JP6279930B2 - 結晶製造装置および結晶の製造方法 - Google Patents
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以下、本発明の実施形態に係る結晶製造装置について、図1および図2を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
溶液成長法では、溶液5を種結晶3の下面において準安定状態(熱力学的に結晶の析出と溶出とが平衡している安定状態に極めて近い状態)に保ちつつ、種結晶3の温度を下げること等によって結晶2の析出が溶出よりも僅かに進行する条件に制御し、種結晶3の下面に結晶2を成長させている。すなわち、溶液5では、珪素(溶媒)に炭素(溶質)を溶解させており、炭素の溶解度は、溶媒の温度が高くなるほど大きくなる。ここで、加熱して高温になった溶液5が種結晶3への接触で冷えると、溶解した炭素が過飽和状態となって、溶液5の種結晶3近傍が局所的に準安定状態となる。そして、溶液5が安定状態(熱力学的に平衡状態)に移行しようとして、種結晶3の下面に炭化珪素の結晶2として析出する。その結果、種結晶3の下面に結晶2が成長していく。
本発明の実施形態に係る結晶の製造方法について説明する。本実施形態の結晶の製造方法は、準備工程、接触工程、結晶成長および引き離し工程を有している。
種結晶3を準備する。種結晶3は、例えば昇華法または溶液成長法等によって製造された炭化珪素の結晶の塊に切断等の加工を行なって平板状に形成したものを用いる。本実施
形態では、種結晶3の下面を炭素面としている。
種結晶3の下面を溶液5に接触させる。種結晶3は、保持部材4を下方に移動させることで溶液5に接触させる。なお、本実施形態では種結晶3を下方向へ移動させることで種結晶3を溶液5に接触させているが、第2坩堝6を上方向へ移動させることで種結晶3を溶液5に接触させてもよい。
接触工程で溶液5に接触させた種結晶3の下面に、溶液5から結晶2を成長させる。結晶2の成長は、上記の接触工程にて、種結晶3の下面を溶液5に接触させた時から始まる
。すなわち、種結晶3の下面を溶液5に接触させることによって、種結晶3の下面と種結晶3の下面付近の溶液5との間に温度差が生じる。そして、その温度差によって炭素が過飽和状態になり、溶液5中の炭素および珪素が炭化珪素の結晶2として種結晶3の下面に析出し始める。
結晶2を成長させた後、成長した結晶2を溶液5から引き離し、結晶成長を終了する。
2 結晶
3 種結晶
4 保持部材
5 溶液
6 第2坩堝
7 移動装置
8 第1坩堝
9 凹部
10 保温部材
11 第1保温部
12 第2保温部
13 貫通孔
14 凸部
15 加熱装置
16 コイル
17 交流電源
18 制御装置
Claims (5)
- 上下に開口した筒状の加熱装置と、
該加熱装置の内側に配された、上面に開口した凹部を有した第1坩堝と、
該第1坩堝の前記凹部の底面上に配された第1保温部および前記凹部の内側面上に配された第2保温部からなる保温部材と、
該保温部材を介して前記第1坩堝の前記凹部内に配された、結晶を成長させる溶液を保持する第2坩堝とを備え、
前記第1保温部による熱伝導の熱量が前記第2保温部による熱伝導の熱量よりも大きい、溶液成長法によって炭化珪素の結晶を成長させる結晶製造装置。 - 前記第1保温部は、前記第2坩堝の底面中央部に位置する貫通孔を有している、請求項1に記載の結晶製造装置。
- 前記第1坩堝は、前記凹部の底面中央部に前記貫通孔内に位置する凸部を有している、請求項2に記載の結晶製造装置。
- 前記凸部は、前記第2坩堝の底面に接している、請求項3に記載の結晶製造装置。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の結晶製造装置を使用して、前記第2坩堝の底部の温度を該第2坩堝の側部の温度よりも大きくしつつ、該第2坩堝に保持した溶液から結晶を成長させる、結晶の製造方法。
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