JP6231375B2 - 坩堝、結晶製造装置および結晶の製造方法 - Google Patents
坩堝、結晶製造装置および結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6231375B2 JP6231375B2 JP2013266477A JP2013266477A JP6231375B2 JP 6231375 B2 JP6231375 B2 JP 6231375B2 JP 2013266477 A JP2013266477 A JP 2013266477A JP 2013266477 A JP2013266477 A JP 2013266477A JP 6231375 B2 JP6231375 B2 JP 6231375B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- solution
- seed crystal
- crucible
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
ップがシリコンに比べて広く、絶縁破壊に至る電界強度が大きいこと等を理由に注目されている。炭化珪素の結晶は、例えば、炭素および珪素を含む溶液を用いて溶液成長法で製造される(例えば、特許文献1参照)。
結晶成長工程において、前記結晶の成長を、前記種結晶または前記結晶が前記抑制部材の上方から前記貫通部を通して視認可能な状態を維持しつつ行なう。
以下、本発明の実施形態に係る結晶製造装置について、図1〜図6を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
らなる。
る。
きる。その結果、溶液5の温度低下を低減させることができ、種結晶3または成長した結晶2と溶液5との温度差を効果的に大きくすることができる。
14を経由する溶液5からの熱放射を、貫通部13を経由する溶液5からの熱放射よりも小さくすることができる。その結果、成長する結晶2が副貫通部14の熱放射領域にまで成長するまでは副貫通部14を経由して容器8内から熱放射することになるが、その間にも容器8内の温度低下を低減することができる。
本発明の実施形態に係る結晶の製造方法について説明する。本実施形態の結晶の製造方法は、準備工程、接触工程、結晶成長および引き離し工程を有している。
種結晶3を準備する。種結晶3は、例えば昇華法または溶液成長法等によって製造された炭化珪素の結晶の塊に切断等の加工を行なって平板状に形成したものを用いる。本実施形態では、種結晶3の下面を炭素面としている。種結晶3の下面は、例えば直径75mmの結晶2を成長させたい場合には、例えば直径75mmの円形に形成される。
種結晶3の下面を溶液5に接触させる。種結晶3は、保持部材4を下方に移動させることで溶液5に接触させる。なお、本実施形態では、種結晶3を下方向へ移動させることで種結晶3を溶液5に接触させているが、坩堝6を上方向へ移動させることで種結晶3を溶液5に接触させてもよい。
接触工程で溶液5に接触させた種結晶3の下面に、溶液5から結晶2を成長させる。結晶2の成長は、上記の接触工程にて、種結晶3の下面を溶液5に接触させたときから始まる。すなわち、種結晶3の下面を溶液5に接触させることによって、種結晶3の下面と種結晶3の下面付近の溶液5との間に温度差ができる。そして、その温度差によって、炭素が過飽和状態になり、溶液5中の炭素および珪素が結晶2として種結晶3の下面に析出し始める。
結晶2を成長させた後、成長した結晶2を溶液5から引き離し、結晶成長を終了する。
2 結晶
3 種結晶
4 保持部材
5 溶液
6 坩堝
7 移動装置
8 容器
9 抑制部材
10 保持領域
11 凹部
12 通過孔
13 貫通部
14 副貫通部
15 第1貫通孔
16 第2貫通孔
17 坩堝容器
18 保温材
19 加熱装置
20 コイル
21 交流電源
22 制御装置
L1 第1直線
L2 第2直線
Claims (5)
- 種結晶を溶液の液面の中央部に接触させて、前記種結晶の下面に結晶を成長させる溶液成長法に用いられる坩堝であって、
前記溶液を保持する保持領域を有する凹部が形成されている容器と、
該容器の前記凹部内に前記保持領域の少なくとも一部を覆うように、上面視したときに前記容器の縁部から前記容器の中央部にわたって位置している、前記溶液の放熱を抑制する抑制部材とを備えており、
該抑制部材は、中央部において上面および下面の間を貫通している、前記種結晶が通過する通過孔と、該通過孔の周囲において上面および下面の間を貫通し、かつ下側開口が上側開口と上下方向で重ならないように上側開口よりも前記中央部側に位置している、前記容器の前記凹部が前記溶液を保持したときに前記抑制部材の上方から前記溶液の液面の中央部を視認可能な貫通部とを有している、坩堝。 - 前記抑制部材において、前記貫通部は柱状である、請求項1に記載の坩堝。
- 前記貫通部は、前記抑制部材を上面視したときに、前記通過孔を囲うように並んで配されている複数の貫通孔である、請求項1または2に記載の坩堝。
- 種結晶の下面に結晶を成長させる溶液成長法に使用される結晶製造装置であって、
種結晶と、
前記種結晶が下端に保持されている保持部材と、
請求項1〜3のいずれかに記載の坩堝とを備えており、
前記貫通部は、前記結晶の成長時において、前記抑制部材の上方から前記貫通部を通して前記種結晶または成長した前記結晶を視認可能なように位置している結晶製造装置。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の坩堝、前記坩堝に保持された溶液および下面に種結晶が固定された保持部材を準備する工程と、
前記保持部材に固定された前記種結晶の下面を、前記抑制部材の前記通過孔を通過させて前記坩堝内の前記抑制部材よりも下方に位置した前記溶液に接触させる接触工程と、
前記種結晶を前記溶液から引き上げて、前記種結晶の下面に結晶を成長させる結晶成長工程とを備えており、
前記結晶成長工程において、前記結晶の成長を、前記種結晶または前記結晶が前記抑制部材の上方から前記貫通部を通して視認可能な状態を維持しつつ行なう結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013266477A JP6231375B2 (ja) | 2013-12-25 | 2013-12-25 | 坩堝、結晶製造装置および結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013266477A JP6231375B2 (ja) | 2013-12-25 | 2013-12-25 | 坩堝、結晶製造装置および結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015120625A JP2015120625A (ja) | 2015-07-02 |
JP6231375B2 true JP6231375B2 (ja) | 2017-11-15 |
Family
ID=53532637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013266477A Expired - Fee Related JP6231375B2 (ja) | 2013-12-25 | 2013-12-25 | 坩堝、結晶製造装置および結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6231375B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017031034A (ja) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | 信越化学工業株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
JP2018080063A (ja) * | 2015-09-10 | 2018-05-24 | 新日鐵住金株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
KR102049021B1 (ko) * | 2016-03-09 | 2019-11-26 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘 카바이드 단결정 성장 장치 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005035825A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Nikon Corp | フッ化物結晶製造用ルツボおよびフッ化物結晶の製造方法 |
JP5439353B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2014-03-12 | 新日鐵住金株式会社 | SiC単結晶の製造装置及びそれに用いられる坩堝 |
JP2012153570A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Daiichi Kiden:Kk | サファイア単結晶引上成長装置 |
-
2013
- 2013-12-25 JP JP2013266477A patent/JP6231375B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015120625A (ja) | 2015-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102049710B1 (ko) | SiC 단결정의 제조 방법 및 제조 장치 | |
US20140127466A1 (en) | Sic single crystal and method of producing same | |
US20150013590A1 (en) | Seed crystal holding shaft for use in single crystal production device, and method for producing single crystal | |
JP6231375B2 (ja) | 坩堝、結晶製造装置および結晶の製造方法 | |
JP6216060B2 (ja) | 結晶の製造方法 | |
JP4389574B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法および製造装置 | |
JP6105447B2 (ja) | 結晶の製造方法 | |
WO2014017648A1 (ja) | 坩堝、結晶成長装置および結晶成長方法 | |
JP2016064958A (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
JP6279930B2 (ja) | 結晶製造装置および結晶の製造方法 | |
KR101829981B1 (ko) | SiC 단결정의 제조 방법 | |
JP2015189626A (ja) | 結晶の製造方法 | |
JP6051109B2 (ja) | 種結晶保持体、結晶製造装置および結晶の製造方法 | |
JP6290973B2 (ja) | 保持体、結晶製造装置および結晶の製造方法 | |
JP6039480B2 (ja) | 保持体、結晶製造装置および結晶の製造方法 | |
JP5051179B2 (ja) | 温度勾配炉を用いた単結晶の製造方法 | |
JP2015086106A (ja) | 坩堝、結晶製造装置および結晶の製造方法 | |
JP4400479B2 (ja) | 単結晶の製造方法および製造装置 | |
US20150075419A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL | |
JP7306217B2 (ja) | 坩堝及びSiC単結晶成長装置 | |
JP6174471B2 (ja) | 結晶の製造方法 | |
RU2534103C1 (ru) | Устройство для выращивания монокристаллов из расплава методом чохральского | |
JP2015209359A (ja) | 結晶製造装置および結晶の製造方法 | |
JP2016185884A (ja) | 結晶の製造方法 | |
JP2016121027A (ja) | 保持体、結晶製造装置および結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160817 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170518 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170919 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171019 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6231375 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |