PL411695A1 - Sposób wytwarzania długich kryształów węglika krzemu z fazy gazowej - Google Patents
Sposób wytwarzania długich kryształów węglika krzemu z fazy gazowejInfo
- Publication number
- PL411695A1 PL411695A1 PL411695A PL41169515A PL411695A1 PL 411695 A1 PL411695 A1 PL 411695A1 PL 411695 A PL411695 A PL 411695A PL 41169515 A PL41169515 A PL 41169515A PL 411695 A1 PL411695 A1 PL 411695A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- silicon carbide
- monocrystalline
- source material
- radiator
- embryo
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title abstract 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title abstract 4
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 5
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 abstract 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 abstract 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/002—Controlling or regulating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania kryształów węglika krzemu w urządzeniu obejmującym grzejnik górny (2), grzejnik dolny (3), umieszczony poniżej grzejnika górnego i komorę wzrostu, umieszczoną wewnątrz grzejnika górnego, zaopatrzoną w tygiel na materiał źródłowy i pokrywę tygla, umożliwiającą zamocowanie na niej monokrystalicznego zarodka, w którym umieszcza się monokrystaliczny zarodek w górnej części komory wzrostu, zaś materiał źródłowy w tyglu, wypełnia się komorę wzrostu gazem obojętnym, za pomocą grzejnika górnego i dolnego podgrzewa się monokrystaliczny zarodek do temperatury co najmniej 2150°C, zaś materiał źródłowy do temperatury wyższej, korzystnie co najmniej 2300°C, podczas procesu utrzymuje się materiał źródłowy w temperaturze wyższej niż zarodek i w tych warunkach prowadzi się rozkład termiczny materiału źródłowego i krystalizację węglika krzemu na monokrystalicznym zarodku uzyskując kryształ węglika krzemu, charakteryzujący się tym, że podczas krystalizacji węglika krzemu na monokrystalicznym zarodku zmienia się w czasie moc Pg dostarczaną do grzejnika górnego (2) i moc Pd dostarczaną do grzejnika dolnego (3) w zależności od grubości rosnącego kryształu.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL411695A PL238539B1 (pl) | 2015-03-25 | 2015-03-25 | Sposób wytwarzania kryształów węglika krzemu |
| EP15161654.7A EP3072995B1 (en) | 2015-03-25 | 2015-03-30 | Method for producing silicon carbide crystals from vapour phase |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL411695A PL238539B1 (pl) | 2015-03-25 | 2015-03-25 | Sposób wytwarzania kryształów węglika krzemu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL411695A1 true PL411695A1 (pl) | 2016-09-26 |
| PL238539B1 PL238539B1 (pl) | 2021-09-06 |
Family
ID=53191453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL411695A PL238539B1 (pl) | 2015-03-25 | 2015-03-25 | Sposób wytwarzania kryształów węglika krzemu |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP3072995B1 (pl) |
| PL (1) | PL238539B1 (pl) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019156698A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 信越半導体株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| CN111621844B (zh) * | 2020-06-22 | 2022-02-25 | 哈尔滨化兴软控科技有限公司 | 一种旋转式双温区pvt法高质量单晶制备装置及方法 |
| CN113862789B (zh) * | 2021-12-01 | 2022-03-11 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种制备p型4H-SiC单晶的坩埚结构与装置与方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4903946B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2012-03-28 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及び製造装置 |
| US7993453B2 (en) * | 2006-05-18 | 2011-08-09 | Showa Denko K.K. | Method for producing silicon carbide single crystal |
| JP2007314358A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶の製造装置及びその製造方法 |
| CN102245813B (zh) * | 2008-12-08 | 2014-08-06 | Ii-Vi有限公司 | 改进的轴向梯度传输(agt)生长工艺和利用电阻加热的装置 |
| PL234396B1 (pl) * | 2010-04-01 | 2020-02-28 | Instytut Tech Materialow Elektronicznych | Sposób wytwarzania kryształów, zwłaszcza węglika krzemu, z fazy gazowej |
-
2015
- 2015-03-25 PL PL411695A patent/PL238539B1/pl unknown
- 2015-03-30 EP EP15161654.7A patent/EP3072995B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL238539B1 (pl) | 2021-09-06 |
| EP3072995B1 (en) | 2020-05-06 |
| EP3072995A1 (en) | 2016-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5402798B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
| WO2017209376A3 (ko) | 탄화규소 단결정 잉곳의 성장장치 및 그 성장방법 | |
| JP6111873B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
| JP6267303B2 (ja) | 結晶の製造方法 | |
| PL390896A1 (pl) | Sposób wytwarzania kryształów, zwłaszcza węglika krzemu, z fazy gazowej | |
| JP6338439B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
| PL411695A1 (pl) | Sposób wytwarzania długich kryształów węglika krzemu z fazy gazowej | |
| JP5375783B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JP6681687B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴット製造用の黒鉛坩堝及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
| JP5370394B2 (ja) | 化合物半導体単結晶基板 | |
| CN106167916B (zh) | SiC单晶的制造方法 | |
| Hoshikawa et al. | Vertical Bridgman growth of sapphire crystals, with thin-neck formation process | |
| KR101983489B1 (ko) | SiC 단결정의 제조 방법 | |
| MD4266B1 (en) | Method for producing the ZnSe single crystal | |
| JPWO2016143398A1 (ja) | 結晶の製造方法 | |
| RU2330127C2 (ru) | Способ выращивания монокристаллов германия методом отф | |
| JP6279930B2 (ja) | 結晶製造装置および結晶の製造方法 | |
| RU2381305C1 (ru) | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ ДИАМЕТРОМ ДО 150 мм МЕТОДОМ ОТФ | |
| MD532Y (en) | Method for rapid growth of monocrystals Sb | |
| MD402Y (en) | Process for rapid growth of bismuth monocrystal | |
| JP2016169126A (ja) | 結晶の製造方法 | |
| JP2016088812A (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法及び製造装置 | |
| UA95506U (uk) | Спосіб одержання напівпровідникових халькогінідних монокристалів | |
| UA95507U (uk) | СПОСІБ ОДЕРЖАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ (Ga55, In45)2S300 | |
| PL411465A1 (pl) | Układ cieplny urządzenia do wytwarzania monokryształów, zwłaszcza Pr <sub>x</sub> La <sub>1</sub>- <sub>x</sub> AlO <sub>3</sub> , metodą Czochralskiego |