MD532Z - Способ быстрого выращивания монокристаллов Sb - Google Patents
Способ быстрого выращивания монокристаллов Sb Download PDFInfo
- Publication number
- MD532Z MD532Z MDS20110127A MDS20110127A MD532Z MD 532 Z MD532 Z MD 532Z MD S20110127 A MDS20110127 A MD S20110127A MD S20110127 A MDS20110127 A MD S20110127A MD 532 Z MD532 Z MD 532Z
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- growth
- vial
- angle
- crystallization
- single crystal
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003708 ampul Substances 0.000 abstract 2
- 239000012297 crystallization seed Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области производства монокристаллов, а именно к способу быстрого выращивания монокристаллов Sb.Способ, согласно изобретению, состоит в том, что осуществляют выращивание монокристалла из расплавленного металла (4) в кварцевой ампуле (2), дно которой выполнено конусообразным с углом 40°, помещенной в печь (1), подключенную к электронному устройству для поддержания в ней постоянной температуры в 300°С в течение всего процесса выращивания с градиентом температуры равным 7°С/см. Первое ядро кристаллизации Sb, которое служит началом для ориентированного роста, расположено таким образом, чтобы ось третьего порядка образовала с осью ампулы угол 20°.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20110127A MD532Z (ru) | 2011-07-05 | 2011-07-05 | Способ быстрого выращивания монокристаллов Sb |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDS20110127A MD532Z (ru) | 2011-07-05 | 2011-07-05 | Способ быстрого выращивания монокристаллов Sb |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD532Y MD532Y (en) | 2012-07-31 |
| MD532Z true MD532Z (ru) | 2013-02-28 |
Family
ID=46582447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDS20110127A MD532Z (ru) | 2011-07-05 | 2011-07-05 | Способ быстрого выращивания монокристаллов Sb |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD532Z (ru) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD980179A (ru) * | 1998-08-10 | 2000-06-30 | Institutul De Informare Si Implementare | Способ и устройство для быстрого роста монокристаллов висмута |
| MD402Y (en) * | 2010-09-17 | 2011-07-31 | Inst De Ing Electronica Si Nanotehnologii D Ghitu Al Asm | Process for rapid growth of bismuth monocrystal |
-
2011
- 2011-07-05 MD MDS20110127A patent/MD532Z/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD980179A (ru) * | 1998-08-10 | 2000-06-30 | Institutul De Informare Si Implementare | Способ и устройство для быстрого роста монокристаллов висмута |
| MD402Y (en) * | 2010-09-17 | 2011-07-31 | Inst De Ing Electronica Si Nanotehnologii D Ghitu Al Asm | Process for rapid growth of bismuth monocrystal |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Пфанн В. Зонная плавка, Изд. Мир, 1970, с. 248-249 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD532Y (en) | 2012-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2520472C2 (ru) | Способ и устройство для выращивания монокристаллов сапфира | |
| CN101962798B (zh) | 用于生产蓝宝石单晶的方法和设备 | |
| CN101122045A (zh) | 多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置 | |
| Zharikov | Problems and recent advances in melt crystal growth technology | |
| CN105369344A (zh) | 一种温场梯度竖直移动法制备片状单晶的方法及装置 | |
| CN105401216A (zh) | 一种温场梯度水平移动法制备片状单晶的方法及装置 | |
| CN102758249A (zh) | 一种无色刚玉单晶的制备方法 | |
| CN103789835A (zh) | 一种改进型梯度凝固GaAs单晶生长方法 | |
| CN101348939B (zh) | 一种提高砷化镓单晶利用率的生长方法 | |
| CN101550586B (zh) | 一种碲化锌单晶生长技术 | |
| CN103215646A (zh) | 一种c取向蓝宝石单晶的新型生产方法 | |
| CN102703970A (zh) | 泡生法生长掺钛蓝宝石晶体 | |
| CN102534779A (zh) | 单一组分氧化物晶体的制备方法 | |
| CN104264213A (zh) | 一种大尺寸掺杂蓝宝石晶体的efg生长装置及其生长工艺 | |
| CN103205799A (zh) | 一种生长c向白宝石单晶体的方法 | |
| CN114481289A (zh) | 一种用于增大碲锌镉单晶率的生长方法及装置 | |
| CN105369345A (zh) | 一种用于制备蓝宝石单晶体的坩埚和制备方法 | |
| CN105420809A (zh) | 温场竖直方向梯度移动法制备片状单晶的方法及装置 | |
| CN203530480U (zh) | 生长蓝宝石单晶的设备 | |
| CN114737253A (zh) | 生长大尺寸蓝宝石单晶板材的单晶炉热场结构及方法 | |
| JP2014162673A (ja) | サファイア単結晶コアおよびその製造方法 | |
| CN205313715U (zh) | 一种温场梯度水平移动法制备片状单晶的装置 | |
| MD532Z (ru) | Способ быстрого выращивания монокристаллов Sb | |
| KR101530349B1 (ko) | 사파이어 초고온 단결정 성장로 단열 구조 | |
| CN119177486A (zh) | 一种碲锌镉单晶的生长方法及装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG9Y | Short term patent issued | ||
| KA4Y | Short-term patent lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) |