОМ направленной кристаллизации из расплава
UA72370U (ru) Способ получения двойного ортофосфата рубидия-железа (ii)
UA64050U (ru) Способ получения двойного триортофосфата калия-железа (iii)
UA78486U (ru) Способ очистки оптического материала цинка сульфида от оксидных примесей
UA93505U (ru) Способ выращивания монокристаллов сапфира (а-Al2O3) направленной вертикальной кристаллизацией расплава