UA128639U - METHOD OF OBTAINING CdTe, CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe CRISTAL MONO CRYSTALS BY VERTICAL BRIDGE METHOD - Google Patents

METHOD OF OBTAINING CdTe, CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe CRISTAL MONO CRYSTALS BY VERTICAL BRIDGE METHOD

Info

Publication number
UA128639U
UA128639U UAU201804736U UAU201804736U UA128639U UA 128639 U UA128639 U UA 128639U UA U201804736 U UAU201804736 U UA U201804736U UA U201804736 U UAU201804736 U UA U201804736U UA 128639 U UA128639 U UA 128639U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
xte
cdxmn1
cdxzn1
cristal
ampoule
Prior art date
Application number
UAU201804736U
Other languages
Ukrainian (uk)
Inventor
Зінаїда Іванівна Захарук
Петро Михайлович Фочук
Сергій Григорович Дремлюженко
Михайло Георгійович Колісник
Сергій Володимирович Солодін
Original Assignee
Чернівецький Національний Університет Імені Юрія Федьковича
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Чернівецький Національний Університет Імені Юрія Федьковича filed Critical Чернівецький Національний Університет Імені Юрія Федьковича
Priority to UAU201804736U priority Critical patent/UA128639U/en
Publication of UA128639U publication Critical patent/UA128639U/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Спосіб одержання монокристалів CdTe, CdхZn1-хTe та CdхMn1-хTe (діаметром до 60 мм) вертикальним методом Бріджмена включає синтез відповідної сполуки, кристалізацію отриманого полікристалічного матеріалу в графітизованій ампулі з подвійними стінками та охолодження до кімнатної температури. Синтезований полікристалічний матеріал додатково завантажують у простір між внутрішньою і зовнішньою стінками ампули з плоским дном, до центру дна якої ззовні приварено кварцовий світловод, другий кінець якого знаходиться при кімнатній температурі. Кристалізацію здійснюють зі швидкістю 2-3 мм/год., після завершення якої ампулу охолоджують зі швидкістю 20-30 K/год.A method for producing CdTe, CdxZn1-xTe and CdxMn1-xTe (up to 60 mm in diameter) single crystals by Bridgman's vertical method involves synthesis of the corresponding compound, crystallization of the obtained polycrystalline material in a double walled graphitized ampoule, and cooling to room temperature. The synthesized polycrystalline material is further loaded into the space between the inner and outer walls of the flat bottom ampoule, to which a quartz fiber is welded to the center of the bottom, the other end of which is at room temperature. Crystallization is carried out at a rate of 2-3 mm / h, after which the ampoule is cooled at a rate of 20-30 K / h.

UAU201804736U 2018-04-27 2018-04-27 METHOD OF OBTAINING CdTe, CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe CRISTAL MONO CRYSTALS BY VERTICAL BRIDGE METHOD UA128639U (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201804736U UA128639U (en) 2018-04-27 2018-04-27 METHOD OF OBTAINING CdTe, CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe CRISTAL MONO CRYSTALS BY VERTICAL BRIDGE METHOD

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201804736U UA128639U (en) 2018-04-27 2018-04-27 METHOD OF OBTAINING CdTe, CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe CRISTAL MONO CRYSTALS BY VERTICAL BRIDGE METHOD

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA128639U true UA128639U (en) 2018-09-25

Family

ID=63709592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAU201804736U UA128639U (en) 2018-04-27 2018-04-27 METHOD OF OBTAINING CdTe, CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe CRISTAL MONO CRYSTALS BY VERTICAL BRIDGE METHOD

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA128639U (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AR109729A1 (en) METHOD FOR PRODUCING THE CRYSTAL FORM OF CALCOLUTROL MODIFICATION
HUP0202536A2 (en) Crystals of the sodium salt of pravastatin
PL1613795T5 (en) Crucible for a device used for the production of a block of crystalline material, and production method
UA128639U (en) METHOD OF OBTAINING CdTe, CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe CRISTAL MONO CRYSTALS BY VERTICAL BRIDGE METHOD
KR101530349B1 (en) The insulation structure for a sapphire single crystal growth
PL411695A1 (en) Method for producing a long silicon carbide crystals from gaseous phase
JP2019019200A5 (en)
UA152375U (en) METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF 2-ANILINO-6,6-DIMETHYL-3-PHENYL-5,6-DIHYDRO-[1,3]THIAZOLO[3,2-b][1,2,4]TRIAZOLE-7-IU WITH SOLUTION
UA117411C2 (en) METHOD OF OBTAINING DUAL CRYSTALS CRYSTALS
RU2531823C1 (en) Device for growing of single-crystal pipes and method of their obtaining
MX2021015251A (en) Process and system for producing sodium hydrosulfite crystals.
UA115209U (en) METHOD OF OBTAINING Tl4HgBr6 MONO CRYSTALS FROM SOLUTION-MELT
UA115603U (en) METHOD OF OBTAINING TlHgBr3 MONO CRYSTALS
UA115226U (en) METHOD OF OBTAINING Tl10Hg3Cl16 MONO CRYSTALS
ES2857128T3 (en) Procedure for the synthesis of firocoxib
UA151667U (en) Method of growing ag7ps6 by directed melt crystalization
UA115208U (en) METHOD OF OBTAINING MONO CRYSTALS PbBr1,2I0,8
UA115207U (en) METHOD OF OBTAINING TlPb2BrI4 MONO CRYSTALS
UA95506U (en) METHOD OF PREPARATION OF SEMICONDUCTOR CHALKOGINID MONOCRYSTALS
UA153137U (en) THE METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF ARGENTUM(I) BISMUTH(III) HEXASELENOHYPODIPHOSPHATE AgBiP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> BY THE METHOD OF DIRECTED CRYSTALLIZATION FROM THE MEL
UA152376U (en) METHOD OF PRODUCING HEXABROMOTELURATES OF 3-S-SUBSTITUTED-5-PHENYLAMINO-4-PHENYL-1,2,4-TRIAZOLES BY THE METHOD OF CRYSTALLIZATION FROM SOLUTION
CN103992274A (en) Method for synthesizing selective non-steroidal anti-inflammatory and analgesic Celebrex
UA114854U (en) METHOD OF AG7GeS5I GROWING BY THE MELTED DRIED CRYSTALIZATION METHOD
UA152264U (en) THE METHOD OF GROWING Ag<sub>8</sub>GeS<sub>6</sub> BY THE METHOD OF DIRECTED CRYSTALLIZATION FROM THE MEL
JP2016193808A (en) Production method of sapphire single crystal