JP6259053B2 - 結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の結晶の製造方法に用いる結晶製造装置の例について、図面を参照しつつ説明する。結晶製造装置1は、主に保持部材2、接着材3、種結晶4および溶液5によって構成されている。以下に、図1を参照しつつ、結晶製造装置1の概略を説明する。
坩堝6は回転していなくてもよいが、本実施形態では種結晶4を回転させて溶液5内で種結晶4に向かう対流を発生させている場合について説明する。
本発明の実施形態に係る結晶の製造方法について説明する。本実施形態の結晶の製造方法は、接触工程、成長中止工程、昇温工程および再接触工程を有している。
結晶製造装置1において、種結晶4の下面4Bに溶液5を接触させる。種結晶4は、保持部材2を上下(D3、D4)方向に移動させることにより溶液5に対する高さを変えて、溶液5に接触させる。なお、本実施形態では、溶液5および種結晶4を接触させる手段として、種結晶4を移動させる手段を説明するが、坩堝6を移動させる手段、または種結晶4および坩堝6を移動させる手段を用いてもよい。
との間に温度差ができるため、下面4Bに炭化珪素の結晶Laの成長を開始することができる。このように、種結晶4の下面4Bを接触させた後、種結晶4を上(D3)方向に少しずつ引き上げることによって、種結晶4の下面4Bに成長した結晶Laを厚み方向に長尺化することができる。種結晶4を引き上げる速度は、例えば1mm/h以上に設定することができる。
接触工程の後、種結晶4の下面4Bに成長した結晶Laを溶液5から離す。結晶Laを溶液5から離す手段としては、結晶Laの下端(結晶成長面)が溶液5の液面5Aから離れるように、種結晶4を上(D3)方向に引き上げる手段を用いることができる。結晶Laの下端を溶液5の液面5Aから離した後、後述の再接触工程をすぐに行なってもよいし、下端が液面5Aから一定の高さhaとなる位置で結晶Laを維持してもよい。本実施形態では、結晶Laを溶液5から離した後、液面5Aから高さhaとなる位置で維持される場合を説明する。
成長中止工程の後、溶液5の温度を接触工程における温度よりも高く且つ珪素の沸点(2355℃)よりも低くする。溶液5を上昇させる温度としては、接触工程における溶液5の温度に対して、例えば40℃以上150℃以下とすることができる。溶液5の温度を上昇さ
せる方法としては、コイル11に流す電流を大きくして、坩堝6を加熱する電磁波を強くする方法を用いることができる。
昇温工程の後、種結晶4の下面4Bに成長した結晶Laを溶液5に再度接触させる。具体的には、結晶Laの下端を溶液5に接触させて、結晶Laの下端に結晶を再度成長させる。再接触工程は、昇温工程で溶液5の温度を高くした状態で行なってもよいし、接触工程における温度まで溶液5の温度を下げた状態で行なってもよい。このように再度結晶Laの下端を溶液5に接触させた場合、成長中止工程の前まで成長していた結晶成長面から再度結晶が成長させることができる。
昇温工程と再接触工程との間に、溶液5の温度を昇温工程後の温度よりも低く且つ珪素の融点(1414℃)よりも高くする降温工程を有してもよい。降温工程後の溶液5の温度としては、例えば、接触工程における溶液5の温度を用いることができる。降温工程は、徐々に温度を下げてもよいし、急に温度を下げてもよい。このように降温工程を有していることによって、結晶Laを溶液5に再接触させたときに、結晶Laに再度結晶が成長しやすい温度に設定することができる。
成長中止工程と再接触工程との間に、溶液5に炭素を添加する添加工程を有していてもよい。添加工程は、成長中止工程と再接触工程との間であればよく、成長中止工程と昇温工程との間でもよいし、昇温工程と再接触工程との間でもよいし、成長中止工程から再接触工程の間まででもよい。炭素の添加は、例えば坩堝6の開口から炭素を添加することによって行なうことができる。
再接触工程の後、図4に示すように、結晶Laが成長した種結晶4を結晶Laとともに種結晶4の上面4Aまで溶液5に浸ける浸漬工程を有していてもよい。このように結晶Laおよび種結晶4を、種結晶4の上面4Aが溶液5に浸かるように浸漬することによって、表面に不純物がついた場合でも除去することができる。
再接触工程の前に、炭素を含む珪素の第2溶液が内部に配置された第2坩堝を準備する工程を有し、再接触工程として種結晶4の下面4Bに成長した結晶Laを第2溶液に接触させる第2接触工程を有してもよい。第2接触工程において、接触工程に用いた溶液と異なる第2溶液から結晶を成長させる。
2 保持部材
2A 下端面
3 接着材
4 種結晶
4A 上面
4B 下面
5 溶液
5A 液面
6 坩堝
6A 底面
6B 内壁面
7 坩堝容器
8 保温材
9 凹部
10 加熱機構
11 コイル
12 交流電源
13 搬送機構
14 動力源
15 制御部
La 結晶
Claims (4)
- 炭化珪素の結晶の製造方法であって、
種結晶と、坩堝と、坩堝内に配された溶液とを準備する工程と、
前記種結晶を前記溶液に接触させて、結晶を成長させる接触工程と、
前記接触工程の後、前記結晶を前記溶液から離す成長中止工程と、
前記成長中止工程の後、前記結晶を前記溶液に再度接触させる再接触工程と、を備え、
前記再接触工程の開始前に、前記溶液の温度を上げる昇温工程と、前記昇温工程の後に前記溶液の温度を下げる降温工程と、をさらに備えているとともに、
前記再接触工程は、前記降温工程の途中で開始する、結晶の製造方法。 - 前記昇温工程は、前記接触工程が終わる前に開始する、請求項1に記載の結晶の製造方法。
- 前記成長中止工程において、前記種結晶および前記結晶を回転させる、請求項1または2に記載の結晶の製造方法。
- 前記接触工程において、前記種結晶および前記結晶を回転させ、
前記成長中止工程において、前記種結晶および前記結晶を前記接触工程時よりも早く回転させる、請求項3に記載の結晶の製造方法。
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