PL390896A1 - Sposób wytwarzania kryształów, zwłaszcza węglika krzemu, z fazy gazowej - Google Patents

Sposób wytwarzania kryształów, zwłaszcza węglika krzemu, z fazy gazowej

Info

Publication number
PL390896A1
PL390896A1 PL390896A PL39089610A PL390896A1 PL 390896 A1 PL390896 A1 PL 390896A1 PL 390896 A PL390896 A PL 390896A PL 39089610 A PL39089610 A PL 39089610A PL 390896 A1 PL390896 A1 PL 390896A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
seed
gas phase
chamber
gas
crystals
Prior art date
Application number
PL390896A
Other languages
English (en)
Other versions
PL234396B1 (pl
Inventor
Emil Tymicki
Krzysztof Grasza
Katarzyna Racka-Dzietko
Original Assignee
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych filed Critical Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Priority to PL390896A priority Critical patent/PL234396B1/pl
Priority to EP11159952.8A priority patent/EP2371997B1/en
Publication of PL390896A1 publication Critical patent/PL390896A1/pl
Publication of PL234396B1 publication Critical patent/PL234396B1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania kryształów, zwłaszcza krzemu, z fazy gazowej, mających zastosowanie w elektronice wysokich mocy i optoelektronice jako materiały na podłoża pod struktury specjalne. Sposób polega na tym, że monokrystaliczną zaródź (1) w postaci płytki, zamocowaną w pierścieniu (3) z wysokiej czystości grafitu tak, że tylko jej krawędź styka się bezpośrednio z pierścieniem (3), umieszcza się w górnej części komory wzrostu (6), wypełnionej gazem obojętnym lub zapewniającym domieszkowanie kryształu, z naniesionym na jej dnie materiałem źródłowym (5), po czym zaródź (1) podgrzewa się do temperatury krystalizacji w warunkach wysokiego ciśnienia gazu wypełniającego komorę (6), zaś wyższą temperaturę w dolnej części komory (6) utrzymuje się przy zachowaniu różnicy temperatur między materiałem źródłowym (5) a zarodzią (1) w zakresie 50-300°C.
PL390896A 2010-04-01 2010-04-01 Sposób wytwarzania kryształów, zwłaszcza węglika krzemu, z fazy gazowej PL234396B1 (pl)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL390896A PL234396B1 (pl) 2010-04-01 2010-04-01 Sposób wytwarzania kryształów, zwłaszcza węglika krzemu, z fazy gazowej
EP11159952.8A EP2371997B1 (en) 2010-04-01 2011-03-28 Method for manufacturing crystals of silicon carbide from gaseous phase

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL390896A PL234396B1 (pl) 2010-04-01 2010-04-01 Sposób wytwarzania kryształów, zwłaszcza węglika krzemu, z fazy gazowej

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL390896A1 true PL390896A1 (pl) 2011-10-10
PL234396B1 PL234396B1 (pl) 2020-02-28

Family

ID=44084055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL390896A PL234396B1 (pl) 2010-04-01 2010-04-01 Sposób wytwarzania kryształów, zwłaszcza węglika krzemu, z fazy gazowej

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP2371997B1 (pl)
PL (1) PL234396B1 (pl)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8860040B2 (en) 2012-09-11 2014-10-14 Dow Corning Corporation High voltage power semiconductor devices on SiC
US9018639B2 (en) 2012-10-26 2015-04-28 Dow Corning Corporation Flat SiC semiconductor substrate
US9738991B2 (en) 2013-02-05 2017-08-22 Dow Corning Corporation Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion
US9017804B2 (en) 2013-02-05 2015-04-28 Dow Corning Corporation Method to reduce dislocations in SiC crystal growth
US9797064B2 (en) 2013-02-05 2017-10-24 Dow Corning Corporation Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion
US8940614B2 (en) 2013-03-15 2015-01-27 Dow Corning Corporation SiC substrate with SiC epitaxial film
US9279192B2 (en) 2014-07-29 2016-03-08 Dow Corning Corporation Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology
PL238539B1 (pl) * 2015-03-25 2021-09-06 Instytut Tech Materialow Elektronicznych Sposób wytwarzania kryształów węglika krzemu
RU2633909C1 (ru) * 2016-12-23 2017-10-19 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (СПбГЭТУ "ЛЭТИ") СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SiC
CN111593407B (zh) * 2020-05-25 2021-12-17 北京北方华创微电子装备有限公司 碳化硅生长方法
RU2768938C1 (ru) * 2021-10-14 2022-03-25 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ЛЭТИ им. В.И. Ульянова (Ленина) Способ получения монокристаллического SiC политипа 4H

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0637353B2 (ja) * 1988-04-13 1994-05-18 新日本製鐵株式会社 炭化珪素単結晶成長方法および装置
DE50006005D1 (de) * 1999-07-07 2004-05-13 Siemens Ag Keimkristallhalter mit seitlicher einfassung eines sic-keimkristalls
JP4880164B2 (ja) * 2000-02-15 2012-02-22 ザ フォックス グループ，インコーポレイティド 低欠陥密度炭化ケイ素材料
JP4275308B2 (ja) * 2000-12-28 2009-06-10 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法およびその製造装置
US7316747B2 (en) 2002-06-24 2008-01-08 Cree, Inc. Seeded single crystal silicon carbide growth and resulting crystals
US7601441B2 (en) * 2002-06-24 2009-10-13 Cree, Inc. One hundred millimeter high purity semi-insulating single crystal silicon carbide wafer
US20090053125A1 (en) * 2007-08-20 2009-02-26 Il-Vi Incorporated Stabilizing 4H Polytype During Sublimation Growth Of SiC Single Crystals

Also Published As

Publication number Publication date
EP2371997A1 (en) 2011-10-05
PL234396B1 (pl) 2020-02-28
EP2371997B1 (en) 2017-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL390896A1 (pl) Sposób wytwarzania kryształów, zwłaszcza węglika krzemu, z fazy gazowej
CN102618930B (zh) 一种AlN晶体的制备方法
WO2007116315A8 (en) Method of manufacturing a silicon carbide single crystal
CN104040038B (zh) 坩埚及(近)单晶半导体锭的生产方法
CN103789835A (zh) 一种改进型梯度凝固GaAs单晶生长方法
CN103696012A (zh) 一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法
WO2009140406A3 (en) Crystal growth apparatus for solar cell manufacturing
CN106245110B (zh) 一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法
CN203546203U (zh) 一种用于生长SiC晶体的坩埚
JP6869077B2 (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
KR20090077446A (ko) 대구경 고품질 탄화규소 단결정의 직경확장을 위한 단결정성장 장치 및 그 방법
JP2014181178A5 (pl)
KR101530349B1 (ko) 사파이어 초고온 단결정 성장로 단열 구조
EP2704183A3 (en) Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device
PL411695A1 (pl) Sposób wytwarzania długich kryształów węglika krzemu z fazy gazowej
JP2008074665A (ja) 蓋付き黒鉛坩堝及び炭化珪素単結晶成長装置
CN207376143U (zh) 一种生长碳化硅单晶的精密控制温度装置
JP6829767B2 (ja) ＳｉＣ結晶成長用ＳｉＣ原料の製造方法及び製造装置
MY168651A (en) Single crystal pulling apparatus and low heat conductive member used for single crystal pulling apparatus
CN103270202B (zh) 单晶碳化硅液相外延生长用种晶件和单晶碳化硅的液相外延生长方法
CN106167916B (zh) SiC单晶的制造方法
CN103290476B (zh) 具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚
JP2017154953A (ja) 炭化珪素単結晶製造装置
JP2014218397A (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
KR101507571B1 (ko) 갈륨 아세나이드 합성장치 및 합성방법