Східноєвропейський Національний Університет Ім. Лесі Українки
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Східноєвропейський Національний Університет Ім. Лесі УкраїнкиfiledCriticalСхідноєвропейський Національний Університет Ім. Лесі Українки
Priority to UAU201612729UpriorityCriticalpatent/UA116899U/en
Publication of UA116899UpublicationCriticalpatent/UA116899U/en
Спосіб отримання монокристалів AgxGaxGe1-xSe2 (x=0,333; 0,250; 0,200; 0,167) з розплаву включає компоновку шихти з простих речовин Ag, Ga, Ge, Se відповідно до стехіометричного складу, синтез її та вирощування монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера. Синтез і ріст проводять в одному і тому ж ростовому кварцовому контейнері. Процес вирощування монокристалів проводять, при наступних параметрах: температура в зоні розплаву 1200-1250 Κ температура в зоні відпалу 750-770 Κ градієнт температури в зоні кристалізації 3-5 Κ/мм швидкість росту 0,2-0,4 мм/год. час відпалу 200-250 год. швидкість охолодження 5 Κ/год.The method of obtaining single crystals AgxGaxGe1-xSe2 (x = 0,333; 0,250; 0,200; 0,167) from the melt involves the arrangement of the charge of simple substances Ag, Ga, Ge, Se according to the stoichiometric composition, synthesis and cultivation of single crystals by the Bridgman-Stockbarger method. Synthesis and growth are carried out in the same growth quartz container. The process of growing single crystals is carried out at the following parameters: temperature in the melt zone 1200-1250 Κ temperature in the annealing zone 750-770 Κ temperature gradient in the crystallization zone 3-5 Κ / mm growth rate 0.2-0.4 mm / h. annealing time 200-250 hours. cooling rate 5 Κ / h.
UAU201612729U2016-12-132016-12-13
METHOD OF OBTAINING AgxGaxGe1-xSe2 Single Crystals (X = 0.333; 0.250; 0.200; 0.167)
UA116899U
(en)
THE METHOD OF GROWING SOLID SOLUTIONS OF THE COMPOSITION Ag<sub>7.75</sub>P<sub>0.25</sub>Ge<sub>0.75</sub>S<sub>6</sub> BY THE METHOD OF DIRECTED CRYSTALLIZATION FROM THE MEL-SOLUTION
METHOD OF OBTAINING SINGLE CRYSTALS AgGaGe<sub>3</sub>Se<sub>8</sub> DOPED WITH 0.5 AND 1% Me<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>, where Me - Gd, Er, Nd
THE METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM(I) BISMUTH(III) HEXASELENOHYPODIPHOSPHATE AgBiP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> BY THE METHOD OF DIRECTED CRYSTALLIZATION FROM THE MEL